JPS59215475A - 量産型グロ−放電分解装置 - Google Patents
量産型グロ−放電分解装置Info
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- JPS59215475A JPS59215475A JP58088236A JP8823683A JPS59215475A JP S59215475 A JPS59215475 A JP S59215475A JP 58088236 A JP58088236 A JP 58088236A JP 8823683 A JP8823683 A JP 8823683A JP S59215475 A JPS59215475 A JP S59215475A
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- Japan
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- gas
- chambers
- glow discharge
- reaction chamber
- electrode plate
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は量産型グロー放電分解装置の改良に関する。
近時、アモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと略す）
などのアーＩ：／Ｉ／ファス（非晶質）材料から成る光
電部材が、電子写真感光体、太陽電池及び光センサーな
どに利用され、優れた光電適性と共に、効率よく非晶質
薄膜が生成されるなどの利点を有し、非常に注目されて
９る。例えば、電子写真感光体の分野では、 ａ −Ｓ
ｉを光キヤリア発生層とし、その成膜にグロー放電分解
装置を利用することにより高品質な感光体を得るに至っ
ている。
などのアーＩ：／Ｉ／ファス（非晶質）材料から成る光
電部材が、電子写真感光体、太陽電池及び光センサーな
どに利用され、優れた光電適性と共に、効率よく非晶質
薄膜が生成されるなどの利点を有し、非常に注目されて
９る。例えば、電子写真感光体の分野では、 ａ −Ｓ
ｉを光キヤリア発生層とし、その成膜にグロー放電分解
装置を利用することにより高品質な感光体を得るに至っ
ている。
しかしながら、一度の操作で複数個の基板上に成膜する
量産型グロー放電分解装置においては、導入ガスの利用
効率が悪いばかりか、各々の基板に対し噴出されるガス
量にムラが生じ、その結果、出来た個々の感光体に品質
上の差が認められ、製造歩留りの低下及び感光体の信頼
性を損うという問題がある。
量産型グロー放電分解装置においては、導入ガスの利用
効率が悪いばかりか、各々の基板に対し噴出されるガス
量にムラが生じ、その結果、出来た個々の感光体に品質
上の差が認められ、製造歩留りの低下及び感光体の信頼
性を損うという問題がある。
即ち、第１図に示すよう番こ、容量結合型グロー放電法
による従来の量産型グロー放電分解装置では、一つの反
応室（１）内に所定形状のグロー放電用電極板（２）が
形成され、−直線上に並んだ複数の感光体ドラム（３）
がそれぞれガス噴出部（４ａ）（４ｂ）（４０）（４ｄ
）及びｉｙ、吸引部（５ａ）（５ｂ）（５Ｑ）（５ｄ）
の間にできるガス流通状態の中に置かれると共に、この
電極板（２）に対向しつつ回転駆動され、更に、高周波
電源（６）によって電極板（２）と感光体ドラム（３）
にａ−８１層が形成されていたつ しかしながら、上記の量産型装置によれば、電極板（２
）が反応室（１）内（こ独自のスペースをとり、そのた
めにドラムの本数に対し反応室（１）の容積が比較的大
きくなり、反応室（１）内に余分なガスを導入せねばな
らなかった。
による従来の量産型グロー放電分解装置では、一つの反
応室（１）内に所定形状のグロー放電用電極板（２）が
形成され、−直線上に並んだ複数の感光体ドラム（３）
がそれぞれガス噴出部（４ａ）（４ｂ）（４０）（４ｄ
）及びｉｙ、吸引部（５ａ）（５ｂ）（５Ｑ）（５ｄ）
の間にできるガス流通状態の中に置かれると共に、この
電極板（２）に対向しつつ回転駆動され、更に、高周波
電源（６）によって電極板（２）と感光体ドラム（３）
にａ−８１層が形成されていたつ しかしながら、上記の量産型装置によれば、電極板（２
）が反応室（１）内（こ独自のスペースをとり、そのた
めにドラムの本数に対し反応室（１）の容積が比較的大
きくなり、反応室（１）内に余分なガスを導入せねばな
らなかった。
加えて、ガス導入部（７）から各々のガス噴出部（４ａ
）乃至（４１）へ至る距離が異なるため、ガスの流速及
びガス配管の形状にもよるが、各々のガス噴出部（４ａ
）乃至（４ｄ）から必ずしも同一のガス量が噴出されず
、その結果、ドラム間で成膜のスピードが異なり、 ａ
−Ｓ’ｘ層の層厚やドーピング量僕品 ドラム間に尋質の差が生じていた。
）乃至（４１）へ至る距離が異なるため、ガスの流速及
びガス配管の形状にもよるが、各々のガス噴出部（４ａ
）乃至（４ｄ）から必ずしも同一のガス量が噴出されず
、その結果、ドラム間で成膜のスピードが異なり、 ａ
−Ｓ’ｘ層の層厚やドーピング量僕品 ドラム間に尋質の差が生じていた。
そこで、本発明の目的は導入ガスの利用効率を高めると
ともに各々の基板に噴出されるガスをほぼ均等量にし、
その結果、個々の基板上の非晶質層の品質を均一にし、
製造歩留り及び非晶質層の信頼性を向上することができ
る量産型グロー放電分解装置を提供することにある。
ともに各々の基板に噴出されるガスをほぼ均等量にし、
その結果、個々の基板上の非晶質層の品質を均一にし、
製造歩留り及び非晶質層の信頼性を向上することができ
る量産型グロー放電分解装置を提供することにある。
本発明によれば、上記目的を達成するために、内部にグ
ロー放電用電極板を備え且つ非晶質層力（形成される基
板を該電極板と対向するように配置される減圧可能な複
数個の反応室を設け、各反応室内へ非晶質層生成用のガ
スを導入するため番こ、共通のガス管から分岐し各反応
室のガス導入口に連結されるガス分配管を設けると共に
、各ガス分配管の長さを、各反応室内の基板に均質な非
晶質層が形成されるように設定したことを特徴とする量
産型グロー放電分解装置が提供される。
ロー放電用電極板を備え且つ非晶質層力（形成される基
板を該電極板と対向するように配置される減圧可能な複
数個の反応室を設け、各反応室内へ非晶質層生成用のガ
スを導入するため番こ、共通のガス管から分岐し各反応
室のガス導入口に連結されるガス分配管を設けると共に
、各ガス分配管の長さを、各反応室内の基板に均質な非
晶質層が形成されるように設定したことを特徴とする量
産型グロー放電分解装置が提供される。
以下、本発明を感光体ドラム上にａ −Ｓｉ一層を成層
するだめのグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明
する。
するだめのグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明
する。
先に本発明者等は、第２図）こ示す通り、減圧可能な反
応室（８）内で感光体ドラム（９）とグロー放電用電極
板ａαとを対向させ、この感光体ドラム（９）の局面（
こａ −Ｓ：１層生成力゛スを吹き付けて、その局面上
にａ −Ｓｊ一層を生成するようにした容量結合型グロ
ー放電分解装置において、このグロー放電用電極板側を
ガス噴出部０υを有した内部電極板（１７Ｊと、反応室
（８）を形成する外部電極板（１３１との二重溝造とし
、且つ両電極板［１３（１３）を導通した容量結合型グ
ロー放電分解装置を提案した。
応室（８）内で感光体ドラム（９）とグロー放電用電極
板ａαとを対向させ、この感光体ドラム（９）の局面（
こａ −Ｓ：１層生成力゛スを吹き付けて、その局面上
にａ −Ｓｊ一層を生成するようにした容量結合型グロ
ー放電分解装置において、このグロー放電用電極板側を
ガス噴出部０υを有した内部電極板（１７Ｊと、反応室
（８）を形成する外部電極板（１３１との二重溝造とし
、且つ両電極板［１３（１３）を導通した容量結合型グ
ロー放電分解装置を提案した。
この装置によれば、ａ −６１層生成ガスを導入するガ
ス分配管（１４１により、反応室（８）の左右両方から
ガスが導入し、外部電極板（１３１に貫設されたガス導
入口（１５１を介し、内部電極板（１２に貫設された外
孔状のガス噴出口α■から感光体ドラム（９）へガスが
吹きつけられる。
ス分配管（１４１により、反応室（８）の左右両方から
ガスが導入し、外部電極板（１３１に貫設されたガス導
入口（１５１を介し、内部電極板（１２に貫設された外
孔状のガス噴出口α■から感光体ドラム（９）へガスが
吹きつけられる。
また、グロー放電用電極板ａαには高周波電源（図示せ
ず）番こよって高周波電力が印加され、ａ−３１層生成
時には感光体ドラム（９）と電極板側の間に高周波電界
が形成され、感光体ドラム（９）へ吹きつけられた先の
ガスをグロー放電分解しつつ、ａ−８ｉ層が感光体ドラ
ム周面に成層される。
ず）番こよって高周波電力が印加され、ａ−３１層生成
時には感光体ドラム（９）と電極板側の間に高周波電界
が形成され、感光体ドラム（９）へ吹きつけられた先の
ガスをグロー放電分解しつつ、ａ−８ｉ層が感光体ドラ
ム周面に成層される。
尚、（ｌθはガス分配管Ｉをグロー放電用電極板（１Ｇ
と電気的に絶縁するため、配管の一部に設けられた絶縁
リングであり、面は内部電極板ｕ２１と外部電極板（１
３１’ｅ二重の筒状体にするため介在されたスペーサで
ある。
と電気的に絶縁するため、配管の一部に設けられた絶縁
リングであり、面は内部電極板ｕ２１と外部電極板（１
３１’ｅ二重の筒状体にするため介在されたスペーサで
ある。
上記の構成では、−木の感光体ドラム（９）に対し、−
個の反応室（８）が与えられ、両者とも円筒形状でおる
ため、従来の量産型装置にくらべて反応室内に余分なス
ペースをとらない。従って、１本当りに必要なガス量は
最低におさえられ、無駄のない有効なガス利用がなされ
るため、本発明におけるグロー放電分解装置として有効
に適用される。
個の反応室（８）が与えられ、両者とも円筒形状でおる
ため、従来の量産型装置にくらべて反応室内に余分なス
ペースをとらない。従って、１本当りに必要なガス量は
最低におさえられ、無駄のない有効なガス利用がなされ
るため、本発明におけるグロー放電分解装置として有効
に適用される。
本発明においては、前述したような反応室（８）を複数
個配設した場合、各々の反応室（８）内の感光体ドラム
（９）に均等な非晶質層を形成するように、共通のガス
管から分岐し各反応室（８）のガス導入口任９に連結す
るガス分配管（１４１の長さを設定することが重要であ
る。
個配設した場合、各々の反応室（８）内の感光体ドラム
（９）に均等な非晶質層を形成するように、共通のガス
管から分岐し各反応室（８）のガス導入口任９に連結す
るガス分配管（１４１の長さを設定することが重要であ
る。
このために、例えば第３図に示すように、４個の反応室
（８）を配設し、この各反応室（８）内に通常よく使用
されるＳｉＨ４ガス、 Ｂ２Ｈａガヌなどの混合ガスを
第１配管（１８より導入し；またＮ２０ガス等を第２配
管（１９より導入する場合、両画管が合流した各反応室
（８）への共通のガス管ρＯから分岐するガス分配部（
２υを起点にして各々の反応室（８）のガス導入口（１
９に連結されるガス分配管Ｉの長さを実質上同じにして
いる。即ち、この装置においては、４個の反応室（８）
が正方形の各頂点に位置するように配置され、且つその
対角線の交点１こガス分配部罰が配置されている。尚、
Ｃ２２は高周波電力の導入線である。
（８）を配設し、この各反応室（８）内に通常よく使用
されるＳｉＨ４ガス、 Ｂ２Ｈａガヌなどの混合ガスを
第１配管（１８より導入し；またＮ２０ガス等を第２配
管（１９より導入する場合、両画管が合流した各反応室
（８）への共通のガス管ρＯから分岐するガス分配部（
２υを起点にして各々の反応室（８）のガス導入口（１
９に連結されるガス分配管Ｉの長さを実質上同じにして
いる。即ち、この装置においては、４個の反応室（８）
が正方形の各頂点に位置するように配置され、且つその
対角線の交点１こガス分配部罰が配置されている。尚、
Ｃ２２は高周波電力の導入線である。
ここで、各ガス分配管（１４１が実質上同一長さに設定
されているため、ガス分配部＋２１１から各反応室（８
）内に導入されるガス量は均等になり、その結果、各反
応室（８）内の感光体ドラム（９）すべてに均質なａ−
Ｓｊ一層が形成されることとなる。
されているため、ガス分配部＋２１１から各反応室（８
）内に導入されるガス量は均等になり、その結果、各反
応室（８）内の感光体ドラム（９）すべてに均質なａ−
Ｓｊ一層が形成されることとなる。
また、本発明においては前記ガス分配部（２１）から各
々の反応室（８）へガス分配管（［４１が最短距離に配
管されるように、ガス分配管ａ４が直線状に接続される
ことが望ましいが、ガス導入口０５！の位置によって、
直線状に形成することが無理な場合には、各反応室（８
）への各ガス分配管（１４１の構造を同一にしておくこ
とが望ましい。これにより、各々のガス分配管（１４１
が及ばずガス流の抵抗が等しくなり、ガス分配部０１）
から導出されるガス流量の均等化が達成される。
々の反応室（８）へガス分配管（［４１が最短距離に配
管されるように、ガス分配管ａ４が直線状に接続される
ことが望ましいが、ガス導入口０５！の位置によって、
直線状に形成することが無理な場合には、各反応室（８
）への各ガス分配管（１４１の構造を同一にしておくこ
とが望ましい。これにより、各々のガス分配管（１４１
が及ばずガス流の抵抗が等しくなり、ガス分配部０１）
から導出されるガス流量の均等化が達成される。
更に、本発明においては、ガス分配部（２Ｉ）における
共通のガス管ｆ２（ＩＩからのガスの流れ方向と各ガス
分配管（ＩＩｉｌのガスの流れ方向が略垂直になるよう
番こ、ガス分配部（２１）に対し、共通のガス管（２１
を感光体ドラムの軸方向と平行に接続すると、各ガス分
配管（Ｉ４Ｊに対し平行に接続すると、各ガス分配管Ｕ
に対し一段と均等にガスが分配されるので一層好適であ
る。
共通のガス管ｆ２（ＩＩからのガスの流れ方向と各ガス
分配管（ＩＩｉｌのガスの流れ方向が略垂直になるよう
番こ、ガス分配部（２１）に対し、共通のガス管（２１
を感光体ドラムの軸方向と平行に接続すると、各ガス分
配管（Ｉ４Ｊに対し平行に接続すると、各ガス分配管Ｕ
に対し一段と均等にガスが分配されるので一層好適であ
る。
次に、反応室（８）が５個以上になった場合には、第４
図に示すように、円状に各反応室（８）を配置し、その
中心にガス分配部（２１ａ）を配置することが好ましく
、これにより本発明の実施が容易となり、加えて、ガス
分配部（２１ａ）に接続されるガス導入管（１４ａ）の
接続構成が点対称となるために、一段とすぐれたガスの
分配がおこなわれる。
図に示すように、円状に各反応室（８）を配置し、その
中心にガス分配部（２１ａ）を配置することが好ましく
、これにより本発明の実施が容易となり、加えて、ガス
分配部（２１ａ）に接続されるガス導入管（１４ａ）の
接続構成が点対称となるために、一段とすぐれたガスの
分配がおこなわれる。
以上の通り、複数個の反゛応室を設けた本発明の量産型
グロー放電分解装置によれば、各反応室へ均等にガスを
導入することができ、そのため、各反応室内の基板上に
均質な非晶質層が形成されることになり、製造歩留りが
顕著に向上し、信頼性の高い優れた非晶質層が得られる
。
グロー放電分解装置によれば、各反応室へ均等にガスを
導入することができ、そのため、各反応室内の基板上に
均質な非晶質層が形成されることになり、製造歩留りが
顕著に向上し、信頼性の高い優れた非晶質層が得られる
。
尚、本発明は実施例に限定されるものではなく内部にグ
ロー放電用の電極板を備えた複数個の反応室内にガスを
導入し、基板上に非晶質層を形成するグロー放電分解装
置であれば、すべてに適用されることは当業者には容易
に理解されよう。
ロー放電用の電極板を備えた複数個の反応室内にガスを
導入し、基板上に非晶質層を形成するグロー放電分解装
置であれば、すべてに適用されることは当業者には容易
に理解されよう。
第１図は従来の量産型グロー放電分解装置を示す概略図
、第２図は本発明の実施例に使われる反応室の破断面図
、第３図は本発明の量産型グロー放電分解装置を示す斜
視図、第４図は本発明の他の実施例を示す概略図である
。 ８・・・反応室、１４．１４ａ・・・ガス分配管、２０
゜２０ａ・・・共通のガス管、２１．２１ａ・・・ガス
分配部出願人京セラ株式会社 同 河 村 孝 夫 第１図 手続補正書（自発） 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第８８２３６号２
、発明の名称 量産型グロー放電分解装置３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都市山科区東野井上町５２番地１１６、補
正の内容 別紙のとおり、タイプ印書による願書およ
び明細書
、第２図は本発明の実施例に使われる反応室の破断面図
、第３図は本発明の量産型グロー放電分解装置を示す斜
視図、第４図は本発明の他の実施例を示す概略図である
。 ８・・・反応室、１４．１４ａ・・・ガス分配管、２０
゜２０ａ・・・共通のガス管、２１．２１ａ・・・ガス
分配部出願人京セラ株式会社 同 河 村 孝 夫 第１図 手続補正書（自発） 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第８８２３６号２
、発明の名称 量産型グロー放電分解装置３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都市山科区東野井上町５２番地１１６、補
正の内容 別紙のとおり、タイプ印書による願書およ
び明細書
Claims (2)
- （１） 内部にグロー放電用電極板を備え且つ非晶質
層が形成される基板を該電極板と対向するように配置さ
れる減圧可能な複数個の反応室を設け、各反応室内へ非
晶質層生成用のガスを導入するために、共通のガス管か
ら分−岐し各反応室のガス導入口に連結されるガス分配
管を設けると共に、各ガス分配管の長さを、各反応室内
の基板に均質な非晶質層が形成されるように設定したこ
とを特徴とする量産型グロー放電分解装置。 - （２） 前記各ガス分配管を実質上同じ長さに設定し
たことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の量
産型グロー放電分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58088236A JPS59215475A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 量産型グロ−放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58088236A JPS59215475A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 量産型グロ−放電分解装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215475A true JPS59215475A (ja) | 1984-12-05 |
Family
ID=13937222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58088236A Pending JPS59215475A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 量産型グロ−放電分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215475A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063375A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-11 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS6063374A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-11 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS63310968A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-19 | Ulvac Corp | 円筒形基体の成膜装置 |
| JPH0428227A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP58088236A patent/JPS59215475A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063375A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-11 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS6063374A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-11 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS63310968A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-19 | Ulvac Corp | 円筒形基体の成膜装置 |
| JPH0413428B2 (ja) * | 1987-06-15 | 1992-03-09 | Ulvac Corp | |
| JPH0428227A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
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