JPS62105997A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS62105997A JPS62105997A JP24686285A JP24686285A JPS62105997A JP S62105997 A JPS62105997 A JP S62105997A JP 24686285 A JP24686285 A JP 24686285A JP 24686285 A JP24686285 A JP 24686285A JP S62105997 A JPS62105997 A JP S62105997A
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- JP
- Japan
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- flow rate
- line
- carrier gas
- growth
- control device
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、成長炉内において気相成長させる被膜の成
長制御性を改善した気相成長装置に関する。
長制御性を改善した気相成長装置に関する。
クロライドＶ Ｐ Ｅ （Ｖａｐｅｒ Ｐｈａｓｅ Ｅ
ｐｉｔａｘｙ）やＯＭ （Ｏｒｇａｎｏ 、ｍｅｔａｌ
ｌｉｃ）Ｖ Ｐ Ｅ等の気相成長法において、常温常圧
下で液体或いは固体の原料をキャリアガスによって蒸気
化し、これを成長炉に間欠的に供給する場合の従来法を
第４図に示す。
ｐｉｔａｘｙ）やＯＭ （Ｏｒｇａｎｏ 、ｍｅｔａｌ
ｌｉｃ）Ｖ Ｐ Ｅ等の気相成長法において、常温常圧
下で液体或いは固体の原料をキャリアガスによって蒸気
化し、これを成長炉に間欠的に供給する場合の従来法を
第４図に示す。
この図において、１は液体或いは固体原料を収めたシリ
ンダ、２ａ、 ２ｂ、 ２ｃは流量制御装置（以下では
これをＭＦＣと云う）、３は流量計（以下ではこれをＭ
ＦＭと云う）、４は三方バルブ、５は圧力計６或いは差
圧計７の出力を受けてキャリアガスの流量調節を行う制
御バルブ、８はＭＦＣ２ａの出口側にシリンダ１を挿入
した反応ガス供給管、９はシリンダ内圧力調節用キャリ
アガス供給管、１０はキャリアガス供給管、１１はベン
トライン、１２は成長炉ライン、１３は成長炉、１４は
排気装置、１５はニードルバルブ、ｉ６，１７は他の反
応ガス供給管、Ａはキャリアガスを示している。
ンダ、２ａ、 ２ｂ、 ２ｃは流量制御装置（以下では
これをＭＦＣと云う）、３は流量計（以下ではこれをＭ
ＦＭと云う）、４は三方バルブ、５は圧力計６或いは差
圧計７の出力を受けてキャリアガスの流量調節を行う制
御バルブ、８はＭＦＣ２ａの出口側にシリンダ１を挿入
した反応ガス供給管、９はシリンダ内圧力調節用キャリ
アガス供給管、１０はキャリアガス供給管、１１はベン
トライン、１２は成長炉ライン、１３は成長炉、１４は
排気装置、１５はニードルバルブ、ｉ６，１７は他の反
応ガス供給管、Ａはキャリアガスを示している。
この装置では、シリンダ１内に、Ｍ Ｆ Ｃ２ａによっ
て流量制御されたキャリアガスを導入し、ここで、バブ
リングにより蒸気化した反応ガスを、供給管８を通じて
三方バルブ４に導き、このバルブの切換えにより、差圧
計７の出力を受ける制御バルブ５等の働きで圧力バラン
スのとられた成長炉ライン１２とベントライン１１のい
ずれかに管８を連通せしめ、反応ガスを成長炉１３に導
くか又は成長炉をパスして直接排気装置１４に導く。
て流量制御されたキャリアガスを導入し、ここで、バブ
リングにより蒸気化した反応ガスを、供給管８を通じて
三方バルブ４に導き、このバルブの切換えにより、差圧
計７の出力を受ける制御バルブ５等の働きで圧力バラン
スのとられた成長炉ライン１２とベントライン１１のい
ずれかに管８を連通せしめ、反応ガスを成長炉１３に導
くか又は成長炉をパスして直接排気装置１４に導く。
また、このとき、シリンダ１内の圧力を一定に保つため
、管８内のガス圧を圧力計６で捕えて、この圧力計の出
力を受ける制御バルブ５により、供給管９から管Ｂ内に
供給するキャリアガス流量を制御する。
、管８内のガス圧を圧力計６で捕えて、この圧力計の出
力を受ける制御バルブ５により、供給管９から管Ｂ内に
供給するキャリアガス流量を制御する。
さらに、ライン１１．１２に対し、それ等のラインに三
方バルブ４を介して接続された供給管１０より、ＭＦＣ
２ｂによって管８内を流れるキャリアガスの全流量とは
ゾ等しくなるように流量設定されたキャリアガスを導入
する。この導入は、供給管１０とライン１１．１２との
間に介在した三方バルブを、供給管８とライン１１．１
２との間に介在した三方バルブに対して逆位相の関係、
即ち、管８がライン１１に連通するときには管１０がラ
イン１２に連通し、管８がライン１２に連通するときに
は管１０がライン１１に連通するように切換えて行い、
これによって、ライン１１．１２間における反応ガスの
流れ方向切換え時に、成長炉１３に供給する全ガス流量
を一定に保つと同時に成長炉ライン１２内の圧力変動を
抑制し、ガス流の乱れを極力低減するようにしている。
方バルブ４を介して接続された供給管１０より、ＭＦＣ
２ｂによって管８内を流れるキャリアガスの全流量とは
ゾ等しくなるように流量設定されたキャリアガスを導入
する。この導入は、供給管１０とライン１１．１２との
間に介在した三方バルブを、供給管８とライン１１．１
２との間に介在した三方バルブに対して逆位相の関係、
即ち、管８がライン１１に連通するときには管１０がラ
イン１２に連通し、管８がライン１２に連通するときに
は管１０がライン１１に連通するように切換えて行い、
これによって、ライン１１．１２間における反応ガスの
流れ方向切換え時に、成長炉１３に供給する全ガス流量
を一定に保つと同時に成長炉ライン１２内の圧力変動を
抑制し、ガス流の乱れを極力低減するようにしている。
しかしながら、上記の従来法では、シリンダ１内の圧力
を一定に保つために、管９内を流れるキャリアガスの流
量が刻々と変化し、これに伴なって管８内を流れる全ガ
ス流量も変化するＡ％従って、成長開始から時間が経過
するにつれて、管８内を流れる全キャリアガス流量と管
１０内を流れるキャリアガス流量とに差が生じるように
なり、反応ガス供給管８からの供給反応ガスの流れ方向
をライン１１．１２間で切換えるときに必要な成長炉１
３への供給ガス量の一定量維持効果が薄れる結果、気相
成長において重要な成長圧力及び成長速度の制御性に悪
影響を及ぼす。
を一定に保つために、管９内を流れるキャリアガスの流
量が刻々と変化し、これに伴なって管８内を流れる全ガ
ス流量も変化するＡ％従って、成長開始から時間が経過
するにつれて、管８内を流れる全キャリアガス流量と管
１０内を流れるキャリアガス流量とに差が生じるように
なり、反応ガス供給管８からの供給反応ガスの流れ方向
をライン１１．１２間で切換えるときに必要な成長炉１
３への供給ガス量の一定量維持効果が薄れる結果、気相
成長において重要な成長圧力及び成長速度の制御性に悪
影響を及ぼす。
また、上記の維持効果と相関関係にある成長炉ライン１
２内の圧力変動抑制効果も低下するため、成長炉に供給
する反応ガスの流量の制御性も悪くなる。
２内の圧力変動抑制効果も低下するため、成長炉に供給
する反応ガスの流量の制御性も悪くなる。
この発明の目的は、かＮる不都合を無くして成長装置の
高性能化を計ることにある。
高性能化を計ることにある。
上、記の目的を達成するため、この発明は、第１図に示
すように、上述した装置において、反応ガス供給ライン
に設けるＭ Ｆ Ｃ２ａ及び圧力調節ラインに設けるＭ
ＦＭ３として、各々が通過ガス流量Ｑ１、Ｑ２をリアル
タイムで電気的信号に変換して出力する機能をもつもの
を使用し、さらに、この２つの電気的信号を入力するコ
ントローラ１８を設け、このコントローラには、上記２
つの電気的信号を適当な時間幅でサンプリングしてＱ、
＋Ｑ２の和Ｑ３ を求める演算機能と、外部からの
電気的信号の入力により流量を制御するキャリアガス供
給ラインの流量制御装置２ｂに、その装置の通過ガス流
量を９３に制御する電気的信号のフードバック機能をも
たせたのである。なお、Ｍ Ｆ Ｃ２ａ 。
すように、上述した装置において、反応ガス供給ライン
に設けるＭ Ｆ Ｃ２ａ及び圧力調節ラインに設けるＭ
ＦＭ３として、各々が通過ガス流量Ｑ１、Ｑ２をリアル
タイムで電気的信号に変換して出力する機能をもつもの
を使用し、さらに、この２つの電気的信号を入力するコ
ントローラ１８を設け、このコントローラには、上記２
つの電気的信号を適当な時間幅でサンプリングしてＱ、
＋Ｑ２の和Ｑ３ を求める演算機能と、外部からの
電気的信号の入力により流量を制御するキャリアガス供
給ラインの流量制御装置２ｂに、その装置の通過ガス流
量を９３に制御する電気的信号のフードバック機能をも
たせたのである。なお、Ｍ Ｆ Ｃ２ａ 。
２ｂ、ＭＦＭ３がアナログ信号を入出力するものである
場合には、コントローラ１８にＡ／Ｄ変換及びＤ／Ａ変
換機能を付加しておく。
場合には、コントローラ１８にＡ／Ｄ変換及びＤ／Ａ変
換機能を付加しておく。
この気相成長装置によれば、ＭＦＣ２ｂのガス通路の開
度（又は絞り度）が、反応ガス供給管８内を流れる全ガ
ス量のシリンダ１内の圧力調節に起因した変動に合わせ
て調整され、キャリアがス供給ライン、即ち管１０内を
流れるキャリアガス流■が、反応ガス供給ライン、即ち
管８内を流れる全キャリアガス流量と等しくなるように
補正されるので、成長炉１３に供給される全ガス流量の
変動及び成長炉ライン１２内の圧力変動が効果的に抑制
され成長の制御性が向上する。
度（又は絞り度）が、反応ガス供給管８内を流れる全ガ
ス量のシリンダ１内の圧力調節に起因した変動に合わせ
て調整され、キャリアがス供給ライン、即ち管１０内を
流れるキャリアガス流■が、反応ガス供給ライン、即ち
管８内を流れる全キャリアガス流量と等しくなるように
補正されるので、成長炉１３に供給される全ガス流量の
変動及び成長炉ライン１２内の圧力変動が効果的に抑制
され成長の制御性が向上する。
特１こ、第２図に示すように、第１図に示した装置のＭ
Ｆ Ｃ２Ｃにも、外部からの電気的六方信号で流量を
制御する機能を付加し、一方、コントローラ１８は、成
長開始時のＱ２の初期値Ｑ０２及びＭ Ｆ Ｃ２Ｃを流
れるガス流量見、の初期設定値Ｑｏ４をデ″″′−夕と
して取込み、さらに、時間の経過と共に適当な時間幅で
Ｑ２の値をサンプリングしてＱ、、 −（Ｑ２− Ｑ、
２）の差を求め、演算結果の９４を電気的制御信号とし
てＭ Ｆ Ｃ２Ｃにフィードバックする機能を併せ有す
る構成としておけば、成長炉ライン１２内を流れるキャ
リアガス流量を、反応ガス供給管８内を流れる全ガス流
量の変動幅を打消すように補正できるので、上述の効果
がより高まり、栂めて安定した気相成長が行われる。
Ｆ Ｃ２Ｃにも、外部からの電気的六方信号で流量を
制御する機能を付加し、一方、コントローラ１８は、成
長開始時のＱ２の初期値Ｑ０２及びＭ Ｆ Ｃ２Ｃを流
れるガス流量見、の初期設定値Ｑｏ４をデ″″′−夕と
して取込み、さらに、時間の経過と共に適当な時間幅で
Ｑ２の値をサンプリングしてＱ、、 −（Ｑ２− Ｑ、
２）の差を求め、演算結果の９４を電気的制御信号とし
てＭ Ｆ Ｃ２Ｃにフィードバックする機能を併せ有す
る構成としておけば、成長炉ライン１２内を流れるキャ
リアガス流量を、反応ガス供給管８内を流れる全ガス流
量の変動幅を打消すように補正できるので、上述の効果
がより高まり、栂めて安定した気相成長が行われる。
第３図に、この発明の具体的な装置の一例としてＧ ａ
Ａ ｓ及びＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓを気相成長させる
装置を示す。
Ａ ｓ及びＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓを気相成長させる
装置を示す。
この装置は、Ａ／（ＣＨ３）、の収納シリンダ１を挿入
した管８ 、 Ｇ ａ （ＣＨ，）、の収納シリンダ１
′を挿入した管８′、ＡｓＨ，の供給管１７の計３つの
反応ガス供給ラインを有し、その各々が三方バルブ４を
介してベントライン１１、成長炉ライン１２の双方に接
続されている。
した管８ 、 Ｇ ａ （ＣＨ，）、の収納シリンダ１
′を挿入した管８′、ＡｓＨ，の供給管１７の計３つの
反応ガス供給ラインを有し、その各々が三方バルブ４を
介してベントライン１１、成長炉ライン１２の双方に接
続されている。
また、管８．８には、それぞれ、圧力計６．６′の出力
を受ける制御バルブ５．５′とＭＦＭ３．３’を備えた
シリンダ内圧力調節ラインの管９，９′が接続され、さ
らに、キャリアガス供給ラインも各反応ガス供給ライン
と対に２ライン設けられてＭ Ｆ Ｃ２ｂ、 ２ｂ’
を挿入したそれぞれのラインの管１０．１０’が三方バ
ルブ４によりライン１１．１２に接続されている。なお
、その他の構成は管１７の途中にＭ Ｆ Ｃ２ａと同じ
機能のＭＦＣ２ｄを挿入した点、及びコントローラ１８
がより多機能となっている点を除いて第２図の装置と変
わりがないので同一部の説明は省略する。
を受ける制御バルブ５．５′とＭＦＭ３．３’を備えた
シリンダ内圧力調節ラインの管９，９′が接続され、さ
らに、キャリアガス供給ラインも各反応ガス供給ライン
と対に２ライン設けられてＭ Ｆ Ｃ２ｂ、 ２ｂ’
を挿入したそれぞれのラインの管１０．１０’が三方バ
ルブ４によりライン１１．１２に接続されている。なお
、その他の構成は管１７の途中にＭ Ｆ Ｃ２ａと同じ
機能のＭＦＣ２ｄを挿入した点、及びコントローラ１８
がより多機能となっている点を除いて第２図の装置と変
わりがないので同一部の説明は省略する。
さて、この例示の装置によりＡＪＧａＡｉを成長させる
場合には、シリンダ１，１′内の原料を、各々ＭＦＣで
流量制御されたＨ２キャリアガスによりバブリングして
蒸気化し、ここで発生した反応ガスを管８，８′を通し
て三方バルブ４からライン１１゜１２のいずれかに導入
する。
場合には、シリンダ１，１′内の原料を、各々ＭＦＣで
流量制御されたＨ２キャリアガスによりバブリングして
蒸気化し、ここで発生した反応ガスを管８，８′を通し
て三方バルブ４からライン１１゜１２のいずれかに導入
する。
また、各シリンダ１．１′内の圧力は、管８，８′に接
続した管９内のキャリアガス流量を、圧力計６．６′の
出力により制御して一定に保つ。
続した管９内のキャリアガス流量を、圧力計６．６′の
出力により制御して一定に保つ。
さらに、各キャリアガス供給管１０．１０’により管８
．８′からの反応ガス供給と正反対にライン１１゜１２
のいずれかに供給するキャリアガスは、管１０゜１０’
を通るキャリアガス流量が対応した反応ガス供給管８．
８′を流れる全１１□キヤリアガス流量と等しくなるよ
うにＭＦＣ２１，２ａ’、ＭＦＭ ３．３’の流量の電
気的出力信号をコントローラ１８に入力し、ここで、適
当な時間幅でサンプリングした入力信号により、Ｑ、＝
Ｑ、＋Ｑ２及びＱ、＝ Ｑ、 ＋ Ｑ、。
．８′からの反応ガス供給と正反対にライン１１゜１２
のいずれかに供給するキャリアガスは、管１０゜１０’
を通るキャリアガス流量が対応した反応ガス供給管８．
８′を流れる全１１□キヤリアガス流量と等しくなるよ
うにＭＦＣ２１，２ａ’、ＭＦＭ ３．３’の流量の電
気的出力信号をコントローラ１８に入力し、ここで、適
当な時間幅でサンプリングした入力信号により、Ｑ、＝
Ｑ、＋Ｑ２及びＱ、＝ Ｑ、 ＋ Ｑ、。
となる演算を行った結果を、即ちＱ、 、 Ｑ、の信号
をＭｒｅ２ｂ、２ｂ’にフィードバックしてそれ等ＭＦ
Ｃの流量制御を行う。
をＭｒｅ２ｂ、２ｂ’にフィードバックしてそれ等ＭＦ
Ｃの流量制御を行う。
さらに、成長開始時のＭＦＭ３．３’の流量の初期値Ｑ
（１２及びＱ０４と成長炉ライン１２に設けたＭＦＣ２
Ｃの流量の初期設定値ｑ。７をコントローラ１８内にデ
ータとして取込み、コントローラ１８内で適当な時間幅
でサンプリングするＱ２． （２，の信号を用いて、Ｑ
、 ＝ Ｑ、、 −（Ｑ２− Ｑ、、）−（Ｑ５−Ｑ、
、）なる演算を行い、その式で求められたＱ７の値を電
気的信号としてＭＦＣ２’Ｃにフィードバックし、これ
によりＭＦＣ２Ｃを経由してライン１２番こ導入される
Ｈ２キャリアガス流量を制御して成長炉１３内に供給さ
れる全ガス流量を一定に保つ。以上により、第２図で説
明したのと同じ作用・効果が得られ、成長の制御性が向
上する。
（１２及びＱ０４と成長炉ライン１２に設けたＭＦＣ２
Ｃの流量の初期設定値ｑ。７をコントローラ１８内にデ
ータとして取込み、コントローラ１８内で適当な時間幅
でサンプリングするＱ２． （２，の信号を用いて、Ｑ
、 ＝ Ｑ、、 −（Ｑ２− Ｑ、、）−（Ｑ５−Ｑ、
、）なる演算を行い、その式で求められたＱ７の値を電
気的信号としてＭＦＣ２’Ｃにフィードバックし、これ
によりＭＦＣ２Ｃを経由してライン１２番こ導入される
Ｈ２キャリアガス流量を制御して成長炉１３内に供給さ
れる全ガス流量を一定に保つ。以上により、第２図で説
明したのと同じ作用・効果が得られ、成長の制御性が向
上する。
なお、同図において、反応ガス供給管８をニードルバル
ブ１５により閉じ、さらに、Ｑ、 、 Ｑ、の値を上式
から外した演算を行えば、同じ装置によりＧ ａ Ａ
ｓの成長が行える。
ブ１５により閉じ、さらに、Ｑ、 、 Ｑ、の値を上式
から外した演算を行えば、同じ装置によりＧ ａ Ａ
ｓの成長が行える。
以上説明したように、この発明によれば、反応ガス供給
ラインのＭＦＣ，シリンダ内圧力調節ラインのＭＦＭか
ら電気的な流量信号を受けるコントローラからの指令で
キャリアガス供給ラインのＭＦＣ流量を制御することに
より、キャリアガス供給ラインを流れるキャリアガス流
量を、シリンダ内圧力調節ラインのキャリアガス流量の
変動に起因する反応ガス供給ライン内の全ガス流量の変
動に合わせて、反応ガス供給ライン内を流れる全キャリ
アガス流量と等しくなるように補正するので、三方バル
ブにより反応ガスを成長炉ラインとベントラインとの間
で切換える際の成長炉ラインに供給される全ガス流量の
変動及び成長炉ライン内の圧力変動が効果的に防止され
、気相成長の制御性が向上する。
ラインのＭＦＣ，シリンダ内圧力調節ラインのＭＦＭか
ら電気的な流量信号を受けるコントローラからの指令で
キャリアガス供給ラインのＭＦＣ流量を制御することに
より、キャリアガス供給ラインを流れるキャリアガス流
量を、シリンダ内圧力調節ラインのキャリアガス流量の
変動に起因する反応ガス供給ライン内の全ガス流量の変
動に合わせて、反応ガス供給ライン内を流れる全キャリ
アガス流量と等しくなるように補正するので、三方バル
ブにより反応ガスを成長炉ラインとベントラインとの間
で切換える際の成長炉ラインに供給される全ガス流量の
変動及び成長炉ライン内の圧力変動が効果的に防止され
、気相成長の制御性が向上する。
特に、成長炉ラインのＭＦＣに、コントローラを通じて
反応ガス供給ライン内を流れる全ガス流量の変動幅を補
正する信号を送る構成としたものは、上述の効果が高く
、より安定した気相成長が行える。
反応ガス供給ライン内を流れる全ガス流量の変動幅を補
正する信号を送る構成としたものは、上述の効果が高く
、より安定した気相成長が行える。
第１図は、この発明の装置の基本構成を示す線図、第２
図はその変形例を示す線図、第３図は、本発明ζこ係る
装置の具体的な例を示す線図、第４図は従来の気相成長
装置を示す線図である。
図はその変形例を示す線図、第３図は、本発明ζこ係る
装置の具体的な例を示す線図、第４図は従来の気相成長
装置を示す線図である。
Claims (2)
- （１）キャリアガス流量制御装置（ａ）の出口側に原料
の収納シリンダを挿入した反応ガス供給ライン、そのラ
インにつながれた上記シリンダ内の圧力調整ライン、流
量制御装置（ｂ）を挿入したキャリアガス供給ライン、
流量制御装置（ｃ）を有して成長炉につながる成長炉ラ
イン、及びその成長炉ラインと圧力のバランスしたベン
トラインを備え、上記反応ガス供給ライン及びキャリア
ガス供給ラインが、各々逆位相の関係を保つように切換
えられる三方弁を介して成長炉ラインとベントラインの
双方に接続された気相成長装置において、上記流量制御
装置（ａ）及び上記圧力調節ラインに挿入する流量計と
して、各々が通過ガス流量Ｑ＿１、Ｑ＿２を電気的信号
に変換して出力する機能をもつものを使用し、さらに、
この２つの電気的信号を入力するコントローラを設け、
このコントローラには、上記２つの電気的信号を適当な
時間幅でサンプリングしてＱ＿１＋Ｑ＿２の和Ｑ＿３を
求める演算機能と、外部からの電気的信号の入力により
流量調節されて上記流量制御装置（ｂ）に、その装置の
通過ガス流量をＱ＿３に制御する電気的信号のフィード
バック機能をもたせたことを特徴とする気相成長装置。 - （２）上記流量制御装置（ｃ）も外部からの電気的入力
信号で流量を制御する機能を有し、一方、上記コントロ
ーラは、成長開始時のＱ＿２の初期値Ｑ＿０＿２及び流
量制御装置（ｃ）を流れるガス流量Ｑ＿４の初期設定値
Ｑ＿０＿４をデータとして取込み、さらに時間の経過と
共に適当な時間幅でＱ＿２の値をサンプリングしてＱ＿
０＿４（Ｑ＿２−Ｑ＿０＿２）の差を求め、演算結果の
Ｑ＿４を電気的制御信号として流量制御装置（ｃ）にフ
ィードバックする機能を併せ有していることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24686285A JPS62105997A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24686285A JPS62105997A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62105997A true JPS62105997A (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=17154833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24686285A Pending JPS62105997A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62105997A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63319292A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相熱分解結晶成長装置 |
| JPH0428227A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JPH05186296A (ja) * | 1991-04-22 | 1993-07-27 | Applied Materials Inc | ウエハ加工システム内のプロセスガスの流量検定、そのための装置および方法 |
| US5496408A (en) * | 1992-11-20 | 1996-03-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing compound semiconductor devices |
| JP2002110570A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Asm Japan Kk | 半導体製造装置用ガスラインシステム |
| US20100303675A1 (en) * | 2003-03-24 | 2010-12-02 | Osamu Suekane | Method and apparatus for high-efficiency synthesis of carbon nanostructure, and carbon nanostructure |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP24686285A patent/JPS62105997A/ja active Pending
Cited By (8)
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| JPH0428227A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
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