DE4328586A1 - Verfahren zur Regelung des Reaktionsgrades sowie Beschichtungsanlage - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff von Anspruch 1, eine Beschichtungsan­ lage nach demjenigen von Anspruch 6.

Bei der Herstellung von Schichten der angesprochenen Art mit einem plasmaunterstützten, reaktiven Abschei­ deverfahren, woran reaktives Kathodenzerstäuben min­ destens mitbeteiligt ist, ist es bekannt, den Reak­ tionsgrad γ zu regeln, sei dies auf einen konstanten Wert oder sei dies, im Sinne einer Führungsregelung, zum Erhalt eines Reaktionsgradprofiles entlang der Schichtdicke.

Bei solchen Regelverfahren ist mithin die Regelgröße das jeweilige Stöchiometrieverhältnis an der sich aufbauenden Schicht entsprechend dem genannten Ver­ hältnis γ.

Dabei ist es bekannt, die sog. "gemessene Regelgröße" die von der tatsächlichen Regelgröße abweicht und aus welch ersterer, aufgrund bekannter Gesetzmäßigkeiten, auf die letztere geschlossen wird, bei­ spielsweise mittels Plasmaemissionsmonitoren, mittels Quarzmikrowagen, Massenspektrometer etc. zu erfassen.

Als sog. Stellgröße wird dabei üblicherweise die Zerstäubungsrate der Kathodenzerstäubung gestellt, oder der Reaktivgasmassefluß in den Vakuumrezipien­ ten. Je nach beabsichtigtem Beschichtungsprozeß wird der Zerstäubungsprozeß mit DC, mit DC und überlager­ tem AC, oder mit reinem AC betrieben, wie beispiels­ weise beim Hf-Kathodenzerstäuben.

Es hat sich nun gezeigt, daß das obgenannte Vorgehen regelungstechnisch oft problematisch ist, u. a. auf­ grund von Instabilitäten der Regelung. Unter anderem kann dies darauf rückgeführt werden, daß beim ange­ sprochenen reaktiven Kathodenzerstäuben die regel­ technische Strecke mit der zerstäubten Kathode, dem Reaktionsprozeß auch ein zeitvariantes Regelsystem bildet. Dies, weil der Reaktionsprozeß auch die Oberfläche der zerstäubten Kathode und damit deren Verhalten als Regelstreckenglied beeinflußt. In die­ sem Zusammenhang sind ja die Phänomene der Targetver­ giftung mit isolierenden Schichten oder Inseln hin­ länglichst bekannt und Thema eines umfangreichen Schrifttums.

Die vorliegende Erfindung setzt sich zur Aufgabe, ein Regelverfahren eingangs genannter Art vorzuschlagen, welches wesentlich leichter während der ganzen Prozeßzeit zu stabilisieren ist.

Zu diesem Zweck zeichnet sich das erfindungsgemäße Verfahren nach dem kennzeichnenden Teil von Anspruch 1 aus.

Wie bereits erwähnt wurde, kann dabei der Kathodenzerstäubungsprozeß mit DC, DC + AC oder nur AC be­ trieben werden und es kann sich bei dem durch Katho­ denzerstäubung zerstäubten Feststoff um ein leitendes oder nichtleitendes Material bzw. ein Halbleitermate­ rial handeln. So kann beispielsweise erst durch den reaktiven Prozeß die Beschichtungsverbindung gebil­ det werden oder es kann bei Verwendung einer Zerstäu­ bungskathode (Target) aus der angestrebten Beschich­ tungsverbindung, durch Nachreagieren im Reaktions­ raum, eine Schicht derselben Verbindung mit durch Nachreagieren geänderter Stöchiometrie erzeugt wer­ den. Grundsätzlich werden alle Beschichtungsprozesse angesprochen, woran reaktives Kathodenzerstäuben be­ teiligt ist.

Dem Wortlaut von Anspruch 2 folgend kann der ver­ dampfte Feststoff selbst am Schichtaufbau beteiligt sein, oder daran nicht beteiligt sein, wobei im letzterwähnten Fall der verdampfte Feststoff ledig­ lich als "Reaktivgasverbraucher" eingesetzt wird, zur Verstellung des Reaktivgas-Partialdruckes und damit der durch das reaktive Zerstäuben, mit demselben Re­ aktivgas, gebildeten Schicht.

Dem Wortlaut von Anspruch 3 folgend werden dabei wei­ ter die Zerstäubungsrate und der Reaktivgaszufluß gesteuert, vorzugsweise dann mindestens nahezu je konstant, wenn die Schicht mit konstant bleibendem Reaktionsgrad aufgebaut werden soll oder entsprechend einem vorgegebenen zeitvariablen Verhältnis von Zer­ stäubungsrate und Reaktivgaszufluß, wenn die Schicht beherrscht mit einem variierenden Reaktionsgradprofil aufgebaut werden soll. In letzterwähntem Fall wird die Führungsgröße der Regelung für γ mitgeführt.

Das erfindungsgemäß vorgeschlagene Vorgehen ergibt den weiteren wesentlichen Vorteil, daß zur Erfassung der gemessenen Regelgröße nicht mehr äußerst ko­ stenaufwendige Geräte, wie Plasmaemissionsmonitoren, Mikrowagen etc. eingesetzt werden müssen, sondern daß, wie Anspruch 4 vorschlägt, als gemessene Regelgröße der Totaldruck im Vakuumrezipienten eingesetzt werden kann. Wenn der Totaldruck im Vakuumrezepienten bei gegebener Zerstäubungsrate und gegebenem Reaktiv­ gasmassezufluß abnimmt, heißt dies, daß das Ver­ hältnis γ zu groß wird, d. h. die sich im Aufbau be­ findende Schicht wird stöchiometrisch untersättigt, bezogen auf den momentan erwünschten Reaktionsgrad. Dies wird dann durch Erniedrigung der Verdampfungsra­ te in regelndem Sinne behoben.

Dem Wortlaut von Anspruch 5 folgend wird das Verdamp­ fen vorzugsweise durch Elektronenstrahlverdampfen oder Bogenentladungsverdampfen, z. B. durch Kathoden­ punktverdampfen, Niedervoltbogenverdampfen oder Hohl­ kathodenverdampfen realisiert. Als Kathodenzerstäubungsprozeß wird bevorzugterweise eine Magnetronzer­ stäubung eingesetzt.

Zur Lösung der eingangs gestellten Aufgabe zeichnet sich die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage nach dem kennzeichnenden Teil von Anspruch 6 aus, bevor­ zugte Ausführungsvarianten nach den Ansprüchen 7 bis 10.

Das erfindungsgemäße Vorgehen bzw. die erfindungsgemäße Beschichtungsanlage wurden erfolgreich für Io­ nenplattieren von Werkstücken eingesetzt.

Die Erfindung wird anschließend beispielsweise an­ hand von Figuren erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 ein Signalfluß/Funktionsblockdiagramm eines erfindungsgemäßen Regelverfahrens bzw. ei­ ner erfindungsgemäßen Anlage,

Fig. 2 schematisch ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anlage.

In Fig. 1 ist anhand eines Signalfluß/Funktions­ blockdiagrammes das erfindungsgemäße Regelverfahren bzw. eine erfindungsgemäße Anlage dargestellt.

In einem Vakuumrezipienten - in der Darstellung gemäß Fig. 1 gestrichelt angeordnet - ist eine Katho­ denzerstäubungsstation 1 vorgesehen, welche, je nach beabsichtigtem Zerstäubungsprozeß DC, AC oder AC + DC betrieben wird und bei welcher es sich bevorzug­ terweise um eine Magnetronquelle handelt.

An der Zerstäubungsquelle 1 wird, wie mit dem Steuer­ signal S(R_Z) dargestellt, die Zerstäubungsrate ange­ steuert. Mittels der Zerstäubungsquelle 1 wird ein Feststoff zerstäubt, welcher mindestens Teil der als Schicht abgelegten Verbindung F_xG_y ist. Aus der Zer­ stäubungsquelle 1 wird dem Reaktionsprozeß 7 im Va­ kuumrezipienten das zerstäubte Material mit der Zer­ stäubungsrate R_Z zugeführt. Aus einem Reaktivgastank wird das Reaktivgas bzw. -Gasgemisch G, wie mit dem Steuersignal S() dargestellt, mit vorgegebenem Mas­ sefluß _G dem Prozeß zugeführt.

Zusätzlich zum zerstäubten Material ist eine Verdamp­ fungsstation 5, nämlich ein Elektronenstrahlverdamp­ fer oder ein Bogenverdampfer, z. B. eine Lichtbogen- bzw. Kathodenpunkt-Verdampferstation, wie beispiels­ weise aus der EP-A 0 277 341 bekannt, eine Nieder­ voltbogen-Verdampferstation, wie beispielsweise aus der US-PS 4 448 802 grundsätzlich bekannt, eine Hohl­ kathoden-Verdampferstation, wie aus der US-A 3 562 141 bekannt, vorgesehen.

Es könnte auch eine Schiffchenverdampferstation ein­ gesetzt werden.

Wie aus Fig. 1 ersichtlich, ist Verdampfungsrate R_V an der Verdampferstation 5 durch ein Steuersignal S(R_V) steuerbar.

Bezüglich der verwendeten Elektronenstrahlverdampfer sei auf die DE-OS 39 21 040 verwiesen, welche diesbe­ züglich und bezüglich der Stellbarkeit der Verdamp­ fungsrate als integrierter Bestandteil der vorliegen­ den Beschreibung erklärt sei.

Das Material, welches an der Verdampferstation 5 ver­ dampft wird, ist vorzugsweise mindestens Teil der Komponente F der Beschichtungsverbindung, kann aber auch ein an der Verbindung F_xG_y nicht. beteiligtes Ma­ terial L sein.

Dem Reaktionsprozeß 7 wird, überlagert, sowohl das zerstäubte Material mit der Rate R_Z, wie auch das verdampfte Material mit der Rate R_V zugeführt.

Aus dem Reaktionsprozeß resultiert einerseits die Werkstückbeschichtung mit der Materialverbindung F_yG_y, wobei der Reaktionsgrad γ an der Schicht gege­ ben ist durch γ = x/y. Wenn als verdampftes Material ein nicht am Schichtaufbau beteiligtes Material L eingesetzt wird, resultiert weiter aus dem Reaktionsprozeß 7 die Verbindung L_nG_m. Wie strichpunktiert bei 9 in Fig. 1 dargestellt, wird in letzterwähntem Fall weitgehend verhindert, daß sich die zusätzliche Verbindung L_nG_m auf dem mit der Verbindung F_xG_y zu beschichtenden Werkstück ablegt.

In dem den Reaktionsprozeß 7 beinhaltenden Vakuumre­ zipienten wird ein Signal S(γ) erfaßt, welches eine eindeutige Funktion des Reaktionsgrades γ der abzule­ genden Schicht ist. Hierzu wird bevorzugterweise der Partialdruck des Gases oder Gasgemisches G im Reak­ tionsraum erfaßt oder, in noch bevorzugterer Weise, der Totaldruck im Reaktionsraum während des Beschich­ tungsprozesses. Die Messung des Totaldruckes ist mit Meßzellen möglich, die wesentlich kostengünstiger sind als Plasmaemissionsmonitoren oder Mikrowagen oder gar Massenspektrometer, welche gegebenenfalls auch zur Erfassung des Signals S(γ) gemäß Fig. 1 einsetzbar sind. Das erfaßte Signal S(γ) wird, gege­ benenfalls über eine Reglerstufe 11, an einer Diffe­ renzeinheit 13 mit einem Signal S_F verglichen, wel­ ches an einer Einstelleinheit 15, konstant oder zeit­ variabel, einstellbar ist. Das ausgangsseitig der Differenzeinheit 13 erscheinende Differenzsignal Δ wird dem Raten-Steuereingang der Verdampfereinheit 5 als Steuersignal S(R_V) zugeführt. Regeltechnisch prä­ sentiert sich das beschriebene Verfahren bzw. die be­ schriebene Regelung genähert wie folgt, wobei in Fig. 1 zusätzlich die üblichen Symbole für die regeltech­ nisch betrachteten Größen eingesetzt sind.

Die Führungsgröße W wird durch das Signal S_F aus­ gangsseitig der Stelleinheit 15 gebildet. Das Aus­ gangssignal der Differenzeinheit 13, Δ, ist die Re­ geldifferenz. Ausgangsseitig der Verdampfereinheit 5 wird die Zerstäubungsrate R_Z im Sinne einer Störgröße zugeführt. Regelgröße X ist der Reaktionsgrad γ, das gemessene Signal S(γ) ist die gemessene Regelgröße X_M.

Wie ohne weiteres ersichtlich, kann durch hohe Ver­ stärkung der durch die Verdampfereinheit 5 gebildeten regeltechnischen Strecke, d. h. durch ein hohes Ver­ hältnis von Verdampfungsratenänderung pro Änderung des Ratensteuersignals Δ erreicht werden, daß durch Schwankungen der Zerstäubungsrate R_Z und/oder des Gasmasseflußes bewirkte Reaktionsgrad Schwankungen optimal ausgeregelt werden. Zeitliche Änderungen am Verhalten der Zerstäubereinheit 1, wie beispielsweise durch Targetvergiftung, wirken sich auf den Regel­ kreis im wesentlichen nicht aus, weil die Zerstäuber­ einheiten nur im Sinne einer Störgrößenquelle in die Regelung eingreifen.

Da bekannterweise Verdampfer mit sehr hohen Verdamp­ fungsraten betrieben werden können und in diesem Sin­ ne zwischen Raten-Steuersignalen und Rate eine hohe Verstärkung besteht und weiter die Verdampferquelle weit weniger zeitvariant ist, indem sie weit weniger als die Zerstäuberquelle, prozeßbedingt, verändert wird, eignet sich die Verdampfereinheit 5 ausgezeich­ net, um erfindungsgemäß an einem Zerstäubungspro­ zeß-basierten Beschichtungsprozeß als Stellglied eingesetzt zu werden.

Soll eine Schicht F_xG_y mit gleichbleibendem, konstan­ tem Reaktionsgrad γ gelegt werden, so wird die Zer­ stäubereinheit 1 über das Steuersignal S(R_Z) zur Zer­ stäubung mit konstanter Rate R_Z angesteuert. Der Reaktivgasfluß _G wird ebenfalls, mit dem Signal S() konstant eingestellt. Der an der Einheit 15 vorgege­ bene Führungswert für die Regelgröße X = γ bzw. für die gemessene Regelgröße x_m wird ebenfalls während des Schichtaufbaus konstant gehalten.

Soll anderseits die Schicht mit einem vorgegebenen Profil des Reaktionsgrades γ aufgebaut werden, so wird die Zerstäubungsrate R_Z und der Reaktivgasmasse­ fluß _G zeitabhängig in vorgegebener Art und Weise variiert, mit der in Fig. 1 schematisch dargestellten γ-Profilsteuerung 17 und es wird entsprechend von der Einheit 17 die Führungsgröße W = S_F geführt. Auf­ grund der vorgesehenen Regelung wird dann der Reak­ tionsgrad γ an der sich aufbauenden Schicht regelnd geführt.

Gemäß Fig. 2 umfaßt eine erfindungsgemäße Anlage einen Vakuumrezipienten 20 mit einem Pumpanschluß 21, einem Werkstückhalter 23, der vorzugsweise, wie dargestellt, drehbar und elektrisch isoliert an der Wandung des Rezipienten 20 gelagert ist. Im weiteren ist im Vakuumrezipienten eine Gaseinlaßanordnung 25 vorgesehen, über steuerbare Ventile 27 mit Gasbehält­ nissen 29 sowohl für das Hintergrundgas, z. B. Ar, zum Betreiben der Plasmaentladung, wie auch für das Reak­ tivgas verbunden. Im Rezipienten 20 ist weiter eine Kathodenzerstäubungsquelle 31, vorzugsweise eine Ma­ gnetronquelle, vorgesehen. Die Magnetronquelle ist, wie schematisch dargestellt, je nach zu fahrendem Prozeß, DC oder AC oder AC und DC gespiesen. Bevor­ zugterweise ist die Wandung des Rezipienten auf Be­ zugspotential gelegt, vorzugsweise auf Massepotenti­ al, während die Werkstückhalterung 23 mit den Werk­ stücken 33, wiederum je nach durchzuführendem Prozeß, auf Masse gelegt ist oder auf ein Wechselspan­ nungs- oder Gleichspannungspotential oder auch auf ein zusammengesetztes Wechsel- und Gleichstrompoten­ tial.

Bei entsprechender Potentiallegung der Werkstücke 33 wird die dargestellte Anlage zur Ionenplattieranlage.

Nebst der Kathodenzerstäubungsquelle 31 ist eine Ver­ dampfungsquelle vorgesehen, in dem in Fig. 2 darge­ stellten Beispiel eine Elektronenstrahl-Verdampfungs­ quelle 35. Im weiteren ist im Rezipienten 20, als Aufnehmer für die gemessene Regelgröße, bevorzugter­ weise ein Totaldrucksensor 37 vorgesehen, dessen Aus­ gang auf eine Differenzeinheit 39 geschaltet ist, de­ ren zweitem Eingang, analog zu Fig. 1 fix einge­ stellt, oder wie im Zusammenhang mit Fig. 1 erläu­ tert, zeitvariabel von der Quelle 41, das Führungssi­ gnal S_F zugeführt wird. Das ausgangsseits von Diffe­ renzeinheit 39 erscheinende Regeldifferenzsignal Δ wird, gegebenenfalls über einen Regelverstärker 43, dem Raten-Steuereingang E_RV des Elektronenstrahlver­ dampfers 35 zugeführt.

Bezüglich Aufbau und Betrieb eines bevorzugterweise eingesetzten Elektronenstrahlverdampfers wird auf die DE-OS 39 21 040 verwiesen, die diesbezüglich als in­ tegrierter Bestandteil der vorliegenden Beschreibung erklärt wird. Während es durchaus möglich ist, die Verdampfungsrate am Elektronenstrahlverdampfer durch Änderung des Heizstromes an der Elektronenemissions­ kathode oder durch Veränderung der Wehnelt-Spannung zu ändern, hat insbesondere unter dem regelungstech­ nischen Aspekt das in der DE-OS 39 21 040 beschriebe­ ne Raten-Stellverfahren, bei dem man die Ausdehnung der Elektronenstrahl-Auftrefffläche auf dem zu ver­ dampfenden Material ansteuert, Vorteile.

Wie erwähnt wurde, kann anstelle des in Fig. 2 darge­ stellten Elektronenstrahlverdampfers ein Niedervolt- Bogenverdampfer, ein Hohlkathodenverdampfer oder ein Schiffchenverdampfer eingesetzt werden, oder, wie der Elektronenstrahlverdampfer bevorzugt, ein Lichtbogen­ verdampfer.

Soll an der Anlage gemäß Fig. 2 verhindert werden, daß das verdampfte Material nach Reaktion sich als Schichtanteil auf den Werkstücken 33 ablegt, so wird, wie bei 45 schematisch dargestellt, ein Schirm zwi­ schen Werkstückhalterung bzw. Werkstücken 33 und Ver­ dampfungsquelle 35 vorgesehen. Dann wirkt die Ver­ dampfungsquelle, wie bereits anhand von Fig. 1 erläu­ tert wurde, lediglich als Stellorgan im erwähnten Re­ gelkreis.

Beispiel 1

Zur Abscheidung von Titannitrid an einer prinzipiell, wie in Fig. 2 dargestellt aufgebauten Anlage mit Elektronenstrahlverdampfer, wurde die DC-Leistung der Titan-Zerstäubungsquelle konstant gehalten, ebenso der Massefluß pro Zeiteinheit eingelassenen Reaktiv­ gases N₂. Das Ausgangssignal eines Totaldruckmeßgerätes wurde zur Regelung der Elektronenstrahlverdamp­ ferleistung verwendet. Dazu wurde eine vom Totaldruck monoton und stetig abhängige Spannung ausgangsseitig des Totaldruckmeßgerätes mit einer SOLL-Spannung verglichen. War die Ausgangsspannung des Meßgerätes höher, höheren Druck als gefordert anzeigend, so wur­ de die Verdampferleistung erhöht. Verdampft wurde ebenfalls Titan. Durch Potentiallegung der Werkstücke wurde die Beschichtung durch Ionenplattierung vorge­ nommen. Durch Konstanthaltung der SOLL-Spannung als Führungsgröße wurde über den Schichtaufbau ein kon­ stanter Reaktionsgrad γ erreicht.

Beispiel 2

Durch Ionenplattieren wurde eine Beschichtung aus Ti­ tan-Wolfram-Nitrid erzeugt. Anstelle des Elektronen­ strahlverdampfers wurde ein Lichtbogenverdampfer, wie in der EP-A 0 277 341 beschrieben, eingesetzt. Mit­ tels des Lichtbogenverdampfers wurde Wolfram ver­ dampft, während die vorgesehenen zwei Magnetronzer­ stäubungsquellen mit Titantargets bestückt waren. Wiederum wurde die Zerstäubungsleistung der Kathoden­ zerstäubungsquellen konstant gehalten, ebenso der Massefluß eingelassenen Stickstoffes. Durch Verstel­ lung des Bogenstromes an Kathodenpunktverdampfer wur­ de dessen Verdampfungsrate regelnd gestellt. Zur Er­ zeugung von Gradienten des Reaktionsgrades γ über die sich aufbauende Schicht wurden Reaktivgasmassefluß und die Zerstäubungsleistungen der beiden Magnetron­ quellen variiert und gleichzeitig das Führungssignal, mit welchem das am Totaldruckmeßgerät abgegriffene Signal verglichen wurde, nachgeführt, entsprechend dem zeitlich variablen Reaktionsgrad γ. Zur Erzeugung von Gradienten der beiden schichtbeteiligten Metalle konnten weiter die Zerstäubungsleistungen der Zer­ stäubungsquellen mit Bezug auf diejenige der Verdamp­ fungsquelle verändert werden.

Claims (10)

1. Verfahren zur Regelung des Verhältnisses γ = x/y bei der Herstellung einer Schicht F_xG_y durch ein plas­ maunterstütztes reaktives Abscheideverfahren, bei dem mindestens ein Anteil des Feststoffes F in einer Va­ kuumatmosphäre mit dem Gas oder Gasgemisch G katho­ denzerstäubt wird und als Regelstellgröße der Parti­ aldruck des Gases bzw. des Gasgemisches G gestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Partialdruck durch Verändern der Rate eines in die Atmosphäre ver­ dampften, mit dem Gas bzw. dem Gasgemisch reagieren­ den Feststoffes gestellt wird.

2. Verfahren, vorzugsweise nach mindestens einem der Ansprüche, wie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß der verdampfte Feststoff mindestens ein An­ teil des am Schichtaufbau beteiligten Feststoffes (F) ist oder ein an der Schichtbildung nicht beteiligter Feststoff, und dann das Ablagern des Reaktionsproduk­ tes von verdampftem Feststoff und dem Gas bzw. dem Gasgemisch an der Schicht mindestens weitgehend ver­ hindert wird.

3. Verfahren, vorzugsweise nach mindestens einem der Ansprüche, wie nach einem der Ansprüche 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß die Zerstäubungsrate (R_Z) und der Reaktivgasfluß (m_G) in einen Reaktionsprozeßraum gesteuert werden, vorzugsweise mindestens nahezu je konstant oder entsprechend einem vorgegebe­ nen zeitlich variierenden Verhältnis und im letzter­ wähnten Fall die Führungsgröße (w) der Regelung mit­ geführt wird.

4. Verfahren, vorzugsweise nach mindestens einem der Ansprüche, wie nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß der Totaldruck der Prozeßatmosphäre als gemessene Regelgröße eingesetzt wird.

5. Verfahren, vorzugsweise nach mindestens einem der Ansprüche, wie nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da­ durch gekennzeichnet, daß der Feststoff durch Elek­ tronenstrahlverdampfen oder Bogenverdampfen, wie z. B. Kathodenpunktverdampfen, Niedervolt-Bogenverdampfen, Hohlkathodenverdampfen verdampft wird, und/oder daß als Zerstäubungsquelle mindestens eine Magnetronzer­ stäubungsquelle eingesetzt wird.

6. Beschichtungsanlage mit einem Vakuumrezipienten, mit mindestens einer Zerstäubungsquelle sowie mit ei­ ner Gaseinlaßanordnung, die mit mindestens einem Re­ aktivgastank verbunden ist zur plasmaunterstützten chemischen Abscheidungsbeschichtung von Werkstücken sowie mit einem Regelkreis für den Reaktionsgrad γ der Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich eine Verdampfungsquelle (35) vorgesehen ist, mit ei­ nem Ratenstelleingang (E_RV) und letzterer im Regel­ kreis als Stellereingang geschaltet ist.

7. Beschichtungsanlage, vorzugsweise nach mindestens einem der Ansprüche, wie nach Anspruch 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß mindestens ein Totaldruckmeßaufnehmer (37) im Rezipienten (20) vorgesehen ist, der im Regelkreis zur Registrierung der gemessenen Regelgröße (X_m) vorgesehen ist.

8. Beschichtungsanlage, vorzugsweise nach mindestens einem der Ansprüche, wie nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdamp­ fungsquelle (35) ein Elektronenstrahlverdampfer oder ein Bogenverdampfer, wie z. B. ein Niedervolt-Bogen­ verdampfer oder Hohlkathodenverdampfer ist, und/oder daß die mindestens eine Zerstäubungsquelle (31) eine Magnetronzerstäubungsquelle ist.

9. Beschichtungsanlage, vorzugsweise nach mindestens einem der Ansprüche, wie nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Verdamp­ fungsquelle (35) und einem Werkstückhalter (23) für Werkstücke (33) eine Abschirmung (45) vorgesehen ist.

10. Beschichtungsanlage, vorzugsweise nach mindestens einem der Ansprüche, wie nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Ionen­ plattieranlage ausgebildet ist und die Werkstücke, gesteuert, auf ein elektrisches Potential, welches von demjenigen einer Anode (20) für die Kathodenzer­ stäubung abweicht, gelegt sind.