CN100416365C - 液晶装置的制造装置和制造方法、液晶装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种制造液晶装置的制造装置，该液晶装置具有：对置的一对基板；形成在所述一对基板中的至少一方基板的内面侧的取向膜；和被夹持在所述一对基板之间的液晶，该制造装置包括：成膜室；蒸镀部，其具有蒸镀源，通过物理蒸镀法在所述成膜室内对所述基板蒸镀无机材料，形成取向膜和配置在所述取向膜之下的基底膜；基底膜形成区域，其位于所述成膜室内的所述蒸镀源的大致上方，用于形成所述基底膜；和取向膜形成区域，其位于所述成膜室内的所述蒸镀源的斜上方，并具有遮挡板，用于形成所述取向膜，所述遮挡板具有用于选择性蒸镀无机材料的狭缝状开口部分。

Description

液晶装置的制造装置和制造方法、液晶装置及电子设备
技术领域
本发明涉及制造液晶装置的制造装置、液晶装置的制造方法、液晶装置以及电子设备。
背景技术
在液晶投影仪等投射型显示装置中，液晶装置被用作光调制部。
这样的液晶装置通过在一对基板间的周缘部配置密封部件，并在其中央部封入液晶层而构成。
在该一对基板的内面侧形成有对液晶层施加电压的电极，在这些电极的内面侧形成有在施加非选择电压时控制液晶分子取向的取向膜。
根据这样的构成，液晶装置基于在施加非选择电压时和施加选择电压时的液晶分子的取向变化，对光源光进行调制，从而制作图像光。
但是，作为上述的取向膜，一般使用对由加成了侧链烷基的聚酰胺等构成的高分子膜的表面，实施了研磨处理的膜。
研磨处理是指，通过使用由软布构成的辊，向规定方向摩擦高分子膜的表面，使高分子向规定方向上取向的处理。
液晶分子在取向性高分子和液晶分子的分子间的相互作用下，沿着取向性高分子而配置。
因此，能够使在施加非选择电压时的液晶分子在规定方向上取向。
另外，基于侧链烷基，能够对液晶分子赋予预倾斜。
但是，在采用具备了这样的有机取向膜的液晶装置作为投影仪的光调制部时，由于从光源照射的强光和热的作用，取向膜可能会被逐渐地分解。
而且，在长时间使用后，会产生不能使液晶分子以所希望的预倾斜角排列等，液晶分子的取向控制功能下降、使液晶投影仪的显示品质下降的问题。
因此，如特开2002-277879号公报所公开的那样，提出了使用由具有优良的耐光性和耐热性的无机材料构成取向膜的方案。
作为这样的无机取向膜的制造方法，公知有一种例如采用斜向蒸镀法来形成氧化硅(SiO2)膜的方法。
该特开2002-277879号公报的技术，特别是解决了下述问题，即，在由像素电极等的布线等在取向膜的基底部分形成阶差部的情况下，如果直接斜向蒸镀无机材料，则在阶差部附近会导致形成无机材料的蒸镀不均或未蒸镀的蒸镀不良区域的技术问题。
在特开2002-277879号公报所公开的技术中，特别是以不同的方位角方向来形成第1无机斜向蒸镀膜和第2无机斜向蒸镀膜。
另外，在采用斜向蒸镀法形成无机取向膜的情况下，为了使取向膜形成所希望的取向状态，需要控制取向膜材料的入射角度。
作为控制取向材料的入射角度的技术，公知有特开2002-365639号公报所公开的技术。
该技术是在具有取向膜材料的蒸镀源与基板之间配置形成有狭缝的遮挡板，通过以规定的入射角度通过该狭缝进行选择性蒸镀，来形成所希望的取向膜。
可是，为了解决如上所述的由于在取向膜的基底部分上形成有阶差部而造成的技术问题，除了特开2002-277879号公报所公开的技术以外，还可以采用例如以下的技术，即，预先形成兼用作平坦化层的基底膜作为取向膜的基底，利用该基底膜在一定程度上消除阶差部，然后，在其上形成无机取向膜。
但是，在形成兼用作平坦化层的基底膜的情况下，特别需要分别准备用于形成基底膜的装置和用于形成取向膜的装置，因而，又产生了增加装置成本的新的问题。
另外，在特开2002-365639号公报的技术中，对取向膜材料的入射角度进行控制，使得从蒸镀源升华的取向膜材料中，只有通过遮挡板的狭缝，并以规定的角度流过(飞过)的取向膜材料被用于蒸镀。
因此，未通过遮挡板的狭缝的其余取向膜材料被浪费掉。即，存在着材料的使用效率低的问题。
发明内容
本发明鉴于上述的问题点而提出，其目的在于，提供解决了由于在取向膜的基底部分形成有阶差部而引起的技术问题，并改善了在通过斜向蒸镀形成无机取向膜时的材料使用效率的制造液晶装置的制造装置、液晶装置的制造方法、液晶装置以及电子设备。
为了达到上述的目的，本发明的制造液晶装置的制造装置，用于制造具有相互对置的一对基板；形成在所述一对基板中的至少一方基板的内面侧的取向膜；和夹持在所述一对基板之间的液晶的液晶装置，该制造装置包括：成膜室；蒸镀部，其具有蒸镀源，通过物理蒸镀法在所述成膜室内对所述基板蒸镀无机材料，由此，形成取向膜和被配置在所述取向膜下面的基底膜；基底膜形成区域，其位于所述成膜室内的所述蒸镀源的大致上方，用于形成所述基底膜；和取向膜形成区域，其位于所述成膜室内的所述蒸镀源的斜上方，用于形成所述取向膜，并具有遮挡板，该遮挡板具有用于选择性蒸镀无机材料的狭缝状开口部分。
根据该制造液晶装置的制造装置，由于在同一成膜室内具有基底膜的形成区域和取向膜的形成区域，所以对于不同的基板，可以利用同一蒸镀部并行地进行基底膜的形成和取向膜的形成。
并且，通过形成基底膜，可抑制在取向膜的基底部分形成阶差部，并且，不需要分别准备用于形成基底膜的装置和用于形成取向膜的装置，从而可降低装置成本。
另外，由于使用同一蒸镀部并行地进行基底膜的形成和取向膜的形成，所以，可减少从蒸镀源升华的材料的浪费，从而，可提高材料的使用效率。
而且，在上述制造液晶装置的制造装置中，优选所述成膜室包括只选择性地使蒸镀物向所述基底膜形成区域一侧飞散的选择蒸镀部。
这样，与取向膜的成膜率相比能够提高基底膜的成膜率，由此，可使基底膜的膜厚足够厚，从而提高其作为平坦化膜的功能。
而且，在上述制造液晶装置的制造装置中，优选所述成膜室具有用于保持并搬送所述基板的搬送部，所述搬送部具有在保持所述基板的同时使其升降的升降机构。
这样，利用上述升降机构，尤其是在基底膜的形成区域侧，通过使基板下降，缩小其与蒸镀源之间的距离，可提高基底膜的成膜率。
因此，能够使基底膜的膜厚充分厚，从而提高其作为平坦化膜的功能。
而且，在上述制造液晶装置的制造装置中，优选所述成膜室具有用于保持并搬送所述基板的搬送部，所述搬送部具有在保持所述基板的同时使其转动的转动机构。
这样，利用上述转动机构，尤其是在基底膜的形成区域，通过使基板转动，可消除所形成的基底膜的膜厚和膜质的不均匀。
本发明的液晶装置的制造方法包括：准备一对基板，并在所述一对基板中的至少一方基板上形成基底膜的工序；在所述基底膜上形成取向膜的工序；和在所述取向膜上配置液晶的工序；在同一成膜室内，使用同一蒸镀部并行地进行在一块基板上形成所述基底膜的至少一部分的工序、和在另一块基板上形成所述取向膜的工序。
根据该液晶装置的制造方法，由于在同一成膜室内使用同一蒸镀部，并行地对一个基板进行基底膜的形成，对另一个基板进行取向膜的形成，所以，不需要分别准备用于形成基底膜的装置和用于形成取向膜的装置，从而可降低装置成本。
而且，尤其是通过形成基底膜，可抑制在取向膜的基底部分形成阶差部，从而可解决因该阶差部所造成的技术问题。
进而，由于使用同一蒸镀部并行地进行基底膜的形成和取向膜的形成，所以，可减少从蒸镀源升华的材料的浪费，从而，可提高材料的使用效率。
而且，在上述液晶装置的制造方法中，优选形成所述基底膜的工序包括：使用与形成所述取向膜的蒸镀部相同的蒸镀部，形成所述基底膜的工序；和使用与形成所述取向膜的蒸镀部不同的蒸镀部，形成所述基底膜的工序。
这样，与取向膜的成膜率相比能够提高基底膜的成膜率，可使基底膜的膜厚充分厚，从而提高其作为平坦化膜的功能。
而且，在上述液晶装置的制造装置中，优选一边使所述基板转动，一边在所述基板上形成所述基底膜。
这样，由于一边转动基板，一边形成基底膜，所以，可消除所形成的基底膜的膜厚和膜质的不均匀。
本发明的液晶装置，采用上述的制造装置、或制造方法制造。
根据该液晶装置，由于如上述那样降低了装置成本，并且提高了材料的使用效率，所以实现了制造成本的低廉化。
另外，还解决了因在取向膜的基底部分形成阶差部而产生的技术问题，由此实现了品质的提高。
本发明的电子设备，具有上述的液晶装置。
根据该电子设备，由于具有实现了制造成本低廉化和提高了品质的液晶装置，所以，也实现了该电子设备自身的制造成本低廉化和品质的提高。
附图说明
图1是本发明的制造装置的一个实施方式的概略构成图。
图2A～图2C是用于说明基底膜和取向膜的成膜方法的主要部分侧剖面图。
图3是本发明的制造装置的其他实施方式的概略构成图。
图4是液晶装置的TFT阵列基板的俯视图。
图5是液晶装置的等效电路图。
图6是液晶装置的平面构造的说明图。
图7是液晶装置的剖面构造的说明图。
图8是表示投影仪的主要部分的概略构成图。
具体实施方式
下面，参照附图，详细说明本发明。
图1是表示本发明中的制造液晶装置的制造装置的一个实施方式的概略构成图，图1中的符号1是制造液晶装置的制造装置(以下称作制造装置)。
该制造装置1用于在成为液晶装置构成部件的基板W的表面上，共同形成由同一种无机材料构成的基底膜和取向膜。
制造装置1构成为包括：由真空室形成的成膜室2、和使作为基底膜材料且作为取向膜材料的无机材料升华的蒸镀部(蒸镀部)3。
成膜室2在其上部侧分别与用于将基板W搬入该成膜室2内的供料室4和用于将在成膜室2内完成了蒸镀工序的基板W搬出的除料室5连通。
成膜室2通过配管7，与用于控制其内部压力，从而获得所希望的真空度的真空泵6连接。
同样，供料室4和除料室5也与对二者独立进行真空气氛调整的真空泵(未图示)连接。
在这些成膜室2、供料室4以及除料室5之间，设置有气密闭塞各自之间的连通的闸门阀4a、5a。
基于这样的结构，能够不使成膜室2内的真空度大幅下降地进行从供料室4向成膜室2内搬入基板W，和从成膜室2内向除料室5搬出基板W。
另外，在该成膜室2内设置有搬送部8，其用于从供料室4将基板W搬入成膜室2，在成膜室2内连续或断续地搬送基板W，然后，将完成了蒸镀工序的基板W从成膜室2搬出到除料室5。
该搬送部8由从供料室4通过成膜室2内而到达除料室5的导轨9、可移动地悬架在该导轨9上的2台保持臂10、和设置在这些保持臂10的下端用于保持基板W的保持部件11构成。
保持臂10由通过设置齿轮等而可移动地安装在导轨9上的悬架部10a、和从悬架部10a向下方延伸的臂部10b构成。
保持臂10通过未图示的控制部，从外部控制其移动等的动作。
臂部10b由多根可相互插通的管状杆构成，由此，可构成能够向下方伸缩的部件。
而且，该臂部10b可转动地安装在悬架部10a上，并且，通过齿条齿轮等机构、或者基于马达等的转动机构，能够如后述那样在基底膜的形成区域转动。
另外，该转动机构也可以设置在构成臂部10b的多根杆之间。
保持部件11利用基于静电吸盘等的吸附机构、或者支承基板W的底面侧外周部的机构等，能够以使基板W底面的成膜区域露出的状态，释放自如地保持该基板W。
另外，在本实施方式中，由静电吸盘构成保持部件11。
基于这样的结构，搬送部8在由保持部件11保持基板W的状态下，通过使悬架部10a在导轨9上行进(移动)，将基板W从供料室4搬入到成膜室2，从成膜室2内连续或断续地向除料室5搬送，然后，将完成了蒸镀工序的基板W搬出到除料室5。
另外，由于臂部10b构成为能够向下方伸缩，所以，能够使基板W在由保持部件11保持的状态下，进行升降。
即，通过使臂部10b能够伸缩，构成本发明中的升降机构。
并且，利用上述的转动机构，能够使基板W在由保持部件11保持的状态下转动。
另外，基板W这样的升降和转动，也是通过上述的控制部(未图示)进行控制。
而且，在成膜室2内，在上述供料室4侧的底部配置有蒸镀部3。
蒸镀部3通过物理蒸镀法，即蒸镀法、离子束溅射法等溅射法，将成为基底膜材料，且成为取向膜材料的无机材料蒸镀在上述基板W上，由此形成基底膜和取向膜。
在本实施方式中，通过由上述无机材料构成的蒸镀源3a、和利用对该蒸镀源3a照射电子束而使其加热升华的电子射束枪单元(未图示)构成蒸镀部3。
另外，也可以取代电子射束枪单元，而将电阻加热方式的加热器作为蒸镀源3a的加热机构而使用。
作为成为基底膜材料、且成为取向膜材料的无机材料，在本实施方式中使用二氧化硅(SiO2)等氧化硅(SiOx)。
在该蒸镀部3中，保持蒸镀源3a的坩埚(未图示)的开口朝向上方而设置，由此，蒸镀部3使无机材料的升华物(蒸镀物)朝向上方以放射状射出。
另外，在该蒸镀部3中，具有可开闭地覆盖蒸镀源3a的关闭器12。
在本实施方式中，该关闭器12与未图示的进退机构连接，构成为能够在开放蒸镀源3a的状态(图1中的实线所示的状态)和覆盖蒸镀源3a的状态(图1中的虚线所示的状态)之间移动。
基于这样的结构，关闭器12如后述那样，特别是在取向膜材料的升华开始初期，能够通过覆盖蒸镀源3a，直到蒸镀源3a的升华速度达到稳定为止，停止对基板W的成膜。
在成膜室2内，蒸镀源3a的大致上方，即蒸镀源3a的正上方及其周边成为本发明中的基底膜形成区域13；蒸镀源3a的斜上方，即除料室5一侧成为本发明中的取向膜形成区域14。
由于基底膜形成区域13如上所述那样位于蒸镀源3a的正上部，所以，与位于蒸镀源3a斜上方的取向膜形成区域14相比，从蒸镀源3a到基板W的距离短。
因此，从蒸镀源3a升华的无机材料的扩散程度小，其浓度处于比较高的状态。
即，一般的情况下可认为蒸镀法的成膜率与距离的平方成反比。
因此，该基底膜形成区域13与取向膜形成区域14相比，无机材料的成膜率高。
而且，上述的升降机构和转动机构在该基底膜形成区域13动作。
即，如图1中箭头A所示那样，保持臂10的臂部10b向下方伸张，由此，使被保持部件11所保持的基板W下降。
进而，保持臂10向箭头B方向(或者其反方向)转动，例如在基板W通过基底膜形成区域13的期间，使基板W旋转1周或2周左右。
在取向膜形成区域14处，配置有由支承部件(未图示)所支承的遮挡板15。
该遮挡板15由金属、陶瓷或树脂等形成，并形成有用于将从蒸镀源3a升华的无机材料选择性地蒸镀到基板W的狭缝状开口部分16。
通过适宜地配置遮挡板15，使该开口部分16位于与基板W的搬送方向(导轨9的长度方向)正交的位置，将从上述蒸镀部3升华的无机材料(蒸镀物)选择性地蒸镀到基板W上。
通过将遮挡板15配置在位于蒸镀源3a斜上方的取向膜形成区域14，将通过开口部分16而露出的基板W的面、与从蒸镀源3a向开口部分16延伸的蒸镀方向的角度，设定在规定的角度范围内。
由此，无机材料的升华物(蒸镀物)以规定的角度从斜方向蒸镀到基板W的成膜面。
另一方面，通过遮挡板15覆盖基板W的底面侧，覆盖除了由开口部分16所规定的成膜区域以外的非取向膜形成区域，来阻止对该区域蒸镀无机材料。
但是，由于基板W相对开口部分16移动，所以，通过使基板W的成膜区域(取向膜形成区域)随着时间的推移而全部身临在开口部分16内，由此，可对该成膜区域的全体面斜向蒸镀无机材料。
另外，在成膜室2内，为了防止取向膜材料附着在其内壁面上，配置有相对成膜室2可拆装的附着防止板(未图示)。
下面，根据这样构成的制造装置1的基底膜和取向膜的制造方法，对本发明的制造方法的一例进行说明。
首先，使真空泵6工作，将成膜室2内调整为所希望的真空度，并且，利用未图示的加热装置将成膜室2内调整为规定的温度。
另外，利用关闭器12覆盖蒸镀源3a。
然后，在此状态下使蒸镀部3工作，来使取向膜材料升华。
然后，在蒸镀源3a的无机材料的升华速度达到稳定之后，打开供料室4的闸门阀4a，使一侧的保持臂10进入到供料室4，利用该保持部件11保持预先处于待机状态的基板W。
这里，作为在供料室4中预先处于待机状态的基板W，使用例如图2A所示那样，在基板主体80A上形成有包含驱动元件和布线等的叠层构造83，并且，在其上面形成了像素电极49的基板。
由于在这样的基板W上，形成有叠层构造83和像素电极49，所以，在形成取向膜的面上形成有阶差部。
然后，一边由保持部件11保持基板W，一边使保持臂10再次进入成膜室2内，将基板W搬入成膜室2内，同时关闭闸门阀4a。
并且，移动关闭器12来开放蒸镀源3a。
于是，从蒸镀源3a使升华的无机材料朝向上方以放射状射出。
另一方面，在使保持臂10移动到基底膜形成区域13之后，使上述升降机构动作，通过臂部10b下降，使基板W下降，将基板W靠近蒸镀源3a。
这样，通过使基板W靠近蒸镀源3a，可提高无机材料的成膜率，使由该无机材料构成的基底膜达到所希望的厚度，即，能够形成比后述的取向膜足够厚的膜厚。
另外，在这样地使基板W下降之后，使上述的转动机构动作，来使基板W转动。
这样，通过使基板W下降而靠近蒸镀源3a，并且，在该状态下使其转动，同时使保持臂10在基底膜形成区域13停留规定的时间，形成如图2B所示那样的覆盖上述叠层构造83、像素电极49的基底膜85。
这里，对于该基底膜85的形成来说，通过使其厚度足够厚，能够如图2B所示那样，基本消除由叠层构造83和像素电极49所形成的阶差部造成的影响，使基板W的表面平坦化。
另外，为了使保持臂10在基底膜形成区域13停留规定的时间，可以使保持臂10在导轨9上的行进(移动)停止规定的时间，或者也可以使保持臂10低速连续移动，或断续地移动。
这样，在基板W上形成了基底膜85后，通过上述升降机构使臂10再次收缩，使基板W上升。
然后，在该状态下使保持臂10行进(移动)，将上述基板W移动到取向膜形成区域14。
并且，与此同时，使另一个保持臂10与上述同样地进入供料室4，保持另一个处于待机状态的基板W，并使其移动到基底膜形成区域13。
另外，在进行这样的2个基板W的移动时，使上述的关闭器12动作，将蒸镀源3a覆盖。
接着，打开关闭器12，在基底膜形成区域13处，与先前的基板W的情况同样地形成基底膜85。
另一方面，在取向膜形成区域14处，通过使保持臂10在导轨9上连续或断续地移动，使在之前形成了基底膜的基板W到达遮挡板15上的规定位置，并使其成膜面面对开口部分16。
于是，通过开口部分16被配置成相对蒸镀源3a处于规定的角度范围，使得从蒸镀源3a升华的无机材料，以规定的角度斜向蒸镀到基板W的成膜面上。
然后，通过在使基板W相对开口部分16连续或断续地移动的同时进行这样的斜向蒸镀，最终，在基板W的成膜区域(取向膜形成区域)的全体面上斜向蒸镀了取向膜材料，由此，可形成所希望的取向膜。
即，如图2C所示，能够在基底膜85上形成取向膜86。
这样，在基底膜形成区域13处，在一个基板W上形成了基底膜85，并且，与此同时在取向膜形成区域14处，在另一个基板W上形成了取向膜86，之后，使位于取向膜形成区域14的保持臂10移动，将所保持的基板W搬出到除料室5。
然后，使保持臂10移动到供料室4，与上述同样地保持处于待机状态的基板W，再次移动到基底膜形成区域13。
另一方面，对于位于基底膜形成区域13的保持臂10来说，也与上述同样地使其行进(移动)，使形成了基底膜85的基板W移动到取向膜形成区域14。
接着，通过反复执行这样的处理，能够并行且连续地进行对基板W形成基底膜85和取向膜86。
由于这样构成的制造装置1，在同一成膜室2内具有基底膜形成区域13和取向膜形成区域14，所以，对于不同的基板W，可以利用同一蒸镀部3并行地进行基底膜85的形成和取向膜86的形成。
而且，通过形成基底膜85，可抑制在取向膜86的基底部分形成阶差部，并且不需要分别准备用于形成基底膜的装置和用于形成取向膜的装置，从而可降低装置成本。
另外，由于利用同一蒸镀部3并行地进行基底膜85的形成和取向膜86的形成，所以，可减少从蒸镀源3a升华的材料的浪费，从而可提高材料的使用效率。
因此，与以往相比，可大幅降低生产成本。
而且，由于在搬送部8中设置了升降机构，特别是能够在基底膜形成区域13侧使基板W下降，缩小了与蒸镀源3a之间的距离，所以，可提高基底膜85的成膜率，由此，可形成足够膜厚的基底膜85，提高了其作为平坦化膜的作用。
并且，由于在搬送部8中设置了转动机构，特别是在基底膜形成区域13侧能够使基板W转动，所以，可消除基底膜85的膜厚和膜质的不均匀，从而可提高其作为平坦化膜的作用。
另外，本发明不限于上述的实施方式，在不脱离本发明的主导技术思想的范围内可进行各种变更。
例如，也可以如图3所示那样，另外设置一个区别于蒸镀部3的选择蒸镀部18，利用该选择蒸镀部18的蒸镀源18a只选择性地对基底膜形成区域13侧蒸镀无机材料的升华物(蒸镀物)。
该选择蒸镀部18可以采用与蒸镀部3相同的结构。
另外，为了从该选择蒸镀部18只对基底膜形成区域13选择性地蒸镀升华物(蒸镀物)，例如，只要在该选择蒸镀部18与取向膜形成区域14中的上述开口部分16之间设置遮挡板19，阻断选择蒸镀部18的升华物流向(飞向)开口部分16即可。
根据这样的结构，由于在基底膜形成区域13处，在基于上述的蒸镀部3的蒸镀处理的基础上，还增加了基于选择蒸镀部18的蒸镀处理，所以，能够使基底膜的成膜率比取向膜的成膜率高，由此，可使基底膜85的膜厚充分厚，能够提高其作为平坦化膜的作用。
下面，对本发明的液晶装置进行说明，本发明的液晶装置具有利用基于这样的制造装置1的制造方法而形成的基底膜和取向膜。
另外，在以下说明中所使用的各个附图中，为了将各个部件成为可辨认的大小，对各个部件的缩放比例进行了适宜的变更。
图4是表示本发明的液晶装置一个实施方式的概略结构的TFT阵列基板的俯视图，图4中的符号80是TFT阵列基板(基板)。
在该TFT阵列基板80的中央形成有图像制作区域101。
在该图像制作区域101的周缘部配置有所述密封部件89，在图像制作区域101内密封有液晶层(未图示)。
该液晶层通过在TFT阵列基板80上直接涂敷液晶而形成，在密封部件89上未设置液晶的注入口，成为所谓的无封口构造。
在该密封部件89的外侧，安装有向后述的扫描线提供扫描信号的扫描线驱动元件110、和向后述的数据线提供图像信号的数据线驱动元件120。
从该驱动元件110、120到TFT阵列基板80端部的连接端子79，迂回引出布线76。
另一方面，在与TFT阵列基板80贴合的对置基板90(参照图7)上形成有共用电极61(参照图7)。
该共用电极61形成在图像制作区域101的大致全体区域上，在其四个角部设置有基板间导通部70。
从该基板间导通部70到连接端子79，迂回引出布线78。
而且，从外部输入的各种信号，经由连接端子79被提供给图像制作区域101，从而驱动液晶装置。
图5是液晶装置的等效电路图。
在构成透过型液晶装置的图像制作区域的、被配置成矩阵状(阵列状)的多个像素中，分别形成有像素电极49。
而且，在该像素电极49的侧面，形成有用于对上述像素电极49进行通电控制的作为开关元件的TFT元件30。
该TFT元件30的源极与数据线46a连接。
从上述的数据线驱动元件120向各个数据线46a供给图像信号S1、S2、…、Sn。
并且，TFT元件30的栅极与扫描线43a连接。
从上述的扫描线驱动元件按照规定的时序，对各个扫描线43a以脉冲的形式供给扫描信号G1、G2、…、Gm。
另一方面，TFT元件30的漏极与像素电极49连接。
而且，如果基于从扫描线43a供给的扫描信号G1、G2、…、Gm，使作为开关元件的TFT元件30在一定期间导通，则从数据线46a供给的图像信号S1、S2、…、Sn经由像素电极49，在规定的时刻被写入到各个像素的液晶。
被写入液晶的规定电平的图像信号S1、S2、…、Sn由形成在像素电极49与后述的共用电极61之间的液晶电容保持一定的期间。
另外，为了防止被保持的图像信号S1、S2、…、Sn发生泄漏，在像素电极49与电容线43b之间形成蓄积电容57，其与液晶电容并联配置。
这样，若对液晶施加电压信号，则根据所被施加的电压电平，液晶分子的取向状态产生变化。
由此，对入射到液晶中的光源光进行调制，制作出图像光。
图6是液晶装置的平面构造的说明图。
本实施方式的液晶装置中，在TFT阵列基板上，以矩阵状排列形成有矩形形状的像素电极49(由虚线49a表示其轮廓)，该像素电极49由铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，以下称为ITO)等透明导电性材料构成。
并且，沿着像素电极49的纵横边界，设置有数据线46a、扫描线43a以及电容线43b。
在本实施方式中，形成有各个像素电极49的矩形区域为像素，其构成为能够以被配置成矩阵状的每个像素进行显示的构造。
TFT元件30形成为以由多晶硅膜等构成的半导体层41a为中心。
数据线46a通过接触孔45与半导体层41a的源极区域(后述)连接。
另外，像素电极49通过接触孔48与半导体层41a的漏极区域(后述)连接。
另一方面，在半导体层41a中的与扫描线43a相对的部分，形成有沟道区域41a’。
图7是液晶装置的剖面构造的说明图，是图6的A-A’线的侧剖视图。
如图7所示，本实施方式的液晶装置60，以TFT阵列基板80、与其相对配置的对置基板90、和被夹持在这两者之间的液晶层50为主体构成。
TFT阵列基板80以由玻璃或石英等透光性材料构成的基板主体80A、形成在其内侧的TFT元件30和像素电极49、覆盖这些的基底膜85和无机取向膜86等为主体构成。
这里，基底膜85和取向膜86是采用上述的制造装置1而形成的膜，特别是基底膜85具有作为平坦化膜的功能。
一侧的对置基板90以由玻璃或石英等透光性材料构成的基板主体90A、形成在其内侧的共用电极61、覆盖这些的基底膜85和无机取向膜92等为主体构成。
在该对置基板90上所形成的基底膜85、取向膜92，也是采用上述的制造装置1而形成的。
在TFT阵列基板80的表面上，形成有后述的第1遮光膜51a和第1层间绝缘膜52。
而且，在第1层间绝缘膜52的表面上形成有半导体层41a，以该半导体层41a为中心形成TFT元件30。
在半导体层41a中的与扫描线43a相对的部分形成有沟道区域41a’，在其两侧形成有源极区域和漏极区域。
由于该TFT元件30采用了LDD(Lightly Doped Drain)构造，所以，在源极区域和漏极区域中，分别形成有杂质浓度相对高的高浓度区域、和相对低的低浓度区域(LDD区域)。
即，在源极区域中形成有低浓度源极区域41b和高浓度源极区域41d，在漏极区域中形成有低浓度漏极区域41c和高浓度漏极区域41e。
在半导体层41a的表面上，形成有栅极绝缘膜42。
而且，在栅极绝缘膜42的表面上形成有扫描线43a，与沟道区域41a’对置的部分构成栅电极。
另外，在栅极绝缘膜42和扫描线43a的表面，形成有第2层间绝缘膜44。
而且，在第2层间绝缘膜44的表面上形成有数据线46a，该数据线46a通过形成在第2层间绝缘膜44中的接触孔45，与高浓度源极区域41d连接。
并且，在第2层间绝缘膜44以及数据线46a的表面上形成有第3层间绝缘膜47。
而且，在第3层间绝缘层47的表面形成有像素电极49，该像素电极49通过形成在第2层间绝缘层44和第3层间绝缘层47中的接触孔48与高浓度漏极区域41e连接。
并且，覆盖像素电极49而形成利用上述制造装置1形成的无机取向膜86，其用于控制施加非选择电压时液晶分子的取向。
另外，在本实施方式中，延伸设置半导体层41a，形成第1蓄积电容电极41f。
并且，延伸设置栅极绝缘膜42而形成电介质膜，在其表面上配置电容线43b，形成了第2蓄积电容电极。
由第1蓄积电容电极41f、第2蓄积电容电极(电容线43b)、以及电介质膜(栅极绝缘膜42)，构成上述的蓄积电容57。
另外，在与TFT元件30的形成区域对应的基板主体80A的表面上，形成有第1遮光膜51a。
第1遮光膜51a用于防止入射到液晶装置的光侵入到半导体层41a的沟道区域41a’、低浓度源极区域41b和低浓度漏极区域41c。
另一方面，在对置基板90的基板主体90A的表面上形成有第2遮光膜63。
第2遮光膜63用于防止入射到液晶装置的光侵入到半导体层41a的沟道区域41a’、低浓度源极区域41b和低浓度漏极区域41c等，其被设置在俯视与半导体层41a重叠的区域。
另外，在对置基板90的表面的大致整体面上，形成有由ITO等导电体构成的共用电极61。
并且，在共用电极61的表面上形成有利用上述制造装置1而形成的无机取向膜92，其用于控制在施加非选择电压时液晶分子的取向。
而且，在TFT阵列基板80和对置基板90之间，夹持由向列型液晶等构成液晶层50。
该向列型液晶分子具有正介电常数的各向异性，在施加了非选择电压时，沿着基板水平取向；在施加了选择电压时，沿着电场方向垂直取向。
而且，向列型液晶分子具有正折射率的各向异性，其双折射与液晶层厚度的积(延迟)Δnd，例如约为0.40μm(60℃)。
另外，TFT阵列基板80的基于取向膜86的取向控制方向、和对置基板90的基于取向膜92的取向控制方向被设定为扭转了90°的状态。
由此，本实施方式的液晶装置60，进行扭绞向列模式的动作。
并且，在两基板80、90的外侧，配置有由在聚乙烯醇(PVA)中掺杂了碘的材料等构成的偏振片58、68。
另外，希望将各个偏振片58、68安装在由蓝宝石玻璃或水晶等高热传导率材料构成的支承基板上，并从液晶装置60离开配置。
各个偏振片58、68具有吸收其吸收轴方向的直线偏光，使透过轴方向的直线偏光透过的功能。
配置在TFT阵列基板80上的偏振片58被配置成其透过轴与取向膜86的取向控制方向近似一致，配置在对置基板90上的偏振片68被配置成其透过轴与取向膜92的取向控制方向近似一致。
液晶装置60将对置基板90朝向光源侧配置。
其光源中只有与偏振片68的透过轴一致的直线偏光透过偏振片68入射到液晶装置60。
在施加了非选择电压时的液晶装置60中，相对基板水平取向的液晶分子被叠层配置成在液晶层50的厚度方向上扭转了约90°的螺旋状。
因此，入射到液晶装置60的直线偏光，在被扭转约90°后从液晶装置60射出。
由于该直线偏光与偏振片58的透过轴一致，所以其透过偏振片58。
因此，在施加了非选择电压时的液晶装置60中，进行白显示(标准白模式)。
另外，在施加了选择电压时的液晶装置60中，液晶分子相对基板垂直取向。
因此，入射到液晶装置60的直线偏光不被扭转而从液晶装置60射出。
由于该直线偏光与偏振片58的透过轴正交，所以，不透过偏振片58。
因此，施加了选择电压时的液晶装置60进行黑显示。
这里，如上所述，在两基板80、90的内侧形成有采用上述制造装置1而形成的无机取向膜86、92。
这些无机取向膜86、92虽然可如上述那样，利用SiO2或SiO等氧化硅良好地形成，但也可以采用AI2O3、ZnO、MgO、ITO等金属氧化物形成。
对于这样的具有无机取向膜86、92的液晶装置60，尤其是关于基底膜85和取向膜86、92，由于如上所述那样降低了装置成本，并进一步提高了材料使用效率，所以，实现了制造成本的低廉化。
而且，还解决了因在取向膜86、92的基底部分形成阶差部而产生的技术问题，由此，实现了品质的提高。
(投影仪)
下面，结合图8，对作为本发明的电子设备的投影仪的一个实施方式进行说明。
图8是表示投影仪主要部分的概略构成图。
在该投影仪中，作为光调制部而具有上述实施方式所涉及的液晶装置。
在图8中，符号810是光源、符号813和符号814是分色棱镜、符号815、符号816和符号817是反射镜、符号818是入射透镜、符号819是中继透镜、符号820是出射透镜、符号822、符号823和符号824是由本发明的液晶装置构成的光调制部、符号825是十字分色棱镜、符号826是投射透镜。
光源810由金属卤素等的灯811、和反射灯光的反射罩812构成。
分色棱镜813使从光源810射出的白色光中所包含的红色光透过，同时反射蓝色光和绿色光。
透过的红色光由反射镜817反射，入射到红色光用光调制部822。
另外，由分色棱镜813反射的绿色光，被分色棱镜814反射而入射到绿色光用光调制部823。
并且，由分色棱镜813反射的蓝色光透过分色棱镜814。
对于蓝色光，为了防止由于长光程造成的光损失，设置了由包括入射透镜818、中继透镜819和出射透镜820的中继透镜系统构成的导光部821。
蓝色光通过该导光部821入射到蓝色光用光调制部824。
通过各个光调制部822、823、824而被调制的3种色光，入射到十字分色棱镜825。
该十字分色棱镜825是通过将4个直角棱镜贴合而构成的棱镜，在其交界面上，以X状形成有反射红光的电介质多层膜和反射蓝光的电介质多层膜。
利用这些电介质多层膜合成3种色光，从而形成表现彩色图像的光。
被合成的光通过作为投射光学系统的投射透镜826，被投影到屏幕827上，放大显示图像。
在上述的投影仪中，具有上述的液晶装置作为光调制部。
由于该液晶装置如上述那样具有耐光性和耐热性优良的无机取向膜，所以，取向膜不会因从光源照射的强光和热而发生劣化。
而且，由于该液晶装置实现了制造成本的低廉化，以及品质的提高，所以，可实现该投影仪(电子设备)本身制造成本的低廉化和品质的提高。
另外，本发明的技术范围不限于上述的实施方式，在不脱离本发明的主导技术思想的范围内，还包括对上述的实施方式进行了各种变更的方式。
例如，在上述实施方式中，以具有TFT作为开关元件的液晶装置为例进行了说明，但本发明也能够应用于具有薄膜二极管(Thin Film Diode)等双端子元件作为开关元件的液晶装置。
而且，在上述实施方式中，举例说明了透过型液晶装置，但本发明也适用于反射型液晶装置。
并且，在上述的实施方式中，举例说明了以TN(Twisted Nematic)模式发挥功能的液晶装置，但本发明也适用于以VA(Vertical Alignment)模式发挥功能的液晶装置。
另外，在实施方式中，举例说明了3板式投射型显示装置(投影仪)，但本发明也适用于单板式投射型显示装置和直视型显示装置。
此外，也可以将本发明的液晶装置应用于投影仪以外的电子设备中。
作为具体例，可举出移动电话机。
在该移动电话机的显示部具备了上述各个实施方式或其变形例所涉及的液晶装置。
而且，作为其他的电子设备，例如可列举出：IC卡、摄像机、个人计算机、头戴式显示器、以及具有显示功能的传真机、数码相机的取景器、便携式TV、DSP装置、PDA、电子记事本、光电公告板、广告宣传用显示器等。

Claims (11)

1. 一种制造液晶装置的制造装置，该液晶装置具有：对置的一对基板；形成在所述一对基板中的至少一方基板的内面侧的取向膜；和被夹持在所述一对基板之间的液晶，该制造装置包括：
成膜室；
蒸镀部，其具有蒸镀源，通过物理蒸镀法在所述成膜室内对所述基板蒸镀无机材料，形成取向膜和配置在所述取向膜之下的基底膜；
基底膜形成区域，其位于所述成膜室内的所述蒸镀源的大致上方，用于形成所述基底膜；和
取向膜形成区域，其位于所述成膜室内的所述蒸镀源的斜上方，具有遮挡板，用于形成所述取向膜，所述遮挡板具有用于选择性蒸镀无机材料的狭缝状开口部分。
2. 根据权利要求1所述的制造液晶装置的制造装置，其特征在于，所述成膜室包括只选择性地使蒸镀物向所述基底膜形成区域一侧飞散的选择蒸镀部。
3. 根据权利要求1所述的制造液晶装置的制造装置，其特征在于，
所述成膜室具有用于保持并搬送所述基板的搬送部，
所述搬送部具有在保持所述基板的同时使其升降的升降机构。
4. 根据权利要求1所述的制造液晶装置的制造装置，其特征在于，
所述成膜室具有用于保持并搬送所述基板的搬送部，
所述搬送部具有在保持所述基板的同时使其转动的转动机构。
5. 一种液晶装置，由权利要求1所述的制造装置制造。
6. 一种电子设备，具有权利要求5所述的液晶装置。
7. 一种制造液晶装置的制造方法，包括：
准备一对基板，
在所述一对基板中的至少一方基板上形成基底膜的工序；
在所述基底膜上形成取向膜的工序；和
在所述取向膜上配置液晶的工序；
在同一成膜室内，使用同一蒸镀部并行地进行在一块基板上形成所述基底膜的至少一部分的工序、和在另一块基板上形成所述取向膜的工序。
8. 根据权利要求7所述的液晶装置的制造方法，其特征在于，形成所述基底膜的工序包括：
使用与形成所述取向膜的蒸镀部相同的蒸镀部，形成所述基底膜的工序；和
使用与形成所述取向膜的蒸镀部不同的蒸镀部，形成所述基底膜的工序。
9. 根据权利要求7所述的液晶装置的制造装置，其特征在于，
一边使所述基板转动，一边在所述基板上形成所述基底膜。
10. 一种液晶装置，采用权利要求7所述的制造方法制造。
11. 一种电子设备，具有权利要求10所述的液晶装置。
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