JP2626925B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法

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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、流量差の大きい３種以上のガスを用い
て、基板を処理する装置および基板を処理する方法に関
するものである。
［従来の技術］ 第７図は、従来のCVD装置の概略図である。第７図を
用いて、従来のCVD装置の構造を説明する。CVD装置は、
チャンバ１とガス導入管７とを備えている。
チャンバ１の内部には、サセプタ３がある。サセプタ
３の主表面上に、半導体基板５が載置されている。チャ
ンバ１内には、ガス導入管７がある。ガス導入管７は、
チャンバ１の内部から外部に延びている。薄膜形成に用
いるガスは、ガス導入管７から、チャンバ１内に供給さ
れる。チャンバ１の内部から外部に向けて、ガス排出管
９が伸びている。チャンバ１内に供給された薄膜形成用
ガスは、ガス排出管９から排出される。
ガス導入管７は、分岐部19でO2ガス導入管20a、SiH4
ガス導入管20b、PH3ガス導入管20c、B2H6ガス導入管20d
に枝分れしている。PSG（phospho−silicate glass）
膜を形成する場合は、O2ガス,SiH4ガス,PH3ガスを用
い、BPSG（boro−phospho silicate glass）膜を形成
する場合は、O2ガス,SiH4ガス,PH3ガス,B2H6ガスを用い
る。O2ガス導入管20a、SiH4ガス導入管20b、PH3ガス導
入管20c、B2H6ガス導入管20dには、それぞれマスフロー
コントローラ（MFC）17a、17b、17c、17dが取付けられ
ている。マスフローコントローラ17a、17b、17c、17d
で、流量の制御を行なう。
チャンバ１内にあるガス導入管７の終端15と分岐部19
との間にあるガス導入管７には、バルブ11が取付けられ
ている。O2ガス導入管20aの始端13aに、O2ガス入りのボ
ンベが取付けられる。SiH4ガス導入管20bの始端13bに
は、SiH4ガス入りのボンベが取付けられる。PH3ガス導
入管20cの始端13cには、PH3ガス入りのボンベが取付け
られる。B2H6ガス導入管20dの始端13dには、B2H6ガス入
りのボンベが取付けられる。O2ガス導入管20a、SiH4ガ
ス導入管20b、PH3ガス導入管20c、B2H6ガス導入管20dに
は、それぞれバルブ18a,18b,18c,18dが取付けられてい
る。
ガス導入管７、O2ガス導入管20a、SiH4ガス導入管20
b、PH3ガス導入管20c、B2H6ガス導入管20dの空間部の縦
断面積は、すべて同じである。O2ガス導入管20aの始端1
3aからガス導入管７の終端15までの距離、SiH4ガス導入
管20bの始端13bからガス導入管７の終端15までの距離、
PH3ガス導入管20cの始端13cからガス導入管７の終端15
までの距離、B2H6ガス導入管20dの始端13dからガス導入
管７の終端15までの距離は、ほぼ同じ値である。
第７図を用いて、従来のCVD装置の動作を説明する。
チャンバ１の内部を、N2ガス雰囲気にする。N2ガスは図
示しないガス導入管によって、チャンバ１内に供給され
る。サセプタ３の主表面上に、半導体基板５を載置す
る。バルブ11を開け、O2ガス導入管20a、SiH4ガス導入
管20b、PH3ガス導入管20c、B2H6ガス導入管20dに、それ
ぞれO2ガス、SiH4ガス、PH3ガス、B2H6ガスを導入す
る。O2ガス、SiH4ガス、PH3ガス、B2H6ガスは、ガス導
入管７の終端15を通って、チャンバ１内に入る。これに
より、半導体基板５の主表面上に、BPSG膜が形成され
る。反応に使われなかったガスは、ガス排出管９からチ
ャンバ１の外部に排出される。
［発明が解決しようとする課題］ たとえば、PSG膜を形成する場合、ガスの流量は、O2
ガス 2000cc/分、SiH4ガス 50cc/分、PH3ガス 2cc/
分である。SiH4ガスの流量とPH3ガスの流量とは、大き
く異なる。したがって、SiH4ガスを流し始めてから、Si
H4ガスがチャンバ１内に到達するまでの時間とPH3ガス
を流し始めてから、PH3ガスがチャンバ１内に到達する
までの時間とは、大きな差がある。したがって、半導体
基板とPSG膜との界面近傍のPSG膜中のＰの濃度は、所望
の濃度にならないという問題があった。
また、PH3ガスは、配管内壁に吸着する性質を持って
いるので、配管内壁に吸着する量と配管内壁から脱離す
る量が同じになるまで、PSG膜中のＰの濃度は所望の濃
度にならなかった。吸着する量と脱離する量が同じにな
るには１〜５回薄膜形成を行なう必要があり、この薄膜
形成工程をダミーランと呼ぶ。
この発明はこのような従来の問題点を解決するために
なされたものである。この発明の目的は、ガスの流量差
が大きくても、基板と膜との界面近傍の膜中の不純物濃
度を所望濃度にすることができ、かつ、ダミーランの回
数を少なくすることができる基板処理装置および基板処
理方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］ この発明に従った基板処理装置は、少なくとも３種の
原料用ガスを用いて基板を処理する基板処理装置であっ
て、基板を内部に支持可能な処理室と、処理室の内部か
ら外部へ通ずるように設けられたガス導入管と、ガス導
入管から原料用ガスの各々に対応して分岐する複数の配
管と、配管の各々に配置された流量制御部材とを備え、
この配管は、流量制御部材により所定流量に制御された
各ガスの、ガス供給部から処理室に至るまでのガス配管
通過時間が略同一となるように構成されている。
さらに、各々の配管は、各々の原料ガスを導入するた
めの原料用ガス導入管と、各々の原料用ガス導入管の流
量を調整するための調整用ガス導入管とに分岐してい
る。
加えて、原料用ガスのうち、第１の原料用ガスがTE
B、第２の原料用ガスがTEOS、第３の原料用ガスがTMPO
であることを特徴とするものである。
また、この発明に従った基板処理方法は、少なくとも
３種の原料用ガスを用いて、基板を処理する方法であっ
て、基板の処理が行なわれる処理室の内部に基板を入れ
る工程と、処理室の内部から外部へ通じ、かつ原料用ガ
スに対応して複数の配管に分岐したガス導入管の各々に
原料用ガスを導入する工程と、原料用ガスの各々のガス
供給部から処理室に至るまでのガス配管通過時間を略同
一とするように制御する工程とを備えたものである。
さらに、原料用ガスのうち、第１の原料用ガスがTE
B、第２の原料用ガスがTEOS、第３の原料用ガスがTMPO
であることを特徴とするものである。
［作用］ この発明に従った基板処理装置では、各ガスの流量を
制御し、各原料用ガスの供給源から各ガス管を通過して
反応室へ到達するまでの配管通過時間を同一にすること
ができる。このため、成膜すべき膜の組成に応じて原料
用ガスの流量差が大きくなったとしても、基板と膜との
界面近傍の膜中の不純物濃度を所望濃度とすることがで
きる。
また、各原料用ガスを各調整用ガスで希釈することに
より、各ガスの流速を上昇させることができるため、ガ
スが配管内に付着することが防止され、ダミーランの回
数を減らすことができる。
さらに、原料用ガスをTEB、TEOM、TMPOにすることに
よって、成膜されるBPSG膜の均一性、再現性に優れ、温
度制御の容易な基板処理装置を得ることができる。
この発明に従った基板処理方法では、ガスの配管通過
時間を略同一となるように制御しているため、ガスの流
量差が大きくなったとしても、基板と膜との界面近傍の
膜中の不純物濃度を所望濃度にすることができる。
さらに、原料用ガスをTEB、TEOS、TMPOにすることに
よって、成膜されるBPSG膜の均一性、再現性に優れた基
板処理方法を得ることができる。
［実施例］ （第１実施例） 第１図は、この発明に従った基板処理方法の第１実施
例を実施するために用いるCVD装置の概略図である。第
１図に示すCVD装置の構造を説明する。
チャンバ21内には、サセプタ23が設けられている。サ
セプタ23の主表面上には、半導体基板25が載置されてい
る。チャンバ21の内部から外部に向けて、ガス導入管27
が延びている。また、チャンバ21の内部から外部に向け
て、ガス排出管41が伸びている。
ガス導入管27は、分岐部49で、O2ガス導入管29、SiH4
ガス導入管31、PH3ガス導入管33、B2H6ガス導入管35に
分岐している。チャンバ21内にあるガス導入管27の終端
43と分岐部49との間にあるガス導入管27には、バルブ47
が取付けられている。
O2ガス導入管29、SiH4ガス導入管31、PH3ガス導入管3
3、B2H6ガス導入管35には、それぞれマスフローコント
ローラ（MFC）39a、39c、39e、39gが取付けられてい
る。マスフローコントローラで、ガスの流量制御を行な
う。
O2ガス導入管29から、N2ガス導入管37aが分岐してい
る。N2ガス導入管37aには、マスフローコントローラ39b
が取付けられている。SiH4ガス導入管31から、N2ガス導
入管37bが分岐している。N2ガス導入管37bには、マスフ
ローコントローラ39dが取付けられている。PH3ガス導入
管33からN2ガス導入管37cが分岐している。N2ガス導入
管37cには、カスフローコントローラ39fが取付けられて
いる。B2H6導入管35から、N2ガス導入管37dが分岐して
いる。N2ガス導入管37dには、マスフローコントローラ3
9hが取付けられている。
O2ガス導入管29の始端45aから終端43までの距離、N2
ガス導入管37aの始端45bから終端43までの距離、SiH4ガ
ス導入管31の始端45cから終端43までの距離、N2ガス導
入管37bの始端45dから終端43までの距離、PH3ガス導入
管33の始端45eから終端43までの距離、N2ガス導入管37c
の始端45fから終端43までの距離、B2H6ガス導入管35の
始端45gから終端43までの距離、N2ガス導入管37dの始端
45hから終端43までの距離は、ほぼ同じ値である。ま
た、ガス導入管27、O2ガス導入管29、SiH4ガス導入管3
1、PH3ガス導入管33、B2H6ガス導入管35、N2ガス導入管
37a、37b、37c、37dの空間部の縦断面積は、すべて同じ
値である。
各管の空間部の縦断面積を、0.3cm2、各ガス管の始端
から終端43までの距離を200cmとする。O2ガスの流量100
0cc/分、SiH4ガスの流量100cc/分、PH3ガスの流量10cc/
分の下で、PSG膜を形成する場合、各ガスの配管通過時
間は、 O2ガス:0.06分 SiH4ガス:0.6分 PH3ガス:6分 となる。第１実施例においては、N2ガス導入管37bにN2
ガスを900cc/分、N2ガス導入管37cにN2ガスを990cc/分
流すことにより、O2ガス導入管29を通るガスの流量、
SiH4ガス導入管31を通るガスの流量、PH3ガス導入管33
を通るガスの流量を等しくし、O2ガス、SiH4ガス、PH3
ガスの配管通過時間を等しくした。つまり、第１実施例
においては、各ガスの配管通過時間を制御するために、
N2ガス導入管37a、37b、37c、37dにN2ガスを流すのであ
る。33a,33b,33c,33d,33e,33f,33g,33hは、バルブであ
る。
この発明の第１実施例を以下説明する。まず、チャン
バ21内を、N2ガス雰囲気にした。N2ガスは、図示しない
ガス管によって、チャンバ21内に供給される。半導体基
板25をサセプタ23の主表面上に載置した。半導体基板25
の温度を、PSG膜形成温度にまで上昇させた。バルブ47
を開け、N2ガス導入管37bにN2ガスを900cc/分 流し、N
2ガス導入管37cにN2ガスを990cc/分 を流した。その
後、O2ガス導入管29に、O2ガスを1000cc/分、SiH4ガス
導入管31にSiH4ガスを100cc/分、PH3ガス導入管33にPH3
ガスを10cc/分 を流した。そして、半導体基板25の主
表面上に、Ｐの濃度が５％のPSG膜を形成した。反応に
使われなかったガスは、ガス排出管41から排出した。こ
の発明の第１実施例を用いて形成したPSG膜中のＰの濃
度を測定した。測定法としては、XPS（Ｘ線光電子分光
分析）、SIMS（２次イオン質量分析）等がある。
その結果を第２図に示す。第７図に示す装置を使って
従来の方法によって形成されたPSG膜中のＰの濃度を、
同じ測定器を用いて測定した。結果を第３図に示す。こ
の発明の第１実施例の実施条件と従来例の実施条件と
は、N2ガスを流す以外はすべて同じとした。第２図を参
照して、この発明の第１実施例によれば、PSG膜表面か
ら基板表面にかけて、膜中のＰの濃度はすべて５％とな
った。第３図を参照して、従来例によれば、基板表面の
近傍にある膜中のＰの濃度は、５％とならなかった。
次に、配管を清浄にし、この発明の第１実施例を用い
て、半導体基板上にPSG膜を形成した。この半導体基板
を、チャンバから取出し、別の半導体基板をチャンバに
入れ、この発明の第１実施例を用いて、この半導体基板
上にPSG膜を形成した。これを７回続けた。各半導体基
板に形成されたPSG膜中のＰの濃度を測定した。その結
果を第４図に示す。同じことを従来技術を用いて行なっ
た。その結果を第５図に示す。なお、PSG膜形成条件
は、第１実施例、従来技術とも先程と同じである。
第４図を参照して、この発明の第１実施例によれば、
１回目からPSG膜中のＰの濃度が、所望の濃度である５
％に近くなることがわかった。そして２回目には、PSG
膜中のＰの濃度は、所望濃度になることがわかった。こ
れに対し、第５図を参照して、従来技術によれば６回目
に初めて、PSG膜中のＰの濃度が所望濃度になった。こ
の発明に第１実施例は、PH3ガス、SiH4ガスをN2ガスで
希釈し、かつ流速を上昇させているので、配管内にPH3
ガス、SiH4ガスが付着しない。このため、１回目からPS
G膜中のＰの濃度が所望の濃度に近くなる。したがっ
て、この発明の第１実施例によればウェハの無駄をなく
すことができる。また、配管の洗浄回数を、少なくする
ことができる。
この発明の第１実施例は、N2ガスで各ガスの配管通過
時間を制御している。しかしながら、この発明において
はこれに限定されるわけではなく、配管の長さ、配管の
空間部の縦断面積、ガスの濃度を単独で、または組合せ
ることにより、各ガスの配管通過時間を制御してもよ
い。
この発明の第１実施例は、N2ガスを用いている。しか
しながら、この発明においてはこれに限定されるわけで
はなく、薄膜形成温度において、不活性な性質を示すも
のであれば、如何なるガスでもよい。
この発明の第１実施例は、CVDであるが、この発明に
おいてはこれに限定されるわけではなく、流量差の大き
いガスを用いてエッチングをする場合も、この発明を適
用することができる。
（第２実施例） この発明の第２実施例を説明する。第６図は、この発
明の第２実施例に用いるCVD装置の概略図である。第６
図に示すCVD装置の構造を、以下説明する。
チャンバ61の内部には、サセプタ63が設けられてい
る。サセプタ63の主表面上には、半導体基板65が載置さ
れている。ガス導入管67が、チャンバ61の内部から外部
に向けて延びている。ガス排出管85aがチャンバ61の内
部から外部に向けて延びている。
ガス導入管67は分岐部69で、O2ガス導入管71、Si含有
ガス用管73、Ｐ含有ガス用管75、Ｂ含有ガス用管77に枝
分れしている。O2ガス導入管71、Si含有ガス用管73、Ｐ
含有ガス用管75、B2含有ガス用管77には、それぞれ、マ
スフローコントローラ81a、81d、81f、81hが取付けられ
ている。
O2ガス導入管71、Si含有ガス用管73、Ｐ含有ガス用管
75、Ｂ含有ガス用管77には、それぞれ、N2ガス導入管79
a、79b、79c、79dが連通している。N2ガス導入管79a、7
9b、79c、79dに、N2ガスを流すことにより、各ガスの配
管通過時間を制御する。N2ガス導入管79a、79b、79c、7
9dには、それぞれ、マスフローコントローラ81b、81c、
81e、81gが取付けられている。72a,72b,72c,72d,72e,72
f,72g,72hは、バルブである。
Si含有ガス用管73は、バブリング室83aを通ってい
る。バブリング室83a内には、液体TEOS（Silicon Tetr
a−Ethoxide:Si（OC2H5）４）89がある。Ｐ含有ガス用
管75にはバブリング室83bを通っている。バブリング室8
3b内には、TMPO（Phosphorus Tri−Methoxide:PO（OCH
3）３）91がある。Ｂ含有ガス用管77はバブリング室83c
を通っている。バブリング室83c内には、TEB（Triethyl
Borate:B（OC2H5）３）93がある。
このCVD装置では、TEOS等をN2ガスでバブリングし、
発生したガスを用いて、半導体基板上に薄膜を形成す
る。TEOS等を用いるCVD装置によれば、SiH4ガス等を用
いる従来のCVD装置に比べ、カバレッジの良好な薄膜を
得ることができる。
たとえば、BPSG膜中におけるＢの濃度は５モル％、Ｐ
の濃度が５モル％のBPSG膜を形成する場合、Si含有ガス
用管73に流すN2の流量、Ｐ含有ガス用管75に流すN2の流
量、Ｂ含有ガス用管77に流すN2の流量は、それぞれ以下
のようになる。
まず、SiO2、P2O5、B2O31モル作るのに要するTEOS、T
MPO、TEBのモル数を求める。
Si（OC2H5）４→SiO2＋2C2H5OC2H5 だから、TEOS1モルからSiO21モルができる。
2PO（OCH3）３→P2O5＋3CH3OCH3 だから、TMPO2モルからP2O51モルができる。
2B（OC2H5）３→B2O3＋3C2H5OC2H5 だから、TEB2モルからB2O31モルができる。
したがって、 SiO2:P2O5:B2O3＝90モル％:5モル％:5モル％ だから、 TEOS:TMPO:TEB＝90:10:10＝9:1:1 となる。ガス状態ではモル比＝流量だから、 TEOSガス:TMPOガス:TEBガス＝9:1:1 …… ところで、ｔ℃におけるTEOS,TMPO,TEBの蒸気圧は次
式で示される。TEOS:log10P＝9.651−1817.5/（ｔ＋22
5.56） …… TMPO:log10P＝10.170−2416/（ｔ＋273.15） …… TEB:log10P＝10.267−2061/（ｔ＋273.15） …… ｐは蒸気圧（Pa）、なお、１気圧は101325Paである。
ｔは絶対温度である。上記式は株式会社高純度化学研究
所が、平成１年８月４日に発行したガスカタログより引
用したものである。
60℃のTEOSの蒸気圧は、より、 Ｐ≒1933Pa＝14.5mmHgとなる。
よって、60℃のTEOSを３／分のN2ガスでバブリング
することにより発生するTEOSガスは、 （14.5mmHg/760mmHg）×３／分＝0.0572／分 となる。
したがって、より、TMPOガス、TEBガスはそれぞれ
0.00636／分 発生させなければならない。TMPOガ
ス、TEBガスを0.00636／分 発生させるのに要するN2
ガスの流量は次のようになる。
TMPOをバブリングするN2ガスの流量 60℃のTMPOの蒸気圧は、より6.21mmHgとなるから、 0.00636／分＝（6.21mmHg/760mmHg）×N2ガス流量
／分 となり、N2ガス流量は0.778／分となる。
TEBをバブリングするN2ガスの流量 60℃のTEBの蒸気圧は、より90.3mmHgとなるから、 0.00636／分＝（90.3mmHg/760mmHg）×N2ガス流量
／分 となり、N2ガスの流量は0.0535／分となる。
したがって、Si含有ガス用管73に流すN2ガスの流量、
Ｐ含有ガス用管75に流すN2ガスの流量、Ｂ含有ガス用管
77に流すN2ガスの流量は、それぞれ３／分、0.778
／分、0.0535／分となる。よって各ガス管を通るガス
の流量差は大きい。
これを解決するため、第２実施例では以下の方法を用
いた。この方法は２つある。まず、１つ目の方法を説明
する。
１つ目の方法は、N2ガス導入管79b、79c、79dにN2ガ
スを流し、Si含有ガス用管73、Ｐ含有ガス用管75、Ｂ含
有ガス用管77に流れるガスの流量を等しくする方法であ
る。この場合は、N2ガス導入管79b、79c、79dに、それ
ぞれ０／分、2.222／分、2.9465／分のN2ガスを
流せばよい。
他の１つの方法は、TEOS、TMPO、TEBの蒸気圧をコン
トロールし、バブリングに使うN2ガスの流量をすべて等
しくする方法である。たとえば、先程説明したように、
60℃のTEOSを３／分 のN2ガスでバブリングすること
により発生するTEOSガスは、0.0572／分となる。した
がって、TMPOガス、TEBガスはそれぞれ0.00636／分
発生させなければならない。TMPO、TEBを３／分 のN
2ガスでバブリングさせるので、TMPOの蒸気圧V1、TEBの
蒸気圧V2を次のようにコントロールする。
TMPO （V1mmHg/760mmHg）×３／分＝0.00636／分 だから、V1は、1.61mmHgとなる。なお、TMPOの蒸気圧
を1.61mmHgにするには、TMPOの温度をより35℃にすれ
ばよい。
TEB （V2mmHg/760mmHg）×３／分＝0.00636／分 だから、V2は、1.61mmHgとなる。なお、TEBの蒸気圧
を1.61mmHgにするには、TEBの温度をより、−13.4℃
にすればよい。
なお、TMOS、TPOS、DADBS、TMP、TMB、TPB、TBB等を
用いて、薄膜を形成する場合もこの発明の第２実施例を
用いることができることはいうまでもない。
［効果］ この発明に従った基板処理装置では、各ガスの流量を
制御し、各原料用ガスの供給源から各ガス管を通過して
反応室へ到達するまでの配管通過時間を同一にすること
ができる。このため、成膜すべき膜の組成に応じて原料
用ガスの流量差が大きくなったとしても、基板と膜との
界面近傍の膜中の不純物濃度を所望濃度とすることがで
き、この装置によって製造された半導体装置の特性が向
上するという効果を奏する。
また、各原料用ガスを各調整用ガスで希釈することに
より、各ガスの流速を上昇させることができるため、ガ
スが配管内に付着することが防止され、ダミーランの回
数を減らすことができ、スループットが向上する。
さらに、原料ガスをTEB、TEOS、TMPOにすることによ
って、成膜されるBPSG膜の均一性、再現性に優れ、温度
制御の容易な基板処理装置を得ることができ、この装置
によって製造された半導体装置の特性が向上するという
効果を奏する。
この発明に従った基板処理方法では、ガスの配管通過
時間を略同一となるように制御しているため、ガスの流
量差が大きくなったとしても、基板と膜との界面近傍の
膜中の不純物濃度を所望濃度にすることができ、半導体
装置の性能が向上するという効果を奏する。
さらに、原料用ガスをTEB、TEOS、TMPOにすることに
よって、成膜されるBPSG膜の均一性、再現性に優れた基
板処理方法を得ることができ、半導体装置そのものの性
能が向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の第１実施例を実施するために用い
るCVD装置の概略図である。 第２図は、この発明の第１実施例を用いて形成した薄膜
の深さ方向における各位置と、そこにおける不純物濃度
との関係を表わす図である。 第３図は、従来の方法を用いて形成した薄膜の深さ方向
の各位置と、そこにおける不純物濃度との関係を表わす
図である。 第４図は、この発明の第１実施例を用いて薄膜を形成し
た回数と、各回における薄膜中の不純物濃度との関係を
表わす図である。 第５図は、従来の方法を用いて薄膜を形成した回数と、
各回における薄膜中の不純物濃度との関係を表わす図で
ある。 第６図は、この発明の第２実施例を実施するために用い
るCVD装置の概略図である。 第７図は、従来のCVD装置の概略図である。 図において、21はチャンバ、25は半導体基板、27はガス
導入管、29はO2ガス導入管、31はSiH4ガス導入管、33は
PH3ガス導入管、35はB2H6ガス導入管、37a、37b、37c、
37dはN2ガス導入管、61はチャンバ、65は半導体基板、6
7はガス導入管、71はO2ガス導入管、73はSi含有ガス用
管、75はＰ含有ガス用管、77は、Ｂ含有ガス用管、79
a、79b、79c、79dはN2ガス導入管を示す。

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも３種の原料用ガスを用いて基板
    を処理する基板処理装置であって、 前記基板を内部に支持可能な処理室と、 前記処理室の前記内部から外部へ通ずるように設けられ
    たガス導入管と、 前記ガス導入管から前記原料用ガスの各々に対応して分
    岐する複数の配管と、 前記配管の各々に配置された流量制御部材とを備え、 前記配管は、前記流量制御部材により所定流量に制御さ
    れた各ガスの、ガス供給部から前記処理室に至るまでの
    ガス配管通過時間が略同一となるように構成されている
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】各々の配管は、各々の原料用ガスを導入す
    るための原料用ガス導入管と、各々の原料用ガス導入管
    の流量を調整するための調整用ガス導入管とに分岐して
    いることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】原料用ガスのうち、第１の原料用ガスがTE
    B、第２の原料用ガスがTEOS、第３の原料用ガスがTMPO
    であることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
  4. 【請求項４】少なくとも３種の原料用ガスを用いて、基
    板を処理する方法であって、前記基板の処理が行なわれ
    る処理室の内部に前記基板を入れる工程と、 前記処理室の前記内部から外部へ通じ、かつ前記原料用
    ガスに対応して複数の配管に分岐したガス導入管の各々
    に前記原料用ガスを導入する工程と、 前記原料用ガスの各々のガス供給部から前記処理室に至
    るまでのガス配管通過時間を略同一とするように制御す
    る工程とを備えた、基板処理方法。
  5. 【請求項５】原料用ガスのうち、第１の原料用ガスがTE
    B、第２の原料用ガスがTEOS、第３の原料用ガスがTMPO
    であることを特徴とする請求項４記載の基板処理方法。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2626925B2 (ja) * 1990-05-23 1997-07-02 三菱電機株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TW289839B (ja) * 1993-02-09 1996-11-01 Gen Instrument Corp
US5409743A (en) * 1993-05-14 1995-04-25 International Business Machines Corporation PECVD process for forming BPSG with low flow temperature
US5916369A (en) * 1995-06-07 1999-06-29 Applied Materials, Inc. Gas inlets for wafer processing chamber
US6500734B2 (en) 1993-07-30 2002-12-31 Applied Materials, Inc. Gas inlets for wafer processing chamber
US5531183A (en) * 1994-07-13 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Vaporization sequence for multiple liquid precursors used in semiconductor thin film applications
FR2724923B1 (fr) * 1994-09-27 1996-12-20 Saint Gobain Vitrage Technique de depot de revetements par pyrolyse de composition de gaz precurseur(s)
AU4240196A (en) 1994-11-16 1996-06-06 B.F. Goodrich Company, The Pressure gradient cvi/cvd apparatus, process and product
US5966627A (en) * 1996-08-30 1999-10-12 Lucent Technologies Inc. In-situ doped silicon layers
FR2758318B1 (fr) * 1997-01-15 1999-02-05 Air Liquide Procede et installation d'elaboration d'un melange gazeux comportant un gaz porteur, un gaz oxydant et un silane
US6136703A (en) * 1998-09-03 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Methods for forming phosphorus- and/or boron-containing silica layers on substrates
US7476419B2 (en) * 1998-10-23 2009-01-13 Goodrich Corporation Method for measurement of weight during a CVI/CVD process
US6669988B2 (en) 2001-08-20 2003-12-30 Goodrich Corporation Hardware assembly for CVI/CVD processes
US6162298A (en) * 1998-10-28 2000-12-19 The B. F. Goodrich Company Sealed reactant gas inlet for a CVI/CVD furnace
US6210482B1 (en) * 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
US6461962B1 (en) * 1999-09-01 2002-10-08 Tokyo Electron Limited Etching method
US6443435B1 (en) 2000-10-23 2002-09-03 Applied Materials, Inc. Vaporization of precursors at point of use
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US20050120958A1 (en) * 2003-12-07 2005-06-09 Frank Lin Reactor
WO2006020424A2 (en) * 2004-08-02 2006-02-23 Veeco Instruments Inc. Multi-gas distribution injector for chemical vapor deposition reactors
JP4017648B2 (ja) * 2006-01-23 2007-12-05 シャープ株式会社 プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子
JP5179339B2 (ja) * 2008-12-22 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置
US10138555B2 (en) * 2015-10-13 2018-11-27 Horiba Stec, Co., Ltd. Gas control system and program for gas control system
JP7281285B2 (ja) 2019-01-28 2023-05-25 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5183473A (en) * 1975-01-20 1976-07-22 Hitachi Ltd Fujunbutsuno doopinguhoho
US4196232A (en) * 1975-12-18 1980-04-01 Rca Corporation Method of chemically vapor-depositing a low-stress glass layer
JPS541622A (en) * 1977-06-06 1979-01-08 Dainippon Screen Mfg Contact printing device for sensitive material
US4217375A (en) * 1977-08-30 1980-08-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Deposition of doped silicon oxide films
JPS5933532B2 (ja) * 1981-04-03 1984-08-16 スタンレー電気株式会社 非晶質シリコンの形成方法
US4369031A (en) * 1981-09-15 1983-01-18 Thermco Products Corporation Gas control system for chemical vapor deposition system
JPS58115812A (ja) * 1981-12-28 1983-07-09 Fujitsu Ltd 半導体装置製造用ガス供給装置
US4401507A (en) * 1982-07-14 1983-08-30 Advanced Semiconductor Materials/Am. Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions
JPS59215475A (ja) * 1983-05-18 1984-12-05 Kyocera Corp 量産型グロ−放電分解装置
US4517220A (en) * 1983-08-15 1985-05-14 Motorola, Inc. Deposition and diffusion source control means and method
JPS61135127A (ja) * 1984-12-05 1986-06-23 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
EP0204182B1 (de) * 1985-05-22 1991-06-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen von mit Bor und Phosphor dotierten Siliziumoxid-Schichten für integrierte Halbleiterschaltungen
US4812325A (en) * 1985-10-23 1989-03-14 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposited film
JPS62105997A (ja) * 1985-11-01 1987-05-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 気相成長装置
JPS62237734A (ja) * 1986-04-08 1987-10-17 Kokusai Electric Co Ltd 基板上の絶縁保護膜の生成法
FR2599558B1 (fr) * 1986-05-27 1988-09-02 Labo Electronique Physique Procede de realisation d'un dispositif semi-conducteur, incluant le depot en phase vapeur de couches sur un substrat
JPS6319813A (ja) * 1986-07-11 1988-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
US4980204A (en) * 1987-11-27 1990-12-25 Fujitsu Limited Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate
JPH0296324A (ja) * 1988-09-30 1990-04-09 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法およびそれに用いる気相成長装置
DE69006809T2 (de) * 1989-09-12 1994-09-15 Shinetsu Chemical Co Vorrichtung für die Verdampfung und Bereitstellung von Organometallverbindungen.
JP2626925B2 (ja) * 1990-05-23 1997-07-02 三菱電機株式会社 基板処理装置および基板処理方法

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