JPS62237734A - 基板上の絶縁保護膜の生成法 - Google Patents
基板上の絶縁保護膜の生成法Info
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- JPS62237734A JPS62237734A JP8037386A JP8037386A JPS62237734A JP S62237734 A JPS62237734 A JP S62237734A JP 8037386 A JP8037386 A JP 8037386A JP 8037386 A JP8037386 A JP 8037386A JP S62237734 A JPS62237734 A JP S62237734A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 abstract description 18
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 8
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100520660 Drosophila melanogaster Poc1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100520662 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PBA1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 phosphorine trichloride Chemical compound 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003852 thin film production method Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野）
本発明は半導体工業において重要な気相成長装置の改良
と、ＢＰＳＧ膜の生成法に関するものである。
と、ＢＰＳＧ膜の生成法に関するものである。
すなわちあらかじめ加熱されている半導体基板の表面に
原料ガスを供給して作成する薄膜生成法の中で、特にシ
リコンデバイスプロセスで重要な役割をもつ絶縁膜また
は保護膜として使われているＢＰＳＧ膜（ボロンホスフ
ォシリケートガラス。
原料ガスを供給して作成する薄膜生成法の中で、特にシ
リコンデバイスプロセスで重要な役割をもつ絶縁膜また
は保護膜として使われているＢＰＳＧ膜（ボロンホスフ
ォシリケートガラス。
Ｂｏｒｏｎ ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａ
ｓｓ）について、その生成の方法と装置に関するもので
ある。
ｓｓ）について、その生成の方法と装置に関するもので
ある。
（従来の技術）
従来シリコンデバイスの製造プロセスにおいて使われて
いる絶縁膜や保護膜には、５ｉＨ４（モノシラン）と、
ＰＬ（ホスフィン）またはＢｚＨｈ （ジボラン）にＯ
２ガスを混合し、ＰＳＧ （Ｓｉｇ４＋ Ｐｆｈ ＋
Ｏｔ→ＳｉＯ□＋ｐｚｏｓ）膜およびＢＳＧ（ＳｉＨｎ
＋ＢＪｂ ＋Ｑ□→ＳｉＯ□＋８２０３）膜を生成して
いた。またＢＰＳＧ膜はＳｉＨ４＋ＰＨ３＋ＢＪ＆＋Ｏ
２の混合によって作成していた。しかしこれらの膜の生
成には、ＳｉＨ４ガスのような爆発性ガスやＰｌｈ 、
ＢｔＨｂのような有害ガスを原料としているため、装
置オペレータの安全性が問題になっている。また技術上
の問題としてこれらの膜を第４図に示した従来の低圧式
ホットウォール（Ｈｏｔ−ｗａｌｌ）形反応炉で作成し
ようとすると、比抵抗、膜厚分布の均一なものを得るこ
とは非常に困難で、第５図に示すような反応管内構造を
もたせるなどの工夫が必要であるが、これらは構造が複
雑になるばかりでなく取扱いが厄介であることがまず欠
点である。
いる絶縁膜や保護膜には、５ｉＨ４（モノシラン）と、
ＰＬ（ホスフィン）またはＢｚＨｈ （ジボラン）にＯ
２ガスを混合し、ＰＳＧ （Ｓｉｇ４＋ Ｐｆｈ ＋
Ｏｔ→ＳｉＯ□＋ｐｚｏｓ）膜およびＢＳＧ（ＳｉＨｎ
＋ＢＪｂ ＋Ｑ□→ＳｉＯ□＋８２０３）膜を生成して
いた。またＢＰＳＧ膜はＳｉＨ４＋ＰＨ３＋ＢＪ＆＋Ｏ
２の混合によって作成していた。しかしこれらの膜の生
成には、ＳｉＨ４ガスのような爆発性ガスやＰｌｈ 、
ＢｔＨｂのような有害ガスを原料としているため、装
置オペレータの安全性が問題になっている。また技術上
の問題としてこれらの膜を第４図に示した従来の低圧式
ホットウォール（Ｈｏｔ−ｗａｌｌ）形反応炉で作成し
ようとすると、比抵抗、膜厚分布の均一なものを得るこ
とは非常に困難で、第５図に示すような反応管内構造を
もたせるなどの工夫が必要であるが、これらは構造が複
雑になるばかりでなく取扱いが厄介であることがまず欠
点である。
なお第４図はホットウォール（Ｈｏ ｔ −ｗａ ｌ
１）形減圧ＣＶＤ装置の構成図で、図中の１は石英反応
管、２はヒータ、３はボート上に並べたシリコン基板、
４はガスシステムと制御部、５は冷却トラップ、６は圧
力計、７はエアバルブ、８はメカニカルブースタ、９は
ロークリポンプであるが、これらの動作はよく知られて
いるので詳しい説明は省略する。第５図は従来の反応管
構造の一例図で、（ａｌは内部構造を示す断面図、（ｂ
）はシリコンウェハとその支持板構造図である。図中の
１０は石英製ウェハ支持板、１１は石英製ボート、１２
はストッパ、１３はバッファ用石英円筒管である。第５
図の装置は本発明者の１人によって特願昭５２−６１５
６３号として提案されたもので、その要点は「減圧され
た反応管内にそれの軸線に対して実質的に直交する関係
をもって互いに予め定められた間隔だけ離間せしめて複
数の基板を配置し、前記反応管の一端部から反応ガスを
注入しかつ他端部から排気せしめて該反応管内に前記基
板に対して実質的に直交する方向の反応ガスの流れを生
ぜしめ、前記基板を加熱することにより該基板上に成長
層を形成せしめる減圧気相成長方法において、前記反応
ガスの流れに関し前記基板よりも上流の位置において前
記反応管１内に該反応ガスの流れに対する障害物１３を
配置することを特徴とする減圧気相成長方法」である。
１）形減圧ＣＶＤ装置の構成図で、図中の１は石英反応
管、２はヒータ、３はボート上に並べたシリコン基板、
４はガスシステムと制御部、５は冷却トラップ、６は圧
力計、７はエアバルブ、８はメカニカルブースタ、９は
ロークリポンプであるが、これらの動作はよく知られて
いるので詳しい説明は省略する。第５図は従来の反応管
構造の一例図で、（ａｌは内部構造を示す断面図、（ｂ
）はシリコンウェハとその支持板構造図である。図中の
１０は石英製ウェハ支持板、１１は石英製ボート、１２
はストッパ、１３はバッファ用石英円筒管である。第５
図の装置は本発明者の１人によって特願昭５２−６１５
６３号として提案されたもので、その要点は「減圧され
た反応管内にそれの軸線に対して実質的に直交する関係
をもって互いに予め定められた間隔だけ離間せしめて複
数の基板を配置し、前記反応管の一端部から反応ガスを
注入しかつ他端部から排気せしめて該反応管内に前記基
板に対して実質的に直交する方向の反応ガスの流れを生
ぜしめ、前記基板を加熱することにより該基板上に成長
層を形成せしめる減圧気相成長方法において、前記反応
ガスの流れに関し前記基板よりも上流の位置において前
記反応管１内に該反応ガスの流れに対する障害物１３を
配置することを特徴とする減圧気相成長方法」である。
（発明の具体的な目的）
本発明はシリコンウェハ上にＢＰＳＧ膜を作成するため
に５ｉｃｌ＜ 、 ＰＯＣｌ３ 、 Ｂｃｈ、 Ｏｚを
原料に用い、第４図に示した通常の装置に第１図に示す
ように原料源１４をガスシステムと並列に設けたことに
特徴がある。この原料源を設けることによって、第５図
のように反応炉内構造を工夫することなく、均一な膜厚
分布のＢＰＳＧ膜を作成することができる。
に５ｉｃｌ＜ 、 ＰＯＣｌ３ 、 Ｂｃｈ、 Ｏｚを
原料に用い、第４図に示した通常の装置に第１図に示す
ように原料源１４をガスシステムと並列に設けたことに
特徴がある。この原料源を設けることによって、第５図
のように反応炉内構造を工夫することなく、均一な膜厚
分布のＢＰＳＧ膜を作成することができる。
またこの原料は第２図に示すような３成分系で用いると
きに生じる化学的特性を持っており、常温においてはほ
とんど固体であるが加熱すると液化する。このため安全
性の点において単体はもとより３成分系にしても、従来
用いられていた５ｉｔ（４゜ＰＬ 、 ８２）＋６ガス
のような危険性は極めて少ない。
きに生じる化学的特性を持っており、常温においてはほ
とんど固体であるが加熱すると液化する。このため安全
性の点において単体はもとより３成分系にしても、従来
用いられていた５ｉｔ（４゜ＰＬ 、 ８２）＋６ガス
のような危険性は極めて少ない。
なお第２図は５ｉｃｌａ ＢＣｌ２−ＰＯＣ１＊系の
液体曲線（Ｒｕｓｓｉａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｉ
ｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ。
液体曲線（Ｒｕｓｓｉａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｉ
ｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ。
７ Ｎ１１２ ｐ、 １８４ Ｆｅｂ、１９６２所載）
で、この曲線はまずＢａｈ−ＰＯＣｈ−５ｉｃｌｇの３
成分を常に同じ質量になるようにしておいて５ｉｃｌａ
を １）０モル％。
で、この曲線はまずＢａｈ−ＰＯＣｈ−５ｉｃｌｇの３
成分を常に同じ質量になるようにしておいて５ｉｃｌａ
を １）０モル％。
２）３８．４モル％、 ３）６８モル％一定とした場合
に、残り量をＢＣｌ３／ （Ｂｃｌ、、 ＋ ＰＯＣＩ
：ｌ）として変化させ、横軸にＰＯＣｌ ３とＢｃｈの
比をとり、縦軸に融点をとったものである。５ｉｃ１４
． ＰＯＣ１＋ 、 Ｂｃｌ＋はそれぞれ単体では１０
℃以下において液体であるが、図示のように３成分の混
合比率によって一１０℃から５２°Ｃの範囲で固形物と
なることがわかる。
に、残り量をＢＣｌ３／ （Ｂｃｌ、、 ＋ ＰＯＣＩ
：ｌ）として変化させ、横軸にＰＯＣｌ ３とＢｃｈの
比をとり、縦軸に融点をとったものである。５ｉｃ１４
． ＰＯＣ１＋ 、 Ｂｃｌ＋はそれぞれ単体では１０
℃以下において液体であるが、図示のように３成分の混
合比率によって一１０℃から５２°Ｃの範囲で固形物と
なることがわかる。
（発明の構成と作用）
零ＢＰＳＧ膜の原料である５ｔｃ１４（４塩化ケイ素）
。
。
Ｂｃｌ、（３塩化ホウ素） 、 ＰＯＣｌ２（３塩化ホ
スホリン）は３成分共単体ではすべて液体であり、これ
らを混合すると前記のように３成分の混合比率によって
一１０℃〜５２°Ｃの範囲で固形物になるから、この固
形物を石英製容器に入れ、これをさらに液体にするため
６０℃付近で±０．５°Ｃ以内に温度制御可能な恒温槽
に収納する。この石英容器はＮ２つたはＯ２のガスによ
るキャリアガスによって原料が反応室へ送り込まれるよ
うに２木の導入ポートをもっている。
スホリン）は３成分共単体ではすべて液体であり、これ
らを混合すると前記のように３成分の混合比率によって
一１０℃〜５２°Ｃの範囲で固形物になるから、この固
形物を石英製容器に入れ、これをさらに液体にするため
６０℃付近で±０．５°Ｃ以内に温度制御可能な恒温槽
に収納する。この石英容器はＮ２つたはＯ２のガスによ
るキャリアガスによって原料が反応室へ送り込まれるよ
うに２木の導入ポートをもっている。
第１図は本発明によるＢＰＳＧ膜生成装置の構成例図で
、１は反応室となる反応管、２は加熱用ヒータ、３はポ
ート上に並列に並べたウェハ群、１４は排気ポンプに接
続した排気口、１５は周囲を保温ヒータ１６で囲んだ原
料源で、その内部には恒温槽１７、この恒温槽によって
液状に保持される上記３成分の混合体とこれを収容する
石英容器１８．調節バルブ１９．開閉バルブ２０がある
。２１は０２ガス、２２はＮ２ガスそれぞれの供給口、
ＭＦＣ（マスフローコントローラ）はガス流量コントロ
ール装置、Ｇｌｌ Ｇ２はガス導入ポートである。原料
を反応炉に供給するには恒温槽１７を６０℃に保って原
料を液状に保持しておき、これに２２よりのＮ２ガス（
２２よりのガスのうちポートＧ、に送られるのはキャリ
アガス、原料源１５に送り込まれるのはピックアップガ
スと区別して呼ばれる）を吹込んで原料液にバブルを発
生させ、原料をキャリアガスに包んで反応炉１内のたと
えば１０００℃程度に加熱された基板に送ることによっ
てＢＰＳＧ膜を成長させる。
、１は反応室となる反応管、２は加熱用ヒータ、３はポ
ート上に並列に並べたウェハ群、１４は排気ポンプに接
続した排気口、１５は周囲を保温ヒータ１６で囲んだ原
料源で、その内部には恒温槽１７、この恒温槽によって
液状に保持される上記３成分の混合体とこれを収容する
石英容器１８．調節バルブ１９．開閉バルブ２０がある
。２１は０２ガス、２２はＮ２ガスそれぞれの供給口、
ＭＦＣ（マスフローコントローラ）はガス流量コントロ
ール装置、Ｇｌｌ Ｇ２はガス導入ポートである。原料
を反応炉に供給するには恒温槽１７を６０℃に保って原
料を液状に保持しておき、これに２２よりのＮ２ガス（
２２よりのガスのうちポートＧ、に送られるのはキャリ
アガス、原料源１５に送り込まれるのはピックアップガ
スと区別して呼ばれる）を吹込んで原料液にバブルを発
生させ、原料をキャリアガスに包んで反応炉１内のたと
えば１０００℃程度に加熱された基板に送ることによっ
てＢＰＳＧ膜を成長させる。
次に第１図の装置によってＢＰＳＧ膜を生成する方法に
ついてさらに詳しく説明する。ＢＰＳＧ膜を作成するた
めの原料の配合はあらかじめ生成したいＢＰＳＧ膜のＢ
やＰの濃度によって決める。膜中のＢとＰの濃度は％重
量比で３〜６程度である。本発明によるＢＰＳＧ膜の作
成に当たってこの原料の配合作成は重要で、作成された
成長膜から膜中のＢ。
ついてさらに詳しく説明する。ＢＰＳＧ膜を作成するた
めの原料の配合はあらかじめ生成したいＢＰＳＧ膜のＢ
やＰの濃度によって決める。膜中のＢとＰの濃度は％重
量比で３〜６程度である。本発明によるＢＰＳＧ膜の作
成に当たってこの原料の配合作成は重要で、作成された
成長膜から膜中のＢ。
Ｐ 濃度や膜厚分布と対比させ最適の混合比を決定する
。この決定後は第３図に示すような通常の反応管内圧カ
フ６０ Ｔｏｒｒ以下の低（滅）圧ＣＶＤ装置による膜
生成シーケンスプログラムと同じように、第１図の装置
を操作すればよい。第３図においてＡ−Ｊは工程別であ
って、Ａは低速真空ポンプ（動作）、Ｂはメイン真空ポ
ンプ（動作）、Ｃはリーク点検、Ｄは成長、Ｇはアフタ
ーヒート、ＨはＮ２ガスによるパージ、■は緩かなリー
ク、Ｊはリークの各工程を表している。なお特にＤ工程
は一般に数工程より成るが簡単に示しである。
。この決定後は第３図に示すような通常の反応管内圧カ
フ６０ Ｔｏｒｒ以下の低（滅）圧ＣＶＤ装置による膜
生成シーケンスプログラムと同じように、第１図の装置
を操作すればよい。第３図においてＡ−Ｊは工程別であ
って、Ａは低速真空ポンプ（動作）、Ｂはメイン真空ポ
ンプ（動作）、Ｃはリーク点検、Ｄは成長、Ｇはアフタ
ーヒート、ＨはＮ２ガスによるパージ、■は緩かなリー
ク、Ｊはリークの各工程を表している。なお特にＤ工程
は一般に数工程より成るが簡単に示しである。
さて第１図の装置においてシリコンウェハ３の相互間隔
および石英反応管１とシリコンウェハ３の間隙は膜を生
成しながら調整するが、シリコンウェハの相互間隔を１
０龍程度とすれば原料の混合比に影響れれず均一なＰ、
Ｂ濃度と膜厚分布が得られることが実験によっても確か
められている。
および石英反応管１とシリコンウェハ３の間隙は膜を生
成しながら調整するが、シリコンウェハの相互間隔を１
０龍程度とすれば原料の混合比に影響れれず均一なＰ、
Ｂ濃度と膜厚分布が得られることが実験によっても確か
められている。
なお上記はＢＰＳＧ膜の生成についてのみ説明したが、
本発明を応用すれば絶縁保護膜として用いられ５ｉｃ１
４＋ＰＯＣ１ｉ （またはＰＣＩ 、） ＋ Ｏｚを
原料とするＰＳＧ （リンケイ酸ガラス）膜および５ｉ
ｃ１４＋ Ｂｃ１３＋Ｏ２を原料とするＢＳＧ （ホウ
ケイ酸ガラス）膜が容易に安全に得られることも重要な
成果である。
本発明を応用すれば絶縁保護膜として用いられ５ｉｃ１
４＋ＰＯＣ１ｉ （またはＰＣＩ 、） ＋ Ｏｚを
原料とするＰＳＧ （リンケイ酸ガラス）膜および５ｉ
ｃ１４＋ Ｂｃ１３＋Ｏ２を原料とするＢＳＧ （ホウ
ケイ酸ガラス）膜が容易に安全に得られることも重要な
成果である。
（発明の効果）
本発明による５ｉｃｌａ 、 ＢＣｌ３． ＰＯＣＩｓ
を原料として生成したＢＰＳＧ膜は、従来のＳｉＨ４，
Ｐ！（：ｌ 、 ＢｚＨ６゜０２系の原料を用いたもの
に比べてｃｌ成分を含むため極めて容易に均一な膜生成
が行われ、しかも装置の取扱が安全である。またこのよ
うな原料を用いて第１図に示す反応炉を用いて生成した
ＢＰＳＧ膜はステップカバレージ（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅ
ｒｒａｇｅ）も良く、Ｂ、Ｐの濃度の制御も均質に行え
るという特長がある。たとえば反応管内に５インチウェ
ハを１００枚チャージした場合、±５％以内の膜厚分布
およびＢ ／ Ｐ ｔｌ、変分布の制御が可能である。
を原料として生成したＢＰＳＧ膜は、従来のＳｉＨ４，
Ｐ！（：ｌ 、 ＢｚＨ６゜０２系の原料を用いたもの
に比べてｃｌ成分を含むため極めて容易に均一な膜生成
が行われ、しかも装置の取扱が安全である。またこのよ
うな原料を用いて第１図に示す反応炉を用いて生成した
ＢＰＳＧ膜はステップカバレージ（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅ
ｒｒａｇｅ）も良く、Ｂ、Ｐの濃度の制御も均質に行え
るという特長がある。たとえば反応管内に５インチウェ
ハを１００枚チャージした場合、±５％以内の膜厚分布
およびＢ ／ Ｐ ｔｌ、変分布の制御が可能である。
さらに本発明の応用として前記ＰＳＧ膜とＢＳＧ膜も容
易に得られることも特長である。
易に得られることも特長である。
第１図は本発明によるＢＰＳＧ膜生成装置の構成例図、
第２図は本発明のＢＰＳＧ膜の原料となる５ｉｃｌｉ
。 Ｂｃｌ３． ＰＯＣｌｉの３組成系の液体曲線図、第３
図は減圧ＣＶＤ装置による膜生成シーケンス図、第４図
は従来の減圧ＣＶＤ装置の構成例図、第５図は従来の反
応管の構造を示す側面断面図（ａｌとシリコンウェハお
よびその支持板の構造図（ｂ）である。 １・・・反応管、２・・・ヒータ、３・・・ウェハと支
持板、４・・・ガス制御部、５・・・冷却トラップ、６
・・・圧力計、７・・・エアバルブ、８・・・メカニカ
ルブースタ、９・・・ロークリポンプ、１０・・・ウェ
ハ支持板、１１・・・ボート、１２・・・ストッパ、１
３・・・バッファ用石英円筒、１４・・・排気口、１５
・・・原料源、１６・・・保温ヒータ、１７・・・恒温
槽、１８・・・原料容器、１９．２０・・・バルブ、２
１・・・Ｏ２ガス、２２・・・Ｎ２ガス。
第２図は本発明のＢＰＳＧ膜の原料となる５ｉｃｌｉ
。 Ｂｃｌ３． ＰＯＣｌｉの３組成系の液体曲線図、第３
図は減圧ＣＶＤ装置による膜生成シーケンス図、第４図
は従来の減圧ＣＶＤ装置の構成例図、第５図は従来の反
応管の構造を示す側面断面図（ａｌとシリコンウェハお
よびその支持板の構造図（ｂ）である。 １・・・反応管、２・・・ヒータ、３・・・ウェハと支
持板、４・・・ガス制御部、５・・・冷却トラップ、６
・・・圧力計、７・・・エアバルブ、８・・・メカニカ
ルブースタ、９・・・ロークリポンプ、１０・・・ウェ
ハ支持板、１１・・・ボート、１２・・・ストッパ、１
３・・・バッファ用石英円筒、１４・・・排気口、１５
・・・原料源、１６・・・保温ヒータ、１７・・・恒温
槽、１８・・・原料容器、１９．２０・・・バルブ、２
１・・・Ｏ２ガス、２２・・・Ｎ２ガス。
Claims (3)
- （１）Ｓｉｃｌ＿４、Ｐｏｃｌ＿３およびＢｃｌ＿３の
定められた混合比の３成分混合体を原料とし、これらと
Ｏ＿２ガスによってＢＰＳＧ（ボロンホスフォシリケー
トガラス）膜を半導体基板上に生成する場合に、低温に
おいてはいずれも固体である上記原料を６０℃前後の恒
温槽内の石英容器に収容して液体状とし、これをキャリ
アガスによって上記Ｏ＿２ガスと共に７６０Ｔｏｒｒ以
下に減圧しかつ加熱された基板が載置された減圧気相成
長装置の反応炉内に導入してＢＰＳＧ膜を生成させるこ
とを特徴とする基板上の絶縁保護膜の生成法。 - （２）Ｓｉｃｌ＿４とＰｏｃｌ＿３の２成分混合体を原
料とし、これらとＯ＿２ガスによってＰＳＧ（リンケイ
酸ガラス）膜を半導体基板上に生成する場合に上記原料
を６０℃前後の恒温槽内の石英容器に収容して液体化し
、これをキャリアガスによって上記Ｏ＿２ガスと共に７
６０Ｔｏｒｒ以下に減圧しかつ加熱された基板が載置さ
れた減圧気相成長装置の反応炉内に導入してＰＳＧ膜を
生成させることを特徴とする基板上の絶縁保護膜の生成
法。 - （３）Ｓｉｃｌ＿４とＢｃｌ＿３の２成分混合体を原料
とし、これらとＯ＿２ガスによってＢＳＧ（ホウケイ酸
ガラス）膜を半導体基板上に生成する場合に上記原料を
６０℃前後の恒温槽内の石英容器に収容して液体化し、
これをキャリアガスによって上記Ｏ＿２ガスと共に７６
０Ｔｏｒｒ以下に減圧しかつ加熱された基板が載置され
た減圧気相成長装置の反応炉内に導入してＢＳＧ膜を生
成させることを特徴とする基板上の絶縁保護膜の生成法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8037386A JPS62237734A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 基板上の絶縁保護膜の生成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8037386A JPS62237734A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 基板上の絶縁保護膜の生成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62237734A true JPS62237734A (ja) | 1987-10-17 |
Family
ID=13716477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8037386A Pending JPS62237734A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 基板上の絶縁保護膜の生成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62237734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262356A (en) * | 1990-05-23 | 1993-11-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of treating a substrate wherein the flow rates of the treatment gases are equal |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP8037386A patent/JPS62237734A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262356A (en) * | 1990-05-23 | 1993-11-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of treating a substrate wherein the flow rates of the treatment gases are equal |
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