JP4092093B2 - メモリ・セル読み取り方法、メモリ・セル読み取り回路、および情報記憶デバイス - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、データ記憶デバイスに関するものである。特に、本発明は、抵抗交差点アレイをなすメモリ・セルを含むデータ記憶デバイス、及び、前記アレイ内のメモリ・セルの抵抗状態を検知するための方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
磁気ランダム・アクセス・メモリ(magnetic random access memory:以下、「MRAM」と呼ぶ)は、データ記憶のために検討されている不揮発性薄膜メモリである。典型的なMRAM素子は、メモリ・セル・アレイを含んでいる。語線(word line)が、メモリ・セルの行に沿って延び、ビット線(bit line)が、メモリ・セルの列に沿って延びている。各メモリ・セルは、語線及びビット線の交差点に配置されている。
【0003】
MRAMメモリ・セルは、スピン依存トンネル(spin dependent tunneling:以下、「SDT」と呼ぶ)接合を基礎とすることができる。典型的なSDT接合は、スピン強磁性層とセンス強磁性層とこれらの強磁性層間に挟まれた絶縁トンネル障壁とを備えている。SDT接合の磁化配向を平行(論理「0」)または逆平行(論理「1」)にする磁界を加えることによって、SDT接合に論理値を書き込むことができる。強磁性層のスピン分極の相対的な配向及び大きさによって、SDT接合の抵抗状態(RまたはR+△R)が決まる。
【0004】
ポリマ・メモリ(polymer memory)は、データ記憶のために検討されている別の不揮発性薄膜メモリである。ポリマ・メモリは、語線がメモリ・セルの行に沿って延び、ビット線がメモリ・セルの列に沿って延びているメモリ・セル・アレイも含んでいる。ポリマ・メモリ・セルは、有極導電性ポリマ分子(polar conductive polymer molecule)に基づくメモリ素子を含んでいる。データは、ポリマ分子における「永久的分極(permanent polarization)」として記憶される(データが「永久磁気モーメント」として記憶されるSDT接合とは対照的に)。ポリマ・メモリ素子は、電界を印加することによって書き込むことができる。ポリマ・メモリ素子の抵抗状態(RまたはR+△R)は、ポリマ分子の分極配向によって決まる。
【0005】
薄膜メモリ素子に記憶されている論理値は、メモリ素子の抵抗状態を検知することによって読み取ることができる。選択メモリ・セルの読み取り操作中に、選択されたメモリ・セルと交差するビット線に動作電位を印加し、選択されたメモリ・セルと交差する語線にグラウンド電位を印加することができる。従って、選択されたメモリ・セルのメモリ素子を通じてセンス電流(sense current)が流れる。このセンス電流によって、メモリ素子の抵抗状態が示される。
【0006】
しかし、アレイ内のメモリ・セルは、多くの平行経路によって互いに結合されている。ある交差点において認められる抵抗は、他の行及び列においてメモリ・セルの抵抗と平行な交差点でのメモリ・セルの抵抗に等しい。これに関して、メモリ・セル・アレイは、交差点抵抗ネットワーク(cross point resistor network)として特性を表すことができる。
【0007】
回り込み電流(sneak path current)がセンス電流を不明瞭にしないように、選択されなかった線(例えば、選択されなかったビット線)の部分集合には、等しい動作電位が印加される。この「等電位法(equipotential method)」によって、回り込み電流を阻止するためにダイオードまたはスイッチを用いなくても、センス電流を確実に読み取ることができる。「等電位」法は2000年3月3日に提出された譲受人の米国特許出願第09/564,308号公報に開示されており、これを引用することにより本明細書の一部をなすものとする。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、メモリ・セルの抵抗状態を検知するための時間量を低減することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様によれば、等電位法を用いて、抵抗交差点アレイをなすメモリ・セルの抵抗状態を読み取るメモリ・セル読み取り方法であって、積分コンデンサを、当該積分コンデンサに接続された積分コンデンサ充電用スイッチを用いてVDD電圧まで充電するステップと、前記積分コンデンサが出力端に接続され、選択されたメモリ・セルを交差する線が入力端に接続される直接注入電荷増幅器の入力電圧を、前記直接注入電荷増幅器の入力端と接続されたスイッチを用いてアレイ電圧までプル・アップするステップと、前記入力電圧がアレイ電圧までプル・アップされた後に、前記積分コンデンサおよび直接注入電荷増幅器を用いて前記選択されたメモリ・セルの抵抗状態を検知するステップと、を含み、前記抵抗状態を検知するステップは、検知電流を積分する前記積分コンデンサのコンデンサ積分時間から前記抵抗状態を判定する。
【0010】
本発明の他の態様及び利点については、本発明の原理を例示した添付図面に関連してなされる下記の詳細な説明から明らかになるであろう。
【0011】
【発明の実施の形態】
例証のために図面に示すように、本発明は、メモリ・セル・アレイと、選択されたメモリ・セルの抵抗状態を確実に検知するための少なくとも1つのセンス・アンプとを含む情報記憶デバイスによって具現化される。選択されたメモリ・セルに対する読み取り操作中に、センス・アンプは、選択されたビット線に動作電位を印加し、選択されなかった語線及びビット線の部分集合に等電位を印加する。選択されたメモリ・セルの抵抗状態を検知する前に、センス・アンプの入力は、強制的に既知の一定の状態にされる。選択されなかった線の部分集合を等電位にすることにより、選択されたメモリ・セルの読み取り操作に対する寄生電流による妨害を阻止することができる。強制的にセンス・アンプの入力を既知の一定の状態にすることにより、選択されたメモリ・セルの抵抗状態を検知するための時間が短縮される。
【0012】
図1を参照すると、抵抗交差点アレイ10をなすメモリ・セル12を含む情報記憶デバイス8が例示されている。メモリ・セル12は、行及び列をなすように構成されており、行はx方向に沿って延び、列はy方向に沿って延びている。装置8の説明を単純化するため、比較的に少数のメモリ・セル12だけを示している。実際には、任意のサイズのアレイを利用することができる。
【0013】
語線14として機能するトレースが、メモリ・セル・アレイ10の平面内の一方の側をx方向に沿って延びている。ビット線16として機能するトレースが、メモリ・セル・アレイ10の平面内のもう一方の側をy方向に沿って延びている。アレイ10の各行毎に1つの語線14と、アレイ10の各列毎に1つのビット線16とを設けることができる。各メモリ・セル12は、対応する語線14とビット線16の交差点に配置されている。
【0014】
メモリ・セル12は、薄膜メモリ素子を含みうる。例えば、データは、メモリ素子に「永久磁気モーメント(permanent magnetic moment)」(MRAM技術の場合)または「永久分極」(ポリマ・メモリ技術の場合)として記憶することができる。磁気メモリ素子は、語線14及びビット線16を介して磁界を加えることによって書き込むことができ、一方、ポリマ・メモリ素子は、語線14及びビット線16を介して電界を印加することによって書き込むことができる。MRAMメモリ素子の抵抗(RまたはR+△R)は自由層(free layer)の磁化の配向によって決まり、一方、ポリマ・メモリ素子の抵抗(RまたはR+△R)はポリマ分子の分極の配向によって決まる。
【0015】
装置8は、行復号回路18も含んでいる。読み取り操作中に、行復号回路18は、定アレイ電圧(Vs)またはグラウンド電位を語線14に印加することができる。定アレイ電圧(Vs)は、外部回路によって供給することができる。
【0016】
記憶デバイス8は、読み取り操作中に選択されたメモリ・セル12の抵抗状態を検知するための読み取り回路と、書き込み操作中に選択されたメモリ・セル12の磁化に配向を施すための書き込み回路とをさらに含んでいる。読み取り回路は、ほぼ全体が20で表示されている。書き込み回路は、記憶デバイス8の説明を単純化するため示されていない。
【0017】
読み取り回路20は、複数のステアリング回路22及びセンス・アンプ24を含んでいる。複数ビット線16が、各ステアリング回路22に接続されている。各ステアリング回路22は、動作電位源またはセンス・アンプ24に各ビット線16を接続することが可能な1組のスイッチを含んでいる。センス・アンプ24の出力は、データ・レジスタ26に供給され、装置8のI/Oパッド28に結合される。
【0018】
読み取り回路20は、複数のプル・アップ・トランジスタ30もさらに含んでいる。選択されたメモリ・セル12に対する読み取り操作中、プル・アップ・トランジスタ30は、センス・アンプ24の入力電圧(Vin)をプル・アップする。入力電圧(Vin)は、アレイ電圧(Vs)までプル・アップされる。そして、センス・アンプ24は、選択されたメモリ・セル12の抵抗状態を検知する。プル・アップ・トランジスタ30は、センス・アンプの入力をアレイ電圧(Vin)までプル・アップすることによって、センス・アンプの入力を強制的に既知の一定条件にする。図2〜図6に関連して後述のように、センス・アンプの入力を強制的に既知の一定条件にすることによって、読み取り操作の実施時間が短縮される。
【0019】
記憶デバイス8は、アドレス・ストローブ信号(strobe signal:以下、「STR」と呼ぶ)と、読み取り操作の「整定(settle)」及び「積分(integration)」段階を制御する積分制御信号(integrator control signal:以下、「INT」と呼ぶ)と、センス・アンプ24のリセットとプリセットと起動と記憶とを制御する信号(以下、「SA」と呼ぶ)と、センス・アンプ24の動作に関連したプル・アップ・トランジスタ30の順序づけを制御する信号(以下、「PU」と呼ぶ)とを発生する制御回路32も含んでいる。制御回路32は、読み取り及び書き込み操作を制御するための他の信号を発生する。制御回路32は、メモリ・セル・アレイ10に近い状態マシンとして実施することができる。代わりに、外部メモリ・コントローラによって、制御信号を発生することもできる。
【0020】
図4は、直接注入電荷増幅器52及び積分コンデンサ54を含む典型的なセンス・アンプ24を示す。電荷増幅器52及びコンデンサ54を選択されたビット線に結合するステアリング回路スイッチ56は、第1のスイッチ56と呼ぶことにする。センス・アンプ24の一部をなす第2のスイッチ58は、コンデンサ54をVDD電圧の供給源に結合する。
【0021】
第1のスイッチ56を閉じると選択されたビット線がセンス・アンプ24に接続され、第2のスイッチ58を閉じるとコンデンサ54がVDD電圧まで充電される。プル・アップ・トランジスタ30にパルスを生じさせると、センス・アンプの入力が、アレイ電圧(Vs)まで充電される。
【0022】
図2及び図3をさらに参照すると、直接注入電荷増幅器52及び積分コンデンサ54を利用して、選択されたメモリ・セルの読み取り操作中に、アレイ10に等電位を印加する方法が例示されている。読み取り操作の開始時に、選択された語線14をグラウンド電位に接続し(アドレス選択ストローブ信号STRによって、語線アドレスがセットされる)、選択されたビット線16を直接注入電荷増幅器52の入力に接続し、選択されなかった線の部分集合をアレイ電圧(Vs)に接続することによって、アドレスが選択される(ブロック100)。選択されなかった線に印加される電圧(Vs)は、選択されたビット線に印加される電圧と同じ大きさを備えている。従って、回り込み電流によって、センス電流が妨害されることはない。
【0023】
次に、直接注入電荷増幅器52の出力をVDDに接続することによって、整定段階(settle phase)が開始される(ブロック102)。整定段階の開始直後に、制御信号PU(ブロック104)によって、プル・アップ・トランジスタ30がパルスを生じさせられる。プル・アップ・トランジスタ30はインピーダンスが低いので、選択ビット線16及び直接注入電荷増幅器52の入力電圧(Vin)は急速にアレイ電圧(Vs)まで充電される。従って、既知の初期状態が選択されたビット線16に適用される。
【0024】
プル・アップ・トランジスタ30をオフにすると、選択されたビット線電圧は、直接注入電荷増幅器のオフセット・パラメータによって決まる動作電圧まで減衰する。直接注入電荷増幅器52は、選択されたビット線16に調整された電圧を印加する。
【0025】
センス・アンプ24における全ての電圧及び電流の過渡状態を極めて低いレベルまで整定させるため、待機時間(W1)が課せられる(ブロック106)。直接注入電荷増幅器52が理想的でありオフセットがない場合には、センス電流は、すぐに安定してすぐに検知することができる。しかし、実際には、直接注入電荷増幅器52にはオフセットがある。このオフセットによって、センス電流に過渡状態が生じる。これらの過渡状態は、センス電流の検知前に整定させるのが望ましい。
【0026】
過渡状態が整定されると積分段階が開始される。しかし、積分段階の開始直前に、制御信号によって、センス増幅器24のリセットとプリセットと起動とを行う。
【0027】
次に、図5をもう一度参照する。センス電流を用いて積分コンデンサ54に放電させることによって、積分段階が開始される(ブロック108)。積分コンデンサ54の電圧(Vcap)は、選択されたメモリ・セル12の抵抗によって決まる速度で減衰する。コンデンサ電圧(Vcap)の降下は、選択されたメモリ・セル12が大きい抵抗(R+△R)を有する場合には遅くなり、選択されたメモリ・セル12が小さい抵抗(R)を有する場合には速くなる。
【0028】
コンデンサ電圧(Vcap)が基準電圧(Vt)まで減衰する時間を測定し(ブロック110)、その測定時間としきい値とを比較する(ブロック112)。第1のコンパレータ60によって、コンデンサ電圧(Vcap)としきい値電圧(Vt)とを比較する。選択されたメモリ・セル12の抵抗状態、したがって、選択されたメモリ・セル12の論理値は、しきい値電圧(Vt)に達する時間に従って判定することができる。
【0029】
例えば、第2のコンパレータ62によって、第1のコンパレータ60の出力と、特定の時間に高から低に(あるいはその逆に)遷移するクロック・パルス(以下、「CP」と呼ぶ)とを比較することができる。第2のコンパレータ62は、データ・レジスタ26にデータ信号(以下、「DAT」と呼ぶ)を供給する。コンデンサ電圧(Vcap)が、クロック・パルスCPの遷移前に、しきい値電圧(Vt)未満にまで降下すると、DATによって、小さいセル抵抗(R)に対応する論理値(実線で示された)が表示される。コンデンサ電圧(Vcap)が、クロック・パルスの遷移後に、しきい値電圧(Vt)未満にまで降下すると、DATによって、大きいセル抵抗(R+△R)に対応する論理値(点線で示された)が得られる。
【0030】
しきい値電圧(Vt)は、VDD電圧より低いが、アレイ電圧(Vs)より高いdc電圧とすることができる。すなわち、Vs<Vt<VDDである。クロック・パルス(CP)の遷移は、大きい抵抗状態の第1のスイッチングしきい値時間(T1)と小さい抵抗状態の第2のスイッチングしきい値時間(T2)の間の時間(T0)において生じることができる。しきい値電圧(Vt)及びクロック・パルス(CP)は、外部基準回路(external reference circuit)によって発生することができる。
【0031】
図6は、4つの読み取り操作におけるコンデンサ電圧(Vcap)及びセンス・アンプの入力電圧(Vin)を示す。各読み取り操作中、センス電流の積分前に、プル・アップ・トランジスタ30がパルスを生じさせられる(制御信号PUによって)。プル・アップ・トランジスタ30は、有限持続時間にわたってパルスを生じさせられるが、その有限持続時間は、過渡状態が整定する時間より短い。例えば、有限持続時間は、整定時間の10%とすることができる。
【0032】
第1の読み取り操作が大きい抵抗状態を有する選択されたメモリ・セルに対して実施され、第2の読み取り操作が小さい抵抗状態を有する選択されたメモリ・セルに対して実施され、第3の読み取り操作が短い積分時間にわたって実施され、第4の読み取り操作が長い積分時間にわたって実施される。各読み取り操作毎に、センス・アンプの入力は同じ電圧から開始される。
【0033】
プル・アップ・トランジスタ30がない場合には、「整定」段階(settle phase)の開始時における初期状態によって、「整定」段階の持続時間が決まる。短い積分時間及び大きい抵抗値が検知されると、通常、電荷増幅器52が線形モードにおいて作動し、電荷増幅器52の電圧が飽和レベル以上になる。その結果、「整定」段階は短くなる。長い積分時間及び小さい抵抗値が検知されると、電荷増幅器が飽和して動作する初期状態になる。その結果、「整定」段階は長くなる。
【0034】
しかしながら、プル・アップ・トランジスタ30を用いると、4つの読み取り操作のすべてが、センス・アンプ入力において同じ電圧で開始される。結果として、それぞれの4つの読み取り操作は、「整定」段階が短くなる。
【0035】
図7A及び図7Bは、等電位法によって、回り込み電流による読み取り操作の妨害を阻止する方法を示す。図7Aは、メモリ・セル・アレイ10の電気的同等物を示す。選択されたメモリ・セルは、第1の抵抗器12aによって表され、選択されなかったメモリ・セルは、第2と第3と第4との抵抗器12bと12cと12dとによって表される。第2の抵抗器12bは選択されたビット線に沿った選択されなかったメモリ・セルを表し、第3の抵抗器12cは選択された語線に沿った選択されなかったメモリ・セルを表し、第4の抵抗器12dは残りの選択されなかったメモリ・セルを表す。例えば、メモリ・セル12の全てが、約Rの公称抵抗を有しており、アレイ10が、n行及びm列を備えている場合には、第2の抵抗器12bの抵抗は約R/(n−1)になり、第3の抵抗器12cの抵抗は約R/(m−1)になり、第4の抵抗器12dの抵抗は約R/[(n−1)(m−1)]になる。
【0036】
第1の抵抗器12aは、交差するビット線にアレイ電圧(Vs)を印加し、交差する語線にグラウンド電位を印加することによって選択することができる。従って、センス電流(Is)が第1の抵抗器12aを流れる。しかし、第2と第3と第4との抵抗器12bと12cと12dもアレイ電圧(Vs)とグラウンド電位との間に結合される。
【0037】
読み取り操作中における回り込み電流の影響を低減するため、同じ動作電位Vb=Vsが、選択されなかったビット線に印加される。Vb=Vsの場合には、回り込み電流は、第2の抵抗器12b及び第4の抵抗器12dを流れることができなくなり、第3の抵抗器12cを流れる回り込み電流S3は、グラウンド電位に送られるので、センス電流(Is)の妨害をすることはない。
【0038】
代わりに、図7Bに示すように、回り込み電流の影響は、選択されなかった語線に同じ動作電位Vb=Vsを印加することによって低減することができる。回り込み電流は、第2の抵抗器12bを流れることができなくなる。第3の抵抗器12c及び第4の抵抗器12dを流れる回り込み電流S3及びS4は、グラウンド電位に送られ、従って、センス電流(Is)の妨害をすることはない。
【0039】
従って、アレイ10の選択されなかったビット線または語線に等電位を印加すると、センス電流(Is)の不明瞭さをなくすか、または、軽減することができる。この結果、センス電流(Is)、従って、選択されたメモリ・セルの抵抗状態が、確実に判定される。
【0040】
このように、読み取り操作中に、メモリ・セルの抵抗状態を確実かつ迅速に検知することができる情報記憶デバイスを開示した。読み取り操作においてセンス電流が不明瞭にならないように、回り込み電流は阻止されるかまたは向きを直される。プル・アップ・トランジスタによって、読み取り毎に同じ初期状態で強制的に読み取り操作を開始する。初期状態は、メモリ・セルの抵抗状態とは関係なく迅速に実現される。センス・アンプの入力を迅速に引き上げ、一貫して同じ初期電圧で開始することによって、過渡状態が整定するのを待つ時間が短縮され、読み取り操作を実施する時間が短縮される。
【0041】
センス・アンプは、特定のタイプに制限されるものではない。しかし、図4のセンス・アンプが望ましい。
【0042】
基準電圧及び他の基準信号(例えば、しきい値)は、任意のいくつかの方法で発生させることができる。例えば、基準電圧は、単純な抵抗ネットワークをなすダミー・メモリ・セルによって発生させることができる。基準電圧発生の他の例は、2000年6月20日に提出された本件出願人の米国特許出願第09/598,671号に記載されている。
【0043】
抵抗交差点アレイをなすメモリ・セルは、特定のタイプのメモリ素子に制限されるものではない。例えば、MRAM素子には、巨大磁気抵抗(giant magnetoresistance:GMR)メモリ素子を含みうる。
【0044】
本発明は、上記において解説されて例示された特定の実施態様に制限されるものではない。その代わり、本発明は付属の請求項に従って解釈される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による情報記憶デバイスを示す概略図である。
【図2】図1の装置におけるメモリ・セルの読み取り方法を示す流れ図である。
【図3】図1の装置におけるメモリ・セルの読み取り方法を示す概略図である。
【図4】図1の装置の典型的なセンス・アンプを示す概略図である。
【図5】図4のハードウェア実施例によって読み取り操作中に発生する信号を示す概略図である。
【図6】一連の読み取り操作中におけるコンデンサ電圧及びセンス・アンプ入力電圧を示す概略図である。
【図7】A及びBは、図1に示す装置の抵抗交差点アレイの電気的同等物を流れるセンス電流及び回り込み電流を示す概略図である。
【符号の説明】
8 情報記憶デバイス
10 抵抗交差点アレイ
12 メモリ・セル
14 語線
16 ビット線
24 センス・アンプ
30 スイッチ
32 制御回路
52 電荷増幅器
Claims (3)
- 等電位法を用いて、抵抗交差点アレイをなすメモリ・セルの抵抗状態を読み取るメモリ・セル読み取り方法であって、
積分コンデンサを、当該積分コンデンサに接続された積分コンデンサ充電用スイッチを用いてVDD電圧まで充電するステップと、
前記積分コンデンサが出力端に接続され、選択されたメモリ・セルを交差する線が入力端に接続される直接注入電荷増幅器の入力電圧を、前記直接注入電荷増幅器の入力端と接続されたスイッチを用いてアレイ電圧までプル・アップするステップと、
前記入力電圧がアレイ電圧までプル・アップされた後に、前記積分コンデンサおよび直接注入電荷増幅器を用いて前記選択されたメモリ・セルの抵抗状態を検知するステップと、
を含み、
前記抵抗状態を検知するステップは、検知電流を積分する前記積分コンデンサのコンデンサ積分時間から前記抵抗状態を判定することを特徴とするメモリ・セル読み取り方法。 - 抵抗交差点アレイをなすメモリ・セルと、
等電位法を用いて、前記アレイ内の選択されたメモリ・セルの抵抗状態を検知するための積分コンデンサおよび当該積分コンデンサが出力端に接続され、前記選択されたメモリ・セルを交差する線が入力端に接続される直接注入電荷増幅器と、
前記積分コンデンサに接続され、前記積分コンデンサをVDD電圧まで充電するための積分コンデンサ充電用スイッチと、
前記直接注入電荷増幅器の入力端に接続され、前記直接注入電荷増幅器への入力電圧をアレイ電圧までプル・アップするためのスイッチと、
検知電流を積分する前記積分コンデンサのコンデンサ積分時間に従い、前記選択されたメモリ・セルの抵抗状態を判定するための回路と、
を含むことを特徴とする情報記憶デバイス。 - 等電位法を用いて、選択されたメモリ・セルを交差する線に動作電位を印加し、および選択されなかったメモリ・セルを交差する線にも前記動作電位と等しい電位を印加し、抵抗交差点アレイをなすメモリ・セル上で読み取り動作を行うメモリ・セル読み取り回路であって、
前記選択されたメモリ・セルの抵抗状態を検知するための積分コンデンサおよび当該積分コンデンサが出力端に接続され、前記選択されたメモリ・セルを交差する線が入力端に接続される直接注入電荷増幅器と、
前記積分コンデンサに接続され、前記積分コンデンサをVDD電圧まで充電するための積分コンデンサ充電用スイッチと、
前記積分コンデンサおよび直接注入電荷増幅器よりも低いインピーダンスを有し、読み取り動作の開始時に前記直接注入電荷増幅器の入力端に接続され、前記直接注入電荷増幅器への入力電圧をアレイ電圧までプル・アップするためのスイッチと、
を含み、
検知電流を積分する前記積分コンデンサのコンデンサ積分時間から前記抵抗状態を判定することを特徴とするメモリ・セル読み取り回路。
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