JPS6036664A - 量産型グロー放電分解装置 - Google Patents
量産型グロー放電分解装置Info
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- JPS6036664A JPS6036664A JP58178797A JP17879783A JPS6036664A JP S6036664 A JPS6036664 A JP S6036664A JP 58178797 A JP58178797 A JP 58178797A JP 17879783 A JP17879783 A JP 17879783A JP S6036664 A JPS6036664 A JP S6036664A
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- JP
- Japan
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- gas
- electrode plate
- glow discharge
- reaction chamber
- chamber
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は量産型グロー放電分解装置の改良に関する。
近時、アモルファスシリコン(1−J、下、 a −S
Lト略す)などのアモルファス(非晶質)材料から成る
光電部材が′rip:子写貞感光体、太陽重油及び光セ
ンサーなどに利用され、優れた光シイiA性と共に、効
率よく非晶質層が生成されるなどの利点を有L7、非常
に注目されている。例えば、電子写真感光体の分野では
a −Siを光キヤリア発生層とし、その成膜にグロー
放電分解装置を利用することにより、情品質な感光体を
得るに至っている。
Lト略す)などのアモルファス(非晶質)材料から成る
光電部材が′rip:子写貞感光体、太陽重油及び光セ
ンサーなどに利用され、優れた光シイiA性と共に、効
率よく非晶質層が生成されるなどの利点を有L7、非常
に注目されている。例えば、電子写真感光体の分野では
a −Siを光キヤリア発生層とし、その成膜にグロー
放電分解装置を利用することにより、情品質な感光体を
得るに至っている。
しかしながら、一度の操作で複数個の基板上に成膜する
量産型グロー放電分解装置においては、導入ガスの利用
効率が悪いばかりか、各々の基板に対し噴出されるガス
量にムラが生じ、その結果、問題がある。
量産型グロー放電分解装置においては、導入ガスの利用
効率が悪いばかりか、各々の基板に対し噴出されるガス
量にムラが生じ、その結果、問題がある。
即ち、第1図に示すように、容量結合型グロー放電法に
よる従来の量産型グロー放電分解装置では、一つの反応
室(1)内に所定形状のグロー放軍用電極板(2)が形
成され、−直線上に並んだ複数個の感光体ドラム(3)
がそれぞれガス噴出部(4a) (4b)(40) (
4d)及びガス吸引部(5a) (5b) (50)
(5d、)の間にできるガス流通状態の中に置かれると
共に、この電極板(2)に対向しつつ回転駆動され、史
に、高周波電源(6)によって電極板(2)と感光体ド
ラム(3)にa、 −si層か形成されていた。
よる従来の量産型グロー放電分解装置では、一つの反応
室(1)内に所定形状のグロー放軍用電極板(2)が形
成され、−直線上に並んだ複数個の感光体ドラム(3)
がそれぞれガス噴出部(4a) (4b)(40) (
4d)及びガス吸引部(5a) (5b) (50)
(5d、)の間にできるガス流通状態の中に置かれると
共に、この電極板(2)に対向しつつ回転駆動され、史
に、高周波電源(6)によって電極板(2)と感光体ド
ラム(3)にa、 −si層か形成されていた。
しかしながら、−上記の量産型装置によれば、電極板(
2)が反応室(1)内に独自のスペースをとり、そのた
めにドラムの本数に対し反応室(1)の容積が比較的大
きく々す、反応室(」)内に余分なガスを導入せねばな
らなかった。
2)が反応室(1)内に独自のスペースをとり、そのた
めにドラムの本数に対し反応室(1)の容積が比較的大
きく々す、反応室(」)内に余分なガスを導入せねばな
らなかった。
加えて、ガス導入部(7)から各々のガス噴出部(4a
)乃う”:(4d、)へ至る距剛並びにガス排出部(8
)から各々のガス吸引部(5a)カヤ(5d、)へ至る
距離か異なるh−め、ガスのl、iC速及びガス配管の
形状にもよるが、各々のガス噴出部(4a、)乃至(4
d)から必ずしも同一のガス域が噴出されないと共に各
々のガス吸引部(5a)カヤ(5(1)についても同一
のガス酸が吸引されない。その結果、反応室内のドラム
相互間でその周囲のカス密度や成膜スピードが異なり、
a −S1層のII)′I厚やドーピング量等、 ドラ
ム相互間に品質の差が生じ−Cいた。
)乃う”:(4d、)へ至る距剛並びにガス排出部(8
)から各々のガス吸引部(5a)カヤ(5d、)へ至る
距離か異なるh−め、ガスのl、iC速及びガス配管の
形状にもよるが、各々のガス噴出部(4a、)乃至(4
d)から必ずしも同一のガス域が噴出されないと共に各
々のガス吸引部(5a)カヤ(5(1)についても同一
のガス酸が吸引されない。その結果、反応室内のドラム
相互間でその周囲のカス密度や成膜スピードが異なり、
a −S1層のII)′I厚やドーピング量等、 ドラ
ム相互間に品質の差が生じ−Cいた。
そこで、本発明の1−]的は導入ガスの利用効率を高め
るとともに各々の基板に噴出されるガス並びに各々の括
仮に力t t、て吸引されるガスをほぼ均等量にし、そ
の結果、個々の基板−にの非晶質層の品質を均一にし、
製造歩留り及び非晶質層の信頼性を向上することができ
る量産型グロー放電分解装置を提供することにある。
るとともに各々の基板に噴出されるガス並びに各々の括
仮に力t t、て吸引されるガスをほぼ均等量にし、そ
の結果、個々の基板−にの非晶質層の品質を均一にし、
製造歩留り及び非晶質層の信頼性を向上することができ
る量産型グロー放電分解装置を提供することにある。
本発明によれば、上記目的を達成するために、非晶質層
生成ガスが導入される反応室内部に、ガス噴出部を有1
7た外部電極板及びガス吸引部を有した円筒状内部電極
板が同心円状に配置されると5、共に、両電極板が非晶
質層形成用表面を有する複層を生成するようにした量産
型グロー放電分解装置が提供される。
生成ガスが導入される反応室内部に、ガス噴出部を有1
7た外部電極板及びガス吸引部を有した円筒状内部電極
板が同心円状に配置されると5、共に、両電極板が非晶
質層形成用表面を有する複層を生成するようにした量産
型グロー放電分解装置が提供される。
以下、本発明を感光体ドラム上にa−8i層を成層する
ためのグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明する
。
ためのグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明する
。
第2図は一度の操作で8本の感光体ドラム(9)にa
−Si、層を成層するための容量結合方式による量産型
グロー放電分解装置における円筒状の反応室(10)を
示し、同図中、旧)は三重構造から成る円筒状の夕)都
電極板、tl’Jは円筒状の内部電極板であり、両Y1
イ極板fllll+3は同心円状となるように配置され
ている。
−Si、層を成層するための容量結合方式による量産型
グロー放電分解装置における円筒状の反応室(10)を
示し、同図中、旧)は三重構造から成る円筒状の夕)都
電極板、tl’Jは円筒状の内部電極板であり、両Y1
イ極板fllll+3は同心円状となるように配置され
ている。
前記外部γイ層板旧1は内側からガス噴出用電極板13
1、ガス拡散用η(極板(14)、並びに反応室00の
外壁を構成する周壁用電極板O9から成り、適当なスペ
ーサ(図示せず)により間隔を置いて順次周設されてい
る。
1、ガス拡散用η(極板(14)、並びに反応室00の
外壁を構成する周壁用電極板O9から成り、適当なスペ
ーサ(図示せず)により間隔を置いて順次周設されてい
る。
反応室(11の容t*i、を小さくてすみ、導入ガスの
利用効率を高めることができる点で好ましい。尚、この
周壁用電極板(151は反応室01の周壁のすべてを置
換する必要はな(、余分なグロー放電の発生により受け
る影響が無視できる範囲内で置換してもよい。
利用効率を高めることができる点で好ましい。尚、この
周壁用電極板(151は反応室01の周壁のすべてを置
換する必要はな(、余分なグロー放電の発生により受け
る影響が無視できる範囲内で置換してもよい。
前記ガス噴出用″W I’M板(13と内部電極板f1
3の間には、8木の感光体ドラム(9)が正八角形の各
頂点に位置するように配置され、各感光体ドラム(9)
は回転駆動されるようになっている。
3の間には、8木の感光体ドラム(9)が正八角形の各
頂点に位置するように配置され、各感光体ドラム(9)
は回転駆動されるようになっている。
前記電極板*21(+31++、++ を圃は同電位と
するために導通されており、外部の高周波電源(図示せ
ず)から印加されている。これにより、ガス噴出用電極
板(13と感光体ドラム(9)の表面、及び内部電極板
O2と感光体ドラム(9)の表面間にグロー放電が発生
し、電極板+1:HI41+1!’iの相互間ではグロ
ー放電が発生しないため、電力の無駄な消費がなく、且
つ蜜、極板(12(131と感光体ドラム(9)との間
に発生する本来のグロー放電をかき乱すこともなく、反
応室0■の内部には、同一のガス供給源(図示せず)か
共面の配管(図示せず)を介して4本に分岐された導入
管f161に接続され、各導入管06)が反応室OGの
中心軸に対し直交すると共に、反応室(9)の円周を四
等分するように周壁用電極板09に貫設された4個の導
入口(171のそれぞれに接続されることにより構成さ
れている。
するために導通されており、外部の高周波電源(図示せ
ず)から印加されている。これにより、ガス噴出用電極
板(13と感光体ドラム(9)の表面、及び内部電極板
O2と感光体ドラム(9)の表面間にグロー放電が発生
し、電極板+1:HI41+1!’iの相互間ではグロ
ー放電が発生しないため、電力の無駄な消費がなく、且
つ蜜、極板(12(131と感光体ドラム(9)との間
に発生する本来のグロー放電をかき乱すこともなく、反
応室0■の内部には、同一のガス供給源(図示せず)か
共面の配管(図示せず)を介して4本に分岐された導入
管f161に接続され、各導入管06)が反応室OGの
中心軸に対し直交すると共に、反応室(9)の円周を四
等分するように周壁用電極板09に貫設された4個の導
入口(171のそれぞれに接続されることにより構成さ
れている。
前記導入管+lblが導入口+t’nと接続される端部
には絶縁性リング口&か接続され、周壁用電極板(l!
′ilと導入管fl litが絶縁されでいる。
には絶縁性リング口&か接続され、周壁用電極板(l!
′ilと導入管fl litが絶縁されでいる。
前記ガス噴出用電極板(131及び前記ガス拡散用電極
板(141には、それぞれ複数個の噴出孔(1,!ll
及び拡散孔f:4(llか各板面全体に夏って均一に貫
゛設されている。
板(141には、それぞれ複数個の噴出孔(1,!ll
及び拡散孔f:4(llか各板面全体に夏って均一に貫
゛設されている。
噴出化(11及び拡散(tバ21mはいずれも円形、四
角形など1f意の形状で、しく、それぞれの孔径或いは
孔の大きさ泣び孔数は、導入管(161を介して反応室
(9)内に導入り、だa −S5一層牛成ガスがガス噴
出用電極板(1:lのj噴出孔11Gを通過する際に、
ガスの拡散が十ff−[;均一・にガスが噴出されるよ
うに適宜設定すればよい。例えば、噴出孔111及び拡
散孔C2Ijが円形の場合、噴出孔(11〕孔径を0.
5〜2IlJR1拡散孔(21)孔径を1〜411Nの
範囲で、噴出孔(19の孔径を拡散孔(;シ(めに比べ
て小さくすることが好適である。また、噴出孔(1!1
を拡散孔1:!n 、1:りも多く設けることが好適で
あり、例えば噴出孔(1Gは5ff〜1cMの間隔でガ
ス噴出用電極板(13)の全面に頁って設けることが好
ましい。
角形など1f意の形状で、しく、それぞれの孔径或いは
孔の大きさ泣び孔数は、導入管(161を介して反応室
(9)内に導入り、だa −S5一層牛成ガスがガス噴
出用電極板(1:lのj噴出孔11Gを通過する際に、
ガスの拡散が十ff−[;均一・にガスが噴出されるよ
うに適宜設定すればよい。例えば、噴出孔111及び拡
散孔C2Ijが円形の場合、噴出孔(11〕孔径を0.
5〜2IlJR1拡散孔(21)孔径を1〜411Nの
範囲で、噴出孔(19の孔径を拡散孔(;シ(めに比べ
て小さくすることが好適である。また、噴出孔(1!1
を拡散孔1:!n 、1:りも多く設けることが好適で
あり、例えば噴出孔(1Gは5ff〜1cMの間隔でガ
ス噴出用電極板(13)の全面に頁って設けることが好
ましい。
かく[7て、導入管(則を通して反応室0■の内部に導
入したa −Si層生成ガスはガス拡散用電極板141
を介して拡散が著しく進行するため、ガス噴出用電極板
口3から反応室叫の中心軸へ向かって、その板面全体に
亘り、ガスがほぼ均等量噴出され、グロー放【ゼ、に晒
される。
入したa −Si層生成ガスはガス拡散用電極板141
を介して拡散が著しく進行するため、ガス噴出用電極板
口3から反応室叫の中心軸へ向かって、その板面全体に
亘り、ガスがほぼ均等量噴出され、グロー放【ゼ、に晒
される。
一方、円筒状の内部電極板q2にはその板面の全体重こ
亘って複数個の吸引孔(21)が貫設されている。
亘って複数個の吸引孔(21)が貫設されている。
この吸引孔(21)は噴出孔(1gと同程度の孔径と密
度で下方から導入され、且つ該ガス吸引管のの開放端部
@を内部電極板+12の中心軸に位置させると、内部電
極板++3の吸引孔c!1)からその内方に向って全周
面に頁って均等に残余ガスが吸引されることになる。
度で下方から導入され、且つ該ガス吸引管のの開放端部
@を内部電極板+12の中心軸に位置させると、内部電
極板++3の吸引孔c!1)からその内方に向って全周
面に頁って均等に残余ガスが吸引されることになる。
このように、反応室(9)の中心部に配置された円筒状
の内部電極板(121からガスを吸引すると、グロー放
電領域に均一な高周波電界が生じるとともに、反応室(
1α内のすべての感光体ドラム(9)の周囲はいずれも
均一なガス流通状態となり、均質なa −Si層が形成
されることになる。
の内部電極板(121からガスを吸引すると、グロー放
電領域に均一な高周波電界が生じるとともに、反応室(
1α内のすべての感光体ドラム(9)の周囲はいずれも
均一なガス流通状態となり、均質なa −Si層が形成
されることになる。
史に、反応室00)に導入したガスを一層拡散されだ状
態で゛ガス噴出用電瞳板(1(から噴出させるために、
2個数1ユのガス拡散用電極板を設けることもできる。
態で゛ガス噴出用電瞳板(1(から噴出させるために、
2個数1ユのガス拡散用電極板を設けることもできる。
以−りの通り、一度の操作で複数個の基板上1こ成膜す
る本発明の量産型グロー放電分解装置によれば、導入ガ
スの利用効率を高めるのに加え、グロ?ミ・パ −板の周囲に均一なガス流通状態がうまれ、その結果、
各基板上に均質な非晶質層が形成されることになり、製
造歩留りが顕著に向上し、信頼性の高い優れた非晶質層
が得られる。
る本発明の量産型グロー放電分解装置によれば、導入ガ
スの利用効率を高めるのに加え、グロ?ミ・パ −板の周囲に均一なガス流通状態がうまれ、その結果、
各基板上に均質な非晶質層が形成されることになり、製
造歩留りが顕著に向上し、信頼性の高い優れた非晶質層
が得られる。
尚、本発明は実施例に限定されるものではなく、内部に
グロー放電用の?MIi板を備え、複数個の基板上に非
晶質層を形成するグロー放電分解装置であれば、すべて
に適用されることは当業者には容易に理解されよう。
グロー放電用の?MIi板を備え、複数個の基板上に非
晶質層を形成するグロー放電分解装置であれば、すべて
に適用されることは当業者には容易に理解されよう。
第1図は従来の斌産型グロー放電分解装置を示す概略図
、第2図は本発明の実施例に使われる反応室の破断面図
、第3図は本発明のガス吸引機構を示す斜視図である。 3.9・・・感光体ドラム、11・・・外部電極板、1
2・・・内部電極板、13・・・ガス噴出用電極板、1
4・・・ガス拡散用電極板、15・・・周壁用電極板出
願人京セラ株式会社 同 河 村 孝 夫 第3−
、第2図は本発明の実施例に使われる反応室の破断面図
、第3図は本発明のガス吸引機構を示す斜視図である。 3.9・・・感光体ドラム、11・・・外部電極板、1
2・・・内部電極板、13・・・ガス噴出用電極板、1
4・・・ガス拡散用電極板、15・・・周壁用電極板出
願人京セラ株式会社 同 河 村 孝 夫 第3−
Claims (1)
- 非晶質層生成ガスが導入される反応室内部に、ガス噴出
部を有した外部電極板及び、ガス吸引部を有した円筒状
内部電極板が同心円状に配置されると共に、両電極板が
非晶質層形成用表面を有する複数個の筒状基板を介して
対向し、該反応室内に発生したグロー放電により該基板
の表面上に非晶質層を生成するようにした量産型グロー
放電針解装M。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58178797A JPS6036664A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 量産型グロー放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58178797A JPS6036664A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 量産型グロー放電分解装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58132488A Division JPS6024378A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 量産型グロ−放電分解装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6036664A true JPS6036664A (ja) | 1985-02-25 |
JPH0549751B2 JPH0549751B2 (ja) | 1993-07-27 |
Family
ID=16054808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58178797A Granted JPS6036664A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 量産型グロー放電分解装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6036664A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110768A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Sharp Corp | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 |
JPS62164882A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
WO2008018119A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Life Technology Reserch Institute, INC. | Appareil de dépôt de film |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57185971A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
JPS5889943A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-28 | Canon Inc | プラズマcvd法 |
JPS58101735A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-17 | Canon Inc | プラズマcvd装置 |
JPS58132488A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-06 | 富士通フアナツク株式会社 | 工業用ロボツトのハンド交換方式 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58178797A patent/JPS6036664A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57185971A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
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JPS58132488A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-06 | 富士通フアナツク株式会社 | 工業用ロボツトのハンド交換方式 |
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JPS62164882A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
WO2008018119A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Life Technology Reserch Institute, INC. | Appareil de dépôt de film |
JP5068264B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2012-11-07 | 株式会社ライフ技術研究所 | 成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0549751B2 (ja) | 1993-07-27 |
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