CN100442126C - 制造取向膜的制造装置、液晶装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种制造装置，用于制造由夹持在一对对置基板之间的液晶而构成的液晶装置的取向膜，具备：成膜室；蒸镀部，用于在所述成膜室内通过物理蒸镀法将取向膜材料蒸镀到所述基板，形成取向膜；遮蔽板，形成在所述蒸镀部与所述基板之间，具有用于选择性地蒸镀取向膜材料的狭缝状开口部分，覆盖所述基板的没有形成取向膜的区域；和清洁部，将用于除去附着在所述遮蔽板的所述取向膜材料的清洁媒介，朝向所述遮蔽板的所述蒸镀部侧的所述开口部分附近供给。

Description

制造取向膜的制造装置、液晶装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及制造取向膜的制造装置、液晶装置以及电子设备。
背景技术
在液晶投影仪等投射型显示装置中，液晶装置被作为光调制部而使用。
这样的液晶装置构成为，在一对基板之间的边缘部配置密封材料，并在其中央部密封液晶层。
在该一对基板的内面侧形成有对液晶层施加电压的电极，在这些电极的内面侧形成有取向膜，该取向膜用于在施加非选择电压时控制液晶分子的取向。
根据这样的结构，液晶装置基于施加非选择电压时与施加选择电压时的液晶分子的取向变化，对光源光进行调制，来制作图像光。
可是，作为所述取向膜，一般使用对高分子膜的表面实施了研磨处理的膜，其中，所述高分子膜由加成了侧链烷基的聚酰亚胺等构成。
研磨处理是指通过利用由柔软的布构成的辊子，向规定方向摩擦高分子膜的表面，使高分子在规定方向进行取向的处理。
液晶分子通过取向性高分子和液晶分子的分子间相互作用力，沿着取向性高分子而配置。
因此，可以使施加非选择电压时的液晶分子在规定方向取向。
而且，通过侧链烷基，可以对液晶分子施加预倾斜。
但是，在采用具备这样的有机取向膜的液晶装置作为投影仪的光调制部时，担心由于从光源照射的强光或热会使得取向膜慢慢分解。
而且，在长期使用之后，存在着无法使液晶分子排列成所期望的预倾斜角等，导致液晶分子的取向控制功能降低、液晶投影仪的显示品质下降之虞。
因此，提出了使用由耐光性以及耐热性出色的无机材料构成的取向膜的方法。
作为这种无机取向膜的制造方法，公知的有通过例如斜方蒸镀法，来成膜氧化硅(SiO2)膜的方法。
当通过斜方蒸镀法制造无机取向膜时，为了将取向膜形成为所期望的取向状态，需要控制取向膜材料的入射角度。
作为控制取向材料入射角度的技术，公知的有特开2002-365639号公报所公开的技术。
该技术中，在具有取向膜材料的蒸镀源和基板之间，设置形成有狭缝的遮蔽板，通过以规定的角度使取向膜材料通过该狭缝，来选择性地进行蒸镀，可形成所期望的取向膜。
但是，在所述的技术中，由于作为取向膜材料的SiO2不仅向基板蒸镀，而且还被蒸镀到遮蔽板上，所以，如果进行长时间处理，则会导致例如遮蔽板的狭缝宽度变窄的问题。
于是，与成膜初期相比，在下缝处以规定的入射角度进行入射等的成膜条件发生了改变，产生蒸镀不均，从而无法得到所期望的取向膜。
并且，在遮蔽板的狭缝附近也附着上取向膜，如果在这样的状态下继续进行处理，则该附着物会变成微粒附着在取向膜上，从而，还会担心使膜性能降低。
另外，为了避免这样的不良情况，需要在遮蔽板的更换等装置内频繁地进行维护，但是，该情况下会导致生产率显著降低，产生新的不良状况。
究其原因，是因为通过蒸镀而进行的成膜通常是在装置内以真空气氛进行的，在进行装置内的维护时，当然需要从真空气氛返回到大气压。
因此，为了在维护后再次进行成膜，需要在装置内再次引入真空，形成所期望的真空度。
但是，在装置内引入真空需要花费时间，例如，在对能够形成多个基板的大型基板进行蒸镀等情况下，由于是大型装置，所以为了引入真空需要例如10小时到1天左右的时间。
另外，由于当将遮蔽板更换为新的遮蔽板时，在成膜初期成膜的稳定性低，所以，更换后必须进行一段时间的试运行，由此，也会影响生产效率。
发明内容
本发明鉴于上述情况，其目的在于提供使取向膜的制造生产率提高，并且，防止取向膜膜性能降低的取向膜制造装置、具有通过该制造装置制造的取向膜的液晶装置、和电子设备。
为了达到上述目的，本发明的取向膜制造装置，用于制造由夹持在一对对置基板之间的液晶而构成的液晶装置的取向膜，具备：成膜室；蒸镀部，用于在所述成膜室内通过物理蒸镀法将取向膜材料蒸镀到所述基板，形成取向膜；遮蔽板，形成在所述蒸镀部与所述基板之间，具有用于选择性地蒸镀取向膜材料的狭缝状开口部分，且该遮蔽板覆盖所述基板的没有形成取向膜的区域；清洁部，具有用于除去附着在所述遮蔽板的所述取向膜材料的清洁媒介的供给源、以及在所述遮蔽板的所述开口部分附近设置的媒介供给管，该清洁部通过从所述媒介供给管的供给口吹出或者喷射所述清洁媒介，从而朝着所述遮蔽板的所述开口部分附近供给所述清洁媒介。
根据该取向膜的制造装置，能够在维护时，维持成膜室内的真空状态不变，通过清洁部除去附着在遮蔽板的取向膜材料。
因此，通过将附着在开口部分内缘部的取向膜材料也除去，可以使成膜条件返回到成膜初期的条件，由此，能够防止所制造的取向膜膜性能降低。而且，还可以防止附着在遮蔽板的取向膜材料变成颗粒而附着在取向膜上，由此，也能够防止所制造的取向膜膜性能降低。并且，由于在该维护时，以维持真空状态不变来进行遮蔽板的清洁，所以，不需要像以往那样，暂时从真空状态返回到大气压下，然后再次引入真空的操作，因此，节省了引入真空的操作所需要的时间，能够进一步提高生产率。
另外，在本发明的取向膜制造装置中，优选所述清洁媒介是通过所述取向膜材料与所述清洁媒介发生化学反应，从所述遮蔽板除去所述取向膜材料的反应性气体。
通过使用这样的反应性气体，能够根据材料选择性良好地除去附着在遮蔽板的取向膜材料。
并且，在本发明的取向膜制造装置中，优选所述清洁媒介是通过物理方式除去所述取向膜材料，将所述取向膜材料从所述遮蔽板除去的固体微粒。
通过使用这样的固体微粒，能够良好地除去附着在遮蔽板的取向膜材料。
并且，在本发明的取向膜制造装置中，优选所述清洁部能够相对所述开口部分进退。
由此，通过在清洁时，使清洁部相对开口部分前进，能够可靠地除去附着在遮蔽板的开口部分内缘部与其附近的取向膜材料。
而且，通过在利用蒸镀进行取向膜的成膜时，使清洁部相对开口部分后退，可以防止清洁部对成膜处理造成的干涉，并且，能够防止取向膜材料附着到清洁部自身。
另外，在本发明的取向膜制造装置中，优选具备终点检测部，用于检测出除去附着在所述遮蔽板的所述取向膜材料结束时的终点。
这样，通过利用终点检测部检测出取向膜材料除去的终点，并在该时刻结束清洁，可以防止由于对遮蔽板进行了过度的清洁而引起的时间浪费和遮蔽板的损坏。
本发明的液晶装置具备由所述取向膜制造装置制造的取向膜。
根据该液晶装置，如上所述，由于防止了取向膜膜性能的降低，所以，该液晶装置自身也具有良好的品质。而且，由于提高了取向膜的制造生产率，所以，该液晶装置自身的生产率也被提高。
本发明的电子设备具备所述的液晶装置。
根据该电子设备，由于具备品质良好、提高了生产率的液晶装置，所以，该电子设备自身也具有良好的品质，生产率也被提高。
附图说明
图1A和图1B是本发明制造装置的一实施方式的概略构成图。
图2是用于说明清洁装置的概略构成的图。
图3是液晶装置的TFT阵列基板的俯视图。
图4是液晶装置的等效电路图。
图5是液晶装置的平面构造的说明图。
图6是液晶装置的截面构造的说明图。
图7是表示投影仪的主要部分的概略构成图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明进行详细说明。
图1A是表示本发明的取向膜制造装置的一实施方式的概略构成的图，图1B是图1A的主要部分放大图，在图1A以及图1B中，符号1是取向膜的制造装置(下面，表述为制造装置)。
该制造装置1是用于在作为液晶装置构成部件的基板W的表面，形成由无机材料构成的取向膜的装置，包括：由真空室形成的成膜室2、蒸镀部3、设置在该蒸镀部3与所述基板W之间的遮蔽板4、和用于清洁该遮蔽板4的清洁部5。
成膜室2是将用于进行取向膜形成的前处理(例如基板的加热处理)的前处理室(未图示)、和用于进行取向膜形成后的后处理(例如基板的冷却处理)的后处理室(未图示)分别连通的部件，具有将这些处理室之间的连通气密性闭塞的闸阀(未图示)，通过该开闭器，可以不降低室内的真空度，进行从前处理室搬入基板W以及从后处理室搬出基板W。
用于获得所期望的真空度的真空泵6经由配管7，与该成膜室2连接，来控制其内部压力。
并且，在成膜室2的内壁设置有排气管8。在本实施方式中，排气管8的第一端部从成膜室2的内壁朝向清洁部5附近延伸；排气管8的第二端部连接有作为终点检测部的傅立叶变换红外分光光度计(FT-IR)9。傅立叶变换红外分光光度计(FT-IR)9设置在成膜室2的外部。并且，排气管8与吸引泵10连接。
另外，在该成膜室2内设置有搬送部(未图示)，用于沿着图1A中的箭头A方向连续或者断续地搬送从前处理室搬入的基板W，进而搬出到后处理室。
而且，在该成膜室2内，在一方的侧壁侧设置有蒸镀部3。
蒸镀部3是用于通过物理蒸镀法，即蒸镀法与离子束溅射法等的溅射法，对所述基板W蒸镀取向膜材料，来形成取向膜的部件。
在本实施方式中，通过由取向膜材料构成的蒸镀源3a、和对该蒸镀源3a照射电子束来使其加热升华的电子束枪单元(未图示)构成蒸镀部3。
这里，使用二氧化硅(SiO2)等氧化硅(SiOx)作为取向膜材料。
在该蒸镀部3中，保持蒸镀源3a的坩埚(未图示)的开口被设置成朝向后述遮蔽板4的开口部分，由此，蒸镀部3选择性地在图1A中的以双点划线表示的方向射出取向膜材料的升华物(蒸镀物)。
遮蔽板4是可拆装地保持、固定在安装于成膜室2内的搬送板11上的部件，由金属或陶瓷、树脂等形成。
搬送板11是在其上面侧保持基板W，并且，能够通过所述搬送部(未图示)在箭头A方向上移动该基板的部件。在搬送板11上形成有保持遮蔽板4的开口11a。在成膜室2内，开口11a位于和配置有所述蒸镀部3的内壁侧相对的内壁侧。
在搬送板11的开口11a内，形成有从开口11a的壁部延伸到开口11a内侧的保持部11b。由此，遮蔽板4嵌入在开口11a内，处于载置在保持部11b上的状态，通过例如螺栓固定在该保持部11b等，被保持固定在搬送板11上。
而且，在该遮蔽板4上形成有适当宽度的狭缝状开口部分(狭缝)12。
该开口部分12，通过适当地配置遮蔽板4，使其位于与所述基板W的搬送方向(箭头A方向)正交的位置，用于使来自所述蒸镀部3的取向膜材料(蒸镀物)选择性地蒸镀到基板W。
而且，该开口部分12配置为，由开口部分12露出的基板W的面，与从蒸镀源3a到开口部分12为止的升华方向的角度，被设定在规定的角度范围。
由此，取向膜材料的升华物(蒸镀物)会相对基板W的成膜面以规定的角度进行斜方蒸镀。
另一方面，通过遮蔽板4自身覆盖基板W的底面侧，使得由开口部分12规定的成膜区域之外的非成膜区域被覆盖，阻止了取向膜材料向该区域的蒸镀。
但是，由于基板W相对开口部分12进行移动，所以，通过经由开口部分12便所有基板W的成膜区域(取向膜形成区域)露出，能够使取向膜材料从斜方蒸镀到该成膜区域的整个面。
另外，在成膜室2中设置有用于除去附着在遮蔽板4上的取向膜材料(蒸镀物)的清洁装置(清洁部)5。
该清洁装置5由清洁媒介的供给源14、与该供给源14连接的挠性配管15、与该挠性配管15连接的媒介供给管16构成。
媒介供给管16是遮蔽板4的设置在蒸镀部3侧的开口部分12附近的部件，如图2所示，是沿着开口部分12的长度方向，分别设置在其两侧的管状部件。
在这些媒介供给管16上，沿着其长度方向，即开口部分12的长度方向，形成有供给口16a。
通过从该供给口16a吹出或者喷射清洁媒介，媒介供给管16将清洁媒介提供给遮蔽板4的开口部分12附近。
清洁媒介储藏在供给源14或在该处生成，通过利用送气泵等从供给源14被送出到媒介供给管16等，经由挠性配管15从供给口16a被供给到遮蔽板4侧。在本实施方式中，作为清洁媒介，特别使用与附着在遮蔽板4的取向膜材料发生化学反应，由此，从遮蔽板4除去所述取向膜材料的反应性气体。
该反应性气体可以根据取向膜材料的种类进行适当选择、使用。
在本实施方式中，使用SiO2等氧化硅作为取向膜材料。因此，作为反应性气体，使用与氧化硅进行化学反应后的反应物例如气化，由此，将取向膜材料从遮蔽板4除去的气体。
具体而言，优选使用下述物质，即通过等离子体等使CF4、C2F6、NF3等PFC(perfluoro compound)气体激活而产生的气体或自由基、通过紫外线使Cl2或(F2/H2)等气体激活而产生的光激发气体、还有与SiO2的反应性高的HF等气体等。
通过从媒介供给管16供给这样的气体，并根据需要通过等离子体或紫外线等使其激活，该反应性气体与作为取向膜材料的SiO2等氧化硅进行反应，形成例如氟化硅(SiF4)，由此，使得取向膜材料气化，从遮蔽板4除去。
另外，对于等离子体的产生部或紫外线等的光照射部，已经预先设置在成膜室2中或其外部。
而且，在这样的清洁装置5中设置有进退机构(未图示)，用于使该媒介供给管16相对所述开口部分12进退。
该进退机构由例如图2所示的保持媒介供给管16两端部的保持杆17、和与所述保持杆17连接并使该保持杆17进退的气缸(未图示)构成，气缸例如配置构成在成膜装置2的外部。
这里，通过该进退机构使媒介供给管16相对开口部分12而产生的进退移动如后所述，在清洁时，使媒介供给管16相对开口部分12前进；在取向膜成膜时，使媒介供给管16相对开口部分12后退。
所述傅立叶变换红外分光光度计(FT-IR)9，在特别使用含有氟(F)的反应性气体作为清洁媒介时，作为终点检测部而起作用。
即，如前所述，PFC等含有F的气体与作为取向膜材料的氧化硅反应，生成氟化硅(SiF4)，通过吸引泵10的动作，穿过排气管8被导入傅立叶变换红外分光计9。
该傅立叶变换红外分光光度计9，通过检测导入后的气体中的氟化硅(SiF4)的量，如后所述，检测清洁的终点。
接着，对通过如此构成的制造装置1制造取向膜的方法、该制造装置的维护进行说明。
首先，使真空泵6工作，将成膜室2内调整为所期望的真空度，并且，通过未图示的加热机构，将成膜室2内调整为规定的温度。
而且，利用清洁装置5的进退机构，使所述媒介供给管16如图1A中以双点划线表示那样，相对开口部分12后退。
接着，将在前处理室中进行了加热等的前处理的基板W搬入到成膜室2内。
然后，通过搬送部使该基板W在图1A中的箭头A方向连续或断续地移动。
而且，与之不同，使蒸镀部3工作，在图1A中以双点划线表示的范围内使取向膜材料升华。
这样，一边使取向膜材料升华，一边使基板W在搬送板11上移动、到达遮蔽板4上，使其成膜面通过开口部分12而露出。
于是，通过将由开口部分12露出的基板W的面，与从蒸镀源3a到开口部分12为止的升华方向的角度，设定在规定的角度范围，使得从蒸镀源3a升华而来的取向膜材料，相对基板W的成膜面以规定的角度进行斜方蒸镀。
然后，通过一边相对开口部分12使基板W连续或断续地移动，一边进行该斜方蒸镀，最终，使取向膜材料斜方蒸镀在基板W的成膜区域(取向膜形成区域)的整个面，由此，可以形成所期望的取向膜。
不过，在通过这样的蒸镀而形成的成膜中，通过蒸镀部3将来自取向膜材料的升华物(蒸镀物)仅选择性地射入到开口部分12内几乎是不可能的，通常，如图1B所示，在遮蔽板4下面的、开口部分12附近，进而在开口部分12的内边缘部，会蒸镀附着有取向膜材料18。
而且，随着处理时间增长，取向膜材料18的附着量增多，如前所述，由于该附着的取向膜材料18，存在着导致所得到的取向膜的膜性能降低之虞。
因此，在本发明中，为了防止这样的膜性能降低，也进行维护，但是，本发明与以往不同，不进行遮蔽板4的更换，因此，不需将成膜室2内返回到大气压，而是通过清洁装置5进行的清洁，来从遮蔽板4除去取向膜材料18。
即，本发明的实施方式中，在基板W形成取向膜之后，不使成膜室2内返回到大气压，而是在将该基板W搬出到后处理室的同时，停止由蒸镀部3进行的取向膜材料的升华。
接着，通过清洁装置5的进退机构，如图1A中实线所示那样，使所述媒介供给管16相对开口部分12前进。
然后，从清洁装置5的供给源14送出作为清洁媒介的反应性气体，经由挠性配管15输送到媒介供给管16，进而，通过从供给口16吹出或喷射，将反应性气体供给到遮蔽板4的开口部分12附近。
另外，与此不同，根据反应性气体的种类，按照需要，在遮蔽板4的开口部分12附近产生等离子体，或者对遮蔽板4的开口部分12附近照射紫外线等的激发光。
这样，激活的反应性气体被供给到遮蔽板4的开口部分12附近，附着在遮蔽板4的取向膜材料18会与该反应性气体进行化学反应。
然后，生成例如氟化硅(SiF4)，使得取向膜材料18气化，从而，从遮蔽板4除去。
由此，能够除去附着在遮蔽板4的取向膜材料18，使得遮蔽板4清净化，其开口部分12的狭缝宽度也变成原来设定的宽度。
而且，在这样进行清洁的期间，使吸引泵10工作，将在遮蔽板4的开口部分12附近产生的气体，通过排气管8吸引、排出。
然后，将所吸引的排气气体导入分光光度计9，检测出排气气体中的氟化硅(SiF4)的量。
于是，在取向膜材料18附着于遮蔽板4的状态下，通过进行清洁，使清洁媒介(反应性气体)与取向膜材料18发生反应，生成氟化硅，由此，对其进行检测。
但是，如果附着在遮蔽板4的取向膜材料18大部分被除去，则氟化硅的生成变少。
而且，如果附着在遮蔽板4的取向膜材料18大致被完全除去，则不再生成氟化硅，使得几乎不能检测出氟化硅的量。
因此，将这样的几乎不能检测出氟化硅的时刻作为例如清洁的终点，即作为除去取向膜材料18的终点，由此，能够良好地管理清洁的处理时间。
而且，由于这样进行清洁，使得遮蔽板4处于不附着取向膜材料18的原本状态，所以，即使使用该遮蔽板4再次进行取向膜的成膜，所获得的取向膜其膜性能也不会降低，而是品质良好的取向膜。
这样构成的制造装置1，在维护时，能够处于维持成膜室2内为真空状态，通过清洁装置5除去附着在遮蔽板4的取向膜材料18。
因此，通过也除去附着在开口部分12内缘部的取向膜材料18，可以使成膜条件返回到成膜初期的条件，由此，能够防止所制造的取向膜的膜性能降低。
而且，还可以防止附着在遮蔽板4的取向膜材料18成为颗粒，附着在取向膜上，由此，也能够防止所制造的取向膜的膜性能降低。
另外，由于在进行维护时，能够以维持真空状态进行遮蔽板4的清洁，所以，不需要像以往那样，从真空状态返回到大气压，并再次引入真空的操作，因此，节省了真空引入操作所需要的时间，能够进一步提高生产率。
并且，由于通过这样的清洁除去了附着的取向膜材料18，所以，能够延长遮蔽板4的寿命，由此实现成本的降低。
进而，通过清洁，不仅是遮蔽板4，还能够除去附着在成膜室2的内壁等的取向膜材料，由此，可以减少维护的负担。
而且，由于具备作为终点检测部而起作用的傅立叶变换红外分光光度计9，所以，通过利用该装置检测出除去取向膜材料18的终点，并在该时刻结束清洁，可以防止因对遮蔽板4进行了过度的清洁而引起的时间浪费与遮蔽板4的损坏。
另外，在所述实施方式中，具备检测出反应性气体与作为取向膜材料的氧化硅进行反应而生成的反应物，即氟化硅(SiF4)的傅立叶变换红外分光光度计9作为终点检测部，但是，当使用通过等离子体使CF4、C2F6、NF3等PFC气体激活而生成的气体或自由基作为反应性气体时，也可以具备检测该PFC气体中的氟(F)的发光的终点探测装置作为终点检测部。
通过具备这样的检测装置，虽然几乎不能检测出清洁过程中PFC气体反应所消耗的氟，但是，在清洁结束时，能够以高浓度检测出PFC气体没有因反应而被消耗，即维持原样而存在的氟。
因此，通过这样将以高浓度检测出氟的时刻作为例如清洁的终点，即作为除去取向膜材料18的终点，可良好地管理清洁的处理时间。
另外，在所述实施方式中，虽然作为本发明的清洁媒介，使用了通过与取向膜材料发生化学反应，来从遮蔽板4将其除去的反应性气体，但是，本发明不限定于此，例如，也可以使用以物理方式除去取向膜材料来将其从遮蔽板4除去的固体微粒，作为清洁媒介。
作为这样的固体微粒，优选使用例如干冰的微粒。
通过从媒介供给管16喷出该干冰的微粒，使其与附着在遮蔽板4的开口部分12的内缘部和其附近的取向膜材料18发生冲击，能够以物理的方式将其从遮蔽板4除去。
而且，在使用这样的固体微粒作为清洁媒介的情况下，使用例如光学检测部作为终点检测部。
即，预先在遮蔽板4的开口部分附近设置反射板，或者通过具有良好的反射性能的材料形成遮蔽板4自身。
然后，使用发光元件和光敏元件，在遮蔽板4的开口部分12附近使来自发光元件的光反射，并通过光敏元件接收该反射光，由此，检测出在遮蔽板4处的反射。
如果在遮蔽板4的开口部分12附近附着有取向膜材料，则由于反射率发生了变化，使得光敏元件的接收光量与设定值的不同，由此，检测出附着有取向膜材料。
因此，反过来，通过除去取向膜材料、露出所述反射板等，可以按照再次设定那样进行反射。
由此，通过将接收到光的时刻作为例如清洁的终点，即除去取向膜材料的终点，能够良好地管理清洁的处理时间。
接着，对具备由这样的制造装置1而形成的取向膜的本发明液晶装置进行说明。
另外，在下面的说明所使用的各附图中，为了将各部件形成为能够识别的大小，适当地改变了各部件的比例尺。
图3是表示本发明液晶装置的一实施方式的概略构成的TFT阵列基板的俯视图，图3中的符号80表示TFT阵列基板(基板)。
在该TFT阵列基板80的中央形成有图像制作区域101。
在该图像制作区域101的边缘部设置有所述密封材料89，在图像制作区域101处密封有液晶层(未图示)。
该液晶层是将液晶直接涂敷在TFT阵列基板80上而形成的，在密封材料89上没有设置液晶的注入口，即构成所谓的无封口结构。
在该密封材料89的外侧设置有：将扫描信号提供给后述的扫描线的扫描线驱动元件110、将图像信号提供给后述的数据线的数据线驱动元件120。
布线76从该驱动元件110、120被拖拽到TFT阵列基板80端部的连接端子79。
另一方面，在粘接于TFT阵列基板80的对置基板90(参照图6)上，形成有公用电极61(参照图6)。
该公用电极61形成在图像制作区域101的大致整个区域，在其四个角上设置有基板间导通部70。
布线78从该基板间导通部70被拖拽到连接端子79。
而且，通过从外部输入的各种信号经由连接端子79被供给到图像制作区域101，液晶装置被驱动。
图4是液晶装置的等效电路图。
在透过型液晶装置的为了构成图像制作区域而配置成矩阵状(阵列状)的多个像素上，分别形成有像素电极49。
而且，在像素电极49的侧方形成有作为开关元件的TFT元件30，用于对所述像素电极49进行通电控制。
该TFT像素30的源极连接有数据线46a。
从所述的数据线驱动元件120向各数据线46a提供像素信号S1、S2、…、Sn。
而且，TFT元件30a的栅极连接有扫描线43a。
以规定的定时，从所述的扫描线驱动元件向各扫描线43a提供脉冲扫描信号G1、G2、…、Gm。
另一方面，TFT元件30的漏极连接有像素电极49。
而且，如果利用从扫描线43a供给的扫描信号G1、G2、…、Gm，仅以一定间隔使作为开关元件的TFT元件30接通，则从数据线46a供给的图像信号S1、S2…、Sn会经由像素电极49，以规定的定时写入各像素的液晶。
被写入到液晶的具有规定电平的图像信号S1、S2…、Sn，通过形成在像素电极49和后述的公用电极之间的液晶电容，而被保持一定期间。
另外，为了保持所保持的图像信号S1、S2…、Sn的泄漏，在像素电极49与电容线43b之间形成有蓄积电容57，其与液晶电容并列配置。
这样，如果对液晶施加电压信号，则根据所施加的电压电平，液晶分子的取向状态发生变化。
由此，入射到液晶的光源光被调制，制作成图像光。
图5是液晶装置的平面结构的说明图。
在本实施方式的液晶装置中，由铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，下面称作ITO)等透明导电材料构成的矩形状的像素电极49(由虚线49a表示其轮廓)，以矩阵状排列形成在TFT阵列基板上。
而且，沿着像素电极49纵横的边界，设置有数据线46a、扫描线43a以及电容线43b。
在本实施方式中，形成有各像素电极49的矩形区域是像素，可以按配置成矩阵状的每个像素进行显示。
TFT元件30以由多晶硅膜等构成的半导体层41a为中心而形成。
在半导体层41a的源极区域(后述)，经由接触孔45连接有数据线46a。
而且，在半导体层41a的漏极区域(后述)，经由连接孔48连接有像素电极49。
另一方面，在半导体层41a的与扫描线43a对置的部分形成有沟道区域41a’。
图6是液晶装置的截面构造说明图，是图4A-A’线的向视剖视图。
如图6所示，本实施方式的液晶装置60以TFT阵列基板80、与之对置配置的对置基板90、夹持在二者之间的液晶层50为主体而构成。
TFT阵列基板80以由玻璃或石英等透明材料构成的基板主体80、形成在其内侧的TFT元件30与像素电极49、以及无机取向膜86等为主体构成。
一方的对置基板90以由玻璃或石英等透明材料构成的基板主体90A、以及形成在其内侧的公用电极61与无机取向膜92等为主体构成。
在TFT阵列基板80的表面形成有后述的第一遮光膜51a以及第一层间绝缘膜12。
而且，在第一层间绝缘膜52的表面形成有半导体层41a，以该半导体层41a为中心形成有TFT元件30。
在半导体层的与扫描线43a对置的部分形成有沟道区域41a’，在其两侧形成有源极区域以及漏极区域。
由于该TFT元件30采用了LDD(Lightly Doped Drain)构造，所以，在源极区域以及漏极区域分别形成杂质浓度相对高的高浓度区域、和杂质浓度相对低的低浓度区域(LDD区域)。
即，在源极区域形成低浓度源极区域41b和高浓度源极区域41d；在漏极区域形成低浓度漏极区域41c和高浓度漏极区域41e。
在半导体层41a的表面形成有栅极绝缘膜42。
而且，在栅极绝缘膜42的表面形成有扫描线43a，与沟道区域41’对置的部分构成栅电极。
另外，在栅极绝缘膜42以及扫描线43a的表面形成有第二层间绝缘膜44。
而且，在第二层间绝缘膜44的表面形成有数据线46a，经由形成在第二层间绝缘膜44的接触孔45，该数据线46a与高浓度源极区域41d连接。
并且，在第二层间绝缘膜44以及数据线46a的表面形成有第三层间绝缘膜47。
此外，在第三层间绝缘膜47的表面形成有像素电极49，经由形成在第二层间绝缘膜44以及第三层间绝缘膜47的接触孔48，该像素电极49与高浓度漏极区域41e连接。
并且，通过所述制造装置1而形成的无机取向膜86形成为覆盖像素电极49，用于控制施加非选择电压时液晶分子的取向。
另外，在本实施方式中，延伸设置半导体成41a而形成第一蓄积电容电极41f。
而且，延伸设置栅极绝缘膜42形成电介质膜，并在其表面配置电容线43b，形成第二蓄积电容电极。
由第一蓄积电容电极41f、第二蓄积电容电极(电容线43b)以及电介质膜(栅极绝缘膜42)构成前述的蓄积电容57。
并且，在与TFT元件30的形成区域对应的基板主体80A的表面形成有第一遮光膜51a。
第一遮光膜51a用于防止入射到液晶装置的光，侵入到半导体层41a的沟道区域41a’、低浓度源极区域41b以及低浓度漏极区域41c。
另一方面，在对置基板90的基板主体90A的表面形成有第二遮光膜63。
第二遮光膜63用于防止入射到液晶装置的光，侵入到半导体层41a的沟道区域41a’、低浓度源极区域41b以及低浓度漏极区域41c等，俯视观察设置在与半导体层41a重叠的区域。
而且，在对置基板90的表面，遍及整个面形成有由ITO等导电体构成的公用电极61。
并且，在公用电极61的表面形成有通过所述制造装置1形成的无机取向膜92，用于限制施加非选择电压时液晶分子的取向。
另外，在TFT阵列基板80与对置基板90之间，夹持有由向列型液晶等构成的液晶层50。
该向列型液晶分子是具有正的介电常数各向异性的分子，施加非选择电压时，沿着基板水平取向；施加选择电压时，沿着电场方向垂直取向。
而且，向列型液晶分子具有正的折射率各向异性，其双折射率与液晶层厚度之积(延迟)Δnd，例如大约为0.4μm(60℃)。
另外，由TFT阵列基板80的取向膜86实现的取向限制方向，与由对置基板90的取向膜92实现的取向限制方向，被设定为大约处于扭转了90°的状态。
由此，本实施方式的液晶装置60以扭绞向列模式工作。
而且，在两基板80、90的外侧设置偏振片58、68，所述偏振片58、68由在聚乙烯醇(PVA)中掺杂了碘的材料等构成。
另外，优选各偏振片58、68安装在由蓝宝石、玻璃或水晶等热传导率高的材料构成的支承基板上，并从液晶装置60离开设置。
各偏振片58、68具有吸收其吸收轴方向的直线偏振光、透过其透过轴方向的直线偏振光的功能。
TFT阵列基板80侧的偏振片58配置成，其透过轴与取向膜86的取向限制方向近似一致，对置基板90侧的偏振片68配置成，其透过轴与取向膜92的取向限制方向近似一致。
液晶装置60将对置基板朝向光源侧配置。
在其光源光中，只有与偏振片68的透过轴一致的直线偏振光透过偏振片68，入射到液晶装置60。
在施加非选择电压时的液晶装置60中，水平取向的液晶分子相对基板层叠配置成，从液晶层50的厚度方向大约扭转了90°的螺旋状。
因此，入射到液晶装置60的直线偏振光被旋光大约90°，从液晶装置60射出。
由于该直线偏振光与偏振片58的透过轴一致，所以，透过偏振片58。
因此，在施加非选择电压时的液晶装置60中，进行白显示(正常白色模式)。
另外，在施加选择电压时的液晶装置60中，液晶分子相对基板垂直取向。
因此，入射到液晶装置60的直线偏振光不被旋光，从液晶装置60射出。
由于该直线偏振光与偏振片58的透过轴正交，所以，不透过偏振片58。
因此，在施加选择电压时的液晶装置60中，进行黑显示。
这里，如前所述，在两基板80、90的内侧形成有通过所述制造装置1而制造的无机取向膜86、92。
这些无机取向膜86、92优选如前所述，由SiO2或SiO等氧化硅形成，不过，也可以由Al2O3、ZnO、MgO或ITO等金属氧化物等形成。
由于形成这样的无机取向膜86、92而构成的液晶装置60，是如前所述，通过制造装置1而形成的，能够防止无机取向膜86、92膜性能的降低，所以，该液晶装置60自身也具有良好的品质。
而且，由于无机取向膜86、92的制造提高了生产率，所以，也提高了该液晶装置60自身的生产率。
(投影仪)
接着，基于图7对本发明的电子设备，即投影仪的一实施方式进行说明。
图7是表示投影仪主要部分的概略构成图。
该投影仪具备上述实施方式所涉及的液晶装置作为光调制部。
在图7中，符号810表示光源、符号813与符号814表示分色镜、符号815、符号816以及符号817表示反射镜、符号818表示入射透镜、符号819表示中继透镜，符号820表示出射透镜、符号822、符号823以及符号824表示由本发明的液晶装置构成的光调制部、符号825表示十字分色镜、符号826表示投射透镜。
光源810由金属卤化物等的灯811和反射灯光的反射镜812构成。
分色镜813使来自光源810的白色光中所包含的红色光透过，并且，反射蓝色光与绿色光。
透过的红色光被反射镜817反射，入射到红色光用光调制部822。
另外，被分色镜813反射的绿色光通过分色镜814被反射，入射到绿色光用光调制部823。
并且，被分色镜813反射的蓝色光透过分色镜814。
为了防止由于长的光程而引起的光损失，对蓝色光设置了由包括入射透镜818、中继透镜819以及出射透镜820的中继透镜系统构成的导光部821。
经由该导光部821，蓝色光入射到蓝色光用光调制部824。
通过各光调制部822、823、824而被调制的3种颜色光，入射到十字分色镜825。
该十字分色镜825是将四个直角棱镜粘贴在一起而构成的，在其界面以X字状形成有反射红光的电介质多层膜和反射蓝光的电介质多层膜。
三种颜色光通过这些电介质多层膜而被合成，形成表示彩色图像的光。
合成后的光通过作为投射光学系统的投射透镜826投影到屏幕827上，将图像放大显示。
所述的投影仪具备所述液晶装置作为光调制部。
由于如前所述，该液晶装置具备耐光性和耐热性优越的无机取向膜，所以，不会由于光源照射的强光与热而使得取向膜变差。
而且，该液晶装置具有良好的品质，并提高了生产率，所以，该投影仪(电子设备)自身也具有良好的品质，生产率也被提高。
另外，本发明的技术范围不限定于上述的实施方式，也包括在不脱离本发明主旨的范围内，而对上述的实施方式施加的种种变更。
例如，在上述实施方式中，以具备TFT作为开关元件的液晶装置为例进行了说明，但是，也可以将本发明应用于具备薄膜二极管(Thin FilmDiode)等二端子型元件作为开关元件的液晶装置。
而且，虽然在所述实施方式中，以透过型液晶装置为例进行了说明，但是，也可以将本发明应用于反射型液晶装置。
并且，虽然在所述实施方式中，以在TN(Twisted Nematic)模式下起作用的液晶装置为例进行了说明，但是，也可以将本发明应用于在VA(Vertical Alignment)模式下起作用的液晶装置中。
还有，虽然在实施方式中以三板式投射型显示装置(投影仪)为例进行了说明，但是，也可以将本发明应用于单板式投射型显示装置或直视型显示装置。
另外，也可以将本发明的液晶装置应用于投影仪之外的电子设备。
作为其具体例，可以举出便携电话。
该便携电话具备所述各实施方式或其变形例所涉及的液晶装置作为显示部。
此外，作为其他的电子设备可以举出，例如：IC卡、摄像机、个人计算机、头带式显示器，还有带显示功能的传真装置、数码相机的取景器、便携式TV、DSP装置、PDA、电子记事本、电光揭示盘、宣传公告用显示器等。

Claims (7)

1.一种制造装置，用于制造由夹持在一对对置基板之间的液晶而构成的液晶装置的取向膜，具备：
成膜室；
蒸镀部，用于在所述成膜室内通过物理蒸镀法将取向膜材料蒸镀到所述基板，形成取向膜；
遮蔽板，形成在所述蒸镀部与所述基板之间，具有用于选择性地蒸镀取向膜材料的狭缝状开口部分，且该遮蔽板覆盖所述基板的没有形成取向膜的区域；和
清洁部，具有用于除去附着在所述遮蔽板的所述取向膜材料的清洁媒介的供给源、以及在所述遮蔽板的所述开口部分附近设置的媒介供给管，该清洁部通过从所述媒介供给管的供给口吹出或者喷射所述清洁媒介，从而朝着所述遮蔽板的所述开口部分附近供给所述清洁媒介。
2、根据权利要求1所述的制造装置，其特征在于，
所述清洁媒介是通过所述取向膜材料与所述清洁媒介发生化学反应，从所述遮蔽板除去所述取向膜材料的反应性气体。
3、根据权利要求1所述的制造装置，其特征在于，
所述清洁媒介是通过物理方式除去所述取向膜材料，将所述取向膜材料从所述遮蔽板除去的固体微粒。
4.根据权利要求1所述的制造装置，其特征在于，
所述清洁部能够相对所述开口部分进退。
5、根据权利要求1所述的制造装置，其特征在于，
具备终点检测部，其用于检测出除去附着在所述遮蔽板的所述取向膜材料结束时的终点。
6、一种液晶装置，具备由权利要求1～5中任意一项所述的制造装置制造的取向膜。
7、一种电子设备，具备权利要求6中所述的液晶装置。
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