DE2834813C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Verdampfungsrate oxidierbarer Stoffe beim reaktiven Vakuumaufdampfen - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Verdampfungsrate oxidierbarer Stoffe beim reaktiven VakuumaufdampfenInfo
- Publication number
- DE2834813C2 DE2834813C2 DE2834813A DE2834813A DE2834813C2 DE 2834813 C2 DE2834813 C2 DE 2834813C2 DE 2834813 A DE2834813 A DE 2834813A DE 2834813 A DE2834813 A DE 2834813A DE 2834813 C2 DE2834813 C2 DE 2834813C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pressure
- oxygen
- evaporation
- vacuum
- evaporator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren bzw. eine
Vorrichtung nach den Oberbegriffen der Ansprüche I >o
und b.
Die Qualität, insbesondere die optischen Eigenschaften,
aufgedampfter Oxidschichten hängt bei der reaktiven Verdampfung sehr stark von der Homogenität
des Schichimateriiils innerhalb der aufgedampften Schicht ab. Dies gilt in besonderem Maße für
aufgedampfte Mehrfachschichtsysteme, zu denen die
sogenannten Interferenzschichtsysteme gehören. Gelingt es nicht. Schicht für Schicht unter gleichen
Bedingungen aufzudampfen, d. h. jede Schicht mit &o
gleicher und gleichbleibender Stoffzusammensetzung und annähernd gleicher Aufdampfrate aufzubringen, so
ergeben sich Inhomogenitäten, welche die Abhängigkeit des Absorptions- bzw. Transmissions· Verhaltens von
der Lichtwellenlänge negativ beeinflussen und insbeson- hi
dere eine Reproduzierbarkeii des Verfahrens weitgehend
ausschließen. Das Absorptions- bzw. Transmissions-Verhalten über bestimmte Wellenlängertbereichc
des Lichts labt sich in Diagrammform darstellen; man spricht von Absorptions- und Transmissionskurven.
Grundvoraussetzung für die Gleichmäßigkeit innerhalb der einzelnen Schichten ist die gleichmäßige
Oxidation des Schichtmaterials durch den in die Vakuumkammer zugeführten Sauerstoff. Störgrößen
für die Dichte bzw. den Druck des Sauerstoffs in der Vakuumaufdampfkammer sind die Saugleistungen der
an die Vakuumkammer angeschlossenen Vakuumpumpen, die Desorption von Gasen, die Veränder mg der
pro Zeiteinheit zugeführten Menge an Sauerstoff sowie der ständige Verbrauch an Sauerstoff durch die
Oxidation des Verdampfungsgutes. Aufgrund der laufenden Zufuhr von Sauerstoff und des laufenden
Abpumpens durch die Vakuumpumpen stellt sich ein Gleichgewichtszustand ein. der natürlich zeitlichen
Veränderungen unterliegen kann. Ein schwankender Sauerstoffpartialdruck führt bei konstanter Verdampfungsrate,
d. h. bei der Freisetzung gleichbleibender Mengen von Verdampfungsgut pro Zeiteinheit zu einem
unterschiedlichen Oxidationsverhalten des Verdampfungsgutes, so daß die oben beschriebenen Abweichungen
in der Zusammensetzung des Schichtmaterials auftreten.
Der Fachmann hat daher bisher stets versucht, die Einspeiserate an Sauerstoff in die Vakuumaufdampfkammer
so konstant wie möglich zu halten. Dieses Ziel kann jedoch mit erträglichem Aufwand wegen des
Regelverhaltens der hierfür benötigten Dosierventil nur sehr ungenügend erreicht werden. Andererseits w jr
der Fachmann aber auch bestrebt, die Verdampfungsra-Ie
der Verdampf^quellen durch eine Regelung der
elektrischen Leistung möglichst konstant zu halten. Zu diesem Zweck wurde eine Vielzahl von sogenannten
Ratenmeßgeräten entwickelt. Notwendigerweise aber schwankte das Oxidationsverhalten in Abhängigkeit
von der Menge des pro Zeiteinheit zugefuhrten Sauerstoffs.
Die DEPS 10 55 132 offenbjrt ein kombiniertes
Verfahren, bei dem Selen aufgedampft und Thallium als
Sperrschicht durch ein Katoüenzerst-ubtingsverfahren
aufgebracht werden sollen. Eine reaktive Beschichtung,
bei der das Beschichtungsmatenal mn einem in der
Zerstäubungsatmosphare vorhandenen reaktiven Gas wie Sauerstoff reagieren soll, ,st nicht offenbart. Mithin
Stellt sich auch das Problem nicht, daß sich der
Partialdruck des reaktiven Gases dunh dessen selektiven
Verbrauch verändern könnte.
Die C H PS j 22 2b">
und DE-AS 11 04 283 offenbaren ein reaktives Aufdacipfverfahren. bei dem die zugefuhr
te Ga«menge durch ein Regelventil beeinflußt wird, das
von einem Vakuummeter geregelt wird. Bei Dnakande
rungen in der Vakuumkammer wird die Menge de1·
zugeführten Gases pro Zeiteinheit so geändert, dal* die
Druckänderungen rückgängig gemacht werden Da hierbei die Verdampfungsrate nicht geregelt wird,
ändert sich laufend das Verhältnis der verdampften Materialmenge zur Menge der /ur Oxidation benotigten
Sauersloffmenge. Dies hai /ur folge, daß eine
Absorption des Lichtes in der niedergeschlagenen Schicht nicht völlig verhinder werden kann und dall die
Brechungsindiees der niedergeschlagenen Schichten
inhomogen werden.
Die DE-OS 27 5ObII offenbart die Herstellung von
Schichten, die einerseits nichtmetallischen Charakter, andererseits metallischen Charakter hüben sollen. Die
Beeinflussung des Schiehtcharakters erfolgt dabei durch
gezielte Veränderung der Parameter Gesanitdruck und
Verdamprungsraie. ßeiue Parameter niuasen dabei zur
Erzielung gleichmäßiger bzw. homogener Schichten in äußerst engen Grenzen konstant gehalten werden, d.h.
es ist nicht möglich, den einen Parameter zum Ausgleich von Veränderungen des anderen Parameters in weiten
Grenzen nachzuregeln. Das Regelverhalten des bekannten Verfahrens ist an die physikalischen Vorgänge
bei einem Katodenzerstäubungsverfahren gebunden und nicht auf die Vorgänge beim Vakuumaufdampfen
übertragbar.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Regelung der Verdampfungsrate
oxidierbarer Stoffe beim reaktiven Vakuumaufdampfen gemäß der eingangs beschriebenen Art
anzugeben, mittels welchem Einfach- und Mehrfachschichten möglichst homogenen Oxidationsgrades erhalten
werden.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt hinsichtlich des Verfahrens durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1
angegebenen Merkmale und hinsichtlich der Vorrich tung durch die im Kennzeichen des Anspruchs b
angegebenen. Merkmale
Von dem genannten Stand der Technik, der veh aui
die reaktive Katoden/ersläubung bezieht, bei der cm
Gemisch aus einem Inertgas und einem reaktiven Gas zugeleitet w ird, unterscheidet sich der Erfindungsgegenstand
grundsätzlich dadurch, daß es sich um ein Vakuumaufdampfverfahren in reaktiver Atmosphäre
handelt. Beim reaktiven Vakuumaufdampfen wird statt eines Gasgemischs ausschließlich Sauerstoff eingeleitet.
Dadurch ist der Restgasanteil vernachlässigbar: Er ist in
der Regel kleiner als 1%. Es spielt infolgedessen beim Erfindungsgegenstand keine wesentliche Rolle, ob der
Gesamtdruck oder der Sauerstoff-Partialdruck erfaßt wird. Unabhängig davon kann in sehr engen Grenzen
das Verhältnis des Sauei stoffdrucks bzw. -Partialdrucks
zur Verdampfungsrate etfjßt und geregelt »erden,
wobei der Druck sogar verhältnismäßig stark schwanken kann, ohne daß di« Schichteigenschaften negativ
beeinflußt werden, solange nur gemäß der Erfindung die
Verdampfungsi ite entsprechend nachgeregelt wird.
Durch die angegebene Maßnahme wird erreicht, daß
das Verhältnis von pro Volumenelement in der Vakuumkammer vorhandenem Sauerstoff zur Verdampfungsrate
konstant gehalten wird. d.h. die pro Zeiteinheit für den Oxidationsvorgang freigesetzte
Menge des Vvrdampfjngsgutes wird c:r vorhandenen
Sauerstoffmenge angeoaßt. Aufgrund des weiter oben beschriebenen Gleichgewichtszustandes läuft dies dar
auf hinaus, daß das Verhältnis der pro Zeiteinheit zugeführten Sauerstoffringe zur Verdampfungsrate
gleichfalls konstant gehallen wird. Dieses Konstanthal
ten der Oxid; tionsreaktinn führt zu den angestrebten
homogenen Schichten. Sobald die vorhandene Druck mcßeinruhtung feststellt, daß der Druck in der
Vakuumkammer, vorzugsweise der Saueistoffpartial
druck absinkt, wird die Verdampfungsr.ite durch
Verringerung der / geführten elektrischen Leistung
reduzier), su dal) — mit Ausnahme der geringen
Regelabweichung — das oben angegebene Verhaltm·,
konst.irr ,ehalten wird. Stellt umgekehrt die Druckmeßeinrichtung
einen Anstieg des Drucks in der Vakuumkammer, insbesondere des Sauerstoffpartialdriicks, fest,
so wird die Vcrdampfung.sratc entsprechend hcraufgcregelt,
wodurch gleichfalls die gewünschte Konstanz des
genannten Verhältnisses erreicht wird. Als Verdampfiuigsniiilcn.il
kommen mehl nur Metalle, sondern auch nllständige oder teilw e's«.· '.A\ide von Metallen in
die sich in neutraler Atmosphäre im Hinblick auf die chemische Zusammensetzung verändern würden. Der
Erfindun?sgegenstand kommt vornehmlich für die Erzeugung van dielektrischen Schichten aus TiO>, SiOi
in Frage.
Die Desorptionsrate des Rezipienten sollte möglichst
gering sein. Dies ist dadurch zu erreichen, daß vor dem Sauerstoffeinlaß ein Endvakuum eingestellt wird, das
kleiner als 5 · 10-bmbarist.
Der Frfindungsgegenstand kann noch dadurch weiter ausgestaltet werden, daß Vorkehrungen dafür getroffen
werden, daß die Sauerstoffmenge auf einen konstanten Wert pro Zeiteinheit geregelt wird. Für diesen Zweck
gibt es bereits Dosierventile, die sich automatisch auf eine konstante Durchsatzmenge (Gewichtsmenge) pro
Zeiteinheit einregeln. Bei konstanter Saugleistung der Vakuumpumpen hat der Einsatz einer solchen Maßnahme
zur Folge, daß der Druck in der Vakuumaufdampfkammer nur noch von einer veränderlichen Aufdampf-
-" rate beeinflußt wird, so daß die druckabhängige Regelung nur die Ratenschwankungen ausgleichen muß.
Auf diese Weise w ird zuverlässig erreicht, daß auch die
Verdampfungsrate weitgehend konstant genalten wird, obwohl das Regelsystem im Gegensatz zu bekannten
-'' Ratenregelungen sofort auf eine Veränderung 'es Vakuums bzw. des Sauerstoffpartialdrucks ansprechen
würde.
Durch die erfindungsgemäße Maßnahme wird auch der sogenannte Gettereffekt weitgehend ausgeglichen,
'" der dadurch entsteht, daß dem Vakuumaufdampfprozeß
durch das Niederschlagen der Oxide ein Teil der Sauerstoffmoleküle durch einen reinen Gettervorgang
entzogen wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist auch bei solchen
'' Stoffen anwendbar, die in reaktiver Atmosphäre
zusätzlich Sauerstoff freisetzen, wie z. B. Quarz. In diesem Falle wird einfach das Vorzeichen des
Regelsignals umgekehrt, d. h. eine Erhöhung des Drucks
bzw. Partialdrucks führt in diesem Faile zu einer
Verminderung der Verdampfungsrate.
Ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens w ird
nachfolgend anhand einer Figur näher erläutert.
Fine Vakuumaufdampfkammer 1 ist an ihrer Vorder-J'
seite mit einem Dichtungsflansch 2 und Dichtl isten 3
versehen, auf denen beim Betrieb ein enr.prechc'idcr
Gegenflansch einer nicht dargestellten Tür aufliegt. Durch eine zylindrische Kammerwand 4 ist mittels einer
Durchführung 5 eine Rohrleitung 6 hindurchgefuhrt. die "' über einen Gasmengenmesser 7 mit einer Suuerstoffquclle
8 in Verbindung steht. In der Rohrleitung b befindet sich ein selbsttätig geregeltes Dosierventil 9.
dessen Durchsatz mittels eines Einstellknopfes 10 veränderbar ist.
Durch eine Bodenplatte 11 ist ein Saugstutzen 12
eines Vakuumpumpsdt/es Π hindurchgeführt An einer oberen Deckplatte 14 ist ein kalottcnformiger Substrathalter
15 drehbar befestigt, dessen Drehachse an einer Flanschplatte 16 befestigt ist Die Rotation des
" Substrathalter 15 w-d über einen Getnchcmotor 17
bewirkt.
Unterhalb des Substrathalter 15 ist auf der
Bodenplatte 11 ein wiclerstandsbchciztcr Verdampfer 18 mit einem Vcrdampfcrschiffchen 19 angeordnet,
dessen Widersland den sogenannten Verdampferwiderstand
bildet Oer Verd« /npfer 18 steht über Ansrhl.ißk-itungcn
20 mit einer regelbaren Stromversorgungseinrichtung 21 in Verbindung. Durch deren Regelung kann
der Stromfluß im Verdampferschiffchen 19 und damit
die Verdanipftingsrate beeinflußt werden. Auf der
Bodenplatte Il ist unterhall· ties Substrathalter 15
iiuUcnlcm ein Elcktronenstrahlverdampfcr 22 mit einem
Verdampfertiegel 23 und einer Elektronensirahlquelle 24 angeordnet, die über Anschlußleitungen 25 mit einer
gleichfalls regelbaren Stromversorgungseinrichtung 26 in Verbindung steht. Über die Anschlußleitungen 25
wird sowohl die erforderliche Hochspannung als auch die Heizspannung für die nicht näher bezeichnete
Katode der Elektronenstrahlquelle 24 zugeführt. Durch Veränderung der Hochspannung (Beschleunigungsspannung)
und/oder der Heizspannung ist es möglich, die Leistung der F.lektronensirahlquelle und damit die
Verdampfiingsrate des im Vcrdampfertiegel 23 befindlichen
Verdampfungsgutes zu beeinflussen.
In der Rodenplatte Il bcfindei sich außerdem ein
Driiekmeßfühler 27. der dem Druckbereich und der
Anzeigegenauigkeit entspricht und ein dem Sauerstoffpartialdruck
entsprechendes elektrisches MeUsignal über eine elektrische Leitung 28 einer Druckmeßeinrichtung
29 zuführt, die mit einer Druckanzeige 30 ausgestattet ist. Die Druckmeßeinrichtung 29 besitzt
einen Ausgang 31. der über eine elektrische Leitung 32 einem Regler 33 aufgeschaltet ist. Der Regler 33 besitzt
einen Ausgang 34. der — vorzugsweise umschalibar — einem Stellglied 35 für die Stromversorgungseinrichtung
21 und einem Stellglied 36 für die Stromversorgungseinrichtung 26 aufgeschaltet ist. Das Stellglied 36
beeinflußt vorzugsweise den Emissionsstrom der Katode der Elektronenstrahlquelle 24.
Die beschriebene Vorrichtung arbeitet in folgender Weise:
Mittels des Vakuumpumpsatzes 13 wird zunächst in der
Vakiium-Aufdampfkammer I ein Druck kleiner als ι
5x10 h mbar erzeugt. Danach wird mittels des
Dosierventils 9 pro Zeiteinheit eine solche Sauerstoffmenge in den Rczipicnten eingeleitet, daß sich dort ein
Druck von 7x10 4 mbar als Gleichgewichtszustand
einstellt. Sofern nun in dem widerstandsbeheizten 4 Verdampfer 18 oder in dem Elektronenstrahlverdampfer
22 die Verdampfung von oxidierbaren Stoffen beginnt, wird der Sauerstoffpartialdruck in der Vakuumaufdampfkammer
I abgesenkt, und zwar auf einen Druck, der den gewünschten Aufdampfbedingungen J
entspricht. Steigt nun dieser Druck durch irgendeinen Vorgang an. beispielsweise weil durch das Dosierventil
zuviel Sauerstoff nachströmt, oder weil die Verdampfungsrate nachläßt, so registriert der Druckmeßfühler
in Verbindung mit der Druckmeßeinrichtung 29 >' diesen Druckanstieg und erzeugt über den Regler 33
und das Stellglied 35 oder 36 eine Stellgröße, die über die elektrischen Leitungen 37 bzw. 38 der Stromversorgungseinrichtung
21 bzw. 26 aufgeschaltet wird. Dies regelt den jeweiligen Verdainpfungsvorgang nunmehr
in einem Sinne nach, daß die Verdampfungsrale erhöht
wird, wodurch ein vergrößerter Sauerstoffbedarf eintritt, der der zugefiihrten Sauerstoffmenge pro
• Zeiteinheit entspricht. Umgekehrt führt eine Druckabsenkung
in (Ι· ι Vakuumaiifdampfkaminer I zu einer
Verringerung der Aufdanipfrate. so daß diese wiederum
dem verringerten Sauerstoffangebot entspricht.
, Beispiel
In einer Vorrichtung gemäß der l'igur wurden auf
Glassiibstraten Interferen/schichtsvsteine durch abwechselndes
Aufda. ι pfeil \on SK hund IiO in reaktiver
Atmosphäre hergestellt. In diesem l-'.ill befand sich im
' Elektronenstrahlverdampfer 22 ein J Napf-Tiegel, in
dem die beiden Aurdampfmaterialien getrennt untergebracht waren. Durch Drehen des Verdampfertiegels 2?
ließ sich jeweils eine der Vcrd.i'iipfungssubstan/en in
den Weg des von der I "lektronenstrarilquelle 24
' ausgehenden Elektronenstrahls bringen. Mittels des Dosierventil1- 9 wurde ein .Sauerstoffdruck von
7x10 'mbar eingestellt, nachdem die Vakiium.infdampfkammcr
I zunächst auf einen Druck \<m 3 χ 10 "mbar evakuiert worden war. Unter einer nicht
' gezeigten Blende wurden die Atifdanipfmaterialien
zunächst eingeschmolzen. Der Emissionsstrom der Elektronenstrahlquelle 24 war hierbei zunächst durch
eine G'rnzwertvorgabe begrenzt Nach dem Einschmelzen wurde mittels ties Stellgliedes 36 über den
Emissionsstrom ein vorgegebener Sauerstoffpartialdruck eingestellt. Der Regler 3? hielt nunmehr das
Verhältnis von Sauerstoffpariialdruck zur Verdampfungsrate
im vorstehend aufgezeigten Regelsinne konstant. Sobald eine Schicht aus einem der Schichtmaterialien
mit einer Schichtdicke von einer viertel Wellenlänge niedergeschlagen worden war. wurde die
nächstfolgende Schicht mit dem zweiten Aufdampfmaterial in analoger Weise hergestellt. Da sich der
Drucksollwert im Hinblick auf die unterschiedlichen Materialien unterschied, wurde diesem Sachverhalt
durch eine unterschiedliche Drucksolluertvorgabe
Rechnung getragen. Die Beendigung der einzelnen Schritte des Aufdampfvorganges wurde durch Einschwenken
der nicht dargestellten Blende erzielt. Die Blende selbst wurde durch ein gleichfalls nicht
dargestelltes Fotometer in Abhängigkeit von der Schichtdicke gesteuert. Schichtdickenmessung und
Blendensteuerung sind jedoch Stand der Technik, so daß hierauf nicht näher eingegangen wird.
Die erzeugten Schichten zeichneten sich sowohl einzeln als auch in ihrer Gesamtheit als Schichtsy'em
durch eine große Homogenität und eine sehr gute Reproduzierbarkeit bei unterschiedlichen Chargen aus.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Verfahren zur Regelung der Verdampfurgsrate
oxidierbarer Stoffe beim reaktiven Vakuumaufdampfen von Oxidschichten für optische Zwecke
durch dosierte Sauerstoffzufuhr in eine Vakuumaufdampfkammer während des Aufdampfens, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffzufuhr
auf einen vorgegebenen Wert eingestellt wird, daß der Druck »p« in der Vakuumkammer
erfaßt wird und daß bei Druckänderungen die Verdampfungsrate »r« in dem Sinne nachgeregelt
wird, daß das Verhältnis ρ ·. r im wesentlichen konstant gehalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffmenge auf einem
konstanten Wert pro Zeiteinheit geregelt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß bei einem widerstandsbeheizten Verdampfer (18) der durch den Verdampferwiderstand
fließende Strom druckabhängig geregelt wird.
4. Verfaß.en nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet,
daß bei einem Elektronenstrahlverdampfer (22) der Emissionsstrom der Katode druckabhängig
geregelt wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2. dadurch gekennzeichnet, daß der Sauerstoffpartialdruck
erfaßt wird.
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis \ bestehend aus einer
Vakuumaufdampfkammer mit mindestens einer Verdampferquelle mit je einer durch ein Sieliglied
regelbaren Stromversorgungseinrichtung, aus einer Sauerstoffquelle mit e.nem D sierventil sowie aus
einer Druckmeßeinrichtrng für die Umsetzung des Druckes in ein am Ausgang >
!Stehendes Druck Meßsignal, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang
(31) der Druckmeßeinrichtung (29) über einen Regler (33) dem Stellglied (35, 36) fur die
Stromversorgungseinrichtung (21, 26) in der Weise aufgeschaltet ist, daß cine Druckerhöhung in der
Vakuumaufdampfkammer (1) eine Verstellung des Stellglieds in Richtung auf eine höhere Leistungsabgabe
der Stromversorgungseinrichtung bewirkt.
2Ί
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2834813A DE2834813C2 (de) | 1978-08-09 | 1978-08-09 | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Verdampfungsrate oxidierbarer Stoffe beim reaktiven Vakuumaufdampfen |
CH677079A CH641498A5 (de) | 1978-08-09 | 1979-07-20 | Verfahren und vorrichtung zur regelung der verdampfungsrate oxidierbarer stoffe beim reaktiven vakuumaufdampfen. |
NL7906040A NL7906040A (nl) | 1978-08-09 | 1979-08-07 | Werkwijze en inrichting voor het regelen van de verdampingssnelheid van oxydeerbare stoffen bij het reactief vacuum opdampen. |
GB7927475A GB2028380B (en) | 1978-08-09 | 1979-08-07 | Method and apparatus for regulating the evaporation rate in reactive vacuum deposition processes |
BE0/196650A BE878143A (fr) | 1978-08-09 | 1979-08-08 | Procede et montage pour la regulation de la vitesse de vaporisation de substances oxydables pendant le depot par vaporisation sous vide dans une atmosphere reactive |
US06/065,013 US4287224A (en) | 1978-08-09 | 1979-08-09 | Method for regulating the evaporation rate of oxidizable substances in reactive vacuum deposition |
FR7920415A FR2433055A1 (fr) | 1978-08-09 | 1979-08-09 | Procede et montage pour la regulation de la vitesse de vaporisation de substances oxydables pendant le depot par vaporisation sous vide dans une atmosphere reactive |
US06/260,484 US4408563A (en) | 1978-08-09 | 1981-05-04 | Apparatus for regulating the evaporation rate of oxidizable substances in reactive vacuum deposition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2834813A DE2834813C2 (de) | 1978-08-09 | 1978-08-09 | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Verdampfungsrate oxidierbarer Stoffe beim reaktiven Vakuumaufdampfen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2834813A1 DE2834813A1 (de) | 1980-03-13 |
DE2834813C2 true DE2834813C2 (de) | 1983-01-20 |
Family
ID=6046549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2834813A Expired DE2834813C2 (de) | 1978-08-09 | 1978-08-09 | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Verdampfungsrate oxidierbarer Stoffe beim reaktiven Vakuumaufdampfen |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4287224A (de) |
BE (1) | BE878143A (de) |
CH (1) | CH641498A5 (de) |
DE (1) | DE2834813C2 (de) |
FR (1) | FR2433055A1 (de) |
GB (1) | GB2028380B (de) |
NL (1) | NL7906040A (de) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
HU180339B (en) * | 1980-03-28 | 1983-02-28 | Egyesuelt Izzolampa | Spectacle lens coated by interference filter layer for industrial flame adjusting purposes |
US4382421A (en) * | 1980-04-11 | 1983-05-10 | Vetco, Inc. | Tube coating apparatus |
JPS58167767A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-04 | Clarion Co Ltd | 薄膜形成方法 |
US4518623A (en) * | 1982-11-24 | 1985-05-21 | Riley Thomas J | Polymeric film coating method with continuous deposition pressure control |
US4495889A (en) * | 1982-11-24 | 1985-01-29 | Riley Thomas J | Polymeric film coating apparatus |
US4526802A (en) * | 1983-03-31 | 1985-07-02 | Clarion Co., Ltd. | Film deposition equipment |
US4517220A (en) * | 1983-08-15 | 1985-05-14 | Motorola, Inc. | Deposition and diffusion source control means and method |
DE3569755D1 (en) * | 1984-03-26 | 1989-06-01 | Kuraray Co | Method for producing an optical recording medium by a chalcogenide suboxide |
US4609562A (en) * | 1984-12-20 | 1986-09-02 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus and method for depositing coating onto porous substrate |
DE3523286A1 (de) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Kaltenbach & Voigt | Stabfoermiger lichtleiter fuer medizinische zwecke |
US4719120A (en) * | 1986-09-29 | 1988-01-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Detection of oxygen in thin films |
US5601652A (en) * | 1989-08-03 | 1997-02-11 | United Technologies Corporation | Apparatus for applying ceramic coatings |
US5087477A (en) * | 1990-02-05 | 1992-02-11 | United Technologies Corporation | Eb-pvd method for applying ceramic coatings |
CH686253A5 (de) * | 1992-08-28 | 1996-02-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Regelung des Reaktionsgrades sowie Beschichtungsanlage. |
US5405108A (en) * | 1992-09-03 | 1995-04-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Space debris clearing device |
DE4427581A1 (de) * | 1994-08-04 | 1996-02-08 | Leybold Ag | Verfahren zum Aufbringen einer transparenten Metalloxidschicht auf eine Folie |
US6428848B1 (en) * | 1998-08-06 | 2002-08-06 | Toray Industries, Inc. | Method for producing a metal evaporated article |
EP1580822A1 (de) * | 2004-03-24 | 2005-09-28 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organischer Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102004018435A1 (de) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Carl Zeiss | Vorrichtung zum beidseitigen Beschichten von Substraten mit einer hydrophoben Schicht |
DE202005008165U1 (de) * | 2005-05-20 | 2005-10-06 | Leybold Optics Gmbh | Vorrichtung zum beidseitigen Beschichten von Substraten |
US20130142942A1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Abbott Diabetes Care Inc. | Methods of Making a Reference Electrode for an Electrochemical Sensor |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1104283B (de) * | 1952-06-25 | 1961-04-06 | Alois Vogt Dr | Verfahren zum Herstellen von duennen Schichten auf Unterlagen durch Verdampfen von Metallverbindungen |
GB1010456A (en) * | 1962-10-02 | 1965-11-17 | G V Planer Ltd | Means for measuring and/or controlling the evaporation rate in vacuum evaporation processes |
US3316386A (en) * | 1964-05-20 | 1967-04-25 | Bendix Corp | Multiple evaporation rate monitor and control |
US3982049A (en) * | 1969-06-16 | 1976-09-21 | Rockwell International Corporation | Method for producing single crystal films |
BE817066R (fr) * | 1973-11-29 | 1974-10-16 | Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-concuctrice sur des corps de support chauffes | |
US3962488A (en) * | 1974-08-09 | 1976-06-08 | Ppg Industries, Inc. | Electrically conductive coating |
JPS5315273A (en) * | 1976-07-29 | 1978-02-10 | Toshiba Corp | Forming method for transparent thin film of oxide |
FR2371009A1 (fr) * | 1976-11-15 | 1978-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de controle du depot de couches par pulverisation reactive et dispositif de mise en oeuvre |
-
1978
- 1978-08-09 DE DE2834813A patent/DE2834813C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-07-20 CH CH677079A patent/CH641498A5/de not_active IP Right Cessation
- 1979-08-07 GB GB7927475A patent/GB2028380B/en not_active Expired
- 1979-08-07 NL NL7906040A patent/NL7906040A/nl not_active Application Discontinuation
- 1979-08-08 BE BE0/196650A patent/BE878143A/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-08-09 FR FR7920415A patent/FR2433055A1/fr active Granted
- 1979-08-09 US US06/065,013 patent/US4287224A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-05-04 US US06/260,484 patent/US4408563A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2028380B (en) | 1982-11-03 |
FR2433055A1 (fr) | 1980-03-07 |
DE2834813A1 (de) | 1980-03-13 |
NL7906040A (nl) | 1980-02-12 |
BE878143A (fr) | 1979-12-03 |
CH641498A5 (de) | 1984-02-29 |
FR2433055B1 (de) | 1983-12-16 |
GB2028380A (en) | 1980-03-05 |
US4287224A (en) | 1981-09-01 |
US4408563A (en) | 1983-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2834813C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Verdampfungsrate oxidierbarer Stoffe beim reaktiven Vakuumaufdampfen | |
DE19506515C1 (de) | Verfahren zur reaktiven Beschichtung | |
EP0282835B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der reaktiven Schichtabscheidung auf Substraten mittels Magnetronkatoden | |
DE2750611A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats | |
DE2821119C2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Regelung des Entladungsvorganges in einer Katodenzerstäubungsanlage | |
DE3233094A1 (de) | Gasregeleinrichtung fuer eine chemische bedampfungsanlage | |
DE2911336A1 (de) | Verfahren zur kontrolle plasmachemischer reaktionen | |
EP0282836A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufstäuben hochohmiger Schichten durch Katodenzerstäubung | |
EP0579018A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Metalloxidschicht, Vakuumbehandlungsanlage hierfür sowie mit mindestens einer Metalloxidschicht beschichteter Teil | |
DE3112104A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von elektrisch leitfaehigen transparenten oxidschichten | |
EP1488023A1 (de) | Verfahren zum beschichten eines substrates und vorrichtung zur durchf hrung des verfahrens | |
DE4328586A1 (de) | Verfahren zur Regelung des Reaktionsgrades sowie Beschichtungsanlage | |
DE3426145A1 (de) | Verfahren zur regelung der plasmaparameter in vakuumbeschichtungseinrichtungen mit bogenentladungen | |
DE19605335C1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbedampfungsprozesses | |
DE19605315C1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbeschichtungsprozesses | |
EP0582580B1 (de) | Verfahren zur einstellung des massenflusses einer gaskomponente in einem gasgemisch mittels optischer absorption und anwendung des verfahrens | |
DE102013009203A1 (de) | Verfahren zur Beschichtung mit einem Verdampfungsmaterial | |
EP0751236B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung dünner Schichten mittels reaktiver Kathodenzerstäubung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE102004024980A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum reaktiven Beschichten von Objekten | |
DE102009015737B4 (de) | Magnetron-Beschichtungsmodul sowie Magnetron-Beschichtungsverfahren | |
DE4413378A1 (de) | Einrichtung zum Beschichten eines Substrats | |
EP0326843A1 (de) | Beschichtungskammer mit geregelter Zusammensetzung der Gasatmosphäre | |
DE102004024351A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen eines Dünnschichtsystems mittels Zerstäuben | |
DD267264A1 (de) | Verfahren zur regelung von reaktiven beschichtungen | |
DE102014103735A1 (de) | Sputteranordnung und Verfahren zum geregelten reaktiven Sputtern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAM | Search report available | ||
OC | Search report available | ||
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |