JPH03247778A - 多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品 - Google Patents
多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品Info
- Publication number
- JPH03247778A JPH03247778A JP4192990A JP4192990A JPH03247778A JP H03247778 A JPH03247778 A JP H03247778A JP 4192990 A JP4192990 A JP 4192990A JP 4192990 A JP4192990 A JP 4192990A JP H03247778 A JPH03247778 A JP H03247778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- film
- gas
- intermediate layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000000023 Auricularia auricula Nutrition 0.000 description 1
- 240000005710 Auricularia polytricha Species 0.000 description 1
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150000971 SUS3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品
に関する。
に関する。
真空容器内部を排気する際の排気時間を決定づける要素
としては、ポンプの排気速度、配管のコンダクタンス、
真空容器の内容量及び真空容器内壁や部品表面からの放
出ガスがある。この放出ガスはさらに到達圧力にも太き
(影響している。
としては、ポンプの排気速度、配管のコンダクタンス、
真空容器の内容量及び真空容器内壁や部品表面からの放
出ガスがある。この放出ガスはさらに到達圧力にも太き
(影響している。
この放出ガスの源には大きく分けて次のように、
■真空容器内壁及び真空内の部品の表面に吸着している
ガス、 ■真空容器及び部品の材料内部に溶存しているガス又は
大気から材料内に溶は込んだガスで、それが真空内表面
にまで拡散してきたもの、 の二種類がある。
ガス、 ■真空容器及び部品の材料内部に溶存しているガス又は
大気から材料内に溶は込んだガスで、それが真空内表面
にまで拡散してきたもの、 の二種類がある。
従来の真空容器及び真空機器用部品にはステンレス鋼又
はアルミニウム合金等の材料で作製されたものがあるが
、これらを真空用に用いると表面からガスが放出され、
真空度がなかなか上がらないので、この放出ガスを減少
させるために、次のような工夫がなされている。
はアルミニウム合金等の材料で作製されたものがあるが
、これらを真空用に用いると表面からガスが放出され、
真空度がなかなか上がらないので、この放出ガスを減少
させるために、次のような工夫がなされている。
(a)真空に接する表面を電解研磨等によって鏡面仕上
げし、ガスが吸着する面積を小さ(する。
げし、ガスが吸着する面積を小さ(する。
(b)真空に接する表面に反応蒸着によってガスの吸着
しにくい金属窒化物を被【すると同時に、表面の平滑度
を高める。
しにくい金属窒化物を被【すると同時に、表面の平滑度
を高める。
(c)真空に接する表面に熱処理によって窒化硼素膜を
形成し、吸着ガスを少なくする。
形成し、吸着ガスを少なくする。
上記のように、(al (b) (c)の技術はいずれ
も真空容器内壁や部品表面のガスが吸着可能な実質的表
面積を減少させることによって吸着ガスの量を少なくし
たり、又、真空に接する表面層をガス吸着が生じにくい
材料、すなわち緻密な酸化膜(a)、窒化膜(b)、窒
化硼素膜(c)にしてガスの吸着を減らす試みを行って
いる。
も真空容器内壁や部品表面のガスが吸着可能な実質的表
面積を減少させることによって吸着ガスの量を少なくし
たり、又、真空に接する表面層をガス吸着が生じにくい
材料、すなわち緻密な酸化膜(a)、窒化膜(b)、窒
化硼素膜(c)にしてガスの吸着を減らす試みを行って
いる。
[発明が解決しようとする課題]
このように、従来技術では0表面に吸着するガスだけに
注目してこれを抑制しようとしているのであり、■材料
内部から、あるいは材料を透過して拡散してくるガスに
対してはこれを抑制する対策は何らとられていなかった
。特に固体内部を拡散しやすい水素に対しては従来技術
では何ら抑制効果がなく、到達圧力に限度があった。
注目してこれを抑制しようとしているのであり、■材料
内部から、あるいは材料を透過して拡散してくるガスに
対してはこれを抑制する対策は何らとられていなかった
。特に固体内部を拡散しやすい水素に対しては従来技術
では何ら抑制効果がなく、到達圧力に限度があった。
本発明は以上のような問題に鑑み、真空に接する表面に
吸着するガスの量を減少させるだけでなく、内部からの
ガスの拡散、放出をも抑制することのできる多層被膜を
有する真空容器及び真空機器用部品を提供することを目
的としている。
吸着するガスの量を減少させるだけでなく、内部からの
ガスの拡散、放出をも抑制することのできる多層被膜を
有する真空容器及び真空機器用部品を提供することを目
的としている。
[課題を解決するための手段]
上記目的は、真空に接する面に被膜を有する真空容器及
び真空機器用部品において、前記被膜が、ガス吸@量の
少ない金属又は化合物である最表面層と、ガス透過係数
が著しく低い金属化合物の単層膜又はそれらの多層膜で
ある中間層とから成ることを特徴とする多層被膜を有す
る真空容器及び真空機器用部品、によって達成される。
び真空機器用部品において、前記被膜が、ガス吸@量の
少ない金属又は化合物である最表面層と、ガス透過係数
が著しく低い金属化合物の単層膜又はそれらの多層膜で
ある中間層とから成ることを特徴とする多層被膜を有す
る真空容器及び真空機器用部品、によって達成される。
[作 用]
以上のように構成される多層被膜を有する真空容器及び
真空機器用部品を用いる時には、真空容器内のガス排気
時に、その材料の内部からのガスの拡散、放出を抑制で
き、その表面からのガス放出が少ないので、目的圧力に
達するまでの排気時間を短くすることができ、又、到達
圧力をも低くすることができる。
真空機器用部品を用いる時には、真空容器内のガス排気
時に、その材料の内部からのガスの拡散、放出を抑制で
き、その表面からのガス放出が少ないので、目的圧力に
達するまでの排気時間を短くすることができ、又、到達
圧力をも低くすることができる。
以下、実施例について図面を参照して説明する。
母材として厚さ2.5+nmのステンレス鋼(SUS3
04)を用意し、その表面に反応蒸着法により窒化チタ
ンの膜を形成する。先ず、第1図に示すように、真空槽
(1)内に5US304の母材(6)を矢印で示すよう
に回転できるよう保持する。この母材(6)を回転させ
、真空槽(1)内に配置した蒸発材料であるチタン(3
)の上面をホローカソード電子ビーム銃(2)からの電
子ビーム(5)で照射してチタン[’l’ i )蒸気
を蒸発させながら、窒素ガス導入管(4)から反応ガス
である窒素ガス(N2)を導入すると、母材(6)の表
面に中間層である窒化チタン膜(7)が形成された。膜
厚が15〜2μmになるまで続けた。次いで異なる真空
槽内で、真空蒸着法によって窒化チタン膜(7)の上に
最表面層である01〜02μmの厚さの白金膜(8)を
形成した(第2図試料(d)参照)。
04)を用意し、その表面に反応蒸着法により窒化チタ
ンの膜を形成する。先ず、第1図に示すように、真空槽
(1)内に5US304の母材(6)を矢印で示すよう
に回転できるよう保持する。この母材(6)を回転させ
、真空槽(1)内に配置した蒸発材料であるチタン(3
)の上面をホローカソード電子ビーム銃(2)からの電
子ビーム(5)で照射してチタン[’l’ i )蒸気
を蒸発させながら、窒素ガス導入管(4)から反応ガス
である窒素ガス(N2)を導入すると、母材(6)の表
面に中間層である窒化チタン膜(7)が形成された。膜
厚が15〜2μmになるまで続けた。次いで異なる真空
槽内で、真空蒸着法によって窒化チタン膜(7)の上に
最表面層である01〜02μmの厚さの白金膜(8)を
形成した(第2図試料(d)参照)。
本実施例によって多層被膜を形成した部品の効果を確認
するために以下のような比較実験を行った。
するために以下のような比較実験を行った。
先ず、本実施例と同一の大きさの母材(6)SUS30
4の表面に本実施例の中間層と同様の窒化チタン膜(7
)(厚さ15〜2μm)だけを形成した比較試料Tb)
と、本実施例の最表面層と同様の白金膜(8)(厚さ0
1〜02μm)だけを形成した比較試料[c)を用意し
た。比較試料(a)は母材だけのもの、試料(d)は本
実施例によって得られたものである。第2図に、各試料
の断面を模式的に示す。
4の表面に本実施例の中間層と同様の窒化チタン膜(7
)(厚さ15〜2μm)だけを形成した比較試料Tb)
と、本実施例の最表面層と同様の白金膜(8)(厚さ0
1〜02μm)だけを形成した比較試料[c)を用意し
た。比較試料(a)は母材だけのもの、試料(d)は本
実施例によって得られたものである。第2図に、各試料
の断面を模式的に示す。
これら4種類の試料を、超高真空装置内で第3図に示す
ような条件で時間tまで昇温しでその後500°Cに保
ち、それぞれの試料について表面から離脱してくる吸着
ガス及び母材内部から放出されてくるガスの測定を行っ
た。各試料 (a)〜(d)について、検出されたガス
種ごとの量の経時変化をそれぞれ第4A図から第4D図
に示す。ここでm/eはガス種の質量数(m)と検出器
において荷電粒子となった時の電価数(e)との比を表
わす。
ような条件で時間tまで昇温しでその後500°Cに保
ち、それぞれの試料について表面から離脱してくる吸着
ガス及び母材内部から放出されてくるガスの測定を行っ
た。各試料 (a)〜(d)について、検出されたガス
種ごとの量の経時変化をそれぞれ第4A図から第4D図
に示す。ここでm/eはガス種の質量数(m)と検出器
において荷電粒子となった時の電価数(e)との比を表
わす。
この実験において、昇温時には主に表面から吸着ガスが
離脱し、昇温が進んで試料が加熱されてくるにつれ(温
度−窓領域の後半)、主に母材内部からのガスが拡散、
放出されて(る。
離脱し、昇温が進んで試料が加熱されてくるにつれ(温
度−窓領域の後半)、主に母材内部からのガスが拡散、
放出されて(る。
第4A図の試料(alの場合は、昇温時に水(m/e−
18)と−酸化炭素(m/e=28)が大量に表面から
離脱し、その後、徐々に減少するが、その量は依然多い
。昇温が進むと水素(m/e=2)が大量に検出される
が、これは母材(6)内部から放出されるものである。
18)と−酸化炭素(m/e=28)が大量に表面から
離脱し、その後、徐々に減少するが、その量は依然多い
。昇温が進むと水素(m/e=2)が大量に検出される
が、これは母材(6)内部から放出されるものである。
第4B図の試料(b)の場合は、試料(a)に比べて水
及び−酸化炭素の離脱量及び傾向はほぼ同じであるにも
かかわらず、水素の放出量は著しく低下している。すな
わち、母材(6)内部から拡散する水素に対して窒化チ
タン膜(7)が拡散障壁となっている、と推測できる。
及び−酸化炭素の離脱量及び傾向はほぼ同じであるにも
かかわらず、水素の放出量は著しく低下している。すな
わち、母材(6)内部から拡散する水素に対して窒化チ
タン膜(7)が拡散障壁となっている、と推測できる。
第4C図の試料(c)の場合は試料(al に比べて昇
温時の水及び−酸化炭素の離脱量が著しく減少している
。他方、加熱が進んだ後の水素の放出は、その放出がピ
ークに達する時期は少し遅れるものの、放出量は試料(
a)の場合とほぼ同じである。すなわち、白金膜(8)
が被覆されたことによって表面に吸着される水、−酸化
炭素の総量が減少したものと推測される。
温時の水及び−酸化炭素の離脱量が著しく減少している
。他方、加熱が進んだ後の水素の放出は、その放出がピ
ークに達する時期は少し遅れるものの、放出量は試料(
a)の場合とほぼ同じである。すなわち、白金膜(8)
が被覆されたことによって表面に吸着される水、−酸化
炭素の総量が減少したものと推測される。
第4D図の本実施例の場合は試料(a)の場合に比較し
て昇温時及びその後の水、−酸化炭素の離脱量が第4C
図の場合と同様に著しく減少している上に、加熱後の水
素の放出量も著しく減少しており、又放出の始まる時期
も少し遅れている。
て昇温時及びその後の水、−酸化炭素の離脱量が第4C
図の場合と同様に著しく減少している上に、加熱後の水
素の放出量も著しく減少しており、又放出の始まる時期
も少し遅れている。
以上の実験結果から、本実施例の最表面層である白金膜
の表面には水や一酸化炭素などのガスが吸着しに(いた
め、吸着ガスの総量を抑制できることがわかる。又、中
間層である窒化チタン膜は母材中のガス、特に水素の拡
散の障壁となり、母材内部からの放出ガス量を著しく抑
制できることがわかる。さらに第4C図及び第4D図に
おいて母材内部からの水素の放出時期が遅れることから
、最表面層も母材内部からのガス拡散に対する障壁とし
ての機能に寄与しているものと思われる。従って本実施
例のように最表面層と中間層とを組合せた被膜を用いる
ことによって、それぞれの機能がより一層効果的に発揮
され、放出ガスの総量を減少させることができる。
の表面には水や一酸化炭素などのガスが吸着しに(いた
め、吸着ガスの総量を抑制できることがわかる。又、中
間層である窒化チタン膜は母材中のガス、特に水素の拡
散の障壁となり、母材内部からの放出ガス量を著しく抑
制できることがわかる。さらに第4C図及び第4D図に
おいて母材内部からの水素の放出時期が遅れることから
、最表面層も母材内部からのガス拡散に対する障壁とし
ての機能に寄与しているものと思われる。従って本実施
例のように最表面層と中間層とを組合せた被膜を用いる
ことによって、それぞれの機能がより一層効果的に発揮
され、放出ガスの総量を減少させることができる。
以上、本発明の実施例について説明したが、勿論、本発
明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に
基づき種々の変形が可能である。
明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に
基づき種々の変形が可能である。
例えば、本実施例の白金の代りに最表面層として金、パ
ラジウム、タングステン、モリブデン、アルミニウム、
ケイ素あるいは金属硫化物、窒化ホウ素を用いたところ
、同様の効果が得られた。
ラジウム、タングステン、モリブデン、アルミニウム、
ケイ素あるいは金属硫化物、窒化ホウ素を用いたところ
、同様の効果が得られた。
又、本実施例の窒化チタンの代りに中間層として炭化チ
タン、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、硼化チタン、窒
化クロムのうち1種又は複数から成る単層膜、又は窒化
チタン/炭化チタン積層膜等を用いたところ同様の効果
が得られた。
タン、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、硼化チタン、窒
化クロムのうち1種又は複数から成る単層膜、又は窒化
チタン/炭化チタン積層膜等を用いたところ同様の効果
が得られた。
又、実施例では成膜法として反応蒸着及び真空蒸着を用
いたが、代りに化学蒸着、スパッタリングあるいは湿式
メツキ法を用いても良い。
いたが、代りに化学蒸着、スパッタリングあるいは湿式
メツキ法を用いても良い。
更に、最表面層として、前記金属又は化合物を20%程
度以ト含も膜を形成し、熱処理によってその成分だけを
膜表面に析出させるようにしても良い。
度以ト含も膜を形成し、熱処理によってその成分だけを
膜表面に析出させるようにしても良い。
[発明の効果]
本発明の多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品
は以上のような構成であるので、真空雰囲気下で母材の
真空に接する面から放出されるガスの総量が少な(なり
、従って排気時間を短縮でき、かつ到達圧力を低下させ
ることができる。
は以上のような構成であるので、真空雰囲気下で母材の
真空に接する面から放出されるガスの総量が少な(なり
、従って排気時間を短縮でき、かつ到達圧力を低下させ
ることができる。
第1図は本発明の実施例において母材表面に膜を形成す
る装置の概略断面図、第2図は本実施例によって得られ
た試料及びそれと比較するための0 各試料の構成を示す断面の模式図、第3図は比較実験の
温度条件を示すグラフ、第4A図〜第4D図は各試料の
ガス分析の結果を示す。 なお、図において (6) ・・・ ・・・・・・・・・・ 母
材(7)・・・・・・・・・・・・・・ 窒
化チタン膜(8) ・・・・・・・・・・・・・・
白 金 膜代 理 人 飯 阪 泰 雄 第1 図 第3図 記 木耳 (al 6・・・・・・ 8・・・・・・ 試 斜 fc) 」 試 料(b) /Xへ 母 材 白金膜 試 料(d) 7ジク
る装置の概略断面図、第2図は本実施例によって得られ
た試料及びそれと比較するための0 各試料の構成を示す断面の模式図、第3図は比較実験の
温度条件を示すグラフ、第4A図〜第4D図は各試料の
ガス分析の結果を示す。 なお、図において (6) ・・・ ・・・・・・・・・・ 母
材(7)・・・・・・・・・・・・・・ 窒
化チタン膜(8) ・・・・・・・・・・・・・・
白 金 膜代 理 人 飯 阪 泰 雄 第1 図 第3図 記 木耳 (al 6・・・・・・ 8・・・・・・ 試 斜 fc) 」 試 料(b) /Xへ 母 材 白金膜 試 料(d) 7ジク
Claims (2)
- (1)真空に接する面に被膜を有する真空容器及び真空
機器用部品において、前記被膜が、ガス吸着量の少ない
金属又は化合物である最表面層と、ガス透過係数が著し
く低い金属化合物の単層膜又はそれらの多層膜である中
間層とから成ることを特徴とする多層被膜を有する真空
容器及び真空機器用部品。 - (2)前記最表面層が金、白金、パラジウム、硫黄、タ
ングステン、モリブデン、硼素、ケイ素及びアルミニウ
ムのうちの少なくとも1種から成る金属又は化合物であ
り、前記中間層がチタン、アルミニウム、ケイ素、クロ
ム、ジルコニウム及びバナジウムの硼化物、炭化物、窒
化物及び酸化物のうち少なくとも1種を含む単層膜、又
はそれらの多層膜である請求項(1)に記載の多層被膜
を有する真空容器及び真空機器用部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2041929A JP2895554B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2041929A JP2895554B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03247778A true JPH03247778A (ja) | 1991-11-05 |
JP2895554B2 JP2895554B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=12621930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2041929A Expired - Lifetime JP2895554B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2895554B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04173962A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-22 | Nec Corp | 真空容器 |
JPH07171371A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-11 | Akinari Kasai | 真空容器などのガス遮蔽法および遮蔽構造 |
FR2760089A1 (fr) * | 1997-02-26 | 1998-08-28 | Org Europeene De Rech | Agencement et procede pour ameliorer le vide dans un systeme a vide tres pousse |
JP2011074442A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | 真空蒸着装置 |
US9752234B2 (en) * | 2014-07-24 | 2017-09-05 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfaffikon | Arc evaporated Me11-aMe2aZI/Mo1-b-cSicBbZII multilayer coatings |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2041929A patent/JP2895554B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04173962A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-22 | Nec Corp | 真空容器 |
JPH07171371A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-11 | Akinari Kasai | 真空容器などのガス遮蔽法および遮蔽構造 |
FR2760089A1 (fr) * | 1997-02-26 | 1998-08-28 | Org Europeene De Rech | Agencement et procede pour ameliorer le vide dans un systeme a vide tres pousse |
WO1998037958A1 (fr) * | 1997-02-26 | 1998-09-03 | Organisation Europeenne Pour La Recherche Nucleaire | Agencement et procede pour ameliorer le vide dans un systeme a vide tres pousse |
US6554970B1 (en) | 1997-02-26 | 2003-04-29 | Organisation Europeenne Pour La Recherche Nucleaire | Arrangement and method for improving vacuum in a very high vacuum system |
JP2011074442A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | 真空蒸着装置 |
US9752234B2 (en) * | 2014-07-24 | 2017-09-05 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfaffikon | Arc evaporated Me11-aMe2aZI/Mo1-b-cSicBbZII multilayer coatings |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2895554B2 (ja) | 1999-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hinnen et al. | An in situ XPS study of sputter-deposited aluminium thin films on graphite | |
Huang et al. | Preparation of thin palladium membranes on a porous support with rough surface | |
JPH04218666A (ja) | セラミックコーティングの形成方法 | |
JP4620187B2 (ja) | 非蒸発性ゲッターによるポンプ装置およびこのゲッターの使用法 | |
US5403629A (en) | Formation of interlayers for application of aluminum diffusion coatings | |
JP4451498B2 (ja) | 非常に高真空の系において真空を改善するための装置と方法 | |
JPH03247778A (ja) | 多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品 | |
Staia et al. | Chemical vapour deposition of TiN on stainless steel | |
GB2084124A (en) | Improved graphite X-ray tube target | |
JP6115942B2 (ja) | クロム含有金属材料及びクロム含有金属材料の製造方法 | |
US6001481A (en) | Porous anodized aluminum surfaces sealed with diamond-like carbon coatings | |
JPS62188856A (ja) | ピストンリング | |
JPH02138469A (ja) | ダイアモンド表面を有する真空用材料、この真空用材料の表面処理法、ダイアモンド膜表面の作製法、真空用材料を用いた真空容器とその部品,真空内駆動機構,電子放出源,真空内ヒータおよび蒸着源容器 | |
JP2004269951A (ja) | 耐ハロゲンガス皮膜被覆部材およびその製造方法 | |
JPS5832229B2 (ja) | 金属窒化物を被覆した真空容器及び真空機器用部品 | |
JP3717546B2 (ja) | 真空用材料 | |
EP1179609A1 (en) | A process for nitriding an aluminum-containing substrate | |
JPH05132789A (ja) | 真空装置用表面被覆金属材 | |
US3969151A (en) | Treatment of stainless steel and similar alloys to reduce hydrogen outgassing | |
Tamura | Hydrogen Permeation of Multi-Layered-Coatings | |
JP3434857B2 (ja) | 超真空用材料及びその製造方法 | |
JP4148402B2 (ja) | Cvdによるカーボン皮膜の選択的形成方法 | |
Sanders et al. | Pinhole plugging characteristics of silica/iron/silver protective coatings in atomic oxygen environments | |
JP2007170215A (ja) | 内燃機関用部品およびその製造方法 | |
JPH03232530A (ja) | 内部拡散薄膜型ゲッター材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |