JP4221904B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、ボンディングワイヤを半導体チップの電極膜にボンディングしたIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)モジュールなどの半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図7は、IGBTモジュールの要部断面図である。パッケージ構造は、ヒートシンク72と回路パターニングされた銅薄膜が固着した絶縁基板71(Direct Bonding Copper基板)およびIGBTが形成された半導体チップ200がそれぞれ半田73、74で接合され、この一体となったものを樹脂成形されたケース75に固着した構造である。そして、半導体チップ200とボンディングワイヤ62、63および絶縁基板71を水分や湿気および塵から保護する目的で、ケース75内はゲル77が封止されている。半導体チップ200の電極膜にはワイヤボンディングが行われ、半導体チップ200の裏面は、絶縁基板73上の回路パターニングされた銅薄膜に半田接合されている。
【0003】
図8は、ボンディングワイヤを固着した半導体チップの要部拡大断面図であり、同図(a)は平面図、同図(b)は同図(a)のX−X線で切断した要部断面図、同図(c)は同図(b)のA部の拡大図である。尚、平面図は半導体基板表面を示し、要部断面図はアルミワイヤ62が固着した半導体チップ200を示す。
【0004】
半導体チップ200は、半導体基板51(例えばシリコン)の上に、ゲート酸化膜54、ポリシリコンのゲート電極55、層間絶縁膜56、電極膜57、さらにその上に図示しない保護膜が形成された構成となっている。そして、電極膜57には電気的接続を確保するためにボンディングワイヤであるアルミワイヤ62が超音波接合されている。また、半導体基板51には、ウエル領域52、エミッタ領域53が形成され、ゲート酸化膜54は、チャネル形成箇所上は、薄いゲート酸化膜54a、それ以外の箇所は厚いゲート酸化膜54bで形成され、テラスゲート構造58となっている。
【0005】
従来のIGBTなどの半導体チップ200では、電極膜57はアルミ・シリコン膜で形成され、そのセル構造はストライプ構造であり、電極膜の膜厚W0 は2〜3μmの厚さである。半導体チップ200のゲート構造は、テラスゲート構造58を採用しており、その電極膜57の表面は、平坦でなく、テラスゲート構造58の厚いゲート酸化膜54b上の電極膜57の表面はストライプ状の凸部59となっている。
【0006】
このストライプ状の凹凸をした電極膜57の表面に、φ300μm未満のアルミワイヤ62が、このストライプ状の凸部59の長手方向65と直交するように超音波振動させて、ボンディングされている。この固着箇所63の形状は、振動方向に長い楕円形をしており、そのため、図8(a)のように、この楕円の長軸方向64はストライプ状の凸部59の長手方向65と直交する。
【0007】
アルミワイヤ62の直径が300μm未満では、アルミ・シリコンで形成された電極膜の膜厚W0 を3μm程度以下にしても、ボンディング時に半導体チップ200を構成する層間絶縁膜56や半導体基板51のC部やD部で発生する機械的な応力を十分小さくできていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、最近、工程時間の短縮と製品のコストダウンのために、アルミワイヤ62の直径を300μm以上の太線化し、アルミワイヤ62の本数を削減することが検討されている。このアルミワイヤ62の太線化は、超音波ボンディング時に半導体チップ200に発生する機械的応力を増大させるため、層間絶縁膜56や半導体基板51にクラック60(破壊)が導入され易くなる。通常、このクラック60の発生箇所は、ヒール側63bよりトウ側63aの方が多く、このクラック60の進入開始場所は、テラスゲート構造58のC部やD部が多い。
【0009】
このような機械的損傷は、半導体チップ200の電気的特性不良、例えば、漏れ電流増大によるゲート特性不良(ゲート耐圧不良)などのチップ不良を発生させる。このチップ不良の発生率が増大すると、アルミワイヤ62の太線化により、製造工数の低減が図られたとしても、チップ不良率が増大することにより、IGBTモジュールのコストダウンは見込めなくなる。
【0010】
また、機械的損傷が軽微で、ボンディング工程後の電気特性チェックで不良とならなかった場合でも、固着が不十分で、接合性が良好でない場合には、実使用時(スイッチング)の温度の上昇と降下の繰返しなどのパワーサイクルにより、ボンディング時の半導体チップ200の表面構造61(具体的には層間絶縁膜56や半導体基板51)にマイクロクラックが発生し、それを起点として、パワーサイクルにより大きなクラックに発展し、層間絶縁膜56や半導体基板51を破壊させたり、またアルミワイヤ62と電極膜57との固着部(接合部)を剥離させたりする。最悪の場合、半導体チップ200が動作しなくなる。
【0011】
尚、表面構造61とは、ゲート酸化膜54、ゲート電極55、層間絶縁膜56および電極膜57で構成された部分をいう。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、太線化されたボンディングワイヤを有し、半導体チップに機械的損傷がなく、ボンディングワイヤと半導体チップの接合状態が安定した半導体装置とその製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、拡散領域を有する半導体基板上に絶縁膜を介して形成した電極膜と、該電極膜に超音波ボンディングで接合したボンディングワイヤを有する半導体装置において、前記電極膜をストライプ状の凸部を有するアルミ・シリコン膜で形成し、該電極膜と直径が300μm以上600μm以下のボンディングワイヤとの接合面は楕円形をなし、該楕円形の接合面の長軸方向が、該凸部の長手方向に対して20度以下の角度である構成とする。
【0013】
また、前記電極膜の凸部が、MOSデバイスのストライプセル構造のテラスゲート部である。
【0014】
また、拡散領域を有する半導体基板上に絶縁膜を介して形成した電極膜と、該電極膜に超音波ボンディングで接合したボンディングワイヤを有する半導体装置の製造方法において、前記電極膜をストライプ状の凸部を有するアルミ・シリコン膜で形成し、直径が300μm以上600μm以下のボンディングワイヤを前記凸部の長手方向に対して20度以下の角度で超音波振動をさせて接合するとよい。
【0015】
また、半導体チップの表面に形成された電極膜の厚さを3.5μm以上とすることで、アルミワイヤが超音波接合方式で半導体素子にワイヤボンディングされた場合でも、厚膜化された電極膜によって、電極膜より下に形成される層間絶縁膜が受ける超音波振動で発生する応力を緩和し、チップ不良の発生を抑えることができる。
また、ストライプセル構造(ストライプ状の凸部の電極膜)の長手方向に平行な方向にワイヤを超音波接合することで、ストライプセル構造の段差形状による影響(応力集中)を避けることが可能となり、ボンディング工程でのチップ不良の発生を抑えることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明の参考例の半導体装置であり、同図(a)は平面図、同図(b)は同図(a)のX−X線で切断した要部断面図、同図(c)は同図(b)のA部の拡大図である。ここでは、ワイヤが固着した半導体チップの図で、図8に相当した図を示す。尚、平面図はn半導体基板1の表面を示し、要部断面図はワイヤが固着した半導体チップ100を示す。
【0018】
n半導体基板1の一方の主面の表面層にpウエル領域2を形成し、pウエル領域2の表面層にnエミッタ領域3を形成する。pウエル領域2とnエミッタ領域3はストライプ構造をしている。
nエミッタ領域3に挟まれたpウエル領域2上およびn半導体基板1上にゲート絶縁膜4を介してゲート電極5を形成する。ゲート構造5は、チャネルが形成されない箇所のゲート絶縁膜4bの膜厚を厚くしたテラスゲート構造8とする。ゲート電極5上に層間絶縁膜6を形成し、コンタクトホールを開けた後、エミッタ電極である電極膜7を、シリコンが微量(1%程度)に混入したアルミ・シリコン膜で形成する。この電極膜7の表面は、平坦でなく、テラスゲート構造8の厚いゲート酸化膜4b上の電極膜7の表面はストライプ状の凸部9となっている。
【0019】
一方、図示しない他方の主面(裏面)の表面層にnバッファ領域を形成し、nバッファ領域の表面層にpコレクタ領域を形成し、pコレクタ領域上にエミッタ電極を形成する。
前記した電極膜7の表面に、図示しない超音波ボンダーにより、アルミワイヤ12を加圧し超音波振動させて固着(接合)する。このとき、図2のように、超音波振動の振動方向16はストライプ構造10の長手方向15に直角の方向であり、この直角方向は、アルミワイヤ12と電極膜7との固着箇所13(接合面)の長軸方向14と一致する。
【0020】
この固着箇所13の平面形状は、超音波振動方向16に長い楕円形となり、従って、この楕円の長軸方向と振動方向も一致する。また、この楕円形の接合面で、アルミワイヤ12の自由端12a側がトウ側13aであり アルミワイヤ12が図示しない超音波ボンダーに収納される側がヒール側13bとなる。
この電極膜7は、膜厚Wが3.5μm以上で10μm以下のアルミ・シリコン膜であり、この膜厚Wは、成膜装置の成膜時間あるいは成膜回数を制御することで、所定の厚い膜厚にする。また、ボンディングワイヤであるアルミワイヤ12の直径は、300μm以上で600μm以下である。
【0021】
このように、電極膜の膜厚Wを3.5μm以上とすることで、超音波ボンディング時に層間絶縁膜6やn半導体基板1に発生する応力を低減できて、従来の膜厚W0 で、C部やD部に発生していたクラック60を無くすることができる。しかし、膜厚Wを10μmを超して増大させても、応力の低減効果は少なく、一方、製造コストは増大するために、膜厚Wは10μm以下がよい。つぎに、具体的な応力解析データについて説明する。
【0022】
図3は、電極膜の膜厚をパラメータとした有限要素法(FEM)による応力解析の結果を示した図である。応力解析はシミュレーションで行った。図の横軸は半導体チップ100の電極膜の膜厚Wであり、3μmから10μmまでの範囲とした。また、縦軸は層間絶縁膜6に発生する応力(単位面積当たり)である。
膜厚Wを増大させるほど、層間絶縁膜6に発生する応力は緩和される。勿論、n半導体基板1に加わる応力も緩和される。このように、応力が緩和されるのは、電極膜7が、座布団のような働きをして、電極膜の膜厚Wが厚くなるほど、クッション作用が大きくなるためである。従って、膜厚Wを増やせば、アルミワイヤ12に加える加圧力および超音波パワーを大きくすることができて、アルミワイヤ12の直径を大きくすることができる。
【0023】
尚、図3は、アルミワイヤ12の直径が400μmの場合であるが、直径が600μmまで増大させても、図3の関係は殆ど変わらない。
図4は、アルミ・シリコンの電極膜の膜厚とチップ不良が発生する超音波パワーとの関係を示す図である。図の横軸は半導体チップ100の膜厚Wであり、3μmから10μmまで範囲とした。また、縦軸はチップ不良が発生する超音波パワーである。チップ不良とは、前記したようにゲート耐圧不良のことである。
【0024】
膜厚Wを増せば、チップ不良が発生する超音波パワーを増加させることができる。これは、図3で示すように、膜厚Wを増せば、層間絶縁膜6に発生する応力が緩和されるためである。
また、ゲート耐圧が良好な半導体装置を用いて、温度差75℃で10万回のパワーサイクル試験を行った結果、このパワーサイクル試験に耐えるようにするためには、アルミワイヤ12に加える超音波パワーが8W以上必要であることが分かった。この試験に合格するということは、半導体装置のパワーサイクル耐量が確保されるということであり、このことは、電極膜7とアルミワイヤ12が、良好な接合性(十分大きい接合面積)を確保しているということを意味する。つまり、接合性を確保するためには、超音波パワーを8W以上とする必要があるということである。
【0025】
以上より、ボンディング時のチップ不良の発生を抑え、且つ、アルミワイヤ12と電極膜7との接合性(パワーサイクル耐量)を確保するには、電極膜の膜厚Wを3.5μm以上とする必要がある。
一方、前記したように、この膜厚Wを10μmを超して大きくしても、層間絶縁膜6に発生する応力の低減効果が小さく、製造コストが増大する丈なので、膜厚Wは10μm以下でよい。
【0026】
また、アルミワイヤ12の直径を大きくすると、十分な接合面積(固着箇所13の面積)を確保する必要があり、超音波パワーを上げる必要がある。この超音波パワーを上げてもチップ不良を発生させないためには、図4に示すように電極膜の膜厚Wを大きくすると勿論よい。そのために、アルミワイヤ12の直径を300μmから600μmに大きくした場合は、300μmの場合より、電極膜の膜厚Wを大きくした方が好ましいことは勿論である。
この参考例によれば、電極膜の膜厚を3.5μm以上に厚膜化することで、太線化したアルミワイヤをボンディングする際に、層間絶縁膜に発生する応力を緩和することができて、ボンディング工程時の半導体チップへの機械的損傷が抑えられ、チップ不良の発生が抑えられ、接合状態の安定した半導体装置の供給ができる。
【0027】
図5は、この発明の実施例の半導体装置であり、同図(a)は平面図、同図(b)は同図(a)のX−X線で切断した要部断面図、同図(c)は同図(a)のY−Y線で切断した要部断面図、同図(d)は、同図(b)のB部の拡大図である。
図1との違いは、超音波の振動方向16が、ストライプ状の凸部9の長手方向15に平行させて、アルミワイヤ13を電極膜7にボンディングする点である。この場合、楕円形の接合面(固着箇所13)の長軸方向14がストライプ構造10の長手方向15と平行になる。このときの長手方向15に対して長軸方向14(振動方向16と一致)の角度θ(図6に示す)は零となる。また、この角度θは20度以下であれば、振動による応力の直角成分(長手方向に対して)が小さい。勿論、この角度θが小さい程、直角成分が小さくなるために好ましい。
【0028】
図5において、電極膜の膜厚Wを5μmにして、アルミワイヤ12の直径を400μmにしたとき、層間絶縁膜6に発生する応力は、20.6×9.8N/mm2である。この値は、図3の三角印で示した。図3から分かるように、ストライプ状の凸部9の長手方向と平行に超音波振動させる(ボンディングする)ことにより、層間絶縁膜6に発生する応力は直角にボンディングするよりも、約20%低減できる。このことは、層間絶縁膜6に発生する応力が、低減することで、層間絶縁膜6に導入されるクラックが少なくなり、チップ不良発生率が低くなる。また、超音波振動の方向をストライプ状の凸部の長手方向15に対して直角方向にした場合と同じ応力とすると、超音波パワーを上げることができる。その結果、接合面積(固着面積)を増大させることができて、半導体装置のパワーサイクル耐量を高めることができる。
【0029】
第1、第2実施例のように、半導体チップの電極膜7を厚膜化すること、ボンディング方向をストライプセル構造(ストライプ状の凸部9)と平行にすることで、ボンディング時に半導体チップの表面構造11(層間絶縁膜6やn半導体基板1)に発生する応力を緩和できて、初期欠陥のない高品質な半導体装置を提供できる。尚、これらの実施例は、当然、電気的配線にワイヤボンディングを使用している半導体装置に共通したものである。
【0031】
【発明の効果】
ボンディング時の超音波振動の方向をストライプセル構造の長手方向とほぼ平行にすることで、太線化したアルミワイヤをボンディングする際に、層間絶縁膜に発生する応力を緩和できて、ボンディング工程時の半導体チップへの機械的損傷が抑えられ、チップ不良の発生が抑えられ、接合状態の安定した半導体装置の供給ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の参考例の半導体装置であり、(a)は平面図、(b)は(a)のX−X線で切断した要部断面図、(c)は(b)のA部の拡大図
【図2】 超音波振動の方向を示す図
【図3】 電極膜の膜厚をパラメータとした有限要素法(FEM)による応力解析の結果を示した図
【図4】 アルミ・シリコンの電極膜の膜厚とチップ不良が発生する超音波パワーとの関係を示す図
【図5】 この発明の実施例の半導体装置であり、(a)は平面図、(b)は(a)のX−X線で切断した要部断面図、(c)は(a)のY−Y線で切断した要部断面図、(d)は、(b)のB部の拡大図
【図6】 超音波振動の方向を示す図
【図7】 IGBTモジュールの要部断面図
【図8】 ボンディングワイヤを固着した半導体チップの要部拡大断面図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のX−X線で切断した要部断面図、(c)は(b)のA部の拡大図
Claims (3)
- 拡散領域を有する半導体基板上に絶縁膜を介して形成した電極膜と、該電極膜に超音波ボンディングで接合したボンディングワイヤを有する半導体装置において、前記電極膜をストライプ状の凸部を有するアルミ・シリコン膜で形成し、該電極膜と直径が300μm以上600μm以下のボンディングワイヤとの接合面は楕円形をなし、該楕円形の接合面の長軸方向が、該凸部の長手方向に対して20度以下の角度であることを特徴とする半導体装置。
- 前記電極膜の凸部が、MOSデバイスのストライプセル構造のテラスゲート部であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 拡散領域を有する半導体基板上に絶縁膜を介して形成した電極膜と、該電極膜に超音波ボンディングで接合したボンディングワイヤを有する半導体装置の製造方法において、前記電極膜をストライプ状の凸部を有するアルミ・シリコン膜で形成し、直径が300μm以上600μm以下のボンディングワイヤを前記凸部の長手方向に対して20度以下の角度で超音波振動をさせて接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2006228948A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
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JP5494293B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-05-14 | 三菱電機株式会社 | ワイヤボンディング方法、半導体装置の製造方法 |
US8836150B2 (en) | 2010-11-29 | 2014-09-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
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JP5506899B1 (ja) * | 2012-12-25 | 2014-05-28 | 三菱電機エンジニアリング株式会社 | 超音波接合方法及び超音波接合装置 |
JP5916651B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2016-05-11 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置の製造方法 |
JP6056968B2 (ja) * | 2013-05-10 | 2017-01-11 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
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US20230116738A1 (en) * | 2020-03-25 | 2023-04-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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