DE3233094A1 - Gasregeleinrichtung fuer eine chemische bedampfungsanlage - Google Patents
Gasregeleinrichtung fuer eine chemische bedampfungsanlageInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Gasregeleinricbtung
für chemische Bedampfungsanlage^ insbesondere zum Gebrauch für Anlagen zur Bedampfung mit einem Niedertemperaturoxid.
Dabei werden Strömungsmengenregler zur Steuerung der Gasströmung durch.mehrere Gasinjektoren
benutzt, die in dem Reaktionsrohr eines mit Vakuum arbeitenden Systems zur chemischen Bedampfung mit einem
Oxid bei niedriger Temperatur angeordnet sind.
Bei der fabrikmässigen Herstellung von Halbleiteranordnungen ist es erwünscht, einen Niederschlag von
Schichten aus Siliziumdioxid herzustellen, einem dichten, chemisch inerten dielektrischen Material von äusserst
hoher Härte, niedriger thermischer Leitfähigkeit und hohem Widerstand gegen Molekulardiffusion. Siliziumdioxid
wird nicht nur als dielektrische Zwischenschicht bei Anordnungen mit mehreren Metallschichten, sondern
auch in Verbindung mit dotiertem Siliziümdioxid benutzt.
Es hat sich herausgestellt, dass es schwierig ist, Halbleitersubstrate auf wirtschaftliche Weise derart
mit Siliziumdioxid zu beschichten, dass sich gleichmassige'
fehlerfreie Schichten von hoher Güte ergeben. ■ Die Technik wurde von der Verwendung einatmosphäriger
Systeme aus entwickelt, welche sogenannte Kaltwandöfen zur Bedampfung bei Niederdruck oder partiellem Vakuum
verwenden, wobei das Siliziumdioxid durch Öxidierung
von Silan <Siliziumwasserstoff) als OberfiSchenbe-
schichtung auf die Halbleitersubstrate aufgebracht wird, die innerhalb einer beheizten Vakuumkammer erhitzt werden,
Im Falle der Beschichtung mit dotierten Siliziumdioxidschichten werden Gase wie z.B. Phosphin (Phosphorwasserstoff)
mit Silan gemischt, um einen Niederschlag von dotiertem .Siliziumdioxid zu bilden. Die Beheizung der
Substrate vor der Beschichtung geschieht in einem Diffusionsofen üblicher Art, bei dem das Diffusionsrohr
mit Einrichtungen versehen ist, die zur Evakuierung der darin enthaltenen Gase vor der Einführung des Silans,
Phosphins und Sauerstoffs dienen. Die Bedampfung bei Niederdruck ergibt zwar wesentliche Vorteile während
des einatmosphärigen Prozesses. Jedoch bestehen erhebliche Schwierigkeiten zur Erhaltung der gewünschten
Gleichmässigkeit des Niederschlags sowie der Freiheit von Oberflächenfehlern. In dem U.S. Patent k 098 923
ist ein Niederdrucksystem zur Beschichtung mit Siliziumdioxid beschrieben, das eine Anzahl von Merkmalen zur
Verbesserung der Gleichmässigkeit der Beschichtung auf verschiedenen Substraten erhält, welche senkrecht
längs des Prozeßrohres angeordnet sindjsowie auch auf den
Substraten gleichmässig zur Plättchenquerrrichtung. Zu den verschiedenen in dem genannten Patent beschriebenen
Hilfsmitteln zur Verbesserung der Gleichmässigkeit gehört die Verwendung einer Ummantelung in Verbindung
mit dem Plättchentragschiff zur Verbesserung der Verteilung der gemischten Gase über die von dem Schiff
getragenen Substrate. Ausserdem werden danach.die gemischten
Gase wie Silan und Phosphin sowie der damit reagierende Sauerstoff nicht am Ende des Proüeßrohrs,
sondern durch Injektoren zugeführt, die sich in Längsrichtung des Prozeßrohrs neben dem Substratschiff erstrecken.
Diese Injektoren waren mit öffnungen versehen, die wiederum neben dem Substrattragschiff angeordnet
sind, um die verschiedenen Gase direkt der Beschichtungszone zuzuleiten. Ferner waren in dem
genannten Patent Ventile und Strömungsregeleinrichtungen
vorgesehen, um die Strömungen und.Anteile der verschiedenen Gase zu steuern.
Später wurde eine weitere Abwandlung des Gasinjektoraufbaues entwickelt, bei der mehrere getrennt
steuerbare Gasinjektoren vorgesehen wurden, um das
Volumen der in verschiedenen Bereichen längs des
Rohres abgegebenen ßasmischung zu verändern oder nachzustellen. Bei einer Ausführungsform waren fünf getrennte Injektoren vorhanden, die je mehrere' Löcher aufwiesen, um eine geregelte Strömung der gemischten Gase einem Längsabschnitt des Prozeßrohrs zuzuführen. Da die Strömungsgeschwindigkeit und Sauerstoffverteilung weniger kritisch war, waren nur zwei Injektorrohre mit öffnungen zur Sauerstoffzuleitung auf der ganzen Länge der Prozeßzone vorgesehen. Wenngleich die praktisch verwirklichten Ausführungsformen des vor-
Volumen der in verschiedenen Bereichen längs des
Rohres abgegebenen ßasmischung zu verändern oder nachzustellen. Bei einer Ausführungsform waren fünf getrennte Injektoren vorhanden, die je mehrere' Löcher aufwiesen, um eine geregelte Strömung der gemischten Gase einem Längsabschnitt des Prozeßrohrs zuzuführen. Da die Strömungsgeschwindigkeit und Sauerstoffverteilung weniger kritisch war, waren nur zwei Injektorrohre mit öffnungen zur Sauerstoffzuleitung auf der ganzen Länge der Prozeßzone vorgesehen. Wenngleich die praktisch verwirklichten Ausführungsformen des vor-
stehend beschriebenen Niederdrucksystems zur chemischen Bedampfung mit Strömungsmessern und von Hand einstellbaren
Ventilen ausgerüstet waren, um die Strömungsgeschwindigkeiten der verschiedenen Gasinjektoren zu
steuern, war es bereits allgemein in der Technik der chemischen Bedampfungssysteme bekannt, einzelne Strömungsmengenregler
für jeden der vorhandenen Gasinjektoren vorzusehen.
Bei der Gasregeleinrichtung gemäss der Erfindung sind mehrere Strömungsmengenregler vorgesehen, die
dazu dienen, die Gasströmung eines jeden der Injektoren zu regeln, welche die gemischten Gase den Prozeßrohren
zuführen. Um die Einstellung des Prozesses zu erleichtern, werden die Strömungen durch sämtliche Gasmischungsinjektoren
ausser einem abhängig gemacht von den Gasmischungsströmungsreglern
für diesen einen Injektor. Dadurch wird es möglich, dass die abhängigen Regler auf einen bestimmten Prozentsatz der Strömung des
Hauptreglers eingestellt werden, durch den sie geregelt werden. Die Mengen der Gase, welche in einem Verteiler
gemischt werden, aus dem die verschiedenen Injektoren gespeist werden, werden auf eine neuartige Weise geregelt.
Die Dotierungs- oder Phosphingasströmung wird durch einen Strömungsmengenregler geregelt, während
2b die Silanströmung in den Verteiler durch die Regler
an den Injektoren geregelt und durch einen Strömungs- '
messer überwacht wird. Das Strömungsmessersignal erzeugt,
wenn es mit dem Silan-Sollwert. verglichen wird, ein
Fehlersignal, das dazu benutzt wird, den Sollwert an dem Haupt strornungsregler elektronisch nachzustellen,
um den Fehler zu kompensieren. Wegen ihrer Beziehung auf den Hauptregler erfahren die abhängigen
Regler gleichfalls eine Korrektur. Dadurch wird eine einfache und wirksame Einrichtung zum Regeln der
Gasströmung in dem System, um die erwünschten Strömungen zu erhalten, geschaffen. Es wird ferner eine
Einrichtung geschaffen, durch welche die relativen Strömungen zu den verschiedenen Injektoren leicht
verändert werden können, um eine verbesserte Gleichmässigkeit zu erhalten, ohne die Gesamtströmung oder
die prozentuale Mischung der.Gase zu ändern, die vorher ausgewählt worden war. Es wird eine Einrichtung ge-schaffen,
bei der Anteile oder Beträge der gasförmigen Bestandteile der Gasmischung verändert werden können,
ohne die relativen Anteile der gemischten Gase, die durch die einzelnen Injektoren zugeführt werden, zu
20 verändern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Gasregeleinrichtung für eine chemische
Bedampfungsanlage zu schaffen, insbesondere eine Anlage, in der bei niederer Temperatur Oxid aufgedampft
werden kann. Es werden Strömungsmengenregler an mehreren einzelnen Gasinjektoren vorgesehen, um ausge-
wählte Volumina gemischter Gase längs eines evakuierten Prozeßrohrs verteilt angeordneten Bereichen zuzuführen.
Es sollen Strömungsmengenregler an den einzelnen Injektoren verwendet und ein Strömungsmengenregler
an. einem der Gasbestandteile vorgesehen werden, während ein Strömungsmesser an dem anderen Gasbestandteil vorgesehen
wird, der dazu dient, ein von Abweichungen eines Sollwerts abhängiges Fehlersignal zu erzeugen,
um das Gesamtvolumen des durch die mit den Injektoren verbundenen Strömungsmengenregler fliessenden Gases
zu regeln.
Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, bei einer solchen Anlage mehrere Mischgasinjektoren an dem Prozeßrohr
vorzusehen, wobei die Strömung durch jeden dieser Injektoren durch einen Strömungsmengenregler
geregelt wird, von denen einer als Hauptregler und die anderen von dem Hauptregler abhängig gemacht sind.
Im folgenden sind die Erfindung und weitere Vorteile
dieser anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen
F i g . 1 ein Flußschema des Gasströmungsregelsystems
gemäss der Erfindung,
F i g . 2 die Seitenansicht eines typischen Prozeßrohrs zur Verwendung bei einem solchen System,
teilweise geschnitten; ■
F i g . 3 eine Ansicht des Prozeßrohrs von Fig. 2;
Pig.1! eine Ansicht des Prozeßrohrs von
Fig. 2 von oben gesehen,
F i g . 5 ein Blockscheina der Regelkreise für
das Gasregelsystem und
F i g . 6a und 6B ein schematisches Schaltbild
der Regelschaltung.
In Fig. 1 der Zeichnungen ist ein Flußschema gezeigt,
das die Kombination eines Diffusionsofens und eines Gasströmungsregelsystems,
die allgemein mit der Bezugsziffer 12 versehen ist, umfasst. 13 ist der Diffusionsofen
mit dem Prozeßrohr 15, der von einem Heizelement 17 umgeben ist. Das Prozeßrohr 15 besteht gewöhnlich
aus Quarz oder korrosionsfestem Stahl und kann gegen den Atmosphärendruck dicht abgeschlossen werden. Ein
Ende des Prozeßrohrs 15 ist mit einem abgedichteten Verschlussteil 19 versehen, das leicht entfernt werden
kann, um die mit·Plättchen beladenen Schiffe in das Prozeßrohr 15 einführen zu können. Das von dem Verschlussglied
19 entfernte Ende des Prozeßrohrs ist mit einem vergrösserten Auslaß 21 versehen, an den
eine Vakuumpumpeinrichtung 23 angeschlossen werden kann. Einzelheiten einer geeigneten Ausführungsform
einer solchen Vakuumpumpeinrichtung sind in'dem U.S.
Patent 4 228 004 besehrieben.
Die Kombination 12 enthält ferner ein Gaszuführsystem
25» mit dem geregelte Mengen von Gas dem Prozeßrohr
15 zugeführt werden können." Bei einem Zwischensystern,
das in der Lage ist, bei niederer Temperatur und niederem Druck chemische Aufdampfprozesse durchzuführen,
sind Einrichtungen zur Zufuhr verschiedener Gase wie SiI an, SiHj,, und dotierender Gase wie Phosphin,
PH-, vorhanden. Das dotierende Gas kann in der Gasvorratsflasche
mit einem Trägergas wie Stickstoff oder Argon, das nicht an der Reaktion teilnimmt, vorgemischt
werden. Außerdem ist es erforderlich, Sauerstoff und
wahlweise Stickstoff dem Prozeßrohr 15 zuzuführen. Wie in der schematischen Darstellung von Pig. I gezeigt,
bestehen Druckgasquellen der erforderlichen Gase wie Silan, Phosphin, Sauerstoff und Stickstoff, aus Metallbehältern,
die über geeignete Armaturen aus korrosionsbeständigem Stahl an das System 25 angeschlossen sind.
Um das Silän oder die Mischung aus Silan und Phosphin
dem Prozeßrohr 15 verteilt zuzuführen, sind mehrere Injektorrohre 27 vorgesehen, die am besten aus Fig. 2 bis
4 zu erkennen sind. Es sind fünf Injektorrohre 2 7 vorhanden,
die einzeln als 27a, 27b, 27c, 27d und 27e bezeichnet und über den 90 Quadranten des Prozeßrohrs
15 wie in Fig. 3 gezeigt verteilt angeordnet sind. Die Injektorrohre 27a. bis 27e erstrecken sich von außerhalb
des Prozeßrohrs 15 durch dessen Endwand 15a hindurch in der Nachbarschaft der Auslaßöffnung 21. Außerdem
erstrecken sieh die Injektorrohre in das Innere des
Prozeßrohrs 15 über verschiedene Abstände wie am besten aus Pig. H zu erkennen ist. Die inneren Enden von vier
solchen Injektorrohren haben etwa Z-förmige Teile ?7f»
27g, 27h und 27i, wobei das mittlere Rohr ?7c einen,
geraden End ab schnitt 2-7 j aufweist. Die Abschnitte der Injektorrohre 27, welche.paralIeI &u der Mittelachse
des Prozeßrohrs 15 verlaufen, wie aus Fig. 4 zu ersehen, sind perforiert, wodurch Gasaustrittsöffnungen in Abständen
fortlaufend längs des mittleren Teils des Prozeßrohrs 15 gebildet werden. Bei dem Injektorrohr 27c
ist nur der innere Endabschnitt mit Perforationen versehen,
so dass jedes der Injektorrohre 27 einen perforierten Abschnitt von etwa 15 bis.18 cm (6 bis 7 Zoll) hat,
was eine Gesamtlänge der Gasverteilerstrecke von etwa 89 bis 102 cm-(35 bis kö Zoll) ergibt. Die Injektorrohre
27 sind durch einzelne Leitungen 29 über elektromagnetische Absperrventile 31 mit den Strömungsmengenreglern
33, J>H, 35, 36 und 37 verbunden. Die Strömungsmengenregler
können von jeder beliebigen Ausführung sein, die für eine genaue Regelung kleiner Strömungsmengen von Gas geeignet sind. Sie können beispielsweise
denen der U.S.-Anmeldung Serial No..193 876
vom 3. Oktober I98O entsprechen. Die Strömungsmengenregler
sind über Leitungen 39 mit einem Verteiler 1Jl verbunden, in welchem verschiedene Reaktionsgase
gemischt werden können.
- Ib -
Um dem Verteiler Hl Silan zuzuführen, führt eine
Leitung 43 über ein elektromagnetisches Absperrventil
45 und einen Strömungsmengenmesser 47 zu der Silanquelle
49· In ähnlicher Weise verbindet eine Leitung 51 den Verteiler 4l .über das Absperrventil 53 und
einen Strömungsmengenregler 55 mit der Phosphinquelle
57. ■
Vor einer weiteren Beschreibung der G.asströmungsregeleinrichtung
im einzelnen soll kurz der Grund erwähnt werden, warum die fünf Injektorrohre 27 vorgesehen
werden. Wie bereits einleitend erwähnt, erfolgt der Niederschlag von Siliziumdioxid bei niederer Temperatur
und niederem Druck sehr rasch und ist daher schwierig zu überwachen bzw. zu regeln. Wie schon in
der genannten Patentschrift 4 098 923 erwähnt, kann das
die Plättchen enthaltende Schiff mit einer Umhüllung versehen sein, die begrenzte öffnungen aufweist und
• die Verteilung des. Gases über die darauf getragenen Plättchen auszugleichen sucht. Aber auch bei der Anwendung
einer solchen Umhüllung und von Gasinjektoren,
die über die ganze Länge des Bereichs, indem die Plättchen getragen werden, angeordnet, sind, bestehen
noch Schwierigkeiten, einen gleichmässigen Niederschlag auf allen Plättchen längs des Prozeßrohrs und
über die Oberfläche jedes Plättchens zu erhalten, das
normalerweise senkrecht zur Achse des Prozeßrohrs angeordnet ist. Es ist bekannt, mehrere getrennte In-
jektorrohre, wie z.B. die Rohre 27a bis 27e, vorzusehen,
um eine Einrichtung zum Verändern der Relativmengen der Reaktionsgase über verschiedene Teile der Länge des
Prozeßrohrs zu schaffen. Zu den bekannten Gauregelsystemen gehört die Verwendung von entweder von Hand
geregelten Ventilen für jeden einzelnen der vorhandenen Injektoren oder in manchen Fällen Strömungsmengenregler,
die auf ausgewählte Strömungsgeschwindigkeiten für jedes der vorhandenen Injektorrohre eingestellt
werden können.. Jedoch muß das Strömungsmuster durch die verschiedenen Injektorrohre βηρirisch bestimmt
werden. Es hängt offenbar von zahlreichen Unbekannten ab, welche die Muster der Gasströmung, der Temperaturdifferentiale
u.dgl.. betreffen, die offenbar schwierig herzustellen oder zu überwachen bzw. zu regeln sind.
Wegen der empirischen Natur der Herstellung des optimalen Gasströmungsmusters wäre es erwünscht, die
maximale Flexibilität bei der Einstellung der relativen Strömungen in den verschiedenen Injektorrohren zu erhalten,
und es wäre erwünscht, in der Lage zu sein, die Gesamtströmung oder Zusammensetzung der Gasmischung
zu ändern, ohne dabei die relativen Anteile der Strömungen durch die verschiedenen Injektoren zu ändern.
Wie nachstehend beschrieben, lässt sich durch die An-Ordnung der Strömungsregler an den verschiedenen Injektorrohren
und die damit verbundene Regeleinrichtung eine weit grössere Flexibilität und eine bedeutende
Verbesserung gegenüber den bereits bekannten Gasregeleinrichtungen
erreichen.
Der Sauerstoff wird dem Prozeßrohr 15 mittels eines einzelnen Rohres 59 zugeleitet, das zentral am Boden
des Prozeßrohrs angeordnet ist, wie aus Fig. 2 und 3 zu ersehen. Das Sauerstoffrohr 59 hat auf seiner gesamten
Länge öffnungen und weist einen Endabschnitt 59a auf, der sich durch die Endwand 15a des Prozeßrohrs
erstreckt. Kr ist mit einer Leitung 6l über ein elektrornagnetisches
Absperrventil 63 und einen Strömungsmengenregler 65 an die Sauerstoffvorratsflasche 67
angeschlossen. Zur Reinigung des Systems und auch für andere Zwecke ist eine .Stickstoffquelle 69 über ein
elektromagnetisches Ventil 71 und eine Leitung 73 an die Leitung 6l angeschlossen, die auch zur Zuführung
des Sauerstoffs zu dem Injektor 59 dient.
Vor Erörterung der Einzelheiten der Regelschaltung für die Gasverteilereinrichtung 25 soll auf folgende
Aspekte hingewiesen werden: Zunächst dient der Strömungs· mengenregler 33, der die Strömung F. steuert, als Hauptregler
für die Injektoren mit den anderen vier Strömungsmengenreglern 3*1 >
35> 36 und 37 (welche die Strömungen Fp, F,, F1. und Fp- steuern), die mit Reglern versehen
sind, welche ihre Strömungen auf die Strömung durch F1 auf einer prozentualen Basis beziehen. Somit
bilden die Sollwertregler oder -einsteller für die Regeleinrichtungen 3^, 35» 36 bzw. 37 die Strömungen
F2, F,, F^ und Fj-, die einen Prozentsatz der Strömung
durch F1 ausmachen.
Der zweite Aspekt des Systems besteht darin, dass die Strömung von Silan nur durch die Strömungsregeleinrichtungen
33 bis 37 für die einzelnen Injektoren geregelt wird und dass nur der Strömungsmengenmesser
47 an der Silanleitung vorhanden ist, so dass kein einzelner Regler für diese Strömung vorgesehen ist.
Das Phosphin wird durch einen getrennten Strömungsmengenregler 55 geregelt.
Die sich hieraus ergebenden Vorteile des Systems
betreffen alle die Flexibilität hinsichtlich der Möglichkeit der Regelung der Strömungsverhältnisse in
den verschiedenen Injektoren, ohne die Gesamtmenge oder Mischung des Gases zu beeinflussen oder hinsichtlich
der Möglichkeit von Veränderungen der Gesamtmenge oder Mischung, ohne die durch die einzelnen Injektoren gelieferten
Anteilverhältnisse zu beeinflussen.
Bezüglich der Funktion des Gasregelsystems 25 empfiehlt es sich, die Beziehungen zwischen den an
verschiedenen Stellen des Systems vorhandenen Gasströmungen zu analysieren. Der Einfachheit- halber sei
angenommen, dass der Gesamtgasstrom der Gasbestandteile gleich FT sei, wobei die einzelnen Gasströme von
Silan und Phosphin durch F(SiH^) bzw. F(PH5) dargestellt
werden. Danach lässt sich die Beziehung zwischen den Gasströmungen durch die folgende Gleichung (1)
ausdrücken:
(1) PT = P(SiHjIj) + F(PH,)
Da der gesarate Gasstrom, der dem Verteiler ^l zugeführt
wird, auch durch die einzelnen Injektoren 27a bis 27e
abgegeben wird, ist er gleich der Summe der GasstrSme
durch die verschiedenen Injektoren. Wenn die Ströme durch die Injektoren 27a, 27b, 27c, 27d und 27e mit
P1, Fp, F,, Fj. und P1- bezeichnet werden, lässt sichdie
Beziehung zwischen dem Gesamtstrom und den Injektorströmen durch Gleichung (2) wie folgt darstellen:
(2) FT = F1 + F2 + F_ + F14 +
Eine Substitution der Gleichung (1) in die Gleichung (2) ergibt die Gleichung (3):
(3) F(SiH21) + F(PH3) = F1 + F2 + F3 + F1, + F5
Wie noch näher im Zusammenhang mit dem Schaltschema der Regelkreise erläutert wird, werden die Einzelströme
F2, F3, Fj4 und Fj- in den Injektoren 27b, 27c, 27d und
27e eingestellt oder geregelt als ein Prozentsatz des Stromes durch'den Injektor 27a, oder in anderen Worten
als ein Prozentsatz von F1. Dies geschieht durch Einstellen
eines Potentiometers, das für jeden Einzelstrom von 05ί bis 1005? geeicht ist; diese Prozentsätze werden als die Sollwerte für die verschiedenen abhängigen
Strömungsregler bezeichnet und mit SP.2, SP.3, SP.
und SP.5 benannt. Auf diese Weise werden die Sollwerte für die Strömungsmengenregler 3^, 33, 36 und
37 angegeben. Somit können die abhängigen Regler-5 oder Injektorströine als Gleichungen (^a) bis ('Jd)
wie folgt ausgedrückt werden:
(4) a. F2 = SP.2 {%) χ
b. F3 = SP.3 (?) x
c. F1, = SP.k {%) χ
d. F5 = SP.5 (*) x
Substituiert man nun die obigen Ausdrücke für F2, F,,
Fm und Fa in die Gleichung (3), so erhält man folgende
Gleichung (5): ■■
(5) F(SiH21) + F(PH3) = (SP.2 + SP-.3 + SP.^i + SP.5 + 1)
Wird die Gleichung (5) für F1 aufgelöst, so entsteht die
Gleichung (6):
F(SiH1,) + F(PH3)
(6) F
1 SP.2 + SP.3 + SP.4 + SP.5 +
Um eine genaue Regelung der Strömung von Silan F(SiH1.)
sicherzustellen, ist der Strömungsmesser 47 vorgesehen,
der die Silanströmung von der Quelle 49 zu dem Vertei-
ler 1Jl überwacht. Anhand des Schaltschemas der Pig. 6A
und 6b wird der Regelkreis noch näher erläutert. Er enthält Einrichtungen zum Auswählen der Strömungsgeschwindigkeit
des Silans, d.h. zur Silan-Sollwerteinstellung.
Die verschiedenen Injektorströmungsregler· regeln dann die jeweiligen Strömungen zum Hervorbringen
der gewählten Silanströmung. Um die Genauigkeit und Flinkheit des Systems beim'Ansprechen auf Korrekturen
zu verbessern, wird die tatsächliche Strömung des Silans, wie sie durch den Strömungsmesser 47
gemessen wird, mit dem Sollwert der Silanströmung verglichen, um ein Pehlersignal zu bilden, das dazu
benutzt werden kann, die Injektorströmungen zu berichtigen und das System abzugleichen. Es ist ferner
zu bemerken, dass, wenn der Strömungsfehler über die Korrekturfähigkeit des Systems hinausgeht, etwa infolge
eines blockierten Strömungsmengenreglers oder einer unrichtigen Einstellung eines abhängigen Sollwerts,
ein Fehlersignal erzeugt wird, um eine Signallampe aufleuchten zu lassen, durch welche die Bedienungsperson
darüber informiert wird, dass die Strömung kleiner ist als es dem Sollwert entspricht.
Die Verwendung des .Fehlersignals zum Abgleich der Strömungsgeschwindigkeiten lässt sich als abgewandelte
Passung der Gleichung (6) betrachten, die das Fehlersignal als Zusatz zu oder als Abzug von der Gesamtströmung
wie folgt in Gleichung (7) darstellt:
|λ Β --'
on:
- 25 -
(7) ρ =
P(SiH^) + P(PH3) + (SiH21 Fehler)
SP.2 + SP.3 + SP.4 + SP.5 + 1
Wenn der Messwert der Strömung im Strömungsmesser kl
mit dem Sollwert der Silanströmung übereinstimmt, ent-" steht naturgemäß kein Fehlersignal. Der Ausdruck für
den SiH^-Fehler wird dann gleich Null. Andererseits wird
die Strömung F.. derart modifiziert, dass die Einstellung
zur Beseitigung des Fehlers vollendet wird.
Anhand des Blockschemas von Fig. 5 sollen nun die von den verschiedenen Teilen des Regelkreises durchgeführten
Funktionen erläutert werden. Jedem der abhängigen Injektorstromungsmengenregler 3**, 35, 36 und 37
ist ein Sollwertverstärkungsregler oder -einsteller zugeordnet, der mit 100, 102, 104 bzw. 106 bezeichnet
ist. Die einzelnen Sollwertverstärkungsregler bilden' eine Signalspannung, die über Leitungen 108,110, 112
und 11*J den jeweiligen Strömungsmengenreglern 3*1, 35a
36 und 37 zugeführt werden, um die Strömungsgeschwindigkeiten einzustellen, die den gewählten Prozentsätzen
der Strömung F. entsprechen, die durch den Hauptinjektor-Strömungsmengenregler
33 kontrolliert oder geregelt wird. Wie noch in einer ins Einzelne gehenden
Analyse der Schaltung von Fig. 6A und 6B erläutert werden wird, enthält jeder Sollwertverstärkungseinsteller
eine Einstellungskontrolle, welche die Auswahl einer Strömungsgeschwindigkeit von 0% bis 100?
der Strömung F1 für die jeweiligen Strömungsmengen-
regler ermöglicht.
Die Ausgänge der Sollwertverstärkungseinsteller sind auch mit den Sollwertprozentsatzrechnern Il6, 118,
und 122 durch Leitungen 132, 13^, 136 bzw. 138 verbunden.
Eine Signalspannung, die gleich ist der Strömung F., wird auch den Sollwertverstärkungseinstellern 100,
102, 104- und 106 über Leitungen 121I, 126, 1?8 bzw.
130 zugeführt. Die Sollwertverstärkungsennsteller dienen zur Vervielfachung des Spannungssignals F. um
den jeweils eingestellten Prozentsatz, so dass Ausgangsspannungen gebildet werden, die den Strömungsgeschwindigkeiten
Fp, F.,, Fju und F,- gemäss den Gleichungen
(4a), (1Ib), (JJc) und (4d) proportional sind.
Diese der Strömungsgeschwindigkeit entsprechenden Spannungen werden den abhängigen Injektorströmungsmengenreglern
"5k t 35, 36 und 37 durch die Leitungen
108, 110, 112 und 11*1 zugeführt.
Das der Strömung P^ entsprechende Spannungssignal
wird auch über die Leitungen l40, 1*12, I1I1J und I1Jo
den Sollwertprozentsatzrechnern Il6, 118, 120 und 122 zugeführt. Die Ausgangssignale dieser Sollwertprozentsatzrechner
sind jeweils proportional dem Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten durch die
abhängigen Injektor strömungsmengenregler 31I, 35
> 36 und 37, geteilt durch die Strömungsgeschwindigkeit
in dem Hauptinjektor-Strömungsmengenregler 33 und
können zwischen null und eins schwanken, da die Strö-
mungsgeschwindigkeiten der abhängigen Strömungsmengenregler
34 (P2), 35 (F3), 36 (P21) und 37 (P5) niemals
grosser sein können als diejenige des Hauptreglers 33 (F.). Diese Verhältnisse, welche den Sollwerten SP.2,
SP.3, SP.4 und SP.5 entsprechen, werden jeweils dargestellt
durch Signale von null bis eins Volt, die dann über Leitungen 150, 152, 15*1 und 156 einem Summierverstärker
148 zugeführt werden, wo sie mit einem ein
Volt betragenden Bezugssignal addiert werden, das von einer Quelle 158 geliefert wird. Das ein Volt-Signal
entspricht der 100% betragenden Strömungsgeschwindigkeit durch den Hauptregler 33·
Der Ausgangswert am Summierungsverstärker 1^8,
dessen Betrag gleich dem Nenner der Gleichung (6) ist, -wird über den Leiter I60 dem Teiler l62 zugeführt.
Der Teiler I62 enthält über eine Leitung 16Ί auch
ein Signal zugeführt, das gleich der Summe des Phosphin-Sollwerts,
des Silan-Sollwerts und der Silan-Pehlersignale
ist. Durch Teilung .der Gesamtströmung durch die Summe der Sollwerte der abhängigen Strömungsmengenregler plus eins ergibt sich am Ausgang des Teilers
162 eine Spannung, die gleich -dem gewünschten Fluß F1
durch den Hauptströmungsmengenregler 33 ist, wie in der Gleichung {6) zum Ausdruck gebracht.
Um das oben beschriebene Gesamtströmungs- oder FT-Signal
zu bilden, ist ein Summierverstärker I66 vorgesehen,
der über eine Leitung 168 ein Spannungssignal
gleich dem Phosphin-Sollwert, über die Leitung 170
ein Spannungssignal gleich dem Silan-Sollwert und über die Leitung 172 ein Silan-Fehlersignal empfängt.
Das Silan-Fehlersignal wird in dem Fehlerverstärker 174 erzeugt, der das Silan-Sollwert-Spannungssignal
über eine Leitung 176 und ein Signal gleich der tatsächlichen
Silanströmung, wie durch, den Strömungsmesser
4? angegeben, über eine Leitung 178 empfängt.
Der Fehlerverstärker 174 vergleicht die Sila.n-Sollwertspannung
mit dem Ausgang des Silanströmungsmessers 47 und erzeugt das Fehlersignal, das über die
Leitung 172 dem Summierverstärker 166 zugeführt wird. Ein zweiter Ausgang aus dem Fehlerverstärker 174
führt über eine Leitung I8I zu einem Fehleranzeiger in Form der lichtemittierenden Diode I80, die ein
sichtbares Signal hervorbringt, wenn der Silan-Fehler
eine vorbestimmte Höhe überschreitet und nicht.korrigierbar
ist.
Das Ausgangssignal aus dem Teiler I62 ist, wie oben festgestellt, eine Spannung gleich der Strömung F-.
oder der Gesamtgasströmung geteilt durch die Summe der Sollwerte der abhängigen Regler plus eins wie in der
Gleichung (6) ausgedrückt. Dieses Ausgangssignal wird über die Leitung 182 den Sollwertverstärkerreglern
100, 102, 104, 106 und den Sollwertprozentrechnern II6,
118, 120 und 122 zugeführt, wie in Fig. 6A und 6B gezeigt. Eine weitere Leitung 18*1 führt das Spannungs-
signal F^ dem Hauptströmungsmengenregler 33 zu.
Damit ist vollständig beschrieben, auf welche Weise die Strömungsmengenregler 33, 31J, 35, 36 und 37 für
die einzelnen Injektoren, der Phosphin-Ströinunßsmengünregler
55 und der Silan-Ströinungsmesser ^7 funktionell
in dem Gasregelsystem 25 miteinander verknüpft sind. In Fig. 6a und 6B ist die spezielle Schaltung von der
Ausführung ihrer Punktionen aus gezeigt. Es können aber auch Variationen oder Alternativen der Schaltung
angewendet werden, um solche Punktionen zu erfüllen.
Bei der nach den Lehren der Erfindung gebauten speziellen Ausführungsform wurden Strömungsmengenregler
mit verschiedenen Strömungskapazitäten verwendet, um die einzelnen Injektorströme sowie die Phosphin- und
Sauerstoffströme zu steuern. Dabei wird an jedem der verschiedenen Regler eine standardmässige, der vollen
Strömung entsprechende Steuerspannung angewendet, die in diesem Fall fünf Volt betrug. Im Fall der einzelnen
Injektorströmungsmengenregler 33, 3'1J, 35, 36 und 37
betrug die maximale Strömung fünfzig Standardkubikzentimeter pro Minute .(sccm) bei einer Steuerspannung
von fünf Volt. Der Phosphin-Strömungsmengenregler war geeicht für eine Mischung von 155? Phosphin, 85$ Stickstoff,-
und hatte eine maximale Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für eine fünf Volt betragende Steuerspannung.
Der Silan-Strömungsmesser erzeugte beim Ansprechen auf .eine maximale. Strömung von 150 sccm Silan
eine Spannung von fünf Volt. Daraus wird ersichtlich,
dass die Strömungsgeschwindigkeiten durch die verschiedenen Strömungsmengenregler und den Silan-Strörnungsmesser
für ein einzelnes Steuerspannungssignal nicht sämtlich gleich sind. Betrachten wir zunächst
das Phosphin, so ergibt sich ein Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeit
zur Signalamplitude von 20 sccm pro Volt, wogegen an den einzelnen Injektoren dieses
Verhältnis 10 sccm pro Volt beträgt.· Was das Silan angeht, so beträgt das Verhältnis JO sccm pro Volt.
Bei der obigen Analyse des Gasströmungsmengenregelsystems
25 wurde bezüglich der von den verschiedenen Teilen der Schaltung ausgeführten Funktionen angegeben,
dass die Spannungssignale proportional den Gasströmungen wären. Bei der Analyse der nachfolgenden
Schaltung ist zu beachten, dass Vervielfacher verwendet werden, welche den .Mangel .an Übereinstimmung
zwischen den Verhältnissen der Strömungsgeschwindigkeiten zu den Signal.amplituden an den verschiedenen
Strömungsmengenreglern und dem Strömungsmesser kompensieren.
Bei Betrachtung der Fig. 6A und 6B ist zunächst die zu den Sollwertverstärkerreglern 100, 102, 104
und 106 gehörende Schaltung zu erörtern. Da alle diese Verstärkungsregler einander gleich sind, genügt
es, nur den Sollwertregler 100 im einzelnen zu beschreiben, der sich auf die Strömung durch den StrÖ-
mungsmengenregler 3^ bzw. die Strömung P2 bezieht. Der
strichpunktiert gezeichnete Rechteckrahrnen 100 in Fig.
6a umschliesst zwei Arbeitsverstärker A-3 und A~}\,
von denen jeder ein Teil eines Bausteins LM32^N Quad
5 Op-Amp der Firma National Semiconductor ist. Der erste dieser Arbeitsverstärker, der mit der Bezugsziffer 190
versehen ist, ist an seiner positiven oder nieht-invertierenden
Eingangsklemme über einen *)?Κ Widerstand
mit Erde verbunden, während seine negative oder invertierende Eingangsklemme über einen lOOK Widerstand
und die Leitungen 12*J und 182 mit dem Ausgang des
Teilers 162 verbunden ist. Diese Verbindung ergibt ein Spannungssignal an der negativen oder invertierenden
Klemme des Arbeitsverstärkers 190, das dem F.-Spannungssignal
gleich ist. Die invertierende Klemme des Arbeitsverstärkers 190 ist über einen lOOK Rückkopplungswiderstand
mit der Ausgangsklemme verbunden. Der Arbeitsverstärker 190 erzeugt ein negatives oder
invertiertes F.-Spannungssignal am Ausgang. ·
Dieser'invertierte Ausgangswert wird durch eine Leitung 192 über einen 20K Widerstand der invertierenden
Klemme eines zweiten Arbeitsverstärkers 19^ zu- ·
geführt, der gleichfalls ein Teil eines Bausteins LM324N Quad Op-rAmp ist. Die nicht-invertierende Eingangsklemme
des Arbeitsverstärkers 19^ ist durch einen
1OK Widerstand mit Erde verbunden. Die invertierende
Eingangsklemme des Arbeitsverstärkers 19^ ist in einer
Rückkopplungsschleife über einen veränderbaren Widerstand 196 mit der Ausgangsklemme verbunden. Der veränderbare
Widerstand 196 ergibt einen Widerstand von O bis 2OK
und erlaubt eine Veränderung der Verstärkung des Arbeits-Verstärkers
194 von null bis minus eins. - Die Abkürzung
K bedeutet Kiloohm. -
Der veränderbare Widerstand 196 bildet den Sollwertregler oder -einsteller SP.2 für den Strömungsmengenregler
3*1 und ist in Prozenten von 0% bis 100$ geeicht.
Bei der Einstellung auf 100$ liegt der volle 2OK betragende
Widerstand zwischen den Klemmen 6 und 7S so dass eine einfache Umkehr und ein Verstärkungsgrad eins an
dem Arbeitsverstärker 194 vorhanden sind. Wenn gewünscht
wird, dass die Strömung durch den Strömungsmengenregler 34 gleich ist der Strömung durch den
Strömungsmengenregler 33, den Hauptregler, so wird der
veränderbare Widerstand 196 auf den grössten Widerstandswert eingestellt, so dass an dem Arbeitsverstärker
194 ein invertierender Verstärkungsgrad eins
herrscht und eine positive Spannung gleich F1 am
Ausgang zur Verfügung gestellt wird. Das Eingangssignal aus dem Pp-Sollwertverstärkungsregler 100 ist
durch die Leitung 108 mit einem Baustein CD-4O53B der
Firma National Semiconductor, einem Zweikanal-Analogmultiplexer/Demultiplexer 198 verbunden. Das dem
Multiplexer 198 über die Leitung IO8 zugeführte Signal
wird schliesslich dem abhängigen Injektorströmungs-
mengenregler 34 zugeführt. Der Ausgang aus dem Sollwertverstärkungsregler
100 ist auch über eine Leitung 132 mit dem Sollwertprozentrechner Il6 verbunden. Das Ausgangssignal
dient dort als eine der Komponenten bei der Errechnung von F1, der Strömung durch den Hauptströmungsregler
33.
Der Sollwertprozentrechner 13-6, der in Verbindung
mit dem Sollwert für den Strömungsregler 34 benutzt wird,
ist hinsichtlich Aufbau und Funktion den anderen SoIlwertprozentrechnern
Il8, 120 und 122 gleich. Daher wird nur die Schaltung des Rechners 116 im einzelnen beschrieben.
. ' ■
Der Sollwertproz.entrechner Il6 enthält einen Arbeitsverstärker 200 und einen als integrierte· Schaltung aus-
geführten Zweiquadrantteiler 202. Der Arbeitsverstärker 200 ist ein Teil eines Bausteins LM324N, hergestellt
von National Semiconductor, und der Spannungsteiler 202 ist eine Analogschaltung vom Typ AD535· Die Leitung 132
liefert das F? entsprechende Eingangsspannungssignal Über einen 90,9K Widerstand an die nicht-invertierende
Klemme 5 des Arbeitsverstärkers 200, die auch über einen 1OK Widerstand mit Erde verbunden ist. Die invertierende
Eingangsklemme 6 des Arbeitsverstärkers 200 ist über einen 1OK Widerstand in einer Rückkopplungsschleife
mit der Ausgängsklemme 7 verbunden. Bei dieser Anordnung wird das Fp-Spannungssignal um einen
Faktor 10 gedämpft und über die Leitung 204 zu der
Klemme 22 des Zweiquadrantteilers 202 geführt, und das F.-Spannungssignal wird über die Leitungen 182 und 1*10
an die Klemme XI des Teilers 202 geleitet. Der Teiler 202 ist im Innern so ausgebildet, dass das Eingangssignal
an der Klemme 22 mit zehn multipliziert und durch das XI-Eingangssignal dividiert wird, so dass der
Quotient an der Ausgangsklemme erzeugt wird wie dargestellt. Als Folge des Umstandes, dass das F„-Spannungssignal
geschwächt und 1/10 des Fp-Spannungssignals am Ausgang des Arbeitsverstärkers 200 erzeugt und in dem
Teiler 202 mit zehn multipliziert wurde, ist das an die Leitung 150 gelangende Ausgangssignal aus dem
Sollwertprozentrechner 116 das Verhältnis des F?-Signals
zu dem F.-Signal oder gleich der prozentualen Einstellung
des Sollwerts 2 für den abhängigen Injektorströmungsrnengenregler J>k.
Die Summierung der Sollwertsignale, die in jedem Fall zwischen null und eins liegen, wird an dem
Suirimierungsverstärker "1^8 durchgeführt. Der Summierungsv.erstärker
1*18 enthält vier Arbeitsverstärker 206, 208, 210 und 212, die je Teile eines einzelnen
Quadrantenarbeitsverstärkers vom Typ LM32^N von National
Semiconductor sind. Die Ausgangssignale aus den Sollwertprozentrechnern 116 und 118 werden durch
1OQK Widerstände 205 und 207 bzw. Leitungen 150 und 152 der nicht-invertierten Eingangsklemme des Arbeitsverstärkers 2O6 zugeführt. Das Signal an der gemeinsamen
Klemme zwischen den Widerständen 205 und 207 ist der
Mittelwert der Spannungen aus den Sollwertproaentreehnern
116 und 118. Die invertierende Klemme des Arbeitsverstärkers 206 ist über einen lOOK Widerstand
mit Erde und über eine Rückkopplungsschleife mit einem
IQOK Widerstand mit der Ausgangsklemme 1*1 verbunden,
wodurch ein Verstärkungsgrad 2 erreicht wird. Dadurch, dass der Mittelwert der beiden Signale aus 116 und
118 genommen und dann mit zwei multipliziert wird, erhält man die Summe der beiden Signale. In gleicher
Weise sind die Ausgangsleitungen 15^ und 156 aus den
Prozentrechnern 120 und 122 über lOOK Widerstände und 211 mit der nicht-invertierendei Eingangsklemme
des Arbeitsverstärkers 208 in dem Summierungsverstärker 1*18 verbunden, um die Summe der Signale aus
den Rechnern 120 und 122 zu bilden. Die invertierende Eingangsklemme des Arbeitsverstärkers 208 ist gleichfalls
über einen lOOK Widerstand mit Erde und über eine Rückkopplungsschleife mit einem lOOK Widerstand
mit der Ausgangsklemme verbunden. Die Ausgänge aus den Arbeitsverstärkern 206 und 208 sind über Leitungen
21*1 und 126 jeweils über lOOK Widerstände mit der nicht·
invertierenden Eingangsklemme des Arbeitsverstärkers 212 verbunden. Die nicht-invertierende Eingangsklemme
des Arbeitsverstärkers 212 ist über einen lOOK Widerstand mit Erde und über eine Rückkopplungsschleife
mit einem lOOK.Widerstand mit der Ausgangsklemme ver-
bunden. Der Ausgang des Arbeitsverstärkers 212 ist durch die Leitung 218 über einen lOOK Widerstand mit der nichtinvertierenden
Eingangsklemme des Arbeitsverstärkers 210 verbunden.
Ausserdom wird dem Eingang des Arbeitsverstärkers 210 ein 1 Volt-Signal zugeführt, das von dem 1 VoIt-Bezugagenerator
158 erzeugt ist, der einen 680 Ohmwiderstand
aufweist, welcher über eine Zenerdiode 220 (im Handel erhältlich als Motorola Typ 1N7*J6 mit '3,3 Volt
Durchbruchpotential) mit Erde verbunden ist. Das 1 Volt-Signal wird von einem Potentiometer 222 abgegriffen,
das parallel zu der Zenerdiode 220 liegt. Das 1 Volt-Signal wird über eine Leitung 224 mit einem lOOK Widerstand
an die nicht-invertierende Eingangsklemme des Arbeitsverstärkers 210 geführt. Die invertierende Eingangsklemme
des Arbeitsverstärkers 210 ist über einen lOOK Widerstand mit Erde und über eine Rückkopplungsschleife mit einem lOOK Widerstand mit der Ausgangsklemme
verbunden'. Wie bei den Arbeitsverstärkern 206, 208 und 212, empfängt der Arbeitsverstärker 210 den Mittelwert
der beiden Eingangssignale an der nichtinvertierenden Eingangsklemme, hat einen Verstärkungsgrad 2 und erzeugt ein Ausgangssignal, das gleich ist
der Summe der beiden Eingangssignale. Der Ausgang des Arbeitsverstärkers 210 ist mit der Ausgangsleitung
l60 verbunden und bildet ein Signal gleich der Summe der Sollwerte für die.Strömungsmengenregler 31J,
'■Φ:
323309A „ :"
35, 36 und 37 plus 1. Dieses Signal wird dem Teiler zugeführt.
Der Teiler l62 umfasst einen Arbeitsverstärker ?30, etwa einen vom Typ UA? 1TfCN von Texas Instruments, und
einen als integrierte Schaltung ausgeführten Zweiquadrantteiler 232, der eine Analogschaltung AD535 sein
kann. Die Eingangsleitung 161I zu dem Arbeitsverstärker
230 ist mit der invertierenden Klemme verbunden und liefert ein Signal gleich der Summe des Silan-Signals
plus dem Phosphin-Signal und dem Silan-Feblersignal
oder, wie in Gleichung (7) als Zähler ausgedrückt, F(SiH^) + F(PH3) + (SiH11 Fehler).
Die Leitung 161J führt zu der nic.ht-invertierenden Eingangsklemme
des Arbeitsverstärkers 230 über einen 37J1IK
Widerstand, wobei die Eingangskiemine über einen l6,2K Widerstand mit Erde verbunden ist. Die Eingangsklemme
des Arbeitsverstärkers 230 ist über eine Rückkopplungsschleife
mit einem 15K Widerstand mit der Ausgangsklemme verbunden» "Das über die Leitung 161I geführte,
Eingangssignal ist gedämpft, so dass der Ausgang aus dem Arbeitsverstärker 230 drei Zehntel der Spannung
beträgt, welche die gesamte Strömung wie im Zähler der Gleichung (7) zum Ausdruck gebracht darstellt.
Der Ausgang aus dem Arbeitsverstärker 230 ist -durch die Leitung 23^ mit der Klemme 22 verbunden, wogegen
der Ausgang des Summierverstärkers 1^8 durch die Leitung
l60 mit der Klemme XI des als integrierte Schaltung
Ί *
ausgeführten Teilers 232 verbunden ist. Der Teiler 232
multipliziert das Eingangssignal an Z2 mit zehn, er macht auf diese Weise den Zähler gleich dem dreifachen
des Gesamtstromsignals im Hinblick auf die drei Zehntel betragende Dämpfung an dem Arbeitsverstärker 230. Diese
Multiplikation des Gesamtströmungssignals PT um einen
Faktor drei ist erforderlich wegen der Strömungsdifferenzreaktionen
der einzelnen Injektorströmungsmengenregler
33» 3^, 35, 36 und 37» verglichen mit dem Silan-Strömungsmesser
47· Da diese Ströraungsregler eine
Reaktion (response) von 10 sccm/Volt aufweisen, während
der Strömungsmesser eine Reaktion von 30 sccm/Volt hat, muss das die Größe PT darstellende Spannungssignal mit
drei multipliziert werden, um es auf die tatsächliche Strömung, und zwar auf einer Basis zu beziehen, die
normalisiert oder vergleichbar ist derjenigen, die für die Injektoren benutzt wird■>
;-PasA"usgangssignal aus ■■-dem
die Form einer integrierten Schaltung aufweisenden Teiler 232 wird durch einen als Puffer 236 wirkenden
Arbeitsverstärker mit dem Verstärkungsgrad eins gelei-.tet
und ist gleich F1 wie in der obigen Gleichung (7)
ausgedrückt. Dieses Ausgangssignal gleich F1 wird
dann über die Leitung 184 dem Multiplexer 198 zugeleitet,
von wo aus es den Hauptströmungsmengenregler 33
steuert. Dieses Ausgangssignal aus dem Teiler 162 wird auch über die Leitung 182.den Sollwertprozentrechnern 116, .118 und 120-Una'122. sowie den Sollwert-
• a
« ♦
Λ Λ
* A
Verstärkungsreglern IQO, 102, 104 und 1θ6 zu den oben
erläuterten Zwecken zugeführt.
Um den Teiler 162 das der Gesamtgasströmung entsprechende
Signal zusammen mit dem Fehlersignal zuzuführen,
sind der Fehlerveratärker 17^4 und der Sollwertsummierverstärker
l66 vorgesehen. Der Fehlerverstärker 174 enthält Arbeitsverstärker 2*10 und 242.
Der Arbeitsverstärker 240 ist ein Teil eines Bausteins LM324N Quad Op-Amp (Hersteller: National Semiconductor)
und der Arbeitsverstärker 2*12 ist ein Baustein LMT4IlCN
(Hersteller: National Semiconductor). Die nicht-invertierende Eingangskleirane des Arbeitsverstärkers 2^0
wird mit einer Spannung gleich dem Silan-Sollwert gespeist,
die über die Leitung 2kk durch einen 1OK Widerstand
an die nicht-invertierende Klemme geführt wird.
Ein 200K Widerstand "i#$t von der nicht-invertierenden
Eingangsklemme des Arbeite Verstärkers .21IO mit Erde
verbunden. Die Leitung 178 leitet das Signal aus dem Silan-Strömungsmesser 47, zu der invertierenden Eingangsklemme
über einen 1OK Widerstand. Die invertierende Eingangsklemme ist über eine Rückkopplungsschleife mit einem 200K Widerstand an die Ausgangsklemme angeschlossen, so dass sich ein Verstärkungsgrad 20 an dem Arbeitsverstärker 240 ergibt. Der
Arbeitsverstärker 240 wirkt als Differentialverstärker
zum Vergleichen des Silan-Sollwertsignals mit dem
Silan-Strömungsmessereignal und erzeugt, ein Fehlersignal
gleich der Differenz zwischen den beiden Signalen multipliziert um einen Paktor 20. Diese Ausgangsgrösse wird
über einen lOOK Widerstand und die Leitung 172 an den Summersöl 1wertverstärker geführt.
An dem anderen Arbeitsverstärker 2^2 ist das Silan-Sollwertsignal
über einen 1OK Widerstand an die nichtinvertierende Eingangsklemme angeschlossen und das
Silan-Strömungsiriessersignal von der Leitung 178 über
einen 1OK Widerstand an die invertierende Eingangsklemme geleitet. Ein 120 0hm Widerstand liegt zwischen
den beiden Eingangsklemraen. Die Ausgangsklemme ist mit
dem übergang zwischen einem 56K Widerstand, der auf plus 15 Volt vorgespannt ist, und einem 56O 0hm Widerstand
angeschlossen. Der 56K Widerstand ist durch eine Leitung 181 mit einer LED-Signallampe in Form einer
lichtemittierenden Diode verbunden, Wenn das Silan-Strömungsmessersignal
kleiner ist als der Silan-Soll-' wert und zwar um einen Betrag, der etwa gleich 0,20 Volt
oder mehr ausmacht, so schaltet die Spannung zwischen den Eingangsklemmen des Arbeitsverstärkers 242 den
Vergleicher, wodurch eine positive Spannung erzeugt wird, durch die die lichtemittierende Diode 180 in
Vorwärtsrichtung vorgespannt wird.
Der Sollwertsummierverstärker I66 enthält drei Arbeitsverstärker
260, 262 und 261J, von denen jeder ein Teil eines Bausteins LM32*tN Quad Op-Amp-Arbeitsverstärkers
(von National Semiconductor)■ist. Die Eingangs-
leitung l68 wird mit einem Spannungssignal gespeist, das gleich dem Sollwertsignal des Pbosphin-Strömungsinengenreglers
55 ist. Die Leitung 168 führt über einen 63,4k Widerstand an die nicht-invertierende Eingangsklemme
des Arbeitsverstärkers 260 und die nicht-invertierende Eingangskleinrne ist auch über einen 33,?K Widerstand
mit Erde verbunden. Die invertierende Eingangsklemme des Arbeitsverstärkers ist mit der Ausgangsklemme
über einen 33K betragenden Rückkopplungswiderstand verbunden. Dieses Netzwerk erzeugt eine 0,3^ betragende
Dämpfung in dem den Phosphin-Sollwert darstellenden Signal. Diese Dämpfung ist notwendig, um
das Phosphin-Signal an das Silan-Signal anzugleichen,
so dass beide eine entsprechende Basis von 30 sccm pro Volt haben. Die Silan-Sollwertspannung und die angeglichene
oder gedämpfte Phosphin-Sollwertspannung werden in einem nicht-invertierenden Summierverstärker
266 summiert, der zwei in Reihe geschaltete lOOK Widerstände 266a und 266b, aufweist und einen Spannungsmittelwert
zwischen den beiden angelegten Spannungen hervorbringt. Die Ausgangsklemme des Arbeitsverstärkers 260
ist durch eine Leitung 268 mit einem der lOOK Widerstände 266a verbunden und die Silan-Sollwertspannung
wird dem lOOK Widerstand 266b durch -die Leitung 170 zugeführt.
Der Verbindungspunkt zwischen den beiden Widerstän<den
266a und 266b ist mit -der nicht-invertierenden
Eingangükleniine des Arbeitsverstärkers 262 verbunden.
Die invertierende Eingangsklemme ist über einen lOOK
Widerstand mit Erde und über einen lOOK Widerstand einer Rückkopplungssehleife mit der Ausgangsklemme
verbunden. Der so geschaltete Arbeitsverstärker weist einen Verstärkungsgrad 2 auf und ergibt eine
Spannung gleich der Summe der Silan- und Pbosphin-Sollwertspannungssignale.
Das Signal aus dem Summierverstärker 266 ist gleich dem Mittelwert der beiden E-irißarjgssignale, welche, wenn sie mit zwei multipliziert
werden, gleich der Summe der Eingangssignale sind.
Die nicht-invertierende Klemme des Arbeitsverstärkers 26·4 ist mit dem Ausgang des Arbeitsverstärkers
262 durch einen 1ΟΌΚ Widerstand 265 verbunden, während
die Leitung 172 die nicht-invertierende Klemme des Arbeitsverstärkers 26-U mit der Ausgangsklemme des Arbeitsverstärkers·
24o über einen lOOK Widerstand 267 verbindet. Die Widerstände 265 und 267 bilden einen
Summierverstärker, wobei die gemeinsame Klemme so geschaltet ist, dass sie den Mittelwertsbetrag der Ausgangssignale
der Arbeitsverstärker 262 und 2^0 den nicht-invertierenden Eingangsklemmen des Arbeitsverstärkers 26k zuführt. Die invertierende Eingangsklemme
des Arbeitsverstärkers 26*J ist über einen
lOOK Widerstand mit Erde und über eine Rückkopplungssehleife
mit einem lOOK Widerstand mit der Ausgangs-
klemme verbunden. Dies ergibt einen Verstärkungsgrad
von 2 an dem Arbeitsverstärker 264, der ein Signal in der Ausgangsleitung 164 zu dem Teiler 162 erzeugt,
das gleich der Gesaintströmung FT von Si]an und Fhosphin
plus oder minus dem Silan-Fehlersignal ist.
Zur Regelung der übertragung der Steuer:.; ignal e
aus dem Teiler 162 und aus den Sol I worlvorstarkunf.oeinstellern
100, 102, 104, 106 sind zwei Analog-Multiplexer 198 und 298 in Form je eines Bausteins CD4O53
(National Semiconductor) vorgesehen, welche das Anlaufen und Auslaufen des Systems grundsätzlich steuern.
Diese Multiplexer 198 und 298 sind digital geregelte Analogschalter mit niedriger "EIN-" Impedanz und sehr
niedrigen "AUS-" Leckströmen.
Vor dem Anlaufen wird das Silan-Sollwertsignal,
das sich zwischen 0 und 5 Volt ändern kann, von einem (nicht dargestellten) Schaltpultpotentiometer an eine
Leitung 300 gelegt, die zu der Klemme 12 (AO) des Multiplexers 298 führt. Der Ausgangswert dieses Signals
erscheint an der Klemme 14, AZ, wenn die Logikwahl-Eingangs
spannung an dem Stift 11 "niedrig" ist. Bevor der Verdampfungsvorgang beginnt, wird das Vorbereitungssignal, das "hoch" ist, über die Leitung 302 an die
Stifte 9, 10 und 11 der Multiplexer 298 und 198 geführt, und zwar über einen 2,4K Widerstand, der ausserdem
über einen 4,7K Widerstand geerdet ist. Das Vorbereitungssignal wird ferner an die Transistoren 304
und 306 gelegt, und zwar über die Leitung 308 und zwei Widerstände, einen 2,YK Widerstand, der mit der Basis
des Transistors 304, ein PNP-Transistor vom Typ TIP
(Texas Instruinents), und einen 33K Widerstand, der mit
d«;r Basis des Transistors 306 verbunden ist, ein
NPN-Tram..vistor vom Typ 2N2219 (Pairchild).
Während des normalen Betriebs sind die Strömungsmengenregler 33, 34, 35, 36 und 37 durch Leitungen 312
mit einer 12 Volt-Energiequelle 310 verbunden. Während das Ausschaltsignal auf der Leitung 308 hoch ist, ist
der Transistor 304 im Ausschaltsinn vorgespannt (biased off), und der Transistor 306 ist leitend, klemmt die
Leitung 312 an Erdpotential und gewährleistet dadurch, dass die Strömungsregler 33, 34, 35, 36 und 37 geschlossen
bleiben, so dass kein. "Jagen" (hunting) oder "Suchen" (searching) auftritt.
Vor dem Anlaufen wird eine negative Spannung von annähernd 0,6 Volt aus VEE, Anschlußstift 7, an den
Anschlußstift 13, Al, über einen Leiter 314 gelegt,
der die Anschlußstifte 7, 13, 1 und 3 beider Multiplexer 198 und 298 verbindet. Während das Vorbereitungssignal (enable signal) hoch ist, ist das Ausgangssignal
an dem Stift 14, AZ,.das minus 0,6 Volt-Signal aus dem Stift 13, Al, das auf den Pehlerverstärker
174 und den Summierverstärker I66 durch die Leitung
316 übertragen wird. Mit der negativen Spannung von 0,6 Volt, die dem Arbeitsverstärker 242 in dem Fehler-
verstärker 174 zugeführt wird, gelangt eine negative ·
Spannung an den Fehleranzeiger l8O, so dass kein
Fehler signalisiert wird.
Wenn der AufdampfVorgang beginnt, geht das Vorbereitungssignal
an den Leitungen 302 und 308 nach unten auf niedrig und legt Erdpotential an die Basiselektroden
der Transistoren }0k und 306, was zur Folge
hat, dass der Transistor 304 leitend wird, und der Transistor 306 abschaltet und die 12 Volt-Knc-rgde an
die Strömungsmengenregler 33, 34, 35j 36 und 37 legt.
Ausserdem veranlasst das Vorbereitungssignal die Multiplexer I98 und 298 zur Übertragung der Sollwertsignale
von den Leitungen 184, 108, 110, 112 und 114 auf ihre entsprechenden Strömungsmengenregler 33, 34,
35, 36 und 37. Somit halten die Multiplexer 198-und 298 die Injektorströmungsmengenregler bis zu dem Zeitpunkt
geschlossen, an dem der AufdampfVorgang beginnt.
Diese Bedingung ist wichtig, da ein sogenannter "weicher Start" bei vielen Arten chemischer Aufdampfprozesse
einschliesslich des Niedertemperatur-Oxid-CVD-Prozesses
von geradezu wesentlicher Bedeutung ist.
Die vorstehende Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung betrifft ein bedeutend verbessertes
System zur Regelung oder Steuerung der Gasströmungen in Verbindung mit einem chemischen Aufdampfprozess.
Im Hinblick auf die wesentlichen Probleme, die bestehen, wenn eine gleichmässige Aufdampfung von
Oxidschichten über die ganze Länge der Prozeßzone und
über den Durchmesser der zu bearbeitenden Plättchen erhalten werden soll, ist es von grösster Wichtigkeit,
eine Apparatur zu schaffen, bei der die Strömung der gemischten Gase durch die einzelnen Injektoren verändert
werden kann, um die oben erwähnten Schwankungen zu kompensieren und zu beseitigen. Die Verwendung
von Strömungsmengenregler)! an jedem einzelnen
Injektor bedeutete eine Verbesserung. Aber die praktischen Erfordernisse bei Bearbeitungssituationen,
die Gasmischung zu verändern und die Gesamtgasströmung zu verändern, ohne dabei die relativen Prozentsätze
der Strömung durch die verschiedenen Injektoren zu verändern, war mit den Vorgängersystemen nicht zu
erreichen. Dadurch aber, dass für eine Pührungs- und Abhängigkeitsbeziehung (master/slave relationship)
zwischen den verschiedenen Injektoren gesorgt wird, wurde mit der Erfindung ein System geschaffen, das
eine bedeutend grössere Flexibilität aufweist als sie bisher erreichbar war. Die dazu verwendeten Mittel
und Einrichtungen sind einfach, praktisch und wirtschaftlich.
Claims (13)
- D.PL.-I NG. J. RICHTER -^l \ ·,.- R..A T F. N-^-A N W A L T EDIPL.-!NG. F. WERDERMANNZUOEU. VERTRETER BEIM EPA · PROFESSIONAL REPRESENTATIVES BEFORE EPO - MANDATAIRES AGREES PRES L1OEB2OOO HAMBURG 36 6. Sept . 1 cl 8 NEUER WALL 1O1S (O 4O) 34OO4S/34OO 56TELEGRAMME:
INVENTIUS HAMBURGTELEX 8163 551 INTU DUNSER ZEICHEN OUR FILE T. 82 3^3Wdm/leAnmelder:THERMCO PRODUCTS CORPORATION,1465 North Batavia, Orange, Kalif. 92668 (V.St.A.)Gasregeleinrichtung für eine' chemische Bedampfungsanlage.Patentansprüche:Ij. Gasregeleinrichtung für eine chemische Bedampfungsanlage mit zwei regelbaren" Quellen zu mischender und in
eine Reaktionszone einzuführender Gase, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Gasquelle'durch einen Strömungsregler geregelt wird und die andere mit einem Strömungsmengenmesser versehen ist, der ein Fehlersignal liefert, sobald die Strömung durch ihn von einem vorgewählten
Sollwert der Strömung abweicht, daß ein Mischverteiler, an den beide Strömungsquellen angeschlossen sind und der dazu dient, die Gase auf der Abströmseite desStrömungsmengenreglers und des Strömungsmengenmessers zu mischen, sowie mehrere zur Abgabe der gemischten Gase an Bereiche der Reaktionszone dienende Gasinjektoren vorgesehen sind, die mit dem Mischverteiler über Strömungsmengenregler, welche zum Steuern der Strömung der gemischten Gase zu den einzelnen Injektoren dienen, verbunden sind, und dass die Injektorströmungsmengenregler von einem gemeinsamen Regler mit einer Einrichtung zur Lieferung eines ausgewählten Teils der Gesamtströmung von jedem der verschiedenen Indiktaoren entsprechenden Bedingungen des sich ändernden Gesamtstromes der gemischten Gase' geregelt sind, und das Pehlersignal an den gemeinsamen Regler für die Injektorströmungsmengenregler angelegt wird, um den Gesamtstrom der gemischten Gase so zu regeln, dass die Strömung durch den Strömungsmengenmesser mit dem vorgewählten Sollwert übereinstimmt. - 2. Gasregeleinrichtung .nach Anspruch 1, dadurch' gekennzeichnet, dass der gemeinsame Regler einen 'Hauptregler für einen der Indikatoren und abhängige Regler für die anderen Indikatoren umfasst, und dass die abhängigen Regler mit einzelnen Regelvorrichtungen zur Auswahl der Geschwindigkeit der Strömung durch jeden Injektor versehen sind, die einen ausgewählten Prozentsatz der Geschwindigkeit der Strömung in den zu dem Hauptregler gehörenden Injektor beträgt. ··? 3
- 3. Gasregeleinrichtung nach'Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Hauptregler durch einen Teiler geregelt wird, der auf ein der Summe der gewählten Strömungsgeschwindigkeiten der zu mischenden Gase., geteilt durch die Summe der ausgewählten Prozentsätze für die Gasströmungen in den anderen Injektoren plus eins entsprechendes Signal anspricht.
- k. Gasregeleinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Fehlersignal verstärkt und dem die Summe der gewählten Strömungsgeschwindigkeiten der zu mischenden Gase entsprechenden Signal zugesetzt wird, um die Strömung durch den Strömungsmengenmesser auf den Sollwert zu berichtigen.
- 5. Gasregeleinrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Pehlersignal einem Vergleicher zugeführt wird und dazu dient, ein Alarmsignal zu bilden, wenn der Fehler das Maß einer vorbestimmten Strömungsgeschwindigkeit überschreitet.
- 6. Gasregeleinrichtung für eine chemische Bedampfungsanlage mit .zwei regelbaren Quellen zu mischender und in die erhitzte Zone eines Prozeßrohres in einem Diffusionsofen einführbarer Gase, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Gasquelle durch, einen Strömungsmengenregler geregelt und die andere m.it einem Strömungsmengenmesser versehen ist, der einPehlersignal liefert, wenn die Strömung durch den Strömungsmengenmesser von einem vorgewählten Sollwert abweicht, beide Quellen mit einem auf der Abströmseite des Ströinungsmengenreglers und des Strömungsmengenmessers angeordneten Mischverteiler verbunden sind, und mehrere Gasinjektoren vorgesehen sind, die dazu dienen, die gemischten Gase, benachbarten Bereichen längs der Heizzone des Prozeßrohres zuzuführen, und die mit dem M.ischverteiler über Strömungsmengenregler zum Regeln der Strömung der gemischten Gase zu den einzelnen Injektoren verbunden sind, wobei einer der Injektor-Strömungsmengenregler ein Hauptregler ist, der die Strömung der Gasmischung auf einen vorgewählten Wert regelt und die anderen Injektor-Strömungsmengenregler von dem Hauptregler abhängig sind und Regler aufweisen, die dazu dienen, in den abhängigen Reglern Strömungen eines ausgewählten Prozentsatzes der Strömung durch den Hauptregler zu bilden, und wobei das Pehlersignal dazu dient, die Gesamt strömung der gemischten Gase durch die abhängigen Regler zu regeln und dafür zu sorgen, dass die Strömung durch den Strömungsmengenmesser dem Sollwert entspricht.
- 7. Gasregeleinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Regler für die abhängigen Regler je einen einstellbaren Regler zum Auswählen3233034einer Strömungsgeschwindigkeit von null bis einhundert Prozent der Strömungsgeschwindigkeit durch den Hauptregler aufweisen, ferner eine Vorrichtung zum Addieren der ausgewählten Prozentsätze und zum Aufteilen der Summe plus eins in ein der Gesamtströmung der zu mischenden Gase entsprechendes Signal und zum Erzeugen eines Signals zum Regeln des· Hauptreglers.
- 8, Gasregeleinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Gesamtströmungssignal die Summe des Regelsignals .für die Strömungsmengenregler der einen Gasquelle, eines Signals, das dem Strömungssollwert der anderen Gasquelle durch den Strömungsmengenmesser entspricht, und des verstärkten Fehlersignals darstellt.
- 9. Gasregeleinrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Fehlersignal einem Vergleicher zugeführt wird und dazu dient, ein Alarmsignal zu erzeugen, wenn der Fehler ein vorbestimmtes Maß der Strömungsgeschwindigkeit überschreitet.
- 10. Gasregeleinrichtung für eine chemische Bedampfungsanlage zur Bearbeitung von Halbleitermaterialien, in einem mit niederer Temperatur und niederem Druck arbeitenden Verfahren, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mischung aus luftentzündliehen Gasen und Sauerstoff getrennt in die beheizte Zone eines Prozeßrohres eines Diffusionsofens mit folgenden Merkmalen eingeführt werden:Ein abgeschlossenes Prozeßrohr mit Einrichtungen zum Evakuieren darin enthaltener Gase und zum Beheizen von Plättchen, die in einer Prozeßzone enthalten sind, eine erate Gasinjektionsvorrichtung mit mehreren in das Pro'zeürohr hineinreichenden Gasinjektoren, deren .Austrittsöffnungen in Abständen längs der Prozeßzone verteilt sind, eine zweite Injektionsvorrichtung, die in dem Prozeßrohr mit Abstand von der ersten Injektionsvorrichtung angeordnet ist und sich in der gleichen Richtung wie diese erstreckt, individuelle Strömungsmengenregler zur Regelung der Gasströmung zu jedem der Injektoren der ersten Gasinjektionsvorrichtung, ein Gasmischverteiler mit Leitungen zur Zuführung einer Gasmischung zu den einzelnen Strömungsmengenreglern, zwei getrennte Quellen luftentzündlicher Gase mit Verbindungen zur Speisung des Verteilers mit solchem Gas, einem Strömungsmengenregler zur Herstellung einer gewählten Strömungsgeschwindigkeit eines der luftentzündlichen Gase, während die Strömungsgeschwindigkeit des anderen luftentzündlichen Gases durch die Strömungsmengenregler geregelt wird, welche auch die einzelnen Injektorströme regeln.
- 11. Gasregeleinrichtung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch einen die Strömung der .anderen luftentzündlichen Gase messenden Strömungsmengenmesser, der ein Signal erzeugt, das der Strömungsgeschwindigkeit proportional ist, eine Einrichtung zur Erzeugungeines Sollwertsignals, das der gewählten Strömung der anderen luftentzündlichen Gase entspricht, und eine Hauptregeleinrichtung zur Regelung der Strömungsmengenregler, welche die einzelnen Injektorströme regeln, um die in dem Strömungsmengenmesser gemessene Strömung der gewählten Strömungsgeschwindigkeit anzupassen.
- 12. Gasregeleinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptregeleinrichtung einen Vergleicher enthält, der dazu dient, das Signal aus dem Strömungsmengenmesser.mit dem Sollwertsignal zu vergleichen und ein Fehlersignal zu bilden, das dazu dient, die Strömungen in den einzelnen Injektoren zu . berichtigen und den Fehler zwischen der gemessenen Strömung und dem Strömungs-Sollwert zu beseitigen.
- 13. Gasregeleinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Strömungsmengenregler, welche die einzelnen Injektorströme regeln, einen Hauptströmungsmengenregler und mehrere abhängige Strömungsmengenregler enthalten, welche wählweise einstellbare Regelvorrichtungen zum Einstellen der einzelnen Ströme auf einen gewählten Prozentsatz der Strömung in dem Hauptströmungsmengenregler aufweisen. .I2J. Gasregeleinrichtung nach Anspruch .13, gekennzeichnet durch einen Vergleicher zum Vergleichen des Strömungsmengenmessersignals und des Sollwertsignals und zur Bildung eines Fehlersignals sowie eine Einrichtung zum Anlegen des Fehlersignals an denHauptströmungsmengenregler, so dass die Strömung durch sämtliche Injektoren so eingestellt wird, dass das Fehlersignal beseitigt wird und die gleichen relativen Ströme in den einzelnen Injektoren aufrechterhalten werden.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/302,003 US4369031A (en) | 1981-09-15 | 1981-09-15 | Gas control system for chemical vapor deposition system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3233094A1 true DE3233094A1 (de) | 1983-03-24 |
Family
ID=23165834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823233094 Withdrawn DE3233094A1 (de) | 1981-09-15 | 1982-09-07 | Gasregeleinrichtung fuer eine chemische bedampfungsanlage |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4369031A (de) |
JP (1) | JPS5867856A (de) |
DE (1) | DE3233094A1 (de) |
FR (1) | FR2512983A1 (de) |
GB (1) | GB2108285B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112007000926B4 (de) | 2006-04-14 | 2020-06-18 | Mks Instruments, Inc. | Mehrkanal-Durchflussverhältnissteuerung bzw. Regelung |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58161775A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-26 | Anelva Corp | 放電装置 |
JPS5998295A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-06 | 能美防災工業株式会社 | 半導体工場などにおける警報および制御装置 |
US4726961A (en) * | 1983-05-23 | 1988-02-23 | Thermco Systems, Inc. | Process for low pressure chemical vapor deposition of refractory metal |
US4619840A (en) * | 1983-05-23 | 1986-10-28 | Thermco Systems, Inc. | Process and apparatus for low pressure chemical vapor deposition of refractory metal |
US4683463A (en) * | 1984-02-21 | 1987-07-28 | Nohmi Bosai Kogyo Co., Ltd. | Gas and fire alarm and control system for semiconductor factories or the like |
NL8401233A (nl) * | 1984-04-17 | 1985-11-18 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen waarbij materiaal uit een reaktiegas wordt afgescheiden en een inrichting voor het uitvoeren van een dergelijke werkwijze. |
US4557950A (en) * | 1984-05-18 | 1985-12-10 | Thermco Systems, Inc. | Process for deposition of borophosphosilicate glass |
HU195346B (en) * | 1985-04-30 | 1988-04-28 | Teta Tervezoe Es Tanacsado Mer | Device for controlling use of gas |
US4703718A (en) * | 1985-11-29 | 1987-11-03 | Rca Corporation | Vapor deposition apparatus and method of using same |
US4747367A (en) * | 1986-06-12 | 1988-05-31 | Crystal Specialties, Inc. | Method and apparatus for producing a constant flow, constant pressure chemical vapor deposition |
US4761269A (en) * | 1986-06-12 | 1988-08-02 | Crystal Specialties, Inc. | Apparatus for depositing material on a substrate |
US4891247A (en) * | 1986-09-15 | 1990-01-02 | Watkins-Johnson Company | Process for borosilicate glass films for multilevel metallization structures in semiconductor devices |
NL8702096A (nl) * | 1987-09-04 | 1989-04-03 | Stichting Katholieke Univ | Werkwijze en inrichting voor het mengen van gassen en het met behulp van een gasmengsel epitactisch vervaardigen van halfgeleiderproducten. |
JP2668687B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1997-10-27 | 富士通株式会社 | C v d 装 置 |
US4980204A (en) * | 1987-11-27 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate |
US5591267A (en) * | 1988-01-11 | 1997-01-07 | Ohmi; Tadahiro | Reduced pressure device |
JPH0732137B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1995-04-10 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 熱処理炉 |
JPH03218621A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-09-26 | Toshiba Corp | 薄膜の選択成長方法及び薄膜の選択成長装置 |
US5106453A (en) * | 1990-01-29 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | MOCVD method and apparatus |
US5186756A (en) * | 1990-01-29 | 1993-02-16 | At&T Bell Laboratories | MOCVD method and apparatus |
JP2626925B2 (ja) * | 1990-05-23 | 1997-07-02 | 三菱電機株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US5118642A (en) * | 1991-01-24 | 1992-06-02 | Daidousanso Co., Ltd. | Method for producing semiconductors |
FR2698288B1 (fr) * | 1992-11-20 | 1994-12-23 | Lair Liquide | Procédé d'alimentation gazeuse notamment en diborane et silane. |
JPH06295862A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器 |
US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
FR2703797B1 (fr) * | 1993-04-06 | 1995-06-23 | Matra Mhs | Procede et dispositif de controle de la teneur en bore de borophosphosilicate. |
JP3024449B2 (ja) * | 1993-07-24 | 2000-03-21 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉及び熱処理方法 |
JP2889098B2 (ja) * | 1993-10-13 | 1999-05-10 | 株式会社本山製作所 | 特定ガスの供給制御装置 |
JPH07122500A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-12 | Fujitsu Ltd | ガス機器及びこれを利用したガス供給装置 |
US5546890A (en) * | 1994-02-21 | 1996-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Removing interhalogen compounds from semiconductor manufacturing equipment |
US5487783A (en) * | 1994-04-14 | 1996-01-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for preventing rupture and contamination of an ultra-clean APCVD reactor during shutdown |
US6022414A (en) * | 1994-07-18 | 2000-02-08 | Semiconductor Equipment Group, Llc | Single body injector and method for delivering gases to a surface |
US6200389B1 (en) | 1994-07-18 | 2001-03-13 | Silicon Valley Group Thermal Systems Llc | Single body injector and deposition chamber |
TW359943B (en) * | 1994-07-18 | 1999-06-01 | Silicon Valley Group Thermal | Single body injector and method for delivering gases to a surface |
EP0832863B1 (de) * | 1994-11-16 | 2002-04-03 | The B.F. Goodrich Company | Vorrichtung zur Druckfeld CVD/CVI, Verfahren und Produkt |
JPH0945597A (ja) * | 1995-05-25 | 1997-02-14 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法 |
TW356554B (en) * | 1995-10-23 | 1999-04-21 | Watkins Johnson Co | Gas injection system for semiconductor processing |
US5976261A (en) * | 1996-07-11 | 1999-11-02 | Cvc Products, Inc. | Multi-zone gas injection apparatus and method for microelectronics manufacturing equipment |
JP2973971B2 (ja) * | 1997-06-05 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | 熱処理装置及び薄膜の形成方法 |
US5948300A (en) * | 1997-09-12 | 1999-09-07 | Kokusai Bti Corporation | Process tube with in-situ gas preheating |
US6217937B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-04-17 | Cornell Research Foundation, Inc. | High throughput OMVPE apparatus |
US6136703A (en) * | 1998-09-03 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming phosphorus- and/or boron-containing silica layers on substrates |
US6669988B2 (en) | 2001-08-20 | 2003-12-30 | Goodrich Corporation | Hardware assembly for CVI/CVD processes |
US7476419B2 (en) * | 1998-10-23 | 2009-01-13 | Goodrich Corporation | Method for measurement of weight during a CVI/CVD process |
US6210482B1 (en) * | 1999-04-22 | 2001-04-03 | Fujikin Incorporated | Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing |
TW452635B (en) * | 1999-05-21 | 2001-09-01 | Silicon Valley Group Thermal | Gas delivery metering tube and gas delivery metering device using the same |
US20020104552A1 (en) * | 2000-08-17 | 2002-08-08 | Steven Bay | Systems and methods for forming processing streams |
US6333272B1 (en) | 2000-10-06 | 2001-12-25 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
JP3403181B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
US6418954B1 (en) * | 2001-04-17 | 2002-07-16 | Mks Instruments, Inc. | System and method for dividing flow |
KR20040019293A (ko) | 2001-05-24 | 2004-03-05 | 셀레리티 그룹 아이엔씨 | 소정 비율의 프로세스 유체를 제공하는 방법 및 장치 |
US6766260B2 (en) * | 2002-01-04 | 2004-07-20 | Mks Instruments, Inc. | Mass flow ratio system and method |
MXPA04011431A (es) * | 2002-05-24 | 2005-08-15 | Schott Ag | Dispositivo y metodo para el tratamiento de piezas de trabajo. |
US7186385B2 (en) * | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
US6884145B2 (en) * | 2002-11-22 | 2005-04-26 | Samsung Austin Semiconductor, L.P. | High selectivity slurry delivery system |
US7169231B2 (en) * | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
US20040112540A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Lam Research Corporation | Uniform etch system |
US7534363B2 (en) * | 2002-12-13 | 2009-05-19 | Lam Research Corporation | Method for providing uniform removal of organic material |
KR100502217B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2005-07-19 | 태산엘시디 주식회사 | 컨트롤 퍼지용 질량유량 제어기 및 동작방법 |
US20040168719A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-09-02 | Masahiro Nambu | System for dividing gas flow |
KR100541050B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 가스공급장치 및 이를 이용한 반도체소자 제조설비 |
KR101185298B1 (ko) | 2003-08-20 | 2012-09-21 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 수직 유동 회전 디스크 반응기용 알킬 압출 유동 |
US20050095859A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Precursor delivery system with rate control |
US7072743B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-07-04 | Mks Instruments, Inc. | Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method |
KR100609065B1 (ko) * | 2004-08-04 | 2006-08-10 | 삼성전자주식회사 | 산화막 형성 장치 및 방법 |
KR100589046B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-06-12 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법 |
US8088223B2 (en) * | 2005-03-10 | 2012-01-03 | Asm America, Inc. | System for control of gas injectors |
US7621290B2 (en) | 2005-04-21 | 2009-11-24 | Mks Instruments, Inc. | Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control |
US7673645B2 (en) * | 2005-04-21 | 2010-03-09 | Mks Instruments, Inc. | Gas delivery method and system including a flow ratio controller using a multiple antisymmetric optimal control arrangement |
FI119478B (fi) * | 2005-04-22 | 2008-11-28 | Beneq Oy | Reaktori |
TWI552797B (zh) * | 2005-06-22 | 2016-10-11 | 恩特葛瑞斯股份有限公司 | 整合式氣體混合用之裝置及方法 |
JP2007051002A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Kyocera Mita Corp | 用紙カセット |
KR101297917B1 (ko) | 2005-08-30 | 2013-08-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 대안적인 불화 붕소 전구체를 이용한 붕소 이온 주입 방법,및 주입을 위한 대형 수소화붕소의 형성 방법 |
US8603248B2 (en) * | 2006-02-10 | 2013-12-10 | Veeco Instruments Inc. | System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset |
US7932181B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-04-26 | Lam Research Corporation | Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement |
US7775508B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor |
US7706925B2 (en) * | 2007-01-10 | 2010-04-27 | Mks Instruments, Inc. | Integrated pressure and flow ratio control system |
US8067061B2 (en) | 2007-10-25 | 2011-11-29 | Asm America, Inc. | Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports |
US8628616B2 (en) | 2007-12-11 | 2014-01-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vapor-phase process apparatus, vapor-phase process method, and substrate |
CN101849042B (zh) * | 2007-12-20 | 2014-06-18 | 硅绝缘体技术有限公司 | 向外延生长基片输送前体气体的装置 |
CN101910706B (zh) * | 2007-12-27 | 2013-11-13 | 朗姆研究公司 | 短蚀刻配方的气体传输延迟解决方案 |
US20090197424A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
CN101981661A (zh) | 2008-02-11 | 2011-02-23 | 高级技术材料公司 | 在半导体处理系统中离子源的清洗 |
US20090236447A1 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas injection in process chamber |
JP5216511B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-06-19 | アズビル株式会社 | 流量計測システム |
US8146896B2 (en) * | 2008-10-31 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes |
US8486191B2 (en) * | 2009-04-07 | 2013-07-16 | Asm America, Inc. | Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber |
US20110021011A1 (en) | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon materials for carbon implantation |
US8598022B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-12-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8409352B2 (en) * | 2010-03-01 | 2013-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus |
US9303319B2 (en) * | 2010-12-17 | 2016-04-05 | Veeco Instruments Inc. | Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves |
US8849466B2 (en) | 2011-10-04 | 2014-09-30 | Mks Instruments, Inc. | Method of and apparatus for multiple channel flow ratio controller system |
US20130255784A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery systems and methods of use thereof |
US9090972B2 (en) * | 2012-12-31 | 2015-07-28 | Lam Research Corporation | Gas supply systems for substrate processing chambers and methods therefor |
TWI654666B (zh) | 2014-01-27 | 2019-03-21 | Veeco Instruments, Inc. | 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具 |
US10256075B2 (en) * | 2016-01-22 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Gas splitting by time average injection into different zones by fast gas valves |
WO2019191514A1 (en) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | Flow Devices And Systems Inc. | Mixing manifold and delivery system for gas delivery |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3396955A (en) * | 1965-10-04 | 1968-08-13 | Basic Products Corp | Diffusion furnace with transport means |
CH579757A5 (de) * | 1972-09-16 | 1976-09-15 | Goehring Werner | |
JPS5183473A (en) * | 1975-01-20 | 1976-07-22 | Hitachi Ltd | Fujunbutsuno doopinguhoho |
US4098923A (en) * | 1976-06-07 | 1978-07-04 | Motorola, Inc. | Pyrolytic deposition of silicon dioxide on semiconductors using a shrouded boat |
US4138306A (en) * | 1976-08-31 | 1979-02-06 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Apparatus for the treatment of semiconductors |
US4217375A (en) * | 1977-08-30 | 1980-08-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Deposition of doped silicon oxide films |
-
1981
- 1981-09-15 US US06/302,003 patent/US4369031A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-09-07 DE DE19823233094 patent/DE3233094A1/de not_active Withdrawn
- 1982-09-14 JP JP57160736A patent/JPS5867856A/ja active Pending
- 1982-09-14 FR FR8215540A patent/FR2512983A1/fr not_active Withdrawn
- 1982-09-15 GB GB08226256A patent/GB2108285B/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112007000926B4 (de) | 2006-04-14 | 2020-06-18 | Mks Instruments, Inc. | Mehrkanal-Durchflussverhältnissteuerung bzw. Regelung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4369031A (en) | 1983-01-18 |
JPS5867856A (ja) | 1983-04-22 |
FR2512983A1 (fr) | 1983-03-18 |
GB2108285A (en) | 1983-05-11 |
GB2108285B (en) | 1985-01-03 |
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