JP5221222B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、抵抗性記憶素子を有する半導体メモリ、例えば、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)に関する。
以下、図1乃至図12を参照して、本発明の実施形態について、スピン注入型MRAMを例に説明する。
以下、図1乃至図6を用いて、本発明の実施形態に係る磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の基本例について説明する。
図1及び図2を用いて、本発明の実施形態に係るMRAMの書き込み動作時の回路及び動作の基本構成について、説明する。
抵抗性記憶素子MTJ、MTJ_Sは、例えば、MTJ素子である。選択スイッチ素子Tr,Tr_Sは、例えば、MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)トランジスタである。以下では、選択スイッチ素子として機能するMISトランジスタのことを、選択トランジスタと呼ぶ。
このように、本実施形態のメモリセルは、いわゆる、1Tr+1MTJの構成を有している。
MTJ素子MTJ,MTJ_Sの一端は、ビット線対をなす第1のビット線BL0に接続され、MTJ素子MTJ,MTJ_Sの他端は、選択トランジスタTr1,Tr_Sの電流経路の一端に接続される。そして、選択トランジスタTr,Tr_Sの電流経路の他端は、第2のビット線BL1に接続される。各選択トランジスタTr,Tr_Sのゲート電極には、1つのワード線WL0〜WLnが接続される。
即ち、選択されたビット線(例えば、ビット線BL0)が活性化され、選択ビット線の信号レベルselected_BLが“L”レベルから“H”レベルになる。これによって、選択セルMC_Sが接続されている第1のビット線BL0に、第1の共通配線20から電源電位Vddが供給され、選択ビット線BL0とメモリセルMC,MC_Sとのノード(MTJ素子とビット線との接続点)が充電される。
即ち、第2のPチャネルMISトランジスタ1Lは、制御信号SWPD_Lが“H”レベルから“L”レベルにされて、オン状態にされる。第1のNチャネルMISトランジスタ1Rは、制御信号SWNS_Rが“L”レベルから“H”レベルにされて、オン状態にされる。
そして、第2のカラム選択スイッチ52は、第2のカラム選択信号CSWC_2が“L”レベルから“H”レベルにされることによって、オン状態にされる。また、第1のカラム選択スイッチ31もオン状態にされる。選択ビット線である第2のビット線BL1は活性化され、第2の共通配線30から第2のビット線BL1に電源電位Vddが供給される。これによって、選択セルMC_Sとビット線BL1とのノードが充電される。
この場合、非定常状態の書き込み電流が選択セルへ流れ続けている状態で、書き込み選択されたビット線対の各ノードの充電が同時に行われ、それに加えて、ビット線及び複数のメモリセルが含むRC時定数に起因する遅延(RC遅延)が生じる。そのため、各ノードが十分に充電されて、反転閾値電流に達する定常状態の書き込み電流が流れるようになるまでに、比較的長い時間が必要となる。このように、ワード線が活性化された後にビット線が活性化されるMRAMでは、メモリセル(MTJ素子)のスイッチング速度は、書き込み選択されたビット線対全体の電位が定常状態になるまでの時間に比べ高速ではあるが、このようなMRAMの書き込み動作の速度は、書き込み系全体の充電時間で規定されてしまう。
そして、選択セルMC_Sと活性化された選択ビット線とのノードは、ワード線が活性化されるまでの間に十分に充電されるため、書き込み電流注入の開始時に、反転閾値電流に達した定常状態の書き込み電流Iwを、MTJ素子に注入することができる。
したがって、本実施形態のMRAMによれば、電流値が安定した書き込み電流Iwを用いることができ、書き込み動作を安定化できる。
図3及び図4を用いて、本発明の実施形態に係るMRAMの読み出し動作時の回路及び動作の基本構成について、説明する。尚、図1及び図2の構成部材と同一の機能を果たす構成部材については、同一符号を付し、必要に応じて説明を行う。
カラム選択スイッチ31,51及び読み出しスイッチ回路41は、ビット線BL0,BL1と読み出し用回路(センスアンプ7)とを導通させ、読み出し電流Irを選択セルに流すためのスイッチ素子として、機能する。読み出しスイッチ回路41のオン/オフは、読み出しスイッチ制御信号RSWCによって制御される。
本実施形態に係るMRAMの読み出し動作は、トンネル磁気抵抗効果を利用して、実行される。即ち、読み出し動作の際には、読み出し選択セルが接続されているビット線対において、選択セルに、読み出し電流が流される。選択セルMC_S内のMTJ素子MTJ_Sは、“0”又は“1”データに応じて抵抗値が異なる。そのため、その抵抗値に応じて、センスアンプ7が接続されたビット線BL0の電位変動量が異なる。センスアンプ7は、データに応じた電位変動量を検知し、選択セルMC_S内のデータを判別する。これによって、選択セル内のデータが読み出される。
次に、読み出しスイッチ制御信号RSWCが“L”レベルから“H”レベルにされ、読み出しスイッチ回路41がオン状態となる。これと共に、第1及び第2のカラム選択信号CSWC_1,CSWC_2が、“L”レベルから“H”レベルにされ、第1及び第2のカラム選択スイッチ(MISトランジスタ)31,51がオン状態となる。
但し、センスアンプ7から第1のビット線BL0に供給される電位は、読み出し選択されたメモリセルに対する誤書き込みを防ぐため、反転閾値電流を生成する電位より小さい電位である。
読み出し電流Irは、第2のカラム選択スイッチ51及びMISトランジスタ2Lを経由して、共通配線30の接地端子Vssへ流れる。
しかし、読み出し動作時の誤ラッチ(誤書き込み)を考慮すると、ビット線BL0,BL1の電位は接地電位Vssに近い電位であることが好ましい。さらに、プリチャージ回路を用いた充電の場合には、大きい電位・電流を用いるため、MRAMの消費電力の増大にも繋がってしまい、プリチャージ回路を用いることは好ましくない。また、プリチャージ回路を設けるため、チップサイズも増大する。
図5及び図6を用いて、本実施形態の係るMRAMの書き込み及び読み出し動作の終了時の動作について、説明する。
以上によって、本実施形態のMRAMの書き込み動作が終了する。
このように、本発明の実施形態に係るMRAMは、メモリセルへの書き込み動作の終了タイミングが明確に規定できる。
以上によって、本実施形態のMRAMの読み出し動作が終了する。
以下、図7乃至図13を用いて、上記の基本例で述べたMRAMの実施例について、説明する。
図7を用いて、本発明の実施形態に係るMRAMの回路例1について説明する。尚、図7において、図1又は図3の構成部材と同一の機能を果たす構成部材については、同一符号を付し、必要に応じて説明を行う。
第2の定電流源102は、例えば、第2の共通配線30の電源端子Vddと第2のPチャネルMISトランジスタ1Lとの間に、直列接続される。
したがって、図7に示すように、定電流源を用いた書き込み用回路を構成することで、本発明の実施形態にMRAMは、書き込み動作の安定化を図ることができる。
図8を用いて、本発明の実施形態に係るMRAMの回路例2について、説明する。尚、図8において、図1、図3及び図7の構成部材と同一の機能を果たす構成部材については、同一符号を付し、必要に応じて説明を行う。
図8に示すMRAMは、書き込み電流Iwの供給源となる書き込み用電源回路として、定電圧源111,112を用いた例を示している。
第2の定電圧源112は、例えば、第2の共通配線30の電源端子Vddと第2のPチャネルMISトランジスタ1Lとの間に、直列接続される。
加えて、定電圧源111,112は、例えば、カレントミラー回路を用いた定電流源と比較して、回路規模が小さいため、メモリセルアレイのサイズの大規模化、又は、MRAMチップのサイズの縮小化を図ることができる。
図9乃至図13を用いて、本発明の実施形態に係るMRAMの全体構成について、説明する。尚、図9乃至図13において、図1乃至図8の構成部材と同一の機能を果たす構成部材については、同一符号を付し、必要に応じて説明を行う。
(a) 回路構成
図9は、メモリセルアレイ、書き込み用回路及び読み出し用回路を備えたMRAMの全体構成例を示している。
複数のビット線対BL0,BL1,BL2,BL3,BLn−1,BLnには、ビット線の延在方向(例えば、y方向)に配列された複数のメモリセルMC,MC_Sが、それぞれ接続されている。ビット線対BL0,BL1,BL2,BL3,BLn−1,BLnの各々には、それぞれ同数のメモリセルが接続されている。尚、図9においては、説明の簡単化のため、3組のビット線対BL0,BL1,BL2,BL3,BLn−1,BLnのみを図示しているが、4組以上のビット線対が設けられても良いのはもちろんである。
このように、1つの書き込み用回路は、複数のビット線対BL0,BL1,BL2,BL3,BLn,BLn−1で共有される。この書き込み用回路の共有化によって、MRAMの回路規模及びチップサイズを縮小できる。尚、ここでは、書き込み電流の供給源として、定電流源101,102を用いた例を示しているが、これに限定されず、定電圧源を用いても良いのは、もちろんである。
図9に示すMRAMでは、複数のビット線対BL0,BL1,BL2,BL3,BLn−1,BLnに対して、1つの読み出し用回路(センスアンプ)7及び読み出しスイッチ回路41が、共通に用いられる。また、図9に示す例では、1つの共通配線20に、書き込み用回路と読み出し用回路(センスアンプ)とが共通に接続され、書き込み電流と読み出し電流は同じ共通配線20,30を流れる。このような配線及び回路の共通化により、チップサイズの縮小を図ることができる。
図9に示すMRAMにおいても、図2及び図4を用いて説明した書き込み動作及び読み出し動作を実行することができる。
以下、図10及び図11を用いて、図9に示すMRAMの動作について説明する。
図10は、図9に示すMRAMの書き込み動作を示す波形図である。ここでは、書き込み電流を第1の共通配線20から第2の共通配線30へ流し、ビット線対BL0,BL1に接続された選択セルMC_Sに対して、データの書き込みを実行する場合について、説明する。
また、選択されたビット線BL0と対をなすビット線BL1に接続された第2のカラム選択スイッチ51は、これに対応する第2のカラム制御信号selected_CSWC_2が“L”レベルから“H”レベルに設定されることで、オン状態となる。一方、非選択のビット線BL2,BLn−1に接続された第2のカラム選択スイッチ52,5mは、これらに対応するカラム制御信号other_CSWC_2が“L”レベルが保持されるので、オフ状態となっている。
選択されたビット線BL0は、オン状態の読み出しスイッチ回路41とカラム選択スイッチ31とを介して第1の共通配線20と導通状態となり、選択ビット線BL0が活性化される。これによって、選択ビット線である第1のビット線BL0には、センスアンプ7から電位(読み出し電流)が供給される。
読み出し電流は、選択された第2のカラム選択スイッチ51及び第2のNチャネルMISトランジスタ2Lを経由して、第2の共通配線30の接地端子Vssへ流れる。
(a) 回路構成
図12を用いて、本実施形態のMRAMの全体構成の第2例について、説明する。ここでは、本例と図12に示すMRAMの全体構成との同一部分については説明を省略する。
また、一方のビット線とビット線対をなす他方のビット線BL1,BL3,BLnの一端には、カラム選択スイッチ51,52,5mが接続され、書き込み動作と読み出し動作で共通に用いられる。
以下、図13を用いて、図12に示すMRAMの動作について説明する。但し、本例の書き込み動作は、複数の読み出しスイッチ回路41,42,4mが全てオフ状態であることが、図9及び図10に示す回路・動作と異なるのみで、実質的な動作は同様である。そのため、説明は省略する。それゆえ、ここでは、図12に示すMRAMの読み出し動作についてのみ説明する。尚、読み出し電流を、ビット線対BL0,BL1に接続された選択セルMC_Sのデータの読み出す場合について、説明する。
この後、図11に示す動作と同様の動作で、選択ワード線WLiは非活性状態にされ、選択ビット線BL0は非活性状態とされ、MRAMの読み出し動作が終了する。
図14及び図15を用いて、本発明の実施形態に係るMRAMの変形例について説明する。
本発明の実施形態によれば、MRAMの書き込み動作及び読み出し動作の高速化を図ることができる。
例えば、抵抗性記憶素子にパルス電圧を印加するとその抵抗値が変化することを利用したReRAMや、抵抗性記憶素子に書き込み電流を流して素子の結晶構造を相変化させることで抵抗値が変化することを利用したPCRAMにも適用可能である。本発明の実施形態をReRAMやPCRAMに適用した場合においても、本発明の実施形態と同様の効果が得られるのはもちろんである。
Claims (5)
- 1組のビット線対をなす第1及び第2のビット線と、
前記第1及び第2のビット線の延在方向と交差する方向に延びるワード線と、
一端と他端とを有し、この一端が前記第1のビット線に接続される抵抗性記憶素子と、
電流経路と制御端子とを有し、前記電流経路の一端が前記抵抗性記憶素子の他端に接続され、前記電流経路の他端が前記第2のビット線に接続され、前記制御端子が前記ワード線に接続される選択スイッチ素子と、
前記第1のビット線の一端に接続される第1のカラム選択スイッチと、
前記第2のビット線の一端に接続される第2のカラム選択スイッチと、
前記第1のカラム選択スイッチを介して、前記第1のビット線に接続される第1の共通配線と、
前記第2のカラム選択スイッチを介して、前記第2のビット線に接続される第2の共通配線と、
前記第1又は第2の共通配線の少なくともいずれか一方に接続される読み出しスイッチ回路と、
前記読み出しスイッチ回路を介して、前記第1又は第2の共通配線の少なくともいずれか一方に接続される読み出し用回路と、
を具備し、
前記抵抗性記憶素子に対してデータの読み出しを開始する際に、
前記読み出しスイッチ回路及び前記第1及び第2のカラム選択スイッチが導通状態にされた後、前記第1及び第2のビット線が活性化され、前記第1及び第2のビット線のうち一方のビット線が第1の電位から前記第1の電位より高い第2の電位に設定され、前記第1及び第2のビット線のうち他方のビット線が前記第1の電位に設定され、
前記第1及び第2のビット線が活性化された後に、前記ワード線が活性化され、かつ、
前記抵抗性記憶素子に対するデータの読み出しを終了する際に、
前記ワード線が非活性化された後に、前記読み出しスイッチ回路及び前記第1及び第2のカラム選択スイッチが非導通状態にされ、前記第1及び第2のビット線が非活性化される、
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1又は第2の共通配線の少なくともいずれか一方に接続される書き込みスイッチ回路と、
前記書き込みスイッチ回路を介して、前記第1又は前記第2の共通配線の少なくともいずれか一方に接続される書き込み用電源回路と、
をさらに具備し、
前記抵抗性記憶素子に対してデータの書き込みを開始する際に、前記第1及び第2のビット線が活性化され、前記第1及び第2のビット線のうち一方のビット線が前記第1の電位から前記第2の電位より高い第3の電位に設定され、前記第1及び第2のビット線のうち他方のビット線が前記第1の電位に設定され、
前記第1及び第2のビット線が活性化された後に、前記ワード線が活性化される、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記抵抗性記憶素子にデータを書き込む際、前記第1及び第2のビット線が活性化される前に、
前記書き込みスイッチ回路が導通状態にされ、
前記第1及び第2のカラム選択スイッチが導通状態にされる、
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記抵抗性記憶素子に対するデータの書き込みを終了する際に、
前記ワード線が非活性化された後に、
前記第1及び第2のビット線が非活性化される、
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体記憶装置。 - 前記抵抗性記憶素子に対してデータの読み出しを開始する際、前記第1及び第2のビット線のうち前記一方のビット線が前記第2の電位に充電された後、前記ワード線が活性化され、前記選択スイッチ素子がオン状態にされる、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
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