JP2007225663A - 液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極に起因する不具合を防止して、信頼性の高いものを得る、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び該液晶装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】液晶層50と、液晶層50を挟持する一対の基板10,20と、一対の基板10,20における液晶層50側にそれぞれ配置された一対の電極9,21と、を備えた液晶装置の製造方法である。化学的気相法により、一対の電極9,21の少なくとも一方が覆われるように基板表面に被覆膜41,61を形成する。そして、被覆膜41,61上に無機材料からなる配向膜40,60を形成する。
【選択図】図4
【解決手段】液晶層50と、液晶層50を挟持する一対の基板10,20と、一対の基板10,20における液晶層50側にそれぞれ配置された一対の電極9,21と、を備えた液晶装置の製造方法である。化学的気相法により、一対の電極9,21の少なくとも一方が覆われるように基板表面に被覆膜41,61を形成する。そして、被覆膜41,61上に無機材料からなる配向膜40,60を形成する。
【選択図】図4
Description
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置に搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置され、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板を主体として構成されたものである。また、液晶装置を構成する一対の基板の液晶層側には、各々、電圧無印加時における液晶分子の配列を制御する配向膜が形成されて、電界無印加時における液晶分子の配向状態を規制することが可能となっている。
このような配向膜としては、一般にポリイミドなどの配向性高分子などからなり、表面にラビング処理を施されたものが用いられている。
しかしながら、上記配向性高分子からなる配向膜は、例えば液晶プロジェクタの光変調手段として用いた場合、光源からの強い光や熱によって劣化する。配向膜が劣化すると液晶分子の配向規制力が低下し、液晶分子の配向状態が乱れて液晶装置の表示品質が低下してしまう。そのため、近年では、耐光性、及び耐熱性のある、例えば酸化珪素(SiO2)等の無機材料からなる無機配向膜が用いられている。このような無機配向膜は、一般的には斜方蒸着法を用いて形成されることから、蒸着方向に傾いた柱状構造を有している。
しかしながら、上記配向性高分子からなる配向膜は、例えば液晶プロジェクタの光変調手段として用いた場合、光源からの強い光や熱によって劣化する。配向膜が劣化すると液晶分子の配向規制力が低下し、液晶分子の配向状態が乱れて液晶装置の表示品質が低下してしまう。そのため、近年では、耐光性、及び耐熱性のある、例えば酸化珪素(SiO2)等の無機材料からなる無機配向膜が用いられている。このような無機配向膜は、一般的には斜方蒸着法を用いて形成されることから、蒸着方向に傾いた柱状構造を有している。
ところで、一般に液晶装置を駆動すると、パネル内部の熱等により液晶層に電圧を印加する電極から金属元素や金属イオン等が液晶層側に拡散して不純物となる。特に、無機配向膜は上述したように柱状構造を有していることから隙間が多く、前記不純物が無機配向膜中を通り抜けて液晶層中に拡散する。このように液晶層中に不純物が拡散すると、液晶層が劣化し液晶装置の表示品質が低下してしまう。
そこで、電極上に物理的蒸着法により垂直蒸着膜を形成し、該垂直蒸着膜上に斜方蒸着によって形成した無機配向膜を形成することで、該垂直蒸着膜により電極から発生した不純物の液晶層への拡散の防止を図る技術がある(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−77901号公報
しかしながら、物理的蒸着法によって形成された上記垂直配向膜は、電極から発生した不純物の液晶層側への拡散を十分に防止できる程の緻密性を備えていない。よって、無機配向膜を通って不純物が液晶層中に拡散してしまい、液晶の劣化が生じて液晶装置の信頼性が低下するという問題があった。一方、無機配向膜を厚膜化することで液晶層への不純物の拡散を防止することも考えられるが、無機配向膜の厚みが増すと無機配向膜に含まれるキャリア(電子、ホール等)も増加してしまうため、電圧印加時に液晶層にキャリアが多く注入されてしまい、結果的に液晶装置の信頼性の低下を招くおそれもある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、電極に起因する不具合を防止して、信頼性の高いものを得る、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び該液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
本発明の液晶装置の製造方法は、液晶層と、該液晶層を挟持する一対の基板と、該一対の基板における前記液晶層側にそれぞれ配置された一対の電極と、を備えた液晶装置の製造方法において、化学的気相法により、前記一対の電極の少なくとも一方が覆われるように前記基板表面に被覆膜を形成する工程と、該被覆膜上に無機材料からなる配向膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
本発明の液晶装置の製造方法によれば、少なくとも一方の電極を覆う被覆膜が化学的気相法により形成されているので、該被覆膜は緻密性の高いものとなる。そして、前記電極と液晶層とが被覆膜を介して接触した状態となるので、前記電極から発生する金属元素や金属イオン等の不純物は前記被覆膜によって遮られ、液晶層側に拡散するのが防止される。被覆膜は緻密性が高いために厚みを薄くでき、液晶装置の透過率、及びコントラスト比を低下させることがない。また、不純物の拡散を緻密性の高い被覆膜のみで防止できるので、配向膜を薄くすることができ、予め配向膜中に含まれたキャリア(電子、ホール)が少なくなって、これにより、前記電極に電圧を印加した際に液晶層に注入されるキャリア量を低減できる。また、上記被覆膜は緻密性が高いことから絶縁膜として採用することもでき、この場合に電極側から液晶層側への電子注入を抑制することができる。さらに、電極が上記被覆膜に覆われているので、液晶層と電極とが直接接触することがないので、前記電極上で光触媒反応の発生を防止し、該光触媒反応に起因する液晶層の劣化を防止できる。したがって、電極に起因する不具合が防止することにより、信頼性の高い液晶装置を提供することができる。
また、上記液晶装置の製造方法においては、化学的気相法により異なる材料を積層することにより、前記被覆膜を形成するのが好ましい。
ここで、単一材料からなる被覆膜の膜厚が光の波長(400nm)に近づくと、液晶装置に入射した光が被覆膜内で反射されて、液晶装置における透過率、及びコントラスト比が低下してしまう。そこで、本発明を採用すれば、光の波長よりも膜厚が小さく、互いの屈折率が異なる層を積層することで被覆膜を形成できるので、被覆膜全体としての膜厚が光の波長に近い場合でも、各層内での光の反射を防止し、液晶装置における透過率、及びコントラスト比の低下が防止されたものとなる。
ここで、単一材料からなる被覆膜の膜厚が光の波長(400nm)に近づくと、液晶装置に入射した光が被覆膜内で反射されて、液晶装置における透過率、及びコントラスト比が低下してしまう。そこで、本発明を採用すれば、光の波長よりも膜厚が小さく、互いの屈折率が異なる層を積層することで被覆膜を形成できるので、被覆膜全体としての膜厚が光の波長に近い場合でも、各層内での光の反射を防止し、液晶装置における透過率、及びコントラスト比の低下が防止されたものとなる。
また、上記液晶装置の製造方法においては、無機材料を斜方蒸着することで前記配向膜を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置の製造方法。
このようにすれば、ラビング処理等を行うことなく、配向膜によって液晶分子にプレチルト角を良好に付与することが可能となる。また、配向膜が無機材料から構成されたものとなるので、耐熱性及び耐光性を備えたものとなり、この配向膜を備えた液晶装置をプロジェクタの光変調素子として好適に採用することができる。
また、上記液晶装置の製造方法においては、前記被覆膜を珪素酸化物を用いて形成するのが好ましい。
このようにすれば、被覆膜と基板上に形成された電極との密着性を向上させることができる。
このようにすれば、被覆膜と基板上に形成された電極との密着性を向上させることができる。
本発明の液晶装置は、液晶層と、該液晶層を挟持する一対の基板と、該一対の基板における前記液晶層側にそれぞれ配置された一対の電極と、を備えた液晶装置において、前記一対の電極の少なくとも一方が、化学的気相法により形成された被覆膜により覆われ、該被覆膜上には無機材料からなる配向膜が形成されていることを特徴とする。
本発明の液晶装置によれば、少なくとも一方の電極を覆う被覆膜が化学的気層法により形成されているので、該被覆膜は緻密性の高いものとなる。そして、前記電極と液晶層とが被覆膜を介して接触した状態となるので、前記電極から発生する金属元素や金属イオン等の不純物は前記被覆膜によって遮られ、液晶層側に拡散するのが防止される。また、被覆膜は緻密性が高いために厚みを薄くでき、液晶装置の透過率、及びコントラスト比を低下させることはない。また、不純物の拡散を緻密性の高い被覆膜のみで防止できるので、配向膜を薄くすることができ、予め配向膜中に含まれたキャリア(電子、ホール)が少なくなって、これにより、前記電極に電圧を印加した際に液晶層に注入されるキャリア量を低減できる。また、上記被覆膜は緻密性が高いことから絶縁膜として採用することもでき、この場合に電極側から液晶層側への電子注入を抑制することができる。さらに、上記被覆膜に電極が覆われているので、液晶層と電極とが直接接触することがなくなり、前記電極上で光触媒反応の発生を防止し、該光触媒反応に起因する液晶層の劣化が防止されたものとなる。したがって、電極に起因する不具合が防止された信頼性の高い液晶装置となる。
本発明の電子機器は、上記液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
本発明の電子機器によれば、上述したような液晶層への不純物の拡散、電子注入、光触媒反応に起因する不具合が防止された液晶装置を備えているので、電子機器自体も信頼性の高いものとなる。
次に、本発明に係る実施形態について詳細に説明する。なお、各実施形態においては、図面を参照しながら説明するが、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
(液晶装置の概略構成)
以下に、図1〜図5に基づいてスイッチング素子としてTFT(Thin-Film Transistor)素子を用いた、垂直配向モードのアクティブマトリクス型の透過型液晶装置を例として、本発明の一実施形態に係る液晶装置の構造について説明する。
以下に、図1〜図5に基づいてスイッチング素子としてTFT(Thin-Film Transistor)素子を用いた、垂直配向モードのアクティブマトリクス型の透過型液晶装置を例として、本発明の一実施形態に係る液晶装置の構造について説明する。
図1は、本発明の液晶装置の製造方法により製造された液晶装置を示す図である。図1(a)は、同液晶装置の平面構成図、(b)は(a)図のH−H’線に沿う断面構成図である。図2は本実施形態の液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図3はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。図4は本実施形態の液晶装置の構造を示す断面図であって、図2のA−A’線断面図である。
図1(a)及び図1(b)に示すように、本実施形態の液晶装置100は、TFTアレイ基板10と、対向基板20とが平面視略矩形枠状のシール材52を介して貼り合わされ、このシール材52に囲まれた領域内に液晶層50を封入してなる構成を備えている。シール材52内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り53が形成され、この周辺見切りの内側の領域が画像表示領域10aとなっている。シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路101及び外部回路実装端子102がTFTアレイ基板10の1辺(図示下辺)に沿って形成されており、この1辺に隣接する2辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路104,104が形成されて周辺回路を構成している。
TFTアレイ基板10の残る1辺(図示上辺)には、画像表示領域10aの両側の走査線駆動回路104,104間を接続する複数の配線105が設けられている。また、対向基板20の各角部においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間の電気的導通をとるための基板間導通材106が配設されている。本実施形態の液晶装置100は、透過型の液晶装置として構成され、TFTアレイ基板10側に配置された光源(図示略)からの光を変調し、対向基板20側から表示光として射出するようになっている。
図1(b)に示すように、TFTアレイ基板10の内面側(液晶層側)に、複数の画素電極9が配列形成されており、これら画素電極9を覆うように配向膜40が形成されている。対向基板20の内面側には、周辺見切り53及び遮光膜23が形成され、その上に平面ベタ状の対向電極21が形成されている。そして、対向電極21を覆うように配向膜60が形成されている。
なお、上記TFTアレイ基板10及び対向基板20の内面側にそれぞれ設けられた配向膜40,60は、後述するように無機材料を斜方蒸着することで形成されたもので、前記配向膜40,60の下には化学的気相法により形成された被覆膜が形成されている。
本実施形態の液晶装置において、図2に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極9と当該画素電極9を制御するためのスイッチング素子であるTFT素子30がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT素子30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線6aに対してグループ毎に供給される。
また、走査線3aがTFT素子30のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線3aに対して走査信号G1、G2、…、Gmが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極9はTFT素子30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT素子30を一定期間だけオンすることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。
画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、後述する対向電極21との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極9と対向電極21との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。
(平面構造)
次に、図3に基づいて、本実施形態の液晶装置100の平面構造について説明する。
図3に示すように、TFTアレイ基板上に、インジウム錫酸化物(以下、「ITO」と略す。)等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極9(点線部9Aにより輪郭を示す)が複数、マトリクス状に設けられており、画素電極9の縦横の境界に各々沿ってデータ線6a、走査線3a及び容量線3bが設けられている。本実施形態において、各画素電極9及び各画素電極9を囲むように配設されたデータ線6a、走査線3a、容量線3b等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。
次に、図3に基づいて、本実施形態の液晶装置100の平面構造について説明する。
図3に示すように、TFTアレイ基板上に、インジウム錫酸化物(以下、「ITO」と略す。)等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極9(点線部9Aにより輪郭を示す)が複数、マトリクス状に設けられており、画素電極9の縦横の境界に各々沿ってデータ線6a、走査線3a及び容量線3bが設けられている。本実施形態において、各画素電極9及び各画素電極9を囲むように配設されたデータ線6a、走査線3a、容量線3b等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。
データ線6aは、TFT素子30を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層1aのうち、後述のソース領域にコンタクトホール5を介して電気的に接続されており、画素電極9は、半導体層1aのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール8を介して電気的に接続されている。また、半導体層1aのうち、後述のチャネル領域(図中左上がりの斜線の領域)に対向するように走査線3aが配置されており、走査線3aはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
容量線3bは、走査線3aに沿って略直線状に伸びる本線部(すなわち、平面的に見て、走査線3aに沿って形成された第1領域)と、データ線6aと交差する箇所からデータ線6aに沿って前段側(図中上向き)に突出した突出部(すなわち、平面的に見て、データ線6aに沿って延設された第2領域)とを有する。
そして、図3中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第1遮光膜11aが設けられている。
そして、図3中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第1遮光膜11aが設けられている。
より具体的には、第1遮光膜11aは、各々、半導体層1aのチャネル領域を含むTFT素子30をTFTアレイ基板側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線3bの本線部に対向して走査線3aに沿って直線状に伸びる本線部と、データ線6aと交差する箇所からデータ線6aに沿って隣接する後段側(すなわち、図中下向き)に突出した突出部とを有する。第1遮光膜11aの各段(画素行)における下向きの突出部の先端は、データ線6a下において次段における容量線3bの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、第1遮光膜11aと容量線3bとを相互に電気的に接続するコンタクトホール13が設けられている。すなわち、本実施形態では、第1遮光膜11aは、コンタクトホール13により前段あるいは後段の容量線3bに電気的に接続されている。
(断面構造)
次に、図4に基づいて、本実施形態の液晶装置の断面構造について説明する。図4に示すように、本実施形態の液晶装置においては、TFTアレイ基板10と、これに対向配置される対向基板20との間に液晶層50が挟持されている。TFTアレイ基板10は、石英等の透光性材料からなる基板本体10Aとその液晶層50側表面に形成された画素電極9、TFT素子30、配向膜40を主体として構成されており、対向基板20はガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体20Aとその液晶層50側表面に形成された対向電極21と配向膜60とを主体として構成されている。
次に、図4に基づいて、本実施形態の液晶装置の断面構造について説明する。図4に示すように、本実施形態の液晶装置においては、TFTアレイ基板10と、これに対向配置される対向基板20との間に液晶層50が挟持されている。TFTアレイ基板10は、石英等の透光性材料からなる基板本体10Aとその液晶層50側表面に形成された画素電極9、TFT素子30、配向膜40を主体として構成されており、対向基板20はガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体20Aとその液晶層50側表面に形成された対向電極21と配向膜60とを主体として構成されている。
より詳細には、TFTアレイ基板10において、基板本体10Aの液晶層50側表面には画素電極9が設けられ、各画素電極9に隣接する位置に、各画素電極9をスイッチング制御する画素スイッチング用TFT素子30が設けられている。
画素スイッチング用TFT素子30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走査線3a、当該走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜2、データ線6a、半導体層1aの低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eを備えている。
画素スイッチング用TFT素子30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走査線3a、当該走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜2、データ線6a、半導体層1aの低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eを備えている。
また、上記走査線3a上、ゲート絶縁膜2上を含む基板本体10A上には、高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール5、及び高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール8が開孔した第2層間絶縁膜4が形成されている。つまり、データ線6aは、第2層間絶縁膜4を貫通するコンタクトホール5を介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続されている。さらに、データ線6a上及び第2層間絶縁膜4上には、高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール8が開孔した第3層間絶縁膜7が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域1eは、第2層間絶縁膜4及び第3層間絶縁膜7を貫通するコンタクトホール8を介して画素電極9に電気的に接続されている。
また、本実施形態では、ゲート絶縁膜2を走査線3aに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜1aを延設して第1蓄積容量電極1fとし、更にこれらに対向する容量線3bの一部を第2蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量70が構成されている。
また、TFTアレイ基板10の基板本体10Aの液晶層50側表面において、各画素スイッチング用TFT素子30が形成された領域には、TFTアレイ基板10を透過し、TFTアレイ基板10の図示下面(TFTアレイ基板10と空気との界面)で反射されて、液晶層50側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層1aのチャネル領域1a’及び低濃度ソース、ドレイン領域(LDD領域)1b、1cに入射することを防止するための第1遮光膜11aが設けられている。また、第1遮光膜11aと画素スイッチング用TFT素子30との間には、画素スイッチング用TFT素子30を構成する半導体層1aを第1遮光膜11aから電気的に絶縁するための第1層間絶縁膜12が形成されている。また、図3に示したように、TFTアレイ基板10に第1遮光膜11aを設けるのに加えて、コンタクトホール13を介して第1遮光膜11aは、前段あるいは後段の容量線3bに電気的に接続するように構成されている。
また、TFTアレイ基板10の液晶層50側最表面には、画素電極9及び該画素電極9が形成されていない領域の第3層間絶縁膜7を覆うように、電圧無印加時における液晶層50内の液晶分子の配向を制御するための配向膜40が形成されている。
本実施形態においては、前記配向膜40は、SiO2やSiO等の珪素酸化物、又はAl2O3、ZnO、MgOやITO等の金属酸化物等からなり、その厚さが0.02〜0.3μm(好ましくは、0.02〜0.08μm)程度に形成されたものである。本実施形態では、SiO2を主とする珪素酸化物を、従来公知の斜方蒸着することにより配向膜40が形成されたものとなっている。なお、前記配向膜40の製造には、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法を採用することも可能である。
また、前記配向膜40は、図5に示すように無数の柱状構造物40aから構成され、柱状構造物40aの一部は隣接する柱状構造物との間に間隙を有して形成されている。また、これらの柱状構造物40aは後述するように斜方蒸着法によって形成されるため、柱状構造物40aのそれぞれは基板本体10Aの面に対し所定の傾斜角度θで配列されている。これにより、配向膜40上に配置される液晶の配向制御を行うことができるようになっている。
そして、前記配向膜40の直下、すなわち、画素電極9及び第3層間絶縁膜7と配向膜40との間には、少なくとも前記画素電極9を覆うようにして被覆膜41が形成されている。なお、上述したように配向膜40は柱状構造物を多数具備して構成されていて、隣接する柱状構造物間に空隙を有したものとなっている。これに対して、被覆膜41はSiOX(ただし、xは1以上の整数)等の珪素酸化物を主体として構成されるもので、後述するように化学的気相法を用いることにより形成されている。本実施形態では、前記被覆膜41は、SiO2から構成されたものである。なお、前記珪素酸化物にB(ボロン)、P(リン)、C(カーボン)、及びN(窒素)等を添加したものを用いてもよい。
ここで、化学的気相法としては、熱CVD法、プラズマCVD法、cat−CVD法、MOCVD法、LP−CVD法等が挙げられる。
ここで、化学的気相法としては、熱CVD法、プラズマCVD法、cat−CVD法、MOCVD法、LP−CVD法等が挙げられる。
そして、被覆膜41は、前記画素電極9から発生した金属元素や金属イオン等の不純物が液晶層50側に拡散するのを防止する機能を発揮するもので、前記配向膜40と比較して空隙のない非常に緻密性の高い膜から構成されたものとなっている。
ここで、一般に、従来の液晶装置は時間の経過とともに、パネル内部の熱等により画素電極から発生した金属元素や金属イオン等の不純物が発生して、液晶層に拡散してしまう。特に金属イオンが液晶層に拡散すると、金属イオンによって液晶層が破壊されて液晶装置の表示特性が低下し、信頼性が低下するといった問題が起こっていた。また、画素電極側から液晶層中に電子が注入されたり、液晶層とITOからなる画素電極とが接触することで前記画素電極上で生じた光触媒反応により、液晶層が劣化して液晶装置の表示特性、及び信頼性を低下させていた。
そこで、本実施形態に係る構造を採用すれば、前記画素電極9と液晶層50とが被覆膜41を介して接触した状態となっているので、この被覆膜41により画素電極9から発生した金属元素や金属イオン等の不純物が液晶層50側にまで拡散するのが防止される。
前記被覆膜41は化学的気相法、本実施形態では上記種々のCVD法により形成されたものであることから、スパッタ法等の物理的蒸着法を用いて形成された場合に比べて緻密性が高くなる。このように、膜の緻密性が高いことから、物理的蒸着法によって形成した膜に比べて、その膜厚を薄くできる。具体的に本実施形態では、前記被覆膜41の膜厚は、5〜50nmとしている。このようにすれば、液晶層50への不純物の拡散を確実に防止しつつ、膜厚が光の波長(400nm)に比べて十分小さいので、光の透過時に被覆膜41によって反射されるのを防止でき、透過率、及びコントラスト比の低下が起こることもない。
前記被覆膜41は化学的気相法、本実施形態では上記種々のCVD法により形成されたものであることから、スパッタ法等の物理的蒸着法を用いて形成された場合に比べて緻密性が高くなる。このように、膜の緻密性が高いことから、物理的蒸着法によって形成した膜に比べて、その膜厚を薄くできる。具体的に本実施形態では、前記被覆膜41の膜厚は、5〜50nmとしている。このようにすれば、液晶層50への不純物の拡散を確実に防止しつつ、膜厚が光の波長(400nm)に比べて十分小さいので、光の透過時に被覆膜41によって反射されるのを防止でき、透過率、及びコントラスト比の低下が起こることもない。
また、上述したように、珪素酸化物(SiOX(ただし、xは1以上の整数))からなる被覆膜41は緻密性が高いことから絶縁膜として採用することもでき、この場合に画素電極9側から液晶層50側への電子注入を抑制することができる。さらに、被覆膜41によって画素電極9を覆っているので、液晶層50と画素電極9とが直接接触することがないので、画素電極9上で光触媒反応が起こるのを防止し、該光触媒反応に起因する液晶層50の劣化が防止されたものとなる。
一方、対向基板20には、基板本体20Aの液晶層50側表面であって、データ線6a、走査線3a、画素スイッチング用TFT素子30の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に、入射光が画素スイッチング用TFT素子30の半導体層1aのチャネル領域1a’や低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1cに侵入することを防止するための第2遮光膜23が設けられている。さらに、第2遮光膜23が形成された基板本体20Aの液晶層50側には、そのほぼ全面に渡って、ITO等からなる対向電極21が形成されている。
また、対向基板20の液晶層50側最表面には、電圧無印加時における液晶層50内の液晶分子の配向を制御するための配向膜60が形成されている。また、対向電極21と配向膜60との間には、金属元素や金属イオン等の不純物が対向電極21から液晶層50側に拡散することを防止するための被覆膜61が形成されている。これら配向膜60、被覆膜61は、各々、TFTアレイ基板10の配向膜40、被覆膜41と同等の構造を有するものである。
また、両基板10、20の外側(液晶層50と反対側の表面)には、ポリビニルアルコール(PVA)にヨウ素をドープした材料等からなる偏光板15,25が配置されている。各偏光板15,25は、その吸収軸方向の直線偏光を吸収し、透過軸方向の直線偏光を透過する機能を有する。また、TFTアレイ基板10側の偏光板15は、その透過軸が配向膜40の配向規制方向と略一致するように配置され、対向基板20側の偏光板25は、その透過軸が配向膜60の配向規制方向と略一致するように配置されている。
液晶層50に用いる液晶としては、垂直配向し得るものであればいかなる液晶を用いても良いが、例えば、液晶分子の短軸方向が長軸方向に比較して分極しやすい、負の誘電率異方性を有する液晶を用いることができ、配向膜40、60の表面形状と液晶とを適宜組み合わせることにより、電圧無印加時において、液晶層50内の各液晶分子をTFTアレイ基板10(対向基板20)の表面に対して略垂直な方向、具体的にはTFTアレイ基板10(対向基板20)の法線方向に対して所定のチルト角の配向膜40を形成している。
本実施形態に係る液晶装置100によれば、後述するように、化学的気相法により形成された緻密性の高い被覆膜41、61を備えているので、液晶装置100の駆動時に画素電極9及び対向電極21から発生した金属元素や金属イオン等の不純物が液晶層50に拡散するのを防止できる。また、上記被覆膜41,61を絶縁膜として採用することで電極9,21側から液晶層50側への電子注入を抑制できる。さらに、上記上記被覆膜41,61により液晶層50と電極9,21とが直接接触することがないため、光触媒反応に起因する液晶層50の劣化を防止できる。したがって、信頼性の高い液晶装置100となる。
(液晶装置の製造方法)
次に、本発明の液晶装置の製造方法の一実施形態として、上記液晶装置100を製造する工程について説明する。特に、本実施形態の液晶装置は、上述したように配向膜40,60の下層に設けられた画素電極9及び対向電極21を覆って被覆膜41,61を備えた構造を特徴としている。
次に、本発明の液晶装置の製造方法の一実施形態として、上記液晶装置100を製造する工程について説明する。特に、本実施形態の液晶装置は、上述したように配向膜40,60の下層に設けられた画素電極9及び対向電極21を覆って被覆膜41,61を備えた構造を特徴としている。
一対の基板をなす、TFTアレイ基板10及び対向基板20を製造する。ここでは、TFTアレイ基板10を製造する場合を例に挙げて説明する。
はじめに、基板本体10Aの表面に、第1遮光膜11a、TFT素子30、層間絶縁膜(第1層間絶縁膜12、第2層間絶縁膜4、第3層間絶縁膜7)等を公知の方法によって形成する。そして、図3に示したように、前記第3層間絶縁膜7にコンタクトホール8を形成し、該コンタクトホール8を介して前記TFT素子30に接続するITOからなる画素電極9をスパッタ法やCVD法等の公知の方法を用いることで形成する。
はじめに、基板本体10Aの表面に、第1遮光膜11a、TFT素子30、層間絶縁膜(第1層間絶縁膜12、第2層間絶縁膜4、第3層間絶縁膜7)等を公知の方法によって形成する。そして、図3に示したように、前記第3層間絶縁膜7にコンタクトホール8を形成し、該コンタクトホール8を介して前記TFT素子30に接続するITOからなる画素電極9をスパッタ法やCVD法等の公知の方法を用いることで形成する。
その後、前記画素電極9を覆うようにして被覆膜41を前記基板本体10A上に形成する。なお、前記被覆膜41を形成する方法として化学的気相法を採用することができる。一般に化学的気相法は、薄膜の構成元素(本実施形態では珪素)を含むガスを原料とし、エネルギーを加えて分解、還元、酸化、置換等の化学反応を起こさせ、基材表面での吸着、反応、解離を経て薄膜を堆積する方法である。なお、原料ガスに付与されるエネルギーの形によって、熱エネルギーの付与による熱分解を経て成膜する熱CVD、原料ガスのプラズマ化による活性化を経て成膜するプラズマCVD等に区別される。そして、非常に薄い膜を形成する場合に適しており、高精度の膜厚制御や組成制御を可能とし、緻密で細部への付きまわり性のよい成膜を可能とする薄膜形成法である。
本実施形態では、例えば、プラズマCVD装置の反応室に基板本体10Aを配置し、該基板本体10A上に珪素酸化物(例えば、SiO2)からなる単分子膜を形成するべく、最適な原料ガスを反応室に供給し基板本体10A上に成膜する。被覆膜41を珪素酸化物によって形成することで、基板本体10A上に形成された画素電極9との密着性が高まる。このようにして、被覆膜41が画素電極9を覆った状態に基板本体10Aの全面に形成される。
化学的気相法によって形成された被覆膜41は、上述したように付きまわり性が良好であるので、図4に示したように、コンタクトホール8内に設けられた画素電極9の表面上にも均一に覆うことができる。よって、コンタクトホール8内においても、液晶層50と画素電極9とが直接接触することが防止される。よって、画素電極9上での光触媒反応を防止し、該光触媒反応に起因する液晶層50の劣化が防止できる。
このように、特に膜厚のバラツキが生じやすい画素電極9と第3層間絶縁膜との境界部分、あるいはコンタクトホール8の内部も緻密性の高い均一な被覆膜41によって確実に覆われるので、液晶装置の駆動時に電界集中が生じることもなく、電界集中に起因する液晶層50内でのディスクリネーション等の発生を防止でき、これに起因するコントラスト低下を防止ないし抑制することが可能となる。
このように、特に膜厚のバラツキが生じやすい画素電極9と第3層間絶縁膜との境界部分、あるいはコンタクトホール8の内部も緻密性の高い均一な被覆膜41によって確実に覆われるので、液晶装置の駆動時に電界集中が生じることもなく、電界集中に起因する液晶層50内でのディスクリネーション等の発生を防止でき、これに起因するコントラスト低下を防止ないし抑制することが可能となる。
ところで、不純物の遮断性をより向上させるために、被覆膜の厚膜化を図る場合が考えられる。この時、例えば単一材料(SiO2)からなる被覆膜の膜厚が光の波長(400nm)に近づくと、該被覆膜内で光の反射が起こり液晶装置100における透過率、及びコントラスト比を低下させるおそれがある。
このような場合には、複数の材料を積層することにより被覆膜を形成するのが望ましい。具体的には、光の波長(400nm)より膜厚が小さく、互いの屈折率が異なる層を積層することで被覆膜を形成し、被覆膜全体としての膜厚が光の波長に近い場合であっても各層内での光の反射が防止され、被覆膜内部に光が反射されることがなく、したがって液晶装置における透過率、及びコントラスト比の低下を防止できる。
次に、被覆膜41を形成した基板本体10Aに対して、所定の方向、すなわち、図5中に示した基板本体10Aの面に所定の傾斜角度θなす方向から、酸化シリコン(SiO、SiO2等)などの無機材料を斜方蒸着することにより、特定の方向に傾斜して配列した多数の柱状構造物40aを具備する配向膜40を形成する。なお、配向膜40を形成する際の傾斜角度θを制御することにより、電圧無印加時の液晶のプレチルト角を制御することができる。
具体的には、蒸着源(図示しない)から昇華した上記無機材料を基板本体10Aに対して略一定の入射角度(傾斜角度θ)で連続入射させる。すると、基板本体10Aには図5(a)に示すように配向膜材料が斜め柱状に堆積し、これによって無機材料(珪素酸化物)の柱状構造物40aが形成される。そして、この柱状構造物40aが基板本体10Aの表面に無数に形成されたことにより、配向膜40が形成される。このように柱状構造物40aが所定の傾斜角度で形成され、これによって配向膜40が形成されると、液晶装置100では、柱状構造物40aに沿って液晶分子が配向することにより、液晶分子にプレチルト角が付与される。すなわち、前述したように液晶分子は、非選択電圧印加時に、配向膜40によって所定方向に配向規制されるようになる。
本実施形態では、蒸着角度(蒸着方向と基板法線Lとのなす角)を40〜65°として、配向膜40を形成することが好ましい。
本実施形態では、蒸着角度(蒸着方向と基板法線Lとのなす角)を40〜65°として、配向膜40を形成することが好ましい。
このように、斜方蒸着により配向膜を形成することにより、ラビング処理等を行うことなく、配向膜40によって液晶分子にプレチルト角を良好に付与することが可能となる。また、配向膜40が無機材料から構成され、耐熱性及び耐光性を備えたものとなるので、後述するように、この配向膜40を備えた液晶装置100を特にプロジェクタの光変調素子として好適に採用することができる。
以上のようにして、偏光板15以外の必要な要素が形成されたTFTアレイ基板10を製造できる。
以上のようにして、偏光板15以外の必要な要素が形成されたTFTアレイ基板10を製造できる。
そして、上述したTFTアレイ基板10を製造する工程と同様に、基板本体20A上にITOからなる対向電極21を公知の方法により形成した後、ALD法等の化学的気相法を用いて被覆膜61を形成し、該被覆膜61上に多数の柱状構造物を具備する無機斜方蒸着膜からなる配向膜60を製造する。このようにして、偏光板25以外の必要な要素が形成された対向基板20を製造できる。このようにして得られたTFTアレイ基板10及び対向基板20間に液晶層50を挟持するとともに、シール材52を介して両基板10,20を貼り合わせることで液晶装置100を製造することができる。
なお、本実施形態では、画素電極9及び対向電極21の両方とも被覆膜41,61により覆われた構成としているが、前記電極9,21のいずれか一方側のみに被覆膜を設け、該被覆膜上に配向膜を形成してもよい。これにより、少なくとも被覆膜によって覆われた側の電極からの不純物の拡散を防止でき、液晶装置の信頼性を向上できる。
本実施形態に係る液晶装置100の製造方法によれば、画素電極9及び対向電極21を覆う被覆膜41,61が化学的気層法により形成されているので、該被覆膜41,61は緻密性の高いものとなる。そして、前記画素電極9、対向電極21と液晶層50とが被覆膜41,61を介して接触した状態となるので、前記画素電極9、対向電極21から発生する金属元素や金属イオン等の不純物は前記被覆膜41,61によって遮られ、液晶層50側に拡散するのが防止される。
また、被覆膜41,61は緻密性が高いので、蒸着法で形成した場合に比べてその厚みを十分に薄くすることができる。よって、前記被覆膜41,61はその厚みが薄いことから液晶装置100における透過率、及びコントラスト比を低下させることがない。
また、被覆膜41,61は緻密性が高いので、蒸着法で形成した場合に比べてその厚みを十分に薄くすることができる。よって、前記被覆膜41,61はその厚みが薄いことから液晶装置100における透過率、及びコントラスト比を低下させることがない。
また、不純物の拡散を緻密性の高い被覆膜41,61のみで防止できるので、配向膜40,60を薄くすることができ、予め配向膜40,60中に含まれたキャリア(電子、ホール)が少なくなって、これにより、前記電極9,21に電圧を印加した際に液晶層50に注入されるキャリア量が低減し、液晶装置100の信頼性を向上できる。また、上記被覆膜41,61が絶縁膜としても機能することにより電極9,21側から液晶層50側への電子注入を抑制できる。さらに、液晶層50と電極9,21とが直接接触することがないため、光触媒反応に起因する液晶層50の劣化を防止できる。したがって、電極9,21に起因する不具合が防止した、信頼性の高い液晶装置100を提供することができる。
(電子機器)
次に、本発明の電子機器の一実施形態としてのプロジェクタについて、図10を用いて説明する。図10は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前記実施形態に係る液晶装置100を光変調手段として備えたものである。
次に、本発明の電子機器の一実施形態としてのプロジェクタについて、図10を用いて説明する。図10は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前記実施形態に係る液晶装置100を光変調手段として備えたものである。
図10において、810は光源、813、814はダイクロイックミラー、815、816、817は反射ミラー、818は入射レンズ、819はリレーレンズ、820は出射レンズ、822、823、824は本発明の液晶装置からなる光変調手段、825はクロスダイクロイックプリズム、826は投射レンズである。光源810は、メタルハライド等のランプ811とランプの光を反射するリフレクタ812とからなる。
ダイクロイックミラー813は、光源810からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー817で反射されて、赤色光用光変調手段822に入射される。また、ダイクロイックミラー813で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー814によって反射され、緑色光用光変調手段823に入射される。さらに、ダイクロイックミラー813で反射された青色光は、ダイクロイックミラー814を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ818、リレーレンズ819及び出射レンズ820を含むリレーレンズ系からなる導光手段821が設けられている。この導光手段821を介して、青色光が青色光用光変調手段824に入射される。
各光変調手段822、823、824により変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム825に入射する。このクロスダイクロイックプリズム825は4つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがX字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ826によってスクリーン827上に投影され、画像が拡大されて表示される。
このような構成からなるプロジェクタは、前記の液晶装置を光変調手段として備えているので、液晶層の劣化が防止され、表示品質の優れた信頼性の高いものとなる。
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態又はその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばICカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、DSP装置、PDA、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態又はその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばICカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、DSP装置、PDA、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
なお、、本発明の技術的範囲は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、前述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、上記実施形態では、垂直配向モードの液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明は、STN(Super Twisted Nematic)モード、TN(Twisted Nematic)モードなど、電圧無印加時の液晶分子の配向状態がいかなる液晶装置にも適用することができる。また、実施形態では3板式の投射型表示装置(プロジェクタ)を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
9…画素電極(電極)、10…TFTアレイ基板(基板)、20…対向基板(基板)、21…対向電極(電極)、40…配向膜、41…被覆膜、50…液晶層、60…配向膜、61…被覆膜、100…液晶装置
Claims (6)
- 液晶層と、該液晶層を挟持する一対の基板と、該一対の基板における前記液晶層側にそれぞれ配置された一対の電極と、を備えた液晶装置の製造方法において、
化学的気相法により、前記一対の電極の少なくとも一方が覆われるように前記基板表面に被覆膜を形成する工程と、
該被覆膜上に無機材料からなる配向膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 化学的気相法により異なる材料を積層することにより、前記被覆膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶装置の製造方法。
- 無機材料を斜方蒸着することで前記配向膜を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記被覆膜を珪素酸化物を用いて形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
- 液晶層と、該液晶層を挟持する一対の基板と、該一対の基板における前記液晶層側にそれぞれ配置された一対の電極と、を備えた液晶装置において、
前記一対の電極の少なくとも一方が、化学的気相法により形成された被覆膜により覆われ、該被覆膜上には無機材料からなる配向膜が形成されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項5に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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JP2006043568A JP2007225663A (ja) | 2006-02-21 | 2006-02-21 | 液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器 |
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Cited By (1)
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JP2011085835A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
-
2006
- 2006-02-21 JP JP2006043568A patent/JP2007225663A/ja not_active Withdrawn
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