JP3979155B2

JP3979155B2 - 液晶装置用基板、液晶装置用基板の製造方法、液晶装置、並びに投射型表示装置

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Publication number: JP3979155B2
Application number: JP2002110675A
Authority: JP
Inventors: 甲祐福井
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Filing date: 2002-04-12
Publication date: 2007-09-19
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置用基板及びその製造方法、液晶装置、投射型表示装置に関し、特に液晶分子に対し高い配向規制力を有し、耐久性に優れた配向膜を備えた液晶装置用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置に搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置としては、例えば互いに対向配置された一対の基板間に液晶層が挟持された構成を具備し、これら基板の液晶層側にその液晶層に電圧を印加するための電極を具備してなるものがある。このような液晶装置においては、一対の基板の液晶層側最表面に、電圧無印加時における液晶分子の配列を制御するための配向膜が形成されており、電圧無印加時、電圧印加時における液晶分子の配列変化に基づいて表示が行われる構成となっている。
【０００３】
従来、上記のような配向膜としては、ポリイミド等からなる有機膜の表面を、布等により所定の方向にラビングしたものが、液晶配向能力（液晶配向制御機能）に優れることから広く用いられている。しかしながら、例えば光束密度が２〜１０ｌｍ／ｍｍ²程度の光強度の強い光が照射される投射型表示装置等に搭載する場合には、配向膜が光や熱により次第に分解され、長期使用後に、電圧無印加時の液晶分子を所望のプレチルト角に配列することができないなど、液晶配向制御機能が低下し、表示品質が低下することがあった。この問題は特に、有機膜として、光や熱により分解されやすいイミド結合を有するポリイミド膜を用いる場合に顕著であった。なお、投射型表示装置に搭載する場合、液晶装置は５０〜７０℃程度の温度に曝されることが知られている。
【０００４】
そこで、このような問題を解決するために、配向膜として酸化珪素等の無機材料からなる無機配向膜を用い、この無機配向膜の表面形状効果により液晶分子を配向させる液晶装置が提案されている。この無機配向膜は、基板をある角度で固定して一方向から無機材料を蒸着させ、基板に対して所定の角度で配列した柱状構造物を成長させる斜方蒸着法により形成される。このようにして形成した無機配向膜は、ポリイミド等の有機膜から構成したものに比べ、耐光性や耐熱性に優れており、液晶装置の耐久性を向上させることが可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような無機配向膜はポリイミド膜に比して耐光性、耐熱性に優れるものの、配向能力自体はポリイミド膜よりも劣るものである。また、液晶分子に対してプレチルトを付与する場合には、２回蒸着や回転蒸着等の特殊な方法が必要で非常に手間の掛かるものである。
【０００６】
本発明の課題は、液晶分子に対する高い配向規制力を有し、耐久性に優れた配向膜を備える液晶装置用基板及びその製造方法、その基板を用いた液晶装置、並びに投射型表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶装置用基板は、一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置に用いられ、一対の基板のうちの少なくとも一方の基板をなす液晶装置用基板であって、可視光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体と、その光反射体上又は隣接する２つの光反射体の間の間隙部上の少なくとも一方に形成された無機配向膜とを備え、液晶分子に対する配向規制方向が、光反射体の長手方向に沿ってなることを特徴とする。
【０００８】
従来、一対の基板間に液晶層が挟持され、その基板の外側に、一方向の振動方向を有する偏光のみを透過する偏光子（検光子）をそれぞれ設けることにより、電圧無印加時、電圧印加時における液晶層内の液晶分子の配列を光学的に識別し、表示を行う構成の透過型液晶装置が知られている。このような透過型液晶装置では、偏光子として、特定の偏光のみを透過する一方、それ以外の偏光を吸収する光吸収型の偏光子が広く用いられている。また、その他の偏光子として、特定の偏光のみを透過し、それ以外の偏光を反射する光反射型の偏光子も知られている。ここで、光反射型の偏光子は、例えば可視光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体として構成されるが、本発明者らは、このようなストライプ状の光反射体に対し、無機配向膜を蒸着により形成したところ、該配向膜がストライプ状の光反射体の長手方向に沿って極めて高い配向規制力を備えることを見出した。すなわち、本発明の液晶装置用基板は、上記のように光反射体の上に無機配向膜を形成することのみで、２回蒸着や回転蒸着を行うことなく、従来、ポリイミド配向膜に比して配向規制力の弱かった無機配向膜の配向規制力を向上させることが可能となり、しかも無機配向膜にて構成しているために耐光性や耐熱性にも優れたものとなる。したがって、本発明の液晶装置用基板を用いた液晶装置は、優れた液晶配向規制力を有し、光等に対する耐久性が高いものとなる。なお、液晶分子に対する配向規制方向は、詳しくは光反射体の長手方向と略平行とすることができ、この場合、液晶分子はストライプ状の光反射体の長手方向に略平行に配向することとなる。
【０００９】
上記本発明の液晶装置用基板において、無機配向膜を構成する個々の柱状構造物について、その長軸がそれぞれ前記光反射体の長手方向に沿って配列しているものとすることができる。すなわち、本発明においては、無機配向膜を構成する個々の柱状構造物（カラム）の長軸を、それぞれ光反射体の長手方向に沿って配列させることで、液晶分子に対する配向規制力が一層高いものとなる。なお、個々の柱状構造物の長軸は、所定の領域（例えば所定の間隙部上）において、その平均的な配列方向が光反射体の長手方向に沿ってなるものとすることができる。また、無機配向膜を構成する個々の柱状構造物の長軸は、詳しくはそれぞれ光反射体の長手方向に沿って略平行に配列された構成とすることができる。
【００１０】
本発明における無機配向膜は、光反射体の長手方向に沿って蒸着された斜方蒸着膜とすることができる。このような斜方蒸着膜は、その蒸着方向により、液晶分子に対し所定のプレチルトを付与することが可能となる。したがって、本発明の液晶装置用基板においては、光反射体の形状に基づき無機配向膜を構成する個々の柱状構造物の長軸が配列することで、液晶分子に対して高い配向規制力が付与される一方、無機斜方蒸着膜により液晶分子に対してプレチルトが付与されることなる。
【００１１】
なお、ストライプ状に配列された個々の光反射体の幅は５０ｎｍ〜９０ｎｍとすることができる。光反射体の幅が５０ｎｍ未満の場合、無機配向膜を構成する個々の柱状構造物が光反射体の長手方向に沿って配列し難くなる場合があり、したがって当該液晶装置用基板の液晶分子に対する配向規制力が低下する場合がある。また、光反射体の幅が９０ｎｍを超えると、偏光子としての機能が低下するとともに、液晶分子に対する配向規制力が低下する場合がある。なお、個々の光反射体の幅は、好ましくは６０ｎｍ〜８０ｎｍとするのがよい。
【００１２】
一方、間隙部の幅は１００ｎｍ〜１５０ｎｍとすることができる。間隙部の幅が１００ｎｍ未満の場合、無機配向膜を構成する個々の柱状構造物が光反射体の長手方向に沿って配列し難くなる場合があり、したがって当該液晶装置用基板の液晶分子に対する配向規制力が低下する場合がある。また、間隙部の幅が１５０ｎｍを超えると、偏光子としての機能が低下するとともに、液晶分子に対する配向規制力が低下する場合がある。なお、個々の間隙部の幅は、好ましくは１２０ｎｍ〜１３０ｎｍとするのがよい。
【００１３】
また、光反射体の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍとするのがよい。光反射体の厚さが１００ｎｍ未満の場合、無機配向膜を構成する個々の柱状構造物が光反射体の長手方向に沿って配列し難くなる場合があり、したがって当該液晶装置用基板の液晶分子に対する配向規制力が低下する場合がある。また、光反射体の厚さが２００ｎｍを超えると、偏光子としての機能が低下するとともに、液晶分子に対する配向規制力が低下する場合がある。なお、個々の光反射体の厚さは、好ましくは１２０ｎｍ〜１４０ｎｍとするのがよい。
【００１４】
さらに、無機配向膜の厚さは１０ｎｍ〜１００ｎｍとするのがよい。無機配向膜の厚さが１０ｎｍ未満の場合、液晶分子に対する配向規制力及びプレチルト付与能が低下する場合がある。また、無機配向膜の厚さが１００ｎｍを超えると、当該無機配向膜の厚さが面内で不均一となる場合があり、ひいては液晶層厚の面内均一性が低下する場合がある。なお、無機配向膜の厚さは、好ましくは１５ｎｍ〜３００ｎｍとするのがよい。
【００１５】
次に、本発明の液晶装置用基板の製造方法は、可視光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体を基材上に形成する光反射体形成工程と、形成した光反射体上に、その光反射体の長手方向に沿う方向から、無機蒸着材料を蒸着させる蒸着工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
このように無機蒸着材料を光反射体の長手方向に沿って、例えば光反射体の長手方向に略平行に蒸着させることで、本発明の無機配向膜を形成することが可能となる。この場合、無機配向膜を構成する個々の柱状構造物について、その長軸が、上述した通り光反射体の長手方向に沿って配列することとなり、製造された液晶装置用基板は高い配向規制力を備え、耐光性や耐熱性にも優れたものとなる。
【００１７】
なお、光反射体形成工程においては、例えばフォトリソグラフィ法等によりストライプ状に配列された光反射体を基板上に形成することができる。また、蒸着工程においては、例えば光反射体を形成した基材平面から所定の角度（例えば２５°）で蒸着することで、液晶層に所定のプレチルト（例えばＴＮモードの液晶で５°）を付与することが可能となる。さらに、蒸着工程においては、光反射体の長手方向に沿う方向から蒸着するものとしたが、液晶の配向を乱さない範囲において、若干長手方向よりもずれた方向から蒸着することも可能である。
【００１８】
次に、本発明の液晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持された構成を備える液晶装置において、一対の基板のうち少なくとも一方の基板について上述の本発明に係る液晶装置用基板を用いたことを特徴とする。このような液晶装置は、優れた液晶配向規制力を有するため、ディスクリネーション等が発生し難く高コントラストの表示を得ることができ、また、光や熱等に対する耐久性が高く信頼性の高い液晶装置を提供可能となる。
【００１９】
また、本発明の投射型表示装置は、光源と、光源からの光を変調する上述の本発明に係る液晶装置からなる光変調手段と、光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えたことを特徴とする。この構成によれば、高強度の光を出射する光源を用いた場合でも耐久性に優れ、信頼性の高い投射型表示装置を実現することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
［液晶装置］
以下に示す本実施の形態の液晶装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置の例である。そして、本実施の形態では、液晶装置を構成する一対の基板の双方に、光反射体及び無機配向膜を備えた本発明の液晶装置用基板を適用した例を示す。
【００２１】
以下、図１〜図５に基づいて、本実施の形態の液晶装置の構造について説明する。図１は本実施の形態の液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素の等価回路図、図２はＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素の構造を示す平面図、図３は同、液晶装置の構造を示す断面図であって、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図、図４は光反射体及び配向膜を備える液晶装置用基板の詳細を示す斜視図、図５は同、液晶装置用基板の構成を示す側面模式図である。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２２】
本実施の形態の液晶装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。また、走査線３ａがＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２３】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。なお、符号３ｂは容量線である。
【００２４】
次に、図２に基づいて、本実施の形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板（液晶装置用基板）の平面構造について説明する。
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、複数の矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）がマトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施の形態において、各画素電極９および各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域の内側が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示が可能な構造になっている。
【００２５】
データ線６ａは、ＴＦＴ３０を構成する、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００２６】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に延びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００２７】
より具体的には、第１遮光膜１１ａは、各々、半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に延びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（すなわち、図中下向き）に突出した突出部とを有する。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、第１遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３が設けられている。すなわち、本実施の形態では、第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３によって前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続されている。
【００２８】
次に、図３に基づいて本実施の形態の液晶装置の断面構造について説明する。図３に示すように、本実施の形態の液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０（液晶装置用基板）と、これに対向配置される対向基板（液晶装置用基板）２０との間にＴＮ（Twisted Nematic）液晶からなる液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａ、その液晶層５０側表面に形成されたインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる画素電極９、ＴＦＴ３０等を主体として構成されており、対向基板２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａとその液晶層５０側表面に形成された第２遮光膜２３や共通電極３１を主体として構成されている。
【００２９】
より詳細には、ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側表面には画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００３０】
また、上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開口した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上および第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開口した第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００３１】
また、本実施の形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００３２】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面において、各ＴＦＴ３０が形成された領域には、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’および低濃度ソース、ドレイン領域（ＬＤＤ領域）１ｂ、１ｃに入射することを防止するための第１遮光膜１１ａが設けられている。また、第１遮光膜１１ａとＴＦＴ３０との間には、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。
【００３３】
そして、本発明の最大の特徴点である光反射体１６が、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層側の最表面に設けられている。光反射体１６は、光反射性の高い導電性材料、例えば、アルミニウム、銀、銀合金等からなり、図３の紙面垂直方向に延在し、紙面平行方向に相互に離間した態様でストライプ状に配列されている。さらに、図４に示すように、ストライプ状に配列された隣接する光反射体１６の間には間隙部１６ａが形成されている。なお、図面上は光反射体１６の幅およびピッチを大きく図示しているが、光反射体１６は液晶層５０に入射する可視光の波長よりも小さいピッチで多数配列されており、例えば、光反射体１６の幅は５０ｎｍ〜９０ｎｍ程度（例えば８０ｎｍ）、光反射体１６の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度（例えば１５０ｎｍ）、間隙部１６ａの幅は１００ｎｍ〜１５０ｎｍ程度（例えば１２０ｎｍ）に設定されている。このように、光反射体１６を、液晶層５０に入射する可視光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列したことにより、画素電極９に入射した光のうち、光反射体１６の延在方向に対して略平行方向に振動する偏光については反射させ、光反射体１６の延在方向に対して略垂直方向に振動する偏光については透過させることができ、画素電極９を反射型偏光子として機能させている。
【００３４】
また、図４に示すように、ストライプ状の光反射体１６及び間隙部１６ａ上には無機配向膜１７が形成されている。この無機配向膜１７は、ＳｉＯを主体として構成される無機材料の斜方蒸着膜であって、その膜を構成する個々の柱状構造物１８の長軸が、それぞれストライプ状の光反射体１６の長手方向に対し略平行に沿って配列した構成とされている。したがって、無機配向膜１７の液晶分子に対する配向規制方向が光反射体１６の長手方向に沿って略平行となり、その配向規制力が、光反射体１６を用いず無機配向膜１７のみにて液晶分子を配向する場合に比して高いものとなる。なお、本実施の形態においては、無機配向膜１７の厚さは１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度（例えば２０ｎｍ）とされている。
【００３５】
さらに、無機配向膜１７は液晶分子に対してプレティルトを付与することが可能で、具体的にはその蒸着角度により液晶分子のプレティルト角が異なるものとなる。本実施の形態では、基板面から２５°の角度で無機材料を蒸着したため、図５に示すように液晶分子１９のプレティルト角θは約５°とされている。
【００３６】
他方、対向基板２０においては、基板本体２０Ａの液晶層５０側表面に第２遮光膜２３が形成され、その上にほぼ全面にわたってＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極３１が形成されている。そして、その液晶層５０側には、ＴＦＴアレイ基板１０と同様、反射型偏光子として機能する光反射体２２と、無機配向膜２４が形成されている（図４参照）。光反射体２２の具体的な構成については、ＴＦＴアレイ基板１０側の光反射体１６と全く同様であるが、図３においては、双方の光反射体１６，２２がともにストライプ状に形成されていることを示すために、双方の光反射体１６，２２がともに紙面を貫通する方向に延在しているように図示したが、実際にはＴＦＴアレイ基板１０側の光反射体１６と対向基板２０側の光反射体２２の延在方向が直交するように配置する必要があり、そうすることにより、双方の基板の配向方向が９０°をなし、ＴＮモードの液晶層５０を実現することができる。
【００３７】
次に、上記構成の本実施の形態の液晶装置を製造する方法の一例についてＴＦＴアレイ基板１０の製造工程を例に挙げ、図６、図７を参照して説明する。ただし、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素電極９を形成するまでの工程は従来の工程と全く変わるところはないため、説明を省略する。
【００３８】
まず、図６（ａ）に示すように、石英等からなる透明基板上に第１遮光膜１１ａ、第１層間絶縁膜１２、半導体層１ａ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ、蓄積容量電極１ｆ、ゲート絶縁膜２、走査線３ａ、容量線３ｂ、第２層間絶縁膜４、データ線６ａ、第３層間絶縁膜７、コンタクトホール５，８，１３、画素電極９等を従来と同様の方法により形成したＴＦＴアレイ基板１０を用意し、その基板に対して光反射体１６を形成する。
【００３９】
具体的には、図６（ｂ）に示すように、画素電極９および第３層間絶縁膜７の上に、スパッタリング法等によりアルミニウム、銀、銀合金等の光反射性を有する金属材料を約１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さに堆積して、金属薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いて金属薄膜をパターニングし、ストライプ状の光反射体１６を形成する。
【００４０】
次に、図６（ｃ）に示すように、本実施の形態では斜方蒸着法により無機材料（例えばＳｉＯ）を蒸着して無機配向膜１７を形成する。図７は、無機配向膜形成に用いる斜方蒸着装置３００の外観を模式的に示す説明図である。この蒸着装置３００は、酸化珪素の蒸気を生じさせる蒸着源３０２と、酸化珪素の蒸気が流通可能な開口部３０３ａを備える蒸気流通部３０３と、上記光反射体１６を備えた基板１０を蒸着源３０２に対して所定角度傾斜させて配設する基板配設部３０７とを具備する蒸着室３０８、蒸着室３０８を真空にするための真空ポンプ３１０を備えている。
【００４１】
この場合の蒸着方法は以下の通りである。まず、真空ポンプ３１０を作動させると、蒸着室３０８が真空化し、さらに加熱装置（図示略）により蒸着源３０２を加熱すると蒸着源３０２から酸化珪素の蒸気が発生する。そして、蒸着源３０２から発生した酸化珪素の蒸気流は、開口部３０３ａを通過し、所定の角度（蒸着角：本実施の形態では２５°）で基板１０の表面に蒸着されるものとされている。
【００４２】
なお、本実施の形態では、ストライプ状の光反射体１６の長手方向に略平行な方向から蒸着を行うべく、基板１０が設置される。具体的には、光反射体１６は、図７においてその長手方向が右斜め上方を向く態様で基板配設部３０７に配設され、その下方の蒸着源３０２から蒸着材料たる酸化珪素の蒸着が行われるものとされている。
【００４３】
以上のような工程により、上述したストライプ状の光反射体１６、及びその長手方向に沿って柱状構造物１８の軸が配列された無機配向膜１７を備えるＴＦＴアレイ基板１０を得ることができる。
【００４４】
一方、対向基板２０については、ガラス等からなる基板本体２０Ａを用意し、遮光性材料を成膜、パターニングすることにより第２遮光膜２３を形成した後、基板本体２０Ａ表面の全面に、スパッタリング法等によりＩＴＯ等の透明導電性材料を堆積し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、基板本体２０Ａのほぼ全面に共通電極３１を形成する。さらに、上記と同様の方法を用いて、共通電極３１上に光反射体２２及び無機配向膜２４を形成して対向基板２０が完成する。
【００４５】
次に、このように製造されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、光反射体１６，２２の長手方向が互いに交差する態様で、シール材（図示略）を介して貼り合わせ、真空注入法などの方法により両基板１０，２０間の空間に液晶を注入し、液晶層５０を形成する。このようにして、本実施の形態の液晶装置が完成する。
【００４６】
本実施の形態の液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２０の双方に形成した光反射体１６，２２が単に反射型偏光子として機能するだけでなく、無機配向膜１７の配向規制力を高める機能も有している。したがって、本実施の形態の液晶装置では、液晶分子の配向規制が優れたものとなり、例えばディスクリネーションの発生等が生じ難くコントラスト低下等も生じ難くなる。また、無機配向膜１７により液晶分子を配向させるため、光や熱に対する耐久性も高く、ポリイミド等のラビング配向膜を用いた場合に比して信頼性の高い液晶装置となる。
【００４７】
なお、本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の双方に光反射体１６，２２を設けたが、本発明はこれに限定されるものではなく、少なくとも一方の基板に光反射体を設けることにより、従来に比べて液晶配向規制力や耐光性、耐熱性が高い液晶装置を提供することができる。ただし、双方の基板を上述の構成とすることにより、配向規制力や耐久性が一層優れた液晶装置を提供することができることは言うまでもない。
【００４８】
また、本実施の形態では、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Thin-Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置やパッシブマトリクス型液晶装置等にも適用可能である。また、本実施の形態では、透過型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。このように、本発明は、いかなる構造の液晶装置にも適用することができる。
【００４９】
［投射型表示装置］
次に、上記実施の形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置の構成について、図８を参照して説明する。
図８は、上記実施の形態の液晶装置を液晶ライトバルブ（光変調手段）として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図８において、符号８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶ライトバルブ、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズを示す。
【００５０】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上記実施形態の液晶装置を備えた赤色光用液晶ライトバルブ８２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上記実施形態の液晶装置を備えた緑色光用液晶ライトバルブ８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上記実施形態の液晶装置を備えた青色光用液晶ライトバルブ８２４に入射される。また、各色光用液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４の入射側および出射側には偏光板８３２ａ，８３２ｂ，８３３ａ，８３３ｂ，８３４ａ，８３４ｂがそれぞれ設けられている。
【００５１】
各液晶ライトバルブにより変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００５２】
上記構成の投射型表示装置は、上記実施の形態の液晶装置を備えたものであるので、高強度の光を出射する光源を用いた場合でも耐久性に優れ、信頼性の高い投射型表示装置を実現することができる。
【００５３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、可視光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体（光反射型の偏光子）上に、光反射体の長手方向と略平行な方向から蒸着により無機蒸着膜を形成した本発明の液晶装置用基板によれば、液晶分子の配向規制方向がストライプの長手方向に沿うものとなり、該配向規制力が単に無機配向膜のみで配向規制を行う場合に比して非常に高いものとなる。また、無機配向膜にて構成しているために、ポリイミド等のラビング配向膜に比して耐光性や耐熱性に優れたものとなる。したがって、この液晶装置用基板を用いた液晶装置は、優れた液晶配向規制力を有し、光等に対する耐久性が高いものとなり、投射型表示装置の光変調手段等として用いるのに非常に適したものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素の等価回路図である。
【図２】図１の液晶装置について、ＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素の構造を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】図１の液晶装置のＴＦＴアレイ基板の構成について詳細を示す斜視図である。
【図５】図１の液晶装置のＴＦＴアレイ基板の構成について詳細を示す側面模式図である。
【図６】図１の液晶装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７】同、液晶装置の製造工程で用いる斜方蒸着装置の概略構成図である。
【図８】本発明の投射型表示装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１０ＴＦＴアレイ基板（液晶装置用基板）
１０Ａ，２０Ａ基板本体
１６，２２光反射体
１７，２４無機配向膜
２０対向基板（液晶装置用基板）
５０液晶層

Claims

一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置に用いられ、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板をなす液晶装置用基板であって、
可視光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体と、該光反射体上又は隣接する２つの前記光反射体の間の間隙部上の少なくとも一方に形成された無機配向膜とを備え、液晶分子に対する配向規制方向が、前記光反射体の長手方向に沿ってなることを特徴とする液晶装置用基板。
前記液晶分子に対する配向規制方向が、前記光反射体の長手方向と略平行であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置用基板。
前記無機配向膜を構成する個々の柱状構造物について、その長軸がそれぞれ前記光反射体の長手方向に沿って配列していることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置用基板。
前記無機配向膜が、前記光反射体の長手方向に沿って蒸着された斜方蒸着膜であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶装置用基板。
前記ストライプ状に配列された個々の光反射体の幅が５０ｎｍ〜９０ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶装置用基板。
前記間隙部の幅が１００ｎｍ〜１５０ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶装置用基板。
前記光反射体の厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の液晶装置用基板。
前記無機配向膜の厚さが１０ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の液晶装置用基板。
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の液晶装置用基板の製造方法であって、
前記可視光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体を基材上に形成する光反射体形成工程と、
前記光反射体上に、該光反射体の長手方向に沿う方向から、前記無機蒸着材料を蒸着させる蒸着工程とを備えることを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持された構成を備える液晶装置において、前記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板について請求項１ないし８のいずれか１項に記載の液晶装置用基板を用いたことを特徴とする液晶装置。
光源と、前記光源からの光を変調する請求項１０に記載の液晶装置からなる光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えたことを特徴とする投射型表示装置。