JPH0439921A - 気相エピタキシャル成長装置のガス流量制御方法 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置のガス流量制御方法Info
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- JPH0439921A JPH0439921A JP14810390A JP14810390A JPH0439921A JP H0439921 A JPH0439921 A JP H0439921A JP 14810390 A JP14810390 A JP 14810390A JP 14810390 A JP14810390 A JP 14810390A JP H0439921 A JPH0439921 A JP H0439921A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 85
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N ethyltellanylethane Chemical compound CC[Te]CC ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000701051 Legionella pneumophila Zinc metalloproteinase Proteins 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- -1 dx Te) are used Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
気相エピタキシャル成長装置の原料ガス流量制御方法に
関し、 複数のガス導入管のうちの特定のガス導入管より反応容
器内へ流れるガスの流量が、他のガス導入管に流れるガ
ス流量に影響を及ぼさない状態で制御できるようにした
気相エピタキシャル成長装置の原料ガスのガス流量制御
方法を目的とし、流量制御バルブと流量計とをそれぞれ
備えた複数のガス導入管より原料ガスを反応容器内に流
入し、該反応容器内に設置されたエピタキシャル成長周
基板を加熱して前記流入された原料ガスを加熱分解して
基板上にエピタキシャル結晶を成長する装置の前記複数
のガス導入管の各々のガス流量を、所定の設定値に制御
する場合に於いて、前記所定の設定値より最も隔たった
流量を指示する流量計に連なる流量制御バルブ以外の複
数のｉ量制御バルブを用いてガス流量を制御し、更にガ
ス流量が所定の設定値より異なる場合は、再度所定の設
定値より最も隔たった流量を指示する流量計に連なる流
量制御バルブ以外の複数の流量制御バルブを用いてガス
流量を制御して流量を調整し、上記した操作を複数回繰
り返して所望の流量値に制御するようにして構成する。
関し、 複数のガス導入管のうちの特定のガス導入管より反応容
器内へ流れるガスの流量が、他のガス導入管に流れるガ
ス流量に影響を及ぼさない状態で制御できるようにした
気相エピタキシャル成長装置の原料ガスのガス流量制御
方法を目的とし、流量制御バルブと流量計とをそれぞれ
備えた複数のガス導入管より原料ガスを反応容器内に流
入し、該反応容器内に設置されたエピタキシャル成長周
基板を加熱して前記流入された原料ガスを加熱分解して
基板上にエピタキシャル結晶を成長する装置の前記複数
のガス導入管の各々のガス流量を、所定の設定値に制御
する場合に於いて、前記所定の設定値より最も隔たった
流量を指示する流量計に連なる流量制御バルブ以外の複
数のｉ量制御バルブを用いてガス流量を制御し、更にガ
ス流量が所定の設定値より異なる場合は、再度所定の設
定値より最も隔たった流量を指示する流量計に連なる流
量制御バルブ以外の複数の流量制御バルブを用いてガス
流量を制御して流量を調整し、上記した操作を複数回繰
り返して所望の流量値に制御するようにして構成する。
本発明は気相エピタキシャル成長装置の反応容器内に流
入される原料ガスのガス流量の制御方法に関する。
入される原料ガスのガス流量の制御方法に関する。
赤外線検知素子の形成材料としてエネルギーバンドギャ
ップの狭い水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇｌ−ｘ Ｃ
ｄｘ Ｔｅ）のような化合物半導体結晶が用いられてお
り、このような化合物半導体結晶を素子形成に都合が良
いように大面積でかつ薄層状態で得るために気相エピタ
キシャル成長装置が用いられている。
ップの狭い水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇｌ−ｘ Ｃ
ｄｘ Ｔｅ）のような化合物半導体結晶が用いられてお
り、このような化合物半導体結晶を素子形成に都合が良
いように大面積でかつ薄層状態で得るために気相エピタ
キシャル成長装置が用いられている。
このような気相エピタキシャル成長装置としてエピタキ
シャル成長用の原料ガスをエピタキシャル成長用基板に
対して垂直方向に供給する縦型の気相エピタキシャル成
長装置がある。
シャル成長用の原料ガスをエピタキシャル成長用基板に
対して垂直方向に供給する縦型の気相エピタキシャル成
長装置がある。
第３図はこのような縦型の気相エピタキシャル成長装置
を示す模式図で、図示するように反応容器１内の回転可
能なサセプタ２上にエピタキシャル成長用基板３が載置
されている。この反応容器１内には複数のガス導入管４
Ａ、４Ｂ、４Ｃ，４Ｄが挿入され、この各々のガス導入
管にはガス流量計５Ａ、 ５Ｂ。
を示す模式図で、図示するように反応容器１内の回転可
能なサセプタ２上にエピタキシャル成長用基板３が載置
されている。この反応容器１内には複数のガス導入管４
Ａ、４Ｂ、４Ｃ，４Ｄが挿入され、この各々のガス導入
管にはガス流量計５Ａ、 ５Ｂ。
５Ｃ，５Ｄと、流量制御ハルプロＡ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄ
とがそれぞれ組となって設置されている。そしてこのガ
ス導入管４Ａ、４Ｂ、４Ｃ，４Ｄが結合されたガス導入
管４は主バルブ７を介して、ガス導入管８に接続され、
このガス導入管８はバルブ９Ａ、９Ｂ、９Ｃを介して分
岐され、この分岐された各々のガス導入管８Ａ、８Ｂ、
８Ｃはそれぞれ水銀を収容した水銀蒸発器１０、ジメチ
ルカドミウムを収容したジメチルカドミウム蒸発器１１
、ジエチルテルルを収容したジエチルテルル蒸発器１２
に接続されている。
とがそれぞれ組となって設置されている。そしてこのガ
ス導入管４Ａ、４Ｂ、４Ｃ，４Ｄが結合されたガス導入
管４は主バルブ７を介して、ガス導入管８に接続され、
このガス導入管８はバルブ９Ａ、９Ｂ、９Ｃを介して分
岐され、この分岐された各々のガス導入管８Ａ、８Ｂ、
８Ｃはそれぞれ水銀を収容した水銀蒸発器１０、ジメチ
ルカドミウムを収容したジメチルカドミウム蒸発器１１
、ジエチルテルルを収容したジエチルテルル蒸発器１２
に接続されている。
この流量制御ハルプロ＾、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄは自動制御
可能なバルブで、この流量制御ハルプロＡ、６Ｂ、６Ｃ
，６Ｄと主バルブ７との間に流量計５Ａ、５Ｂ、５Ｃ，
５Ｄが設けられている。また制御装置１３はメモリ１４
および制御部を有し、メモリにはエピタキシャル成長用
基板３に、例えばＨｇｌ−Ｘ Ｃｄ）Ｉ Ｔｅ層を堆積
する工程を分割した各単位時間毎における各流量制御バ
ルブ６Ａ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄを流れる原料ガスの流量値
が予め記録されている。そしてエピタキシャル成長の開
始とともに制御部１３はメモリ１４からこれらの流量値
を読み取り、各流量計５Ａ、 ５Ｂ、５Ｃ，５Ｄから制
御装置部１３に送出される流量測定値と比較することで
、メモリの流量設定値と流量計との測定値との差が零と
なるように各流量制御ハルプロＡ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄを
制御部する。
可能なバルブで、この流量制御ハルプロＡ、６Ｂ、６Ｃ
，６Ｄと主バルブ７との間に流量計５Ａ、５Ｂ、５Ｃ，
５Ｄが設けられている。また制御装置１３はメモリ１４
および制御部を有し、メモリにはエピタキシャル成長用
基板３に、例えばＨｇｌ−Ｘ Ｃｄ）Ｉ Ｔｅ層を堆積
する工程を分割した各単位時間毎における各流量制御バ
ルブ６Ａ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄを流れる原料ガスの流量値
が予め記録されている。そしてエピタキシャル成長の開
始とともに制御部１３はメモリ１４からこれらの流量値
を読み取り、各流量計５Ａ、 ５Ｂ、５Ｃ，５Ｄから制
御装置部１３に送出される流量測定値と比較することで
、メモリの流量設定値と流量計との測定値との差が零と
なるように各流量制御ハルプロＡ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄを
制御部する。
そして更にエピタキシャル成長用基板３の外側に対向す
るガス導入管４Ａと４Ｄに連なる流量制御ハルプロＡと
６Ｄを介して流れるガス流量を、基板の内側に対向する
ガス導入管４Ｂと４Ｃに連なる流量制御ハルプロＢと６
Ｃを介して流れるガス流量より多くすることで、基板上
に形成されるエピタキシャル結晶の厚さとエピタキシャ
ル結晶の組成が、基板全面にわたって均一となるように
している。
るガス導入管４Ａと４Ｄに連なる流量制御ハルプロＡと
６Ｄを介して流れるガス流量を、基板の内側に対向する
ガス導入管４Ｂと４Ｃに連なる流量制御ハルプロＢと６
Ｃを介して流れるガス流量より多くすることで、基板上
に形成されるエピタキシャル結晶の厚さとエピタキシャ
ル結晶の組成が、基板全面にわたって均一となるように
している。
然し、従来の流量制御方法では、流量制御ハルプロ八、
６Ｂ、６Ｃ，６Ｄと流量計５６，５Ｂ、５Ｃ，５Ｄとは
それぞれ１対１に対応して制御するように成っており、
例えば流量計５Ａの値を検知して流量制御ハルプロＡの
流量を制御すると、この制御量に影響されて他の流量計
５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの値が変動する恐れがある。そのため
、更にこれらの流量計５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの値の変動に基
づいて流量制御バルブ６Ｂ、６Ｃ，６Ｄを調整して再変
流量制御を行う必要が生じる。
６Ｂ、６Ｃ，６Ｄと流量計５６，５Ｂ、５Ｃ，５Ｄとは
それぞれ１対１に対応して制御するように成っており、
例えば流量計５Ａの値を検知して流量制御ハルプロＡの
流量を制御すると、この制御量に影響されて他の流量計
５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの値が変動する恐れがある。そのため
、更にこれらの流量計５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの値の変動に基
づいて流量制御バルブ６Ｂ、６Ｃ，６Ｄを調整して再変
流量制御を行う必要が生じる。
そして上記のように流量制御を行った後、更に流量計５
Ｂの流量が設定値と最も変位しているとすると、この流
量計５Ｂの値に基づいてこの流量計に連なる制御バルブ
６Ｂの制御量を調整すると、折角以前の段階で流量を調
整した流量計５Ａの値も再び変動することになり、所望
の値に流量を制御するのに極めて長時間を要する不都合
がある。
Ｂの流量が設定値と最も変位しているとすると、この流
量計５Ｂの値に基づいてこの流量計に連なる制御バルブ
６Ｂの制御量を調整すると、折角以前の段階で流量を調
整した流量計５Ａの値も再び変動することになり、所望
の値に流量を制御するのに極めて長時間を要する不都合
がある。
このように流量が設定値よりも最も変位した流量計に連
なる制御バルブのみを単独に制御してガス流量を制御し
ようとすると、複数本のガス導入管が有る場合、このガ
ス導入管に連なる流量計を所定の値に成るように制御す
るのは極めて長時間を要する問題がある。
なる制御バルブのみを単独に制御してガス流量を制御し
ようとすると、複数本のガス導入管が有る場合、このガ
ス導入管に連なる流量計を所定の値に成るように制御す
るのは極めて長時間を要する問題がある。
本発明は上記した問題点を解決し、複数のガス導入管の
特定のガス導入管に対応する所定のガス流量が容易に確
実に制御できるようにした気相成長装置の流量制御方法
の提供を目的とする。
特定のガス導入管に対応する所定のガス流量が容易に確
実に制御できるようにした気相成長装置の流量制御方法
の提供を目的とする。
上記目的を達成する本発明の気相エピタキシャル成長装
置のガス流量制御方法は、流量制御バルブと流量計とを
それぞれ備えた複数のガス導入管より原料ガスを反応容
器内に流入し、該反応容器内に設置されたエピタキシャ
ル成長用基板を加熱して前記流入された原料ガスを加熱
分解して基板上にエピタキシャル結晶を成長する装置の
前記複数のガス導入管の各々のガス流量を、所定の設定
値に制御する場合に於いて、 前記所定の設定値より最も隔たった流量を指示する流量
計に連なるバルブ以外の複数の流量制御バルブを用いて
ガス流量を制御し、 更にガス流量が所定の設定値より異なる場合は、再度所
定の設定値より最も隔たった流量を指示する流量計に連
なるバルブ以外の複数の流量制御バルブを用いてガス流
量を制御して流量を調整し、上記した操作を複数回繰り
返して所望の流量値に制御するようにする。
置のガス流量制御方法は、流量制御バルブと流量計とを
それぞれ備えた複数のガス導入管より原料ガスを反応容
器内に流入し、該反応容器内に設置されたエピタキシャ
ル成長用基板を加熱して前記流入された原料ガスを加熱
分解して基板上にエピタキシャル結晶を成長する装置の
前記複数のガス導入管の各々のガス流量を、所定の設定
値に制御する場合に於いて、 前記所定の設定値より最も隔たった流量を指示する流量
計に連なるバルブ以外の複数の流量制御バルブを用いて
ガス流量を制御し、 更にガス流量が所定の設定値より異なる場合は、再度所
定の設定値より最も隔たった流量を指示する流量計に連
なるバルブ以外の複数の流量制御バルブを用いてガス流
量を制御して流量を調整し、上記した操作を複数回繰り
返して所望の流量値に制御するようにする。
〔作 用〕
本発明の方法は、第１図に示すように上記流量計５Ａ、
５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの値は制御装置２１に取り込まれ、設
定値と比較されて若し設定値と合致していると、各流量
制御ハルプロＡ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄ （自動的にバルブ
の開閉度が変化する電動バルブのようなバルブ）の開閉
度（開閉度０％はバルブを閉じた状態、開閉度１００％
はバルブを全開した状態）はそのままとする。
５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの値は制御装置２１に取り込まれ、設
定値と比較されて若し設定値と合致していると、各流量
制御ハルプロＡ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄ （自動的にバルブ
の開閉度が変化する電動バルブのようなバルブ）の開閉
度（開閉度０％はバルブを閉じた状態、開閉度１００％
はバルブを全開した状態）はそのままとする。
そして流量計５Ａ、５Ｂ、５Ｃ，５Ｄのうちで流量計５
Ａの値が設定値と最も変位している場合は、この最も変
位している流量計５Ａ以外の流量計５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの
それぞれの値が、該流量計５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの設定値に
なるように該流量計５Ｂ、 ５Ｃ，５Ｄに連なる流量制
御ハルプロＢ、６Ｃ，６Ｄの開閉度を調整する。
Ａの値が設定値と最も変位している場合は、この最も変
位している流量計５Ａ以外の流量計５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの
それぞれの値が、該流量計５Ｂ、５Ｃ，５Ｄの設定値に
なるように該流量計５Ｂ、 ５Ｃ，５Ｄに連なる流量制
御ハルプロＢ、６Ｃ，６Ｄの開閉度を調整する。
このようにして流量を調整した後、更に流量計５Ａ、
５Ｂ、 ５Ｃ，５Ｄのうちで流量計５Ｂの値が設定値と
最も変位している場合は、再度この最も流量が変位して
いる流量計５Ｂ以外の流量計５Ａ、５Ｃ，５Ｄのそれぞ
れの値が該流量計５Ａ、５Ｃ，５Ｄの設定値に成るよう
に該流量計５Ａ、５Ｃ，５Ｄに連なる流量制御バルブ６
Ａ、６Ｃ。
５Ｂ、 ５Ｃ，５Ｄのうちで流量計５Ｂの値が設定値と
最も変位している場合は、再度この最も流量が変位して
いる流量計５Ｂ以外の流量計５Ａ、５Ｃ，５Ｄのそれぞ
れの値が該流量計５Ａ、５Ｃ，５Ｄの設定値に成るよう
に該流量計５Ａ、５Ｃ，５Ｄに連なる流量制御バルブ６
Ａ、６Ｃ。
６Ｄの開閉度を調整する。
このように最も流量が設定値より隔たっている流量計以
外の流量計に連なる制御バルブを制御すると複数本に分
岐されているガス導入管の全体にわたって総合的に流量
が制御できるので、流量制御バルブの開閉度の範囲が大
きく採れ、所望の設定値に流量が確実に制御できる。
外の流量計に連なる制御バルブを制御すると複数本に分
岐されているガス導入管の全体にわたって総合的に流量
が制御できるので、流量制御バルブの開閉度の範囲が大
きく採れ、所望の設定値に流量が確実に制御できる。
（実 施 例〕
以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の流量制御方法を示す装置の説明図であ
る。
る。
図示するように、本発明のガス流量制御方法に用いる装
置が、前記第３図に示した従来の装置と異なる点は、流
量計５Ａ、５Ｂ、５Ｃ，５Ｄと流量制御バルブ６Ａ、
６Ｂ、６Ｃ，６Ｄの各々を別個に制御する制御装置２１
を備えている点にある。
置が、前記第３図に示した従来の装置と異なる点は、流
量計５Ａ、５Ｂ、５Ｃ，５Ｄと流量制御バルブ６Ａ、
６Ｂ、６Ｃ，６Ｄの各々を別個に制御する制御装置２１
を備えている点にある。
第１図に於いて第３図と同等なものについては第３図と
同等の符号を付す。
同等の符号を付す。
このような本発明のガス流量制御方法に付いて述べる。
ここで流量計５Ａに於けるガス流量の設定値は２．ＯＩ
ｌ／ｓｉｎ、流量計５Ｂに於けるガス流量の設定値は１
．０Ｉｌｌ−１ｎ、流量計５Ｃに於けるガス流量の設定
値は１．Ｏｆ／ｓｉｎ、流量計５Ｄに於けるガス流量の
設定値は２．０１２７ｓｉｎとする。
ｌ／ｓｉｎ、流量計５Ｂに於けるガス流量の設定値は１
．０Ｉｌｌ−１ｎ、流量計５Ｃに於けるガス流量の設定
値は１．Ｏｆ／ｓｉｎ、流量計５Ｄに於けるガス流量の
設定値は２．０１２７ｓｉｎとする。
そしてこの反応容器内に導入されるガス流量の総流量は
６．Ｏｊ！／ｓｉｎとし流量制御バルブ６Ａ、６Ｂ、６
Ｃ。
６．Ｏｊ！／ｓｉｎとし流量制御バルブ６Ａ、６Ｂ、６
Ｃ。
６Ｄの開閉度を５０％とし、ガス導入管４Ａ、４Ｂ、４
Ｃ，４Ｄ。
Ｃ，４Ｄ。
にガスを流したところ、流量計５へのガス流量が１．４
１、流量計５Ｂのガス流量がｉ、ｓｚ、流量計５Ｃのガ
ス流量が１．７１、流量計５Ｄのガス流量が１．４２に
成ったとする。
１、流量計５Ｂのガス流量がｉ、ｓｚ、流量計５Ｃのガ
ス流量が１．７１、流量計５Ｄのガス流量が１．４２に
成ったとする。
この時、設定値に対して最も流量差の有る流量計は５Ｃ
の流量計である。従って流量計５０以外の流量計に連な
る流量制御バルブ６Ａ、６Ｂ、６Ｄを用い、流量計５Ａ
、５Ｂ、５Ｃの流量比は設定流量との比と等しく成るよ
うに２：１：２の関係を保ちながら、ガス流量を制御す
る。
の流量計である。従って流量計５０以外の流量計に連な
る流量制御バルブ６Ａ、６Ｂ、６Ｄを用い、流量計５Ａ
、５Ｂ、５Ｃの流量比は設定流量との比と等しく成るよ
うに２：１：２の関係を保ちながら、ガス流量を制御す
る。
つまり流量制御ハルプロＡのバルブ開閉度を６０％とし
、流量制御バルブ６Ｂの開閉度は４０％に絞り、流量制
御バルブ６Ｄの開閉度は６０％とし、流量制御バルブ６
Ｃの開閉度は５０％のそのままの状態にする。
、流量制御バルブ６Ｂの開閉度は４０％に絞り、流量制
御バルブ６Ｄの開閉度は６０％とし、流量制御バルブ６
Ｃの開閉度は５０％のそのままの状態にする。
このようにして流量計５への流量が１．８２、流量計５
Ｂの流量が１．３１、流量計５Ｃの値が１．１１流量計
５Ｄの値が１．９２に成ったとする。
Ｂの流量が１．３１、流量計５Ｃの値が１．１１流量計
５Ｄの値が１．９２に成ったとする。
すると今度は設定値と最も変位している流量計５Ｂに連
なる流量制御バルブ６Ｂ以外の流量制御ハルプロＡ、６
Ｃ，６Ｄを用いてガスの流量を制御する。
なる流量制御バルブ６Ｂ以外の流量制御ハルプロＡ、６
Ｃ，６Ｄを用いてガスの流量を制御する。
この場合も流量計５Ａ、５Ｃ，５Ｄの流量比は設定値の
比である２：１：２に合わせるように流量制御バルブ６
Ａ、６Ｃ，６Ｄを用いて流量制御する。
比である２：１：２に合わせるように流量制御バルブ６
Ａ、６Ｃ，６Ｄを用いて流量制御する。
このようにすると、最も設定値より変位した流量計以外
の流量計に接続する流量制御バルブを用いて、ガス流量
を調節するので、例えば４本のガス導入管のうちの３本
でガス流量が調整されることになるので、ガス流量の調
整範囲幅が大きくなり、この操作を繰り返すことで総合
的にガス流量が調節されることになる。
の流量計に接続する流量制御バルブを用いて、ガス流量
を調節するので、例えば４本のガス導入管のうちの３本
でガス流量が調整されることになるので、ガス流量の調
整範囲幅が大きくなり、この操作を繰り返すことで総合
的にガス流量が調節されることになる。
上記した事項を第１表にまとめて示す。
第 １ 表
（但し、上記パルプ開と有るのはバルブの開閉度（％）
を示し、第１回、第２回、第３回はそれぞれ第１回目の
流量設定値、第２回目の流量設定値、第３回目の流量設
定値を示す、） このようにして所定の流量計の所定の流量値にガス流量
を制御することができる。
を示し、第１回、第２回、第３回はそれぞれ第１回目の
流量設定値、第２回目の流量設定値、第３回目の流量設
定値を示す、） このようにして所定の流量計の所定の流量値にガス流量
を制御することができる。
また本実施例の他に、他の実施例として第２図に示すよ
うに、前記第１図に示した第１実施例に追加して水銀蒸
発器１０′、ジメチルカドミウム蒸発器１１′、ジエチ
ルテルル蒸発器１２′、ガス導入管８Ａ’、８Ｂ ′
、８Ｃ’、バルブ９Ａ’、９Ｂ ′、９Ｃ′ガス導入
管８ ′、主バルブ７ ′１ガス導入管４流量計５Ａ′
、５Ｂ ’、５Ｃ’、５０ ′、流量制御ハルプロ
Ａ’、６Ｂ 、６Ｃ’、６Ｄ ’を設け、これらの
流量制御バルブ６Ａ′、６Ｂ ’、６Ｃ’、６Ｄ
’を前記した制御装置１３で制御し、この制御されたガ
スをガス導入管４Ａ、 ４Ｂ、４Ｃ，４Ｄに並列に流入
するようにする。
うに、前記第１図に示した第１実施例に追加して水銀蒸
発器１０′、ジメチルカドミウム蒸発器１１′、ジエチ
ルテルル蒸発器１２′、ガス導入管８Ａ’、８Ｂ ′
、８Ｃ’、バルブ９Ａ’、９Ｂ ′、９Ｃ′ガス導入
管８ ′、主バルブ７ ′１ガス導入管４流量計５Ａ′
、５Ｂ ’、５Ｃ’、５０ ′、流量制御ハルプロ
Ａ’、６Ｂ 、６Ｃ’、６Ｄ ’を設け、これらの
流量制御バルブ６Ａ′、６Ｂ ’、６Ｃ’、６Ｄ
’を前記した制御装置１３で制御し、この制御されたガ
スをガス導入管４Ａ、 ４Ｂ、４Ｃ，４Ｄに並列に流入
するようにする。
このようにすると、原料ガス流量の流量制御の自由度が
第１実施例に比して更に増大し、よりガス流量の制御が
高精度に行い得る。
第１実施例に比して更に増大し、よりガス流量の制御が
高精度に行い得る。
なお、本実施例に於いては気相エピタキシャル成長装置
は縦型を用いて説明したが、反応容器を水平型の容器を
用い、基板を横型に設置しても良く、要は反応容器内に
流入する原料ガスの総流量が一定で、この原料ガスを複
数のガス導入管に所定の流量で確実に制御して導入する
場合に付いて本発明の方法が適用できる。
は縦型を用いて説明したが、反応容器を水平型の容器を
用い、基板を横型に設置しても良く、要は反応容器内に
流入する原料ガスの総流量が一定で、この原料ガスを複
数のガス導入管に所定の流量で確実に制御して導入する
場合に付いて本発明の方法が適用できる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、反応容
器内に導入される原料ガスのガス流量の制御が高精度に
行われるので、厚さおよび組成変動の少ない高品質のエ
ピタキシャル結晶が得られる効果がある。
器内に導入される原料ガスのガス流量の制御が高精度に
行われるので、厚さおよび組成変動の少ない高品質のエ
ピタキシャル結晶が得られる効果がある。
御ハルフ、７，７′は主バルブ、８，８ ．８Ａ、８Ａ
’、８８８Ｂ ’ 、８Ｃ，８Ｃ’はガス導入管、９Ａ
、９Ａ 、９Ｂ、９Ｂ’９Ｃ，９Ｃ′はバルブ、 １
０．１０ ’は水銀蒸発器、１１゜１１′はジメチル
カドミウム蒸発器、１２．１２ ’はジエチルテルル
蒸発器、２１は制御装置を示す。
’、８８８Ｂ ’ 、８Ｃ，８Ｃ’はガス導入管、９Ａ
、９Ａ 、９Ｂ、９Ｂ’９Ｃ，９Ｃ′はバルブ、 １
０．１０ ’は水銀蒸発器、１１゜１１′はジメチル
カドミウム蒸発器、１２．１２ ’はジエチルテルル
蒸発器、２１は制御装置を示す。
第１図は本発明のガス流量制御方法を説明する模式図、
第２図は本発明のガス流量制御方法の第２実施例を説明
する模式図、 第３図は従来の気相エピタキシャル成長装置の模式図で
ある。 図において、 １は反応容器、２はサセプタ、３はエピタキシャル成長
用基板、４．４ ’、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ，４Ｄはガス
導入管、５Ａ、５Ａ ’、５Ｂ、５Ｂ′、５Ｃ，５Ｃ
’、 ５Ｄ、５Ｄ ”は流量計、６Ａ、６Ａ ′、
６Ｂ、６Ｂ′、 ６Ｃ，６Ｃ’、 ６Ｄ、６Ｄ ′は
流量制４力゛ズ１１人１ト レ李ミ→ｊドＦｊ１４４１７７ンノヒー響１磨り才ｄ；
ｐう５−ショミＰまｉｅフ８７３刃１断牲ｊ；乙ンＩ第
１図
する模式図、 第３図は従来の気相エピタキシャル成長装置の模式図で
ある。 図において、 １は反応容器、２はサセプタ、３はエピタキシャル成長
用基板、４．４ ’、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ，４Ｄはガス
導入管、５Ａ、５Ａ ’、５Ｂ、５Ｂ′、５Ｃ，５Ｃ
’、 ５Ｄ、５Ｄ ”は流量計、６Ａ、６Ａ ′、
６Ｂ、６Ｂ′、 ６Ｃ，６Ｃ’、 ６Ｄ、６Ｄ ′は
流量制４力゛ズ１１人１ト レ李ミ→ｊドＦｊ１４４１７７ンノヒー響１磨り才ｄ；
ｐう５−ショミＰまｉｅフ８７３刃１断牲ｊ；乙ンＩ第
１図
Claims (1)
- 流量制御バルブ（６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ）と流量計
（５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ）とをそれぞれ備えた複数の
ガス導入管（４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ）より原料ガスを
反応容器（１）内に流入し、該反応容器（１）内に設置
されたエピタキシャル成長用基板（３）を加熱して前記
流入された原料ガスを加熱分解して基板上にエピタキシ
ャル結晶を成長する装置の前記複数のガス導入管の各々
のガス流量を、所定の設定値に制御する場合に於いて、
前記所定の設定値より最も隔たった流量を指示する流量
計（５Ａ）に連なる流量制御バルブ（６Ａ）以外の複数
の流量制御バルブ（６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ）を用いてガス流
量を制御し、更にガス流量が所定の設定値より異なる場
合は、再度所定の設定値より最も隔たった流量を指示す
る流量計（５Ｂ）に連なる流量制御バルブ（６Ｂ）以外
の複数の流量制御バルブ（６Ａ、６Ｃ、６Ｄ）を用いて
ガス流量を制御して流量を調整し、上記した操作を複数
回繰り返して所望の流量値に制御するようにしたことを
特徴とする気相エピタキシャル成長装置のガス流量制御
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14810390A JPH0439921A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 気相エピタキシャル成長装置のガス流量制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14810390A JPH0439921A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 気相エピタキシャル成長装置のガス流量制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0439921A true JPH0439921A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15445313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14810390A Pending JPH0439921A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 気相エピタキシャル成長装置のガス流量制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0439921A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5324386A (en) * | 1991-03-19 | 1994-06-28 | Fujitsu Limited | Method of growing group II-IV mixed compound semiconductor and an apparatus used therefor |
| KR100765866B1 (ko) * | 2000-06-09 | 2007-10-11 | 코바렌트 마테리얼 가부시키가이샤 | 박막 기상 성장 방법 및 이 방법에 이용되는 박막 기상성장 장치 |
| JP2012241222A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Ihi Corp | ガス分岐装置およびガス分岐方法 |
| WO2013061660A1 (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | 気相成長装置 |
| WO2013061659A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | 気相成長装置 |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP14810390A patent/JPH0439921A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5324386A (en) * | 1991-03-19 | 1994-06-28 | Fujitsu Limited | Method of growing group II-IV mixed compound semiconductor and an apparatus used therefor |
| US5431738A (en) * | 1991-03-19 | 1995-07-11 | Fujitsu Limited | Apparatus for growing group II-VI mixed compound semiconductor |
| KR100765866B1 (ko) * | 2000-06-09 | 2007-10-11 | 코바렌트 마테리얼 가부시키가이샤 | 박막 기상 성장 방법 및 이 방법에 이용되는 박막 기상성장 장치 |
| JP2012241222A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Ihi Corp | ガス分岐装置およびガス分岐方法 |
| WO2013061660A1 (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | 気相成長装置 |
| WO2013061659A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | 気相成長装置 |
| JP2013098233A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
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