JPS5998295A - 半導体工場などにおける警報および制御装置 - Google Patents

半導体工場などにおける警報および制御装置

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JPS5998295A
JPS5998295A JP57206890A JP20689082A JPS5998295A JP S5998295 A JPS5998295 A JP S5998295A JP 57206890 A JP57206890 A JP 57206890A JP 20689082 A JP20689082 A JP 20689082A JP S5998295 A JPS5998295 A JP S5998295A
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JP
Japan
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gas
alarm
semiconductor
detector
control device
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Application number
JP57206890A
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English (en)
Inventor
木村　敞一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nohmi Bosai Ltd
Original Assignee
Nohmi Bosai Kogyo Co Ltd
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B17/00—Fire alarms; Alarms responsive to explosion
    • G08B17/10—Actuation by presence of smoke or gases, e.g. automatic alarm devices for analysing flowing fluid materials by the use of optical means
    • G08B17/117—Actuation by presence of smoke or gases, e.g. automatic alarm devices for analysing flowing fluid materials by the use of optical means by using a detection device for specific gases, e.g. combustion products, produced by the fire

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Fire-Extinguishing By Fire Departments, And Fire-Extinguishing Equipment And Control Thereof (AREA)
  • Fire Alarms (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Fire-Detection Mechanisms (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、超ＬＳＩ工場などにおける製造工程にお−
て発生する処理ガスの漏洩を検出し、消火装置などの防
災装置および製造工程を適切に制御する半導体工場々と
における警報および制御装置に関するものである。
近忽大きな飛躍を遂げてｂる超ＬＳＩなどの半導体工場
では、シリコンウェハに絶縁膜を設ける際、シランガス
を使用するが、このような処理ガスは有害であるととも
にその濃度が２〜５チ以上になると空気中の酸素と反応
し燃焼して危険であり、ある超ＬＳＩ工場でこれらガス
が原因と思われる火災が発生し、ただＡの損害を被むり
た〇 この発明は以上の点にかんがみ、漏洩した処理ガスが空
気中の酸素と反応し着炎燃焼しなり器により検出し％凄
前に防災などの適切な制御と ７行なうことができる半導体工場などの警報および制御
装置を提供するものである。
以下この発明の一実施例を半導体ウェハに絶縁膜を形成
させる際に使用されるＣＶＤ装置（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　
Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）およびその周辺
装置に用−た場合につｂて、図面により説明するＯ 第１図におｌて、１はシランガスボンベ、２はアンモニ
アガスボンベ、３はこれらボンベを収納する格納箱、６
は配管４，５を通じてシランガスとアンモニアガスを供
給し半導体ウェハに絶縁膜を形成させる窒化。膜形成装
置（ＣＶＤ）、８は装置６から配管７を通じて流出さ昨
る未反応のシランガスに酸素を供給し強制的に酸化反応
させる、すなわち燃焼処理する除害装置、１０は除害装
置８より排気ダクト１１へ放出されるガスの状態を監視
するために配管９間に設けられた検出箱、１２は形成装
置６内を真空にする真空ポンプ、１３は室内の空気を排
気する排気口、１４は格納箱３と排気ダク）１１とを結
ぶ配管１５中に設けられたダンパである。また格納箱３
と検出箱１０とには、シランガスなどの処理ガスの漏洩
を検出するガス検出器Ｇ１とＧ２とが設汁られる。この
場合ガス検出器Ｇ１、Ｇ２としてはガス粒子による散乱
光を検出器 する光学的なガス検知器も使用できるが、特公昭５５−
１４３８０号公報で一酸化炭素の検出素、子として知ら
れて−る酸化第二スズの組成物中に白金黒を含有した金
属酸化物半導体をシランガスの雰囲気中でエージングす
ると、０．２〜０．５％以上の低濃度のシランガスに応
答＋ｂ１この実施例に好適なガス検出器が得られる。さ
らに上記検知器Ｇ　１　＊　Ｇ２は第２図に示すように
、それぞれＯＲ回路ＯＲに接続され、その出力はガス漏
れ警報あるｂは消火装置などの防災装置あるｂは半導体
製造工程を適切に制御する図示されなり継電装置に接続
される。
真空ポンプ１２により真空にした後、シランガスボンベ
１とアンモニアガスボンベ２とｔＪｌシランガスとアン
モニアガスとを装置６に供給し半導体ウエノ１に必要な
窒化膜、すなわち絶縁膜を生成させる０また未反応ガス
を含んだ処理後のガスは除害装置８におりて強制的に酸
化反応されて安全なものとして配管９を通じて排気ダク
ト１１より排出される。
一方このような状態におりて、シランガスボンベ１より
シランガスが空気中の酸素と反応し着炎燃焼しなり程度
の少量漏れると、そのガス自体を検出しガス検出器Ｇ１
が動作し、ＯＲ回路ＯＲを介して図示され々ｂガス漏れ
警報や消火装置などの防災装置あるｂはダンパ１４の開
度を全開とし漏洩したガスをダクト１１に放出するなど
この製造工程を制御する継電装置を動作させる。また検
出箱１０にお−ては、除害装置役８が正常に動作してｂ
る間は、配管９′ｆｔ介して焼却された燃焼生成物が配
管９を通じて排気ダクト１１へ排出さ札るので、ガス検
出器Ｇ２は動作しなり０ところが除害装置８が故障し未
処理のままのシランガスが放出されると、ガス検出器Ｇ
２が動作しＯＲ回路ＯＲ’ｉ動作させ、ＯＲ回路ＯＲ？
通じて図示されないガス漏れ警報や消火装置などの防災
装置あるｂは製造工程を制御する継電装置を動作させる
。
この発明は以上のように半導体製造工程など、シランガ
スなどの有毒で可燃焼性の処理ガスを使用する箇所に、
漏洩した処理ガスが空気中の酸素と反応し着炎燃焼しな
り程度の低濃度の間にこのガスの存在をガス検出器によ
り検出するようにしたので、本前に適切な制御が行なう
ことができる半導体工場などにおける警報および制御装
置が得られふ効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例の概略図、第２図はその回
路図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １゜半導体製造工程など、シランガスなどの有毒で可燃
    性の処理ガスを使用す込箇所に、該処理ガスの漏洩全検
    出する金属酸化物半導体を検出素子としたガス検出器を
    設け、この検出器め出力変化により警報を発するととも
    に消火装置などの防災装置および半導。体製造工程など
    を制御することを特徴とする半導体工場などにおける警
    報および制御装置。 ２、ガス検出器が排気ダクトに設けられた特許請求の範
    囲第１項記載の半導体工場などにおける警報および制御
    装置。 ３、ガス検出器が処理ガスボンベが収納された格納箱に
    設けられた特許請求の範囲第１項記載の半導体工場など
    における警報および制御装置。 黒が含有されて因る特許請求の範囲第１項なＬｑｌＪ１
    項の−ずれかに記載された半導体工場などにおける警報
    および制御装置。
JP57206890A 1982-11-27 1982-11-27 半導体工場などにおける警報および制御装置 Pending JPS5998295A (ja)

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EP0112490A3 (en) 1987-09-16
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