JP4215787B2 - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記1対のMOS型トランジスタのゲート絶縁膜が隔離され前記拡散層の露出面を構成し、
前記拡散層の露出面に選択エピタキシャル成長により形成された、各ゲート絶縁膜の前記拡散層側端部と接するシリコン層を有し、
該シリコン層を介して前記コンタクトプラグが前記拡散層に電気的に接続され、
前記1対のMOS型トランジスタの各ゲート電極が、それぞれのゲート絶縁膜の両側端部より後退して形成され、前記各ゲート電極と前記シリコン層との間に間隙を有し、
シリコン酸窒化膜からなる絶縁膜が前記間隙に前記ゲート絶縁膜に接して埋め込まれており、該絶縁膜は前記自己整合コンタクトプロセスにエッチングストッパーとして使用されたシリコン窒化膜とシリコン基板とを少なくとも隔離することを特徴とする半導体集積回路装置、
に関する。
前記MOS型トランジスタを構成するゲート電極の側面の一部を覆う第1の側壁シリコン窒化膜を形成する工程と、
前記第1の側壁シリコン窒化膜と前記ゲート電極の側壁の前記第1の側壁シリコン窒化膜で覆われていない部分とを覆う側壁シリコン酸窒化膜を形成する工程と、
前記側壁シリコン酸窒化膜をマスクとしてゲート絶縁膜を除去し、前記拡散層が形成されるシリコン基板表面を露出させる工程と、
前記拡散層の露出面に選択エピタキシャル成長によりシリコン層を成長させる工程と、
前記側壁シリコン酸窒化膜の一部を除去し、前記シリコン層と前記ゲート電極との間隙に埋め込まれたシリコン酸窒化膜を形成する工程と、
前記半導体基板の主面に第3のシリコン窒化膜および層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜及び前記第3のシリコン窒化膜の所定の位置にコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールに導電材料を埋め込み、コンタクトプラグを形成する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方法が提供される。
図2および図3は、実施例の製造工程を示す模式的工程断面図である。
2 容量コンタクト側拡散層
3 ビット線コンタクト側拡散層
4 素子分離領域
21 シリコン基板
22 ゲート絶縁膜
23 ポリシリコン膜
24 メタル膜
25 第1のシリコン窒化膜
26 第1の側壁シリコン窒化膜
27 側壁絶縁膜
27’ 間隙絶縁膜
28 シリコン層
29 第3のシリコン窒化膜
29’ 第2の側壁シリコン窒化膜
30 層間絶縁膜
31 コンタクトホール
32 コンタクト保護側壁シリコン窒化膜
33 ドープトポリシリコン
Claims (12)
- 素子分離領域に囲まれたシリコン基板上に、隣接する1対のMOS型トランジスタと、シリコン窒化膜をエッチングストッパーとして用いた自己整合コンタクトプロセスによって形成されたコンタクトホールに埋め込まれ、前記MOS型トランジスタを構成する拡散層に電気的に接続されたコンタクトプラグを有する半導体集積回路装置であって、
前記1対のMOS型トランジスタのゲート絶縁膜が隔離され前記拡散層の露出面を構成し、
前記拡散層の露出面に選択エピタキシャル成長により形成された、各ゲート絶縁膜の前記拡散層側端部と接するシリコン層を有し、
該シリコン層を介して前記コンタクトプラグが前記拡散層に電気的に接続され、
前記1対のMOS型トランジスタの各ゲート電極が、それぞれのゲート絶縁膜の両側端部より後退して形成され、前記各ゲート電極と前記シリコン層との間に間隙を有し、
シリコン酸窒化膜からなる絶縁膜が前記間隙に前記ゲート絶縁膜に接して埋め込まれており、該絶縁膜は前記自己整合コンタクトプロセスにエッチングストッパーとして使用されたシリコン窒化膜とシリコン基板とを少なくとも隔離することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記ゲート電極は、ゲート絶縁膜上に、ポリシリコン膜とメタル膜がこの順に積層された積層構造であることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記メタル膜上に、更に、第1のシリコン窒化膜が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記ゲート電極は、ゲート絶縁膜上に、該ゲート絶縁膜の両側端部より後退して前記ポリシリコン膜が形成されており、該ポリシリコン膜の両側端部より後退して前記メタル膜と第1のシリコン窒化膜の積層体が形成されており、該メタル膜と第1のシリコン窒化膜の積層体の両側面に第2のシリコン窒化膜からなる第1の側壁シリコン窒化膜が形成され、該第1の側壁シリコン窒化膜の側面は、前記ポリシリコン膜の側面と略平面を構成していることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置。
- 前記コンタクトホールは、前記ゲート電極、前記シリコン層および、前記ゲート電極とシリコン層との前記間隙に埋め込まれた絶縁膜上に形成された第3のシリコン窒化膜をエッチングストッパーとして、該第3のシリコン窒化膜上の層間絶縁膜に対して自己整合的に開孔部を形成し、該開孔部に露出した第3のシリコン窒化膜をエッチバックし、前記シリコン層を露出させて形成したものであり、前記ゲート電極の前記間隙に埋め込まれた絶縁膜上の側壁には第3のシリコン窒化膜のエッチバックにより形成された第2の側壁シリコン窒化膜を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 半導体基板上に、隣接する1対のMOS型トランジスタと前記MOS型トランジスタを構成する拡散層に電気的に接続されたコンタクトプラグとを有する半導体集積回路装置を製造する方法であって、
前記MOS型トランジスタを構成するゲート電極の側面の一部を覆う第1の側壁シリコン窒化膜を形成する工程と、
前記第1の側壁シリコン窒化膜と前記ゲート電極の側壁の前記第1の側壁シリコン窒化膜で覆われていない部分とを覆う側壁シリコン酸窒化膜を形成する工程と、
前記側壁シリコン酸窒化膜をマスクとしてゲート絶縁膜を除去し、前記拡散層が形成されるシリコン基板表面を露出させる工程と、
前記拡散層の露出面に選択エピタキシャル成長によりシリコン層を成長させる工程と、
前記側壁シリコン酸窒化膜の一部を除去し、前記シリコン層と前記ゲート電極との間隙に埋め込まれたシリコン酸窒化膜を形成する工程と、
前記半導体基板の主面に第3のシリコン窒化膜および層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜及び前記第3のシリコン窒化膜の所定の位置にコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールに導電材料を埋め込み、コンタクトプラグを形成する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記側壁シリコン酸窒化膜の一部を除去し、前記シリコン層と前記ゲート電極との間隙に埋め込まれたシリコン酸窒化膜を形成する工程が、等方性エッチングを用いて行なわれることを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記等方性エッチングが、希フッ酸溶液を用いた等方性エッチングであることを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記希フッ酸溶液は、フッ酸と水とを1:50〜1:500の混合比で混合したものであることを特徴とする請求項8に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜上に、ポリシリコン膜、メタル膜および第1のシリコン窒化膜を積層する工程と、
前記第1のシリコン窒化膜および前記メタル膜を第1の形状にパターニングする工程と、
前記第1の形状にパターニングされたメタル膜と第1のシリコン窒化膜との積層体の側面に、前記第1の側壁シリコン窒化膜を形成する工程と、
前記第1のシリコン窒化膜および第1の側壁シリコン窒化膜をマスクに、前記ポリシリコン膜をパターニングする工程とにより、前記ゲート電極を形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールを形成する際に、第3のシリコン窒化膜をエッチバックし、前記第1の側壁シリコン窒化膜のコンタクトホール形成側側壁に第2の側壁窒化シリコン膜を残すことを特徴とする請求項10に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールを形成後、第4のシリコン窒化膜を成膜し、該第4のシリコン窒化膜をエッチバックして、コンタクトホールの開孔された層間絶縁膜側壁およびゲート電極側壁にコンタクト保護側壁シリコン窒化膜を残した後、導電材料を埋め込み、コンタクトプラグを形成する請求項6〜11のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
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