JP5068264B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
本発明は、基板の表面に直流プラズマを用いて電界電子放出用の炭素膜を成膜する成膜装置に関するものである。
基板表面にカーボンナノチューブ、カーボンナノウォール、等のnmサイズの微小な先端エッジを持つ炭素膜を成膜し、この炭素膜が備える多数の先端エッジに電界を集中させて電界電子放出させる技術が既に提案されている。
このような基板として例えばワイヤの表面に炭素膜を成膜して炭素膜付きワイヤとなし、この炭素膜付きワイヤを陰極(冷陰極電子源)として、陽極に対向配置し、これらの間に電圧を印加してワイヤ表面から電界電子放出する真空デバイスがある。この真空デバイスには、例えばフィールドエミッションランプ、マイクロマシンデバイス、電子顕微鏡、赤外センサー等の各種がある。このような陰極ワイヤは、量産性をあげて製造コストを低減することが要望されている。
特開2005−307352号公報
本発明は、基板等の表面に炭素膜を効率的に成膜可能とし、炭素膜付き基板の量産性を上げて、この炭素膜付き基板を用いた真空デバイスの量産性向上ならびにその量産コストの低減化を可能とした成膜装置を提供するものである。
本発明による成膜装置は、真空槽内に電極が配置され、真空槽内部に成膜ガスを導入すると共に電極に電圧を印加してこの成膜ガスをプラズマ化し、基板に成膜する成膜装置において、基板の供給口と排出口とを有する、上記電極としての筒状電極と、複数の基板を、上記筒状電極の供給口を通じて該筒状電極の内部に供給すると共に該筒状電極の排出口から排出する基板供給排出装置と、を備えたものである。
上記筒状電極は、単一の筒状電極に限定されず、2つ一対の半筒状電極から構成したものも含む。
上記筒状電極の形状は筒軸方向の長短は問わない。
上記筒状電極の断面形状は、円形が好ましいが、楕円形、矩形等を含むことができる。
上記開口は単一の筒状電極の両端側の開口、単一の筒状電極の側面に設けた開口、2つ一対の半筒状電極の対向隙間、等を含む。
成膜ガスは基板表面に炭素膜を成膜することができる種類であれば特に限定しない。
本発明では、基板供給排出装置により、複数の基板を筒状電極の開口を通じて該筒状電極内部に対して順次に供給すると共に該筒状電極の開口から順次に排出することができるようになっているので、複数の基板に筒状電極の内部で順次に成膜処理を施して炭素膜付き基板を製造することができるので、炭素膜付き基板の量産性が大きく向上すると共に該炭素膜付き基板を用いた真空デバイスの量産性および量産コストを低減することができるようになる。
上記において、上記筒状電極の供給口と排出口とが、上記筒状電極の長手方向の端部開口であることが好ましい。
上記において、上記筒状電極の供給口と排出口とが当該筒状電極の両側面それぞれに形成された開口であることが好ましい。
上記において、上記筒状電極が複数連設されると共にこれら複数の筒状電極それぞれの供給口と排出口とが基板搬送方向に一列になって連通していることが好ましい。
上記において、上記筒状電極は、互いの周方向両端部が所定の隙間を隔てて対向する2つ一対の半筒状電極からなり、この2つ一対の半筒状電極における、周方向一端側の対向隙間が上記供給口であり、周方向他端側の対向隙間が上記排出口であることが好ましい。
上記において、上記2つ一対の半筒状電極が複数対連設されると共にこれら複数対の半筒状電極それぞれの対向隙間が基板搬送方向に一列になって連通していることが好ましい。
上記において、上記2つ一対の半筒状電極は互いの対向隙間が成膜時に閉じ、搬送時に開くことが好ましい。
本発明第2による成膜装置は、真空槽内に電極が配置され、真空槽内部に成膜ガスを導入すると共に電極に電圧を印加してこの成膜ガスをプラズマ化し、基板に成膜する成膜装置において、少なくとも一端側が開口した、上記電極としての筒状電極と、複数の基板を上記筒状電極の上記開口を基板の供給口と排出口となしこれら供給口と排出口とを通じて該筒状電極内部に対して供給および排出することができる基板供給排出装置と、を備えた、ことを特徴とするものである。
上記において、上記基板供給排出装置は、筒状電極の供給口に向けて基板を供給する基板供給装置と、筒状電極の排出口から排出される基板を収納する基板収納装置と、筒状電極内部の供給口と排出口との間の基板搬送経路上で基板を搬送する基板搬送装置と、を備えることが好ましい。
上記において、上記基板供給装置および基板収納装置は、真空槽に着脱自在となっていることが好ましい。
上記において、基板はワイヤであることが好ましい。
本発明によれば、炭素膜付き基板の量産性を向上し、この炭素膜付き基板を用いた真空デバイスの量産性向上ならびにその量産コストの低減化を図ることができる。
2 成膜装置
4 真空槽
18 プラズマ発生電極
20 ワイヤ
22 ワイヤ供給装置
24 ワイヤ収納装置
32 プラズマ
4 真空槽
18 プラズマ発生電極
20 ワイヤ
22 ワイヤ供給装置
24 ワイヤ収納装置
32 プラズマ
以下、添付した図面を参照して本発明の実施の形態に係る成膜装置を説明する。この成膜装置では成膜対象となる基板をワイヤに適用している。
(実施の形態1)
図1ないし図5を参照して本発明の実施の形態1の成膜装置を説明する。図1ないし図3をまず参照して、成膜装置2は、直流プラズマCVDによりワイヤ(基板の一例)の表面に電界電子放出することができる炭素膜を成膜して、真空デバイスの陰極に用いることができる炭素膜付きワイヤを製造する装置である。
図1ないし図5を参照して本発明の実施の形態1の成膜装置を説明する。図1ないし図3をまず参照して、成膜装置2は、直流プラズマCVDによりワイヤ(基板の一例)の表面に電界電子放出することができる炭素膜を成膜して、真空デバイスの陰極に用いることができる炭素膜付きワイヤを製造する装置である。
この成膜装置2は、真空槽4、ガスボンベ6、ガス圧力/流量調節回路8、排気制御弁(真空バルブ)10、真空排気系12、直流電源14,28、制御装置16を備える。
ガスボンベ6は、水素ガスと炭化水素ガスとの混合ガス(CH4/H2)あるいは水素ガスと窒素と炭化水素ガスとの混合ガス(CH4/H2/N2)が収納されている。調節回路8は、ガスボンベ6からのガスの圧力と流量とを調節する。真空排気系12は、排気制御弁10を介して真空槽2内を真空引きする。
真空槽2は接地されている。真空槽2の内部には、プラズマ発生電極18と、このプラズマ発生電極18にワイヤ20を供給するワイヤ供給装置(基板供給装置)22と、このプラズマ発生電極18で炭素膜が成膜されたワイヤ20を巻き取って収納するワイヤ収納装置(基板収納装置)24と、を備えている。
ワイヤ供給装置22は、ケース22aと、このケース22aの底部に立設された回転自在のワイヤ巻付け軸22bとを備える。ワイヤ供給装置22のワイヤ巻付け軸22bには搬送ベルト26に一定間隔で上端側が吊支されたワイヤ20が巻き付けられている。ワイヤ20は下端側も別の搬送ベルトで支持することが好ましい。また、このワイヤ20の下端側は空中架設したモノレール式の搬送軌道で支持してもよい。
ワイヤ20は搬送ベルト26を通じて直流電源28の負極に接続されている。直流電源28の正極は接地されている。複数のワイヤ20は搬送ベルト26により上端側が固定されていることにより鉛直方向(図1の紙面を垂直に貫通する方向、図2の紙面の上下方向)に吊支され一定間隔で整列している。このワイヤ20の吊支方向を説明の都合で縦方向と称する。
ワイヤ収納装置24は、ケース24aと、このケース24a内の底部に立設された回転自在のワイヤ巻取り軸24bとを備える。ワイヤ収納装置24の上側にはワイヤ巻取り軸24bを回転駆動するモータ25が搭載されている。
真空槽4内部には、さらにワイヤ供給装置22から供給されてくるワイヤ20をプラズマ発生電極18にガイドするガイドローラ32と、プラズマ発生電極18から排出されてくるワイヤ20をワイヤ収納装置24にガイドするガイドローラ34と、が配置されている。
ワイヤ供給装置22、ワイヤ収納装置24、およびプラズマ発生電極18は真空槽4の底部に敷設した絶縁シート17上に配置されている。
プラズマ発生電極18は、直流電源14の負極に接続されている。直流電源14の正極は接地されている。プラズマ発生電極18は、ワイヤ供給装置22とワイヤ収納装置24との間に配置されている。プラズマ発生電極18は、ワイヤ供給装置22と、ワイヤ収納装置24と共に、一直線上に配置してガイドローラ32,34を省略可能としてもよい。
以上の構成においてプラズマ発生電極18の構成をさらに詳しく説明する。
プラズマ発生電極18は、一列になって真空槽4の底部上に連設された複数の円筒状電極を縦方向(図1紙面貫通方向、図2紙面上下方向)に半割りして2つ一対の半円筒状電極18a1,18b1;18a2,18b2;18a3;18b3;18a4,18b4(説明の都合で半円筒状電極18a,18bと称することがある)の複数組により構成されている。
これら半円筒状電極18a,18bは、ワイヤ搬送方向に一列に配置された構成になっている。一方側の半円筒状電極18aと他方側の半円筒状電極18bとは、所定隙間w0を空けてほぼ平行に対向した構成になっている。この対向隙間w0は縦方向に長く、対向方向に狭い長方形形状になっている。これら両半円筒状電極18a,18bの対向隙間w0にプラズマ発生電極18内部におけるワイヤ搬送通路30が形成される。
これら対向隙間w0のうちワイヤ供給装置22に近い側の対向隙間w0はワイヤ供給口であり、ワイヤ収納装置24に近い側の対向隙間w0はワイヤ排出口を構成する。
図3を参照して実施の形態1において対向隙間w0の大きさ等を説明する。図3はプラズマ発生電極18とワイヤ20とを示す。プラズマ発生電極18を構成する一方側と他方側の半円筒状電極18a,18bそれぞれの対向隙間w0はワイヤ20の直径φ1よりも大きい。また、プラズマ発生電極18内部におけるワイヤ搬送通路30の長さR0は、ワイヤ20表面への炭素膜の成膜条件に応じて適宜に設定することができる。また、プラズマ発生電極18の電極高さH0は、ワイヤ20の長さL1に対して長短いずれでもよい。
この対向隙間w0のうちワイヤ20の供給口側の対向隙間w0に対してワイヤ20はワイヤ供給装置22からガイドローラ32を介してプラズマ発生電極18の供給口側の対向隙間w0から当該プラズマ発生電極18内部に搬入される。また、プラズマ発生電極18内部で成膜されたワイヤ20はプラズマ発生電極18の排出口側の対向隙間w0から排出されてくる。プラズマ発生電極18から排出されてくるワイヤ20は、ガイドローラ34を介してワイヤ収納装置24で巻き取られて収納されるようになっている。
制御装置16は、真空槽4内部のガスボンベ6、調節回路8、排気制御弁10、真空排気系12、電源14、28、搬送モータ24cの制御を行う。制御装置6は、マイクロコンピュータにより構成され、それら制御に必要な制御データおよび制御プログラムを記憶装置に記憶し、CPUにより自動制御することができる。
また、制御装置6は、作業者により制御一覧表等を参照して成膜装置を手動制御するための装置であってもよい。
以上の構成において、図4および図5で示すようにワイヤ供給装置22のワイヤ巻付け軸22bにワイヤ20が巻き付けられている。このワイヤ供給装置22はワイヤ巻取り軸24bにワイヤ20を巻き付けた状態で真空槽4にセットすることができる。
上記セットの状態では、ワイヤ供給装置22側のモータ25を駆動することによりワイヤ巻取り軸24bを回転駆動すると、ワイヤ20はワイヤ供給装置22側からガイドローラ32を介してプラズマ発生電極18のワイヤ供給口である対向隙間w0からプラズマ発生電極18内に供給される。さらに、ワイヤ20は内部のワイヤ搬送通路30に搬送され、さらに、プラズマ発生電極18のワイヤ排出口である対向隙間w0から排出され、最後にガイドローラ34を介してワイヤ収納装置24のワイヤ巻取り軸24bに巻き付けられる。
以上のセットの完了後に、真空槽2の内圧を排気制御弁10を開けて真空排気系12により真空状態に減圧する。次いで、排気制御弁10の開度を小さくして真空槽2内の排気速度を下げ、真空槽2に調節回路8の調節の下にガスボンべ6から炭素膜成膜用のガスを導入して所定の圧力に調節する。その後、プラズマ発生電極18に直流電源14を印加すると、プラズマ発生電極18の内部に水素ガスによる直流プラズマが図4の破線32で示すように高密度に発生して炭化水素ガスが分解される。その結果、プラズマ発生電極18内のワイヤ搬送通路30を通過するワイヤ20表面に炭素膜が成膜される。上記ではワイヤ20は直流電源28の負極が接続されているのでワイヤ20の表面での炭素膜の成膜速度が上昇している。
図6に図4で示すプラズマ発生電極18の側面から見た断面構成を示す。図6で示すようにワイヤ20は対向隙間w0からプラズマ発生電極18の内部に搬入されると、搬入側から各半円筒状電極18a1,18b1;18a2,18b2;18a3;18b3;18a4,18b4内部それぞれで発生するプラズマ32a,32b,32c,32dでワイヤ20表面に炭素膜20aがガス圧力、ガス流量、成膜時間等の制御を受けて成膜される。
以上において、実施の形態1では、プラズマ発生電極18内部に発生するプラズマ32により次々と搬送されてくるワイヤ20の表面に炭素膜を成膜することができるので、炭素膜付きのワイヤ20の量産性が向上する。これにより、炭素膜付きのワイヤ20を用いたフィールドエミッションランプ等の真空デバイスを量産することができる。
(実施の形態2)
図7A,図7Bを参照して本発明の実施の形態2の成膜装置を説明する。実施の形態2の成膜装置2では、プラズマ発生電極18を構成する複数対の半円筒状電極18a,18bは、ワイヤ20の搬送時では、図7Aで示すようにそれらの対向隙間w0を保ち、ワイヤ20への成膜時では、図7Bで示すようにそれらの対向隙間w0を詰めてプラズマをより効率的に発生することができるようにしてもよい。図7Aの場合、ワイヤ供給装置22に近い側の対向隙間w0はワイヤ供給口となり、ワイヤ収納装置24に近い側の対向隙間w0はワイヤ排出口となる。
図7A,図7Bを参照して本発明の実施の形態2の成膜装置を説明する。実施の形態2の成膜装置2では、プラズマ発生電極18を構成する複数対の半円筒状電極18a,18bは、ワイヤ20の搬送時では、図7Aで示すようにそれらの対向隙間w0を保ち、ワイヤ20への成膜時では、図7Bで示すようにそれらの対向隙間w0を詰めてプラズマをより効率的に発生することができるようにしてもよい。図7Aの場合、ワイヤ供給装置22に近い側の対向隙間w0はワイヤ供給口となり、ワイヤ収納装置24に近い側の対向隙間w0はワイヤ排出口となる。
(実施の形態3)
図8A,図8Bを参照して本発明の実施の形態3の成膜装置を説明する。実施の形態3の成膜装置2では、ワイヤ20を、図8Aから図8Bで示すようにプラズマ発生電極18の一方端部側開口部から搬入し、ワイヤ20が所定位置にセットされたときに成膜処理を施し、この成膜処理が終了すると、図8Bから図8Aで示すようにワイヤ20をプラズマ発生電極18外に排出するようにしてもよい。
図8A,図8Bを参照して本発明の実施の形態3の成膜装置を説明する。実施の形態3の成膜装置2では、ワイヤ20を、図8Aから図8Bで示すようにプラズマ発生電極18の一方端部側開口部から搬入し、ワイヤ20が所定位置にセットされたときに成膜処理を施し、この成膜処理が終了すると、図8Bから図8Aで示すようにワイヤ20をプラズマ発生電極18外に排出するようにしてもよい。
図8A、図8Bでは、プラズマ発生電極18の一方側開口部は、ワイヤ供給口とワイヤ排出口とを兼ねることになる。
また、図示を略するが、ワイヤ20をプラズマ発生電極18の両端部開口部において一端側開口部をワイヤ供給口としてワイヤ20をプラズマ発生電極18内部に供給し、他端側開口部をワイヤ排出口としてワイヤ20をプラズマ発生電極18の外部に排出してもよい。
(実施の形態4)
図9を参照して本発明の実施の形態4の成膜装置を説明する。実施の形態4の成膜装置2では、図9で示すように、ワイヤ供給装置22と、ワイヤ収納装置24とを、真空槽4に設けた開口部に矢印a,b方向に着脱可能とすることができる。
図9を参照して本発明の実施の形態4の成膜装置を説明する。実施の形態4の成膜装置2では、図9で示すように、ワイヤ供給装置22と、ワイヤ収納装置24とを、真空槽4に設けた開口部に矢印a,b方向に着脱可能とすることができる。
この実施の形態4では、真空槽4に対してワイヤ供給装置22とワイヤ収納装置24とをセットすることが容易となり、成膜作業の効率化、ひいては、このワイヤ20を用いた真空デバイスの量産性を向上することができる。
(適用例)
導電性のワイヤの表面に上記実施の形態の成膜装置を用いて炭素膜を成膜し、この炭素膜を成膜したワイヤを冷陰極電子源として用いたフィールドエミッションランプを図10に示す。このフィールドエミッションランプ40は、長手方向に延びるガラス製のランプ管42の内面に蛍光体44付きの陽極46を形成し、ランプ管42の管中央にワイヤ状に延びる陰極48を空中架設したものがある。このワイヤ状陰極48は導体であるワイヤ50表面に上記炭素膜52を成膜したものである。そして、上記フィールドエミッションランプ40においては、陽極46と陰極48との間に高電圧を印加することにより、陰極48表面の炭素膜52から電界電子放出し、この放出した電子が蛍光体44に電子衝突して該蛍光体44が励起発光し、ランプ管42外に照明光を発するものである。
導電性のワイヤの表面に上記実施の形態の成膜装置を用いて炭素膜を成膜し、この炭素膜を成膜したワイヤを冷陰極電子源として用いたフィールドエミッションランプを図10に示す。このフィールドエミッションランプ40は、長手方向に延びるガラス製のランプ管42の内面に蛍光体44付きの陽極46を形成し、ランプ管42の管中央にワイヤ状に延びる陰極48を空中架設したものがある。このワイヤ状陰極48は導体であるワイヤ50表面に上記炭素膜52を成膜したものである。そして、上記フィールドエミッションランプ40においては、陽極46と陰極48との間に高電圧を印加することにより、陰極48表面の炭素膜52から電界電子放出し、この放出した電子が蛍光体44に電子衝突して該蛍光体44が励起発光し、ランプ管42外に照明光を発するものである。
本発明にかかる成膜装置は、ワイヤ表面に電界電子放出用の炭素膜を形成したものを冷陰極電子源として用い、電界放射型真空デバイス用の陰極ワイヤを量産する場合、そのワイヤ表面に炭素膜を成膜する装置として、特に有用である。
Claims (10)
- 真空槽内に電極が配置され、真空槽内部に炭素膜成膜用のガスを導入すると共に電極に電圧を印加してこのガスをプラズマ化し、基板表面に炭素膜を成膜する成膜装置において、
基板の供給口と排出口とを有する、上記電極としての筒状電極と、
複数の基板を、上記筒状電極の供給口を通じて該筒状電極の内部に供給すると共に該筒状電極の排出口から排出する基板供給排出装置と、を備え、
上記筒状電極は、直流電源の負極に接続されて内部にプラズマを高密度に発生して閉じ込めておく筒状のプラズマ発生電極を構成し、その内部を通過する基板表面に電界電子放出用の炭素膜を成膜する、ことを特徴とする成膜装置。 - 上記筒状電極の供給口と排出口とが、上記筒状電極の長手方向の端部開口である、ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 上記筒状電極の供給口と排出口とが当該筒状電極の両側面それぞれに形成された開口である、ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 上記筒状電極が複数連設されると共にこれら複数の筒状電極それぞれの供給口と排出口とが基板搬送方向に一列になって連通している、ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の成膜装置。
- 上記筒状電極は、互いの周方向両端部が所定の隙間を隔てて対向する2つ一対の半筒状電極からなり、
この2つ一対の半筒状電極における、周方向一端側の対向隙間が上記供給口であり、周方向他端側の対向隙間が上記排出口である、ことを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。 - 上記2つ一対の半筒状電極が複数対連設されると共にこれら複数対の半筒状電極それぞれの対向隙間が基板搬送方向に一列になって連通している、ことを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
- 上記2つ一対の半筒状電極は互いの対向隙間が成膜時に閉じ、搬送時に開く、ことを特徴とする請求項5または6に記載の成膜装置。
- 真空槽内に電極が配置され、真空槽内部に炭素膜成膜用のガスを導入すると共に電極に電圧を印加してこのガスをプラズマ化し、基板に炭素膜を成膜する成膜装置において、
少なくとも一端側が開口した、上記電極としての筒状電極と、
複数の基板を上記筒状電極の上記開口を基板の供給口と排出口となしこれら供給口と排出口とを通じて該筒電極内部に対して供給および排出することができる基板供給排出装置と、を備え、
上記筒状電極は、直流電源の負極に接続されて内部にプラズマを高密度に発生して閉じ込めておく筒状のプラズマ発生電極を構成し、その内部を通過する基板表面に電界電子放出用の炭素膜を成膜する、ことを特徴とする成膜装置。 - 上記基板供給排出装置は、
筒状電極の供給口に向けて基板を供給する基板供給装置と、
筒状電極の排出口から排出される基板を収納する基板収納装置と、
筒状電極内部の供給口と排出口との間の基板搬送経路上で基板を搬送する基板搬送装置と、
を備えることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の成膜装置。 - 上記基板供給装置および基板収納装置が、真空槽に着脱自在となっている、ことを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2006/315648 WO2008018119A1 (fr) | 2006-08-08 | 2006-08-08 | Appareil de dépôt de film |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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