JP2008202089A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ライン状の蒸着源から基板上に材料を成膜する成膜装置において、膜を構成する柱状構造体の延在方向を可変とすることで、膜の特性を任意に設定可能とする。
【解決手段】蒸着源からの材料を基板上に成膜する成膜装置であって、所定方向に基板１０Ａを搬送する基板搬送装置３０４と、上記基板１０Ａの搬送方向を含む平面と平行な基準面内において一方向に延在するライン状の蒸着源３０２と、上記蒸着源３０２を上記基準平面内において回転可能に支持する蒸着源回転装置３０３と、少なくとも上記基板搬送装置３０４及び上記蒸着源回転装３０３置を制御する制御装置３０８とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、成膜装置に関するものである。

投射型表示装置に搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置としては、例えば互いに対向配置された一対の基板間に液晶層が挟持された構成を具備し、これら基板の液晶層側にその液晶層に電圧を印加するための電極を具備してなるものがある。このような液晶装置においては、一対の基板の液晶層側最表面に、電圧無印加時における液晶分子の配列を制御するための配向膜が形成されており、電圧無印加時、電圧印加時における液晶分子の配列変化に基づいて表示が行われる構成となっている。

一般に、液晶装置の配向膜には、側鎖アルキル基を付加したポリイミド等からなる高分子膜の表面にラビング処理を施したものが用いられている。この配向膜は有機物であるため、液晶プロジェクタのように高出力光源を備えた機器に用いた場合には、光源から照射される強い光や熱によって配向膜がダメージを受け、配向不良を生じる場合がある。特にプロジェクタの小型化及び高輝度化を図った場合には、液晶装置に入射する単位面積当たりのエネルギーが増加し、入射光の吸収によりポリイミドそのものが分解し、また、光を吸収したことによる発熱で更にその分解が加速される。その結果、配向膜に多大なダメージが付加され、機器の表示特性を低下させてしまう。また、ラビング後には不要なキズ、発塵（ダスト）が生じ、表示特性、歩留まりに悪影響を与える。
特開平３−２１５８３２号公報 特開２０００−２２２８７３号公報

近年、配向膜のさらなる性能向上を実現するために、ライン状の蒸着源から材料を斜方蒸着する成膜装置にて配向膜を形成する方法が提案されている。
このライン状の蒸着源を備える成膜装置では、蒸着源の長手方向における材料の出射分布が均一であるため基板上における材料の成膜状態が均一化され、配向膜の特性が均一化されて性能が向上する。また配向規制力を付与するためのラビング処理を必要としないため、発塵による表示特性及び歩留まりへの悪影響を排除することができるため、配向膜の性能を向上させることができる。

ところで、斜方蒸着により形成される配向膜は、複数の柱状構造体から構成されている。そして、配向膜においては、柱状構造体の傾きによって液晶分子に付与されるプレチルト角が規定され、柱状構造体の延在方向によって配向規制方向が規定されることとなる。したがって、柱状構造体の形成状態を制御することによって配向膜の特性を変化させることができる。しかしながら、従来の成膜装置では、柱状構造体の延在方向を制御することができず、配向膜の特性の任意に変化させることができなかった。

本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、ライン状の蒸着源から基板上に材料を成膜する成膜装置において、膜を構成する柱状構造体の延在方向を可変とすることで、膜の特性を任意に設定可能とすることを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、蒸着源からの材料を基板上に成膜する成膜装置であって、所定方向に基板を搬送する基板搬送装置と、上記基板の搬送方向を含む平面と平行な基準面内において一方向に延在するライン状の蒸着源と、上記蒸着源を上記基準平面内において回転可能に支持する蒸着源回転装置と、少なくとも上記基板搬送装置及び上記蒸着源回転装置を制御する制御装置とを備えることを特徴とする。

このような特徴を有する本発明によれば、蒸着源回転装置によってライン状の蒸着源が、上記基板の搬送方向を含む平面と平行な基準面内において回転可能とされている。膜を構成する柱状構造体の延在方向は、材料の飛来方向に依存する。このため、ライン状の蒸着源を回転させて材料の飛来方向を任意に設定することによって、柱状構造体の延在方向を任意に設定することが可能となる。
したがって、本発明によれば、ライン状の蒸着源から基板上に材料を成膜する成膜装置において、膜を構成する柱状構造体の延在方向を可変とすることで、膜の特性を任意に設定することが可能となる。特に配向膜を形成する場合には、本発明によって、配向規制方向を任意に設定することが可能となる。

また、本発明においては、上記蒸着源と上記基板との間に配置され、かつ、上記蒸着源から飛来する材料のうち所定角度から飛来する材料のみを通過する開口部を有するマスクを備えるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、材料が所定角度で基板上に入射するため、柱状構造体の傾きを一様なものとすることができる。特に配向膜を形成する場合には、本構成によって、液晶分子に付与するプレチルト角を任意に設定することが可能となる。

また、本発明においては、上記マスクを上記基準平面と平行な面内において回転可能に支持すると共に上記制御装置によって制御されるマスク回転装置を備え、上記制御装置は、上記蒸着源回転装置と上記マスク回転装置とを同期させて駆動するという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、蒸着源の延在方向と、マスクに形成された開口部の延在方向とが常に一致するため、所望の所定角度で基板上に入射する材料を効率的に通過させることが可能となる。

また、本発明においては、上記蒸着源は、材料の射出方向を所定角度に規定する角度規定手段を備えるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、角度規定手段によって、蒸着源から射出される材料の角度が規定されるため、マスクを用いることなく材料が所定角度で基板上に入射させることができる。
そして、上記蒸着源回転装置が、上記蒸着源の延在方向と平行な回転軸を中心として傾動可能に支持するという構成をさらに採用することによって、柱状構造体の傾きを任意に設定することが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明に係る成膜装置の一実施形態について説明する。なお、以下の図面において、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。

（成膜装置の第１実施形態）
図１は、本実施形態の成膜装置Ｓ１の全体構成を概略的に示した概略構成図である。図２は、本実施形態の成膜装置の電気的な機能構成を示すブロック図である。
図１に示すように、成膜装置Ｓ１は、蒸着室３０１の底部に配設される蒸着源３０２と、該蒸着源３０２を回転可能に支持する蒸着源回転装置３０３と、蒸着室３０１の上部に配設される基板搬送装置３０４と、蒸着室３０１の中央部に配設されるマスク３０５と、マスク３０５を回転可能に支持するマスク回転装置３０６と、蒸着室３０１の外部に配設される真空ポンプ３０７と、蒸着源回転装置３０３、基板搬送装置３０４、マスク回転装置３０６及び真空ポンプ３０７を制御する制御装置３０８とを備えている。

蒸着源３０２は、基板１０Ａ上に形成される膜の材料となるものであり、図３の拡大図に示すように、水平面（基準面）内おいて延在するライン状に成形されている。そして、真空雰囲気に晒されることによって蒸着源３０２から材料が射出される。
蒸着源回転装置３０３は、制御装置３０８の制御の下で、蒸着源３０２を水平面内において回転するものであり、図３に示すように、蒸着源３０２を下方から支持している。この蒸着源回転装置３０３は、蒸着源３０２を回転するための駆動部と、蒸着源３０２の回転角度を検出するためのセンサとによって構成されている。

基板搬送装置３０４は、成膜面を下方に向けた状態にて基板１０Ａの支持するとともに、制御装置３０８の制御の下、水平面内の所定の一方向（図１の紙面左右方向）に基板１０Ａを搬送するものである。

マスク３０５は、蒸着源３０２と基板搬送装置３０４（基板１０Ａ）との間に配置されており、蒸着源３０２から飛来する材料のうち所定角度から飛来する材料のみを通過する開口部３０５ａを有している。開口部３０５ａは、蒸着源３０２の延在方向と平行して水平面内において延在する長方形状の開口であり、所定角度から飛来する材料のみを通過可能とするために、蒸着源３０２の斜め上方に位置されている。すなわち、図４に示すように、蒸着源３０２とマスク３０５の開口部３０５ａとは、平面視において基板１０Ａの搬送方向にずれて配置される。
マスク回転装置３０６は、制御装置３０８の制御の下で、マスク３０５を水平面内において回転するものであり、マスク３０５を下方から支持している。このマスク回転装置３０６は、マスク３０５を回転するための駆動部と、マスク３０５の回転角度を検出するためのセンサとによって構成されている。なお、マスク回転装置３０６は、図１に示すように、蒸着室３０１の略中央部に設置された支持板３０９上に設置されている。

真空ポンプ３０７は、蒸着室３０１と接続されており、制御装置３０８の制御の下で、蒸着室３０１内部の空気を外部に排気することによって蒸着室３０１の内部を真空雰囲気とするものである。

制御装置３０８は、成膜装置Ｓ１の動作全体を制御するものであり、図２に示すように、蒸着源回転装置３０３、基板搬送装置３０４、マスク回転装置３０６及び真空ポンプ３０７に電気的接続されている。

このような成膜装置Ｓ１においては、制御装置３０８が外部からの指令に基づいて、真空ポンプ３０７を駆動し、蒸着室３０１の内部を真空雰囲気とすることによって、蒸着源３０２から材料が射出され、マスク３０５の開口部３０５ａを介して基板１０Ａ上に材料が所定角度で入射することによって、基板１０Ａ上に膜が形成される。

本実施形態の成膜装置Ｓ１においては、マスク３０５の開口部３０５ａがライン状に形成された蒸着源３０２と平行に配置され、かつ、斜め上方に配置されているため、マスク３０５の開口部３０５ａを通過する材料の飛翔方向が略平行となり、かつ、通過量も均一化される。すなわち、開口部３０５ａを通過する材料の分布が均一化される。このため、基板１０Ａを基板搬送装置３０４にて均一な速度で搬送することによって、基板１０Ａの表面に均一な性質の膜を形成することが可能となる。

このようにして形成された膜Ｍは、図５に示すように複数の柱状構造体Ｍ１によって構成される。そして、膜Ｍが液晶分子を配向するための配向膜である場合には、柱状構造体Ｍ１の向く方向（延在する方向）が配向規制方向となり、柱状構造体Ｍ１と基板１０Ａの表面とが成す角度が配向膜によって液晶分子に付与されるプレチルト角となる。

柱状構造体Ｍ１の成長方向は、材料の飛翔方向となる。したがって、図４において蒸着源３０２の延在方向と開口部３０５ａの延在方向と直交する方向が柱状構造体Ｍ１の向く方向となる。よって、本実施形態の成膜装置Ｓ１において配向膜を形成する場合には、蒸着源３０２の延在方向と開口部３０５ａの延在方向と直交する方向が配向規制方向となる。

そして、本実施形態の成膜装置Ｓ１においては、蒸着源回転装置３０３によって、蒸着源３０２が水平面内において回転可能とされている。また、マスク回転装置３０６によって、マスク３０２が水平面内において回転可能とされている。そして、制御装置３０８の制御の下で、蒸着源３０２と開口部３０５ａとが平行となるように、蒸着源回転装置３０３及びマスク回転装置３０６が駆動される。
例えば、図６に示すように、蒸着源３０２及びマスク３０５とを平面視において左回りに３０°回転させる。本実施形態の成膜装置Ｓ１においては、上述のように、蒸着源３０２の延在方向と開口部３０５ａの延在方向と直交する方向が柱状構造体Ｍ１の向く方向となる。したがって、基板１０Ａ上には、基板１０Ａの搬送方向に対して平面視で左回りに３０°の方向を向いた柱状構造体Ｍ１からなる膜が形成される。つまり、本実施形態の成膜装置Ｓ１によって配向膜を形成する場合には、基板１０Ａの搬送方向に対して平面視で左回りに３０°の方向が配向規制方向となる配向膜を形成することができる。
一方、図７に示すように、蒸着源３０２及びマスク３０５とを平面視において右回りに３０°回転させる。本実施形態の成膜装置Ｓ１においては、上述のように、蒸着源３０２の延在方向と開口部３０５ａの延在方向と直交する方向が柱状構造体Ｍ１の向く方向となる。したがって、基板１０Ａ上には、基板１０Ａの搬送方向に対して平面視で右回りに３０°の方向を向いた柱状構造体Ｍ１からなる膜が形成される。つまり、本実施形態の成膜装置Ｓ１によって配向膜を形成する場合には、基板１０Ａの搬送方向に対して平面視で右回りに３０°の方向が配向規制方向となる配向膜を形成することができる。

このような本実施形態の成膜装置Ｓ１によれば、蒸着源回転装置３０３によってライン状の蒸着源３０２が、基板１０Ａの搬送方向を含む平面と平行な基準面（水平面）内において回転可能とされている。このため、ライン状の蒸着源３０２を回転させて材料の飛来方向を任意に設定することによって、柱状構造体Ｍ１の延在方向を任意に設定することが可能となる。
したがって、本実施形態の成膜装置Ｓ１によれば、ライン状の蒸着源３０２から基板１０Ａ上に材料を成膜する成膜装置において、膜を構成する柱状構造体の延在方向を可変とすることで、膜の特性を任意に設定することが可能となる。特に配向膜を形成する場合には、本実施形態の成膜装置Ｓ１によって、配向規制方向を任意に設定することが可能となる。

また、本実施形態の成膜装置Ｓ１によれば、蒸着源３０２と基板１０Ａとの間に配置され、かつ、蒸着源３０２から飛来する材料のうち所定角度から飛来する材料のみを通過する開口部３０５ａを有するマスク３０５を備えている。
このようなマスク３０５によって、材料が所定角度で基板１０Ａ上に入射するため、柱状構造体Ｍ１の基板１０Ａの表面に対する傾きを一様なものとすることができる。特に配向膜を形成する場合には、マスク３０５によって、液晶分子に付与するプレチルト角を任意に設定することが可能となる。

次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本第２実施形態の説明において、上記第１実施形態と同様の部分については、その説明を省略あるいは簡略化する。

（成膜装置の第２実施形態）
図８は、本実施形態の成膜装置Ｓ２の全体構成を概略的に示した概略構成図である。この図に示すように、本実施形態の成膜装置Ｓ２は、上記第１実施形態の成膜装置Ｓ１が備えたマスク３０５を備えておらず、替わりに、蒸着源３０２が材料の射出方向を所定角度に規定する規制板３１０（角度規定手段）を備えている。

規制板３１０は、蒸着源３０２を挟むようにして一対配置されており、各規制板３１０が蒸着源３０２の長手方向に沿って設けられている。このような規制板３１０を設置することによって、蒸着源３０２の短手方向への材料の拡がりが規制され、これによって材料の射出方向が規定される。したがって、基板１０Ａと該基板１０Ａに入射する材料の角度を任意に設定することができる。

また、規制板３１０の外面側にはランプヒータ（図示せず）等の加熱手段が設けられていて、これにより規制板３１０の少なくとも内面側が加熱される。これにより、蒸着物が衝突した際に、蒸着物が規制板３１０の内面（加熱面）に付着することなく反射されるようになる。

そして、本実施形態の成膜装置Ｓ２においても、上記第１実施形態の成膜装置Ｓ１と同様に、蒸着源３０２を水面内にて回転可能に支持する蒸着源回転装置３０３を備えている。このため、膜を構成する柱状構造体の延在方向を可変とすることで、膜の特性を任意に設定することが可能となる。特に配向膜を形成する場合には、本実施形態の成膜装置Ｓ１によって、配向規制方向を任意に設定することが可能となる。

また、本実施形態の成膜装置Ｓ２においては、蒸着源回転装置３０３にて、蒸着源３０２を延在方向と平行な回転軸を中心として傾動可能とする構成を採用しても良い。このような構成を採用することによって、蒸着源３０２からの材料の射出方向をより柔軟に設定することができるため、柱状構造体Ｍ１の傾きをより柔軟に設定することが可能となる。

（液晶装置）
次に、上記実施形態にて説明した成膜装置にて形成された配向膜を有する液晶装置について説明する。
以下に示す液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置である。

図９は本実施形態の透過型液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図１０はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。図１１は本実施形態の透過型液晶装置について素子領域の断面図であって、図１０のＡ−Ａ’線断面図である。また、図１２は本実施形態の透過型液晶装置について複数の画素領域を模式的に示す断面図である。なお、図１１及び図１２においては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。

本実施形態の透過型液晶装置において、図９に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。

また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。

次に、図１０に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の平面構造について説明する。図１０に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）が複数、マトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態において、各画素電極９及び各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。

データ線６ａは、ＴＦＴ素子３０を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。

容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図１０中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。

次に、図１１及び図１２に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の断面構造について説明する。なお、図１２ではスイッチング素子等の一部の構成要素を図面の視認性を考慮して省略してある。図１１及び図１２に示すように、本実施形態の透過型液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。

ＴＦＴアレイ基板１０は、石英等の透光性材料からなる基板１０Ａとその液晶層５０側表面に形成された画素電極９、配向膜４０を主体として構成されており、対向基板２０はガラスや石英等の透光性材料からなる基板２０Ａとその液晶層５０側表面に形成された共通電極２１と配向膜６０とを主体として構成されている。また、図１１に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０において、基板１０Ａの液晶層５０側表面には画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。

画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

また、上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む基板１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上及び第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。

また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。

ＴＦＴアレイ基板１０の基板１０Ａの液晶層５０側表面において、各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が形成された領域には、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース、ドレイン領域１ｂ、１ｃに入射することを防止するための第１遮光膜１１ａが設けられている。また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。さらに、図１０に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち、画素電極９及び第３層間絶縁膜７上には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜４０が形成されている。この配向膜４０は、上記実施形態の成膜装置を用いて形成されたものである。

他方、対向基板２０には、基板２０Ａの液晶層５０側表面であって、データ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に、入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するための第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３が形成された基板２０Ａの液晶層５０側には、その略全面に渡って、ＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成され、その液晶層５０側には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜６０が形成されている。この配向膜６０も、上記実施形態の成膜装置により形成されたものである。

そして、上記液晶装置１００では、配向膜４０及び配向膜６０が上記実施形態の成膜装置にて形成されている。上記実施形態の成膜装置によれば、任意の特性を有する配向膜４０及び配向膜６０を容易に形成することができるため、短時間で容易に配向膜４０及び配向膜６０を形成することができる。したがって、廉価な液晶装置１００を製造することができる。よって、本実施形態の液晶装置１００は廉価なものとなる。

なお、上記実施形態の成膜装置にて、配向膜を有したＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を作成し、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール剤を介して貼り合わせ、さらにシール剤に形成した液晶注入口から液晶を注入して液晶パネルとした後、所定の配線を接続することにより、上述した液晶装置が製造される。

（投射型表示装置）
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置（プロジェクタ）の構成について、図１３を参照して説明する。図１３は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図１３において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投写レンズを示す。

光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。

一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。

各光変調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。

なお、本発明の技術的範囲は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、前述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、上記実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、上記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、上記実施形態ではＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態では３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。

また、本発明の液晶装置の製造方法によって製造せれた液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。

本発明の第１実施形態である成膜装置の全体構成を概略的に示した概略構成図である。 本発明の第１実施形態である成膜装置の電気的な機能構成を示すブロック図である。 本発明の第１実施形態である成膜装置が備える蒸着源を拡大した拡大図である。 本発明の第１実施形態である成膜装置が備える蒸着源とマスクの開口部との位置関係を説明するための模式図である。 本発明の第１実施形態である成膜装置によって形成される膜の拡大断面図である。 本発明の第１実施形態である成膜装置の動作を説明するための模式図である。 本発明の第１実施形態である成膜装置の動作を説明するための模式図である。 本発明の第２実施形態である成膜装置の全体構成を概略的に示した概略構成図である。 本発明の一実施形態である成膜装置にて配向膜が形成された液晶装置における等価回路を示す図である。 本発明の一実施形態である成膜装置にて配向膜が形成された液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板の相隣接する画素群の構造を示す図である。 本発明の一実施形態である成膜装置にて配向膜が形成された液晶装置の素子構造を示す図である。 本発明の一実施形態である成膜装置にて配向膜が形成された液晶装置が備える画素領域の構成を模式的に示す図である。 図９〜図１２に示す液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。

符号の説明

Ｓ１，Ｓ２……成膜装置、３０２……蒸着源、３０３……蒸着源回転装置、３０４……基板搬送装置、３０５……マスク、３０５ａ……開口部、３０６……マスク回転装置、３０７……真空ポンプ、３０８……制御装置

Claims (5)

1. 蒸着源からの材料を基板上に成膜する成膜装置であって、
   所定方向に基板を搬送する基板搬送装置と、
   前記基板の搬送方向を含む平面と平行な基準面内において一方向に延在するライン状の蒸着源と、
   前記蒸着源を前記基準平面内において回転可能に支持する蒸着源回転装置と、
   少なくとも前記基板搬送装置及び前記蒸着源回転装置を制御する制御装置と
   を備えることを特徴とする成膜装置。
2. 前記蒸着源と前記基板との間に配置され、かつ、前記蒸着源から飛来する材料のうち所定角度から飛来する材料のみを通過する開口部を有するマスクを備えることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 前記マスクを前記基準平面と平行な面内において回転可能に支持すると共に前記制御装置によって制御されるマスク回転装置を備え、
   前記制御装置は、前記蒸着源回転装置と前記マスク回転装置とを同期させて駆動することを特徴とする請求項２記載の成膜装置。
4. 前記蒸着源は、材料の射出方向を所定角度に規定する角度規定手段を備えることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
5. 前記蒸着源回転装置は、前記蒸着源の延在方向と平行な回転軸を中心として傾動可能に支持することを特徴とする請求項４記載の成膜装置。

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