JP4032116B2 - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）あるいはナノファイバーと呼ばれる微細炭素繊維（直径２００ｎｍ以下、アスペクト比１０以上）は、炭素の基本骨格（６員環）が軸方向に配列していることが特徴であり、その特徴に由来する、熱伝導性、電気伝導性、摺動特性、機械的強度等の特性に優れていることが期待でき、幅広い用途に用いられようとしている。
上記ＣＮＴの製造方法は種々知られているが、量産性の点から気相成長法が有利とされている（田中一義［編］「カーボンナノチューブ」化学同人出版、２００１年１月３０日、Ｐ.６７−７７）。
【０００３】
【非特許文献】
田中一義［編］「カーボンナノチューブ」化学同人出版、２００１年１月３０日、Ｐ.６７−７７
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記微細炭素繊維は、例えば金属中に混入した複合材料として、各種摺動材や放熱材などに用いられている。
この複合材料の製法は、溶融金属中に微細炭素繊維を添加し、撹拌、混合するという手法が一般的である。
しかしながら、上記方法では、金属と微細炭素繊維とでは比重が大きく異なることから、微細炭素繊維を均一に溶融金属中に分散するのは極めて困難であるという課題がある。
また、微細炭素繊維その他の混合物に対して熱的負荷が大きく、場合によって混合が不可能となる素材も存在する。
【０００５】
本発明は、微細炭素繊維が混入した導電性に優れる配線パターンを有する電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明に係る電子部品は、配線パターンを有する電子部品において、前記配線パターンが、分散剤によりカーボンナノチューブが液中に分散されて混入した水溶液性のめっき液を用いてめっきされて、めっき金属中にカーボンナノチューブが取り込まれためっき皮膜により形成されていることを特徴とする。
【０００７】
めっき皮膜が単一の金属からなることを特徴とする。
あるいは、めっき皮膜を合金めっき皮膜とすることもできる。
【０００８】
めっき皮膜が電解めっき皮膜であることを特徴とする。
あるいは、めっき皮膜が無電解めっき皮膜と、該無電解めっき皮膜上に形成された電解めっき皮膜とからなることを特徴とする。
【０００９】
また本発明に係る電子部品の製造方法は、配線パターンを有する電子部品の製造方法において、水溶液性のめっき液中に分散剤とカーボンナノチューブを添加して、該分散剤によりめっき液中にカーボンナノチューブを分散させ、該カーボンナノチューブを分散させためっき液によりめっきを施して、カーボンナノチューブが混入しているめっき皮膜からなる前記配線パターンを形成することを特徴とする。
また配線パターンを有する多層回路基板の製造方法において、下層の配線パターン上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層に前記下層の配線パターンが露出するビアホールを形成する工程と、水溶液性のめっき液中に分散剤とカーボンナノチューブを添加して、該分散剤によりめっき液中にカーボンナノチューブを分散させ、該カーボンナノチューブを分散させためっき液により電解めっきを施して、前記ビアホール内に、めっき金属中にカーボンナノチューブが混入しているビアを形成する工程と、前記絶縁層上に前記ビアが露出する所要のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、水溶液性の無電解めっき液中および電解めっき液中に分散剤とカーボンナノチューブを添加して、該分散剤によりにカーボンナノチューブを分散させ、該カーボンナノチューブを分散させた無電解めっき液および電解めっき液により、前記レジストパターンをマスクとして、無電解めっき、次いで電解めっきを施して、前記ビアに電気的に接続する、カーボンナノチューブが混入しためっき皮膜からなる配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。
前記分散剤にポリアクリル酸を用いると好適である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
本発明原理は、めっき液中に分散剤と微細炭素繊維もしくはその誘導体を添加して、該分散剤によりめっき液中に微細炭素繊維もしくはその誘導体を分散させ、めっきを施すことにより、基材表面に、微細炭素繊維もしくはその誘導体（以下微細炭素繊維等、あるいは単に微細炭素繊維ということがある）がめっき金属に混入しているめっき皮膜を形成するのである。
【００１１】
図１は、分散電気めっきの模式図である。
ＣＮＴ等の微細炭素繊維１０もしくはその誘導体は、分散剤の存在によりめっき液中に均一に分散する。めっき中には、めっき液を撹拌するのが好ましく、これにより微細炭素繊維１０等が、沈降することなく、めっき液中を浮遊する。
この状態で電解めっきを行うことによって、めっき金属が基材１２表面に析出する際、基材１２表面に位置している微細炭素繊維１０等がめっき皮膜１４中に取り込まれ、金属と微細炭素繊維等との複合材（めっき構造物）が基材１２表面に形成される。
なお、めっき方法は、直流めっきに限らず、電流反転めっき法やパルスめっき法も採用できる。
【００１２】
微細炭素繊維１０は多少の撥水性を有し、単独ではめっき液中に分散しにくい。特にフッ素化炭素繊維の場合には分散しにくい。
そこで、分散剤を添加し、微細炭素繊維等をめっき液中に分散させるのである。
分散剤としては、特に限定されないが、電解めっきによるときは、カチオン系もしくはノニオン系の界面活性剤を用いるとよい。
カチオン系界面活性剤としては、例えば、塩化セチルトリメチルアンモニウム、臭化セチルトリメチルアンモニウム、塩化セチルピリジニウムなどを好適に用いることができる。
また、フッ素化炭素繊維を分散させるには、Ｎ−［（３−ペルフルオロオクタンスルホンアミド）プロピル］−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムヨ−ダイド等のカチオン系界面活性剤を好適に用いることができる。
アニオン系界面活性剤としては、ドデシル硫酸ナトリウム、ドデカン酸ナトリウム、テトラデシル硫酸ナトリウム、脂肪酸ナトリウム、脂肪酸トリエタノールアミン塩、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、モノアルキルリン酸ナトリウム等を好適に用いることができる。
フッ素化炭素繊維を分散させるには、ペルフルオロオクタンスルホン酸、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩、Ｎ−プロピル−Ｎ−ペルフルオロオクチルスルホニルグリシンカリウム塩、リン酸ビス［２−（Ｎ−プロピルペルフルオロオクチルスルホニルアミノ）エチル］アンモニウム塩、ペルフルオロカプリル酸、ペルフルオロオクタン酸アンモニウム等のアニオン系界面活性剤を好適に用いることができる。
【００１３】
またノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルポリグルコシド、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステルなどを好適に用いることができる。
フッ素化炭素繊維を分散させるには、Ｎ−プロピル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ペルフルオロオクタンスルホンアミド、Ｎ−ポリオキシエチレン−Ｎ−プロピルペルフルオロオクタンスルホンアミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−ペルフルオロオクチルスルホニルベンジルアミン等のノニオン系界面活性剤を好適に用いることができる。
これら界面活性剤は、単独でも、あるいは併用して用いてもよい。
また、分散剤として、ポリアクリル酸等のポリカルボン酸もしくはその塩を用いて好適であった。ポリアクリル酸の場合、分子量は３０００〜４００００位のものが、均一分散性に優れていた。
【００１４】
めっき液は特に限定されないが、ニッケルめっき、銅めっきが特に好適であった。
あるいは、種々の金属の合金めっきであってもよい。
また、電解めっきに限らず、無電解めっきであってもよい。
無電解めっきの場合にも、図１に示すように、めっき金属が基板（基材）１２表面に析出する際、めっき皮膜１４中に巻き込まれるようにして微細炭素繊維等が取り込まれる。
【００１５】
微細炭素繊維は高熱伝導性、高電気伝導性を有することから、上記のようにして得られためっき構造物も、高熱伝導性、高電気伝導性を有するものとなる。したがって放熱板、電気材料などの種々の用途に用いることができる。
また、図２に示すように、微細炭素繊維１０の先端がめっき皮膜１４表面から突出するようにしてめっき皮膜１４に固定される状況が生じる。特にめっき皮膜１４が銅めっき皮膜の場合に図２に示す状況が顕著に生じた。
【００１６】
図２に示されるように、多数の微細炭素繊維１０が先端を突出してめっき皮膜１４に固定されためっき構造物は、電解放出用エミッタとして好適に使用できる。
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）からの電界放出（field emission）が検討され、ディスプレー用材料としての有用性に注目されているところである。
この電界放出を実現するためには、強電界を得る必要がある。そのためにエミッタ材料として先端を鋭く尖らせる必要がある。この点、ＣＮＴは、アスペクト比が大きく、鋭い先端をもち、化学的に安定で機械的にも強靭であって、かつ高温での安定性にも優れていて、電界放出のエミッタ材料として有用である。
【００１７】
従来、ＣＮＴは、多数本のＣＮＴを、基板上にスクリーン印刷法などによって向きを揃えて固定されることによって、発光デバイスにおける、大きな面積を有する冷陰極に形成されていた。
しかし、上記のように、多数本のＣＮＴを、基板上にスクリーン印刷法などによって向きを揃えてするのは、必ずしも容易ではない。この点、本実施の形態におけるめっき法によれば、めっき工程中において、ＣＮＴ（微細炭素繊維）が起立した状態でめっき皮膜に固定されるので、多数の電界放出端を有する電界放出エミッタを容易に形成できる。
【００１８】
図３〜図５は微小な機械部品の製造工程を示す。
図３に示すように、基板１２上にフォトリソグラフィーにより、凹部１７を有するレジストパターン１６を形成する。次に図４に示すように、この凹部１７内に微細炭素繊維１０が混入するめっき構造物１８を上記のようにして形成し、次に図５に示すようにレジストパターン１６を除去することによって、基板１２上に柱状のめっき構造物１８を形成することができる。基板１２からめっき構造物１８を剥離することによって、例えば図６に示すような、極めて微細な歯車２０を形成することができる。これらめっき構造物１８（２０）は、微細炭素繊維が含有されていることから、極めて強度が高く、耐久性に優れる柱状部品とすることができる。
【００１９】
図７〜図８は本発明に係る電子部品の一例たる多層回路基板を形成する場合の説明図である。
図７に示すように、下層の配線パターン２１上に絶縁層２２を絶縁性樹脂を塗布するなどして形成し、この絶縁層２２にレーザー加工等によって配線パターン２１が底面に露出するビアホール２３を形成し、このビアホール２３内に、上記と同様のめっき工程により微細炭素繊維が混入するめっき構造物（ビア）２４を形成する。
次に図８に示すように、絶縁層２２上にビア２４が露出する所要のレジストパターン２５をフォトリソグラフィーにより形成し、次いで上記と同様のめっき工程により、無電解めっき、次いで電解めっきを施して（アディティブ法）、ビア２４に電気的に接続する、微細炭素繊維を含有するめっき構造物からなる配線パターン２６を形成する。このようにして、微細炭素繊維を含有するめっき構造物からなる配線パターンを有する多層の回路基板を形成することができる。
【００２０】
上記微細炭素繊維を含有する配線パターン２６は電気伝導性に優れるものである。
なお、アディティブ法でなく、無電解めっき、電解めっきにより上記めっき皮膜（めっき構造物）を全面に形成し、このめっき皮膜をエッチングして所要の配線パターンに形成するようにしてもよい（サブトラクティブ法）。
なお、図示しないが、半導体チップ上にポリイミド樹脂層（絶縁層）を形成し、このポリイミド樹脂層上に、半導体チップの電極に接続する再配線パターンを、上記微細炭素繊維を含有するめっき構造物によって形成するようにしてもよい。この再配線パターンの適所に外部接続用のバンプを形成することによって、半導体チップの電極位置を再配置するものである。
この場合の再配線パターンは、電気伝導性ばかりでなく、熱伝導性にも極めて優れるので、半導体チップの放熱経路となり、放熱性を高めることができる。
【００２１】
図９は放熱体に適用した例を示す。
まず、上記微細炭素繊維を含むめっき構造物からなるめっき層（例えばＣＮＴを含む銅めっき層）３１と、このめっき層３１とは異なる金属（例えばニッケル）からなるめっき層（微細炭素繊維を含んでも含まなくともよい）３２とが交互に多数積層されるように積層物をめっきにより形成する。この積層体自身、めっき層の積層方向と、これと直交する方向（層が伸びている方向）とで熱伝導率の異なる異方性熱伝導体として用いることができる。特にめっき層３２に微細炭素繊維を含まない場合、微細炭素繊維を含むめっき層３１の方が熱伝導率が高いので、好適な異方性熱伝導体となる。なお、この積層体は、３つ以上の異なる金属からなるめっき層の積層体であってもよい。
この積層体の、例えばめっき層３２の周縁部をエッチングにより除去することによって、微細炭素繊維を含むめっき構造物からなるめっき層３１が微小空間を介して多数並列している構造をなす放熱体３０を形成できる。めっき層３１が極めて放熱性に優れるものであり、このめっき層３１が多数並列されて表面積が大なるものであることから、この放熱体３０は極めて高い放熱性を示す。
【００２２】
次に、ＣＮＴ等の微細炭素繊維は、フッ素化することによって、フッ素化炭素繊維になることが知られている。
例えば次の条件によってフッ素化する。
すなわち、微細炭素繊維（ＣＮＴ）をニッケルボートに充填し、フッ素化用のニッケル管中に設置し、フッ素との反応温度を３４０℃、フッ素分圧４６０ｍｍＨｇ、窒素分圧３１０ｍｍＨｇで、７２時間程度フッ素と反応させることによってＣxＦyで表される構造をもつフッ素化炭素繊維が形成される。
なお、フッ素化を促進させるために、フッ化銀などの触媒を用いることができる。
【００２３】
このフッ素化炭素繊維は、撥水性に優れることが知られている。
このフッ素化炭素繊維を、上記と同様にして、上記と同様の分散剤と共にめっき液に添加し、めっき液中に均一に分散させ、めっき液を撹拌しつつめっきを行うことによって、図１と同様にして、めっき金属が基材１２表面に析出する際、基材１２表面に位置しているフッ素化炭素繊維がめっき皮膜１４中に取り込まれ、金属とフッ素化炭素繊維との複合材（めっき構造物）が基材１２表面に形成される。
この複合材も撥水性に優れたものとなった。
【００２４】
また、めっき液中に、例えばテフロン（登録商標）等のフッ素樹脂などの、樹脂からなる微粉末あるいは微細繊維を分散させ、めっきを行うことによって、フッ素化炭素繊維と共に樹脂の微粉末、微細繊維をめっき皮膜中に取り込むことができる。この３つの素材からなる複合材も撥水性に優れる。
なお、フッ素化炭素繊維でなく、上記微細炭素繊維と、微粉末、微細繊維からなる樹脂と、めっき金属との３種混合物からなる複合材とすることもできる。
【００２５】
図１０は、微細炭素繊維（ＣＮＴ）１０の表面に、めっき皮膜３４を形成した炭素繊維を示す。
このめっき皮膜３４は、無電解めっき液中に上記と同様の分散剤と共にＣＮＴを分散させて、ＣＮＴ表面に無電解めっき皮膜３４を形成したものである。ＣＮＴ１０をめっき液中に分散させることによって、ＣＮＴ１０表面に無電解めっき皮膜３４を均一厚さに形成することができる。
このように表面にめっき金属皮膜を形成した炭素繊維は、比重もそれなりに大きくなり、金属との相応性も良好なことから、溶融金属中に均一に分散させることができ、金属との均一な複合材を形成することができる。また、樹脂中に分散させて、樹脂との複合材とすることもできる。さらには、表面に上記めっき皮膜が形成された炭素繊維を接着剤樹脂中に混入して導電性樹脂とすることもできる。
【００２６】
【実施例】
ベース浴１
NiSO4・6H2O １Ｍ
NiCl2・6H2O 0.2Ｍ
H3BO3 0.5Ｍ
実施例１
ベース浴１ +
PA5000 2×10-4Ｍ
実施例２
ベース浴１ +
PA5000 2×10-4Ｍ
ＣＮＴ 2ｇ／l
（なお、PA5000は、分子量5000のポリアクリル酸）
上記ベース浴１、実施例１、実施例２の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ図１１（ａ）、（ａ´）、図１１（ｂ）、（ｂ´）、図１１（ｃ）、（ｃ´）に示す（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）。また図１２は図１１（ｃ´）のさらなる拡大図である。
図１１（ａ）、（ａ´）から明らかなように、ニッケルめっき皮膜の表面は比較的荒れているが、図１１（ｂ）、（ｂ´）に示されるように、ポリアクリル酸を添加することによって表面の平滑性が生じ、光沢めっき皮膜が得られた。ポリアクリル酸はＣＮＴの分散剤として作用すると共に、光沢剤としても作用する。図１１（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ＣＮＴはニッケルめっき皮膜中に取り込まれている。特に図１１（ｃ´）、図１２から明らかなように、ニッケルめっき金属はＣＮＴ表面に粒状に成長し、ＣＮＴを覆い、やがて、粒状のめっき金属が連続し、ＣＮＴがニッケルめっき皮膜中に取り込まれる状態となるのである。
図１３（ａ）、（ａ´）、図１３（ｂ）、（ｂ´）、図１３（ｃ）、（ｃ´）は（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）、上記ベース浴１、実施例１、実施例２の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ示す。図１４は図１３（ｃ´）のさらなる拡大図である。このように電流密度を変えても、図１１に示す場合とほとんど同様の結果が得られた。
【００２７】
実施例３
ベース浴１ +
PA25000 2×10-4Ｍ
実施例４
ベース浴１ +
PA25000 2×10-4Ｍ
ＣＮＴ 2ｇ／l
（なお、PA25000は、分子量25000のポリアクリル酸）
実施例３、実施例４は、ポリアクリル酸に分子量25000のものを用いた他はそれぞれ実施例１、実施例２と同じである。
図１５（ａ）、（ａ´）、図１５（ｂ）、（ｂ´）、図１５（ｃ）、（ｃ´）は（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）、上記ベース浴１、実施例３、実施例４の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ示す。図１６は図１５（ｃ´）のさらなる拡大図である。このようにポリアクリル酸に分子量25000のものを用いても、図１１に示す場合とほとんど同様の結果が得られた。
また、電流密度を5A／dm2に変更した場合も同様の結果が得られた。
【００２８】
ベース浴２
CuSO4・5H2O 0.85Ｍ
H2SO4 0.55Ｍ
実施例５
ベース浴２ +
PA5000 2×10-4Ｍ
実施例６
ベース浴２ +
PA5000 2×10-4Ｍ
ＣＮＴ 2ｇ／l
（なお、PA5000は、分子量5000のポリアクリル酸）
上記ベース浴２、実施例５、実施例６の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ図１７（ａ）、（ａ´）、図１７（ｂ）、（ｂ´）、図１７（ｃ）、（ｃ´）に示す（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）。
図１７（ｂ）、（ｂ´）、図１７（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ポリアクリル酸を添加した場合、2A／dm2の電流密度の条件下では、めっき皮膜の表面が荒れてしまい、実用に至らなかった。
図１８（ａ）、（ａ´）、図１８（ｂ）、（ｂ´）、図１８（ｃ）、（ｃ´）は（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）、上記ベース浴２、実施例５、実施例６の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ示す。図１９は図１８（ｃ´）のさらなる拡大図である。 図１８（ａ）、（ａ´）から明らかなように、銅めっき皮膜の表面は比較的荒れているが、図１８（ｂ）、（ｂ´）に示されるように、ポリアクリル酸を添加することによって、また電流密度を5A／dm2と上げることによって、表面の平滑性が生じ、光沢めっき皮膜が得られた。ポリアクリル酸はＣＮＴの分散剤として作用すると共に、光沢剤としても作用する。図１８（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ＣＮＴはニッケルめっき皮膜中に取り込まれている。なお、図１９に示すように、ニッケルめっきの場合とは異なり、銅めっきの場合には、めっき金属がＣＮＴ表面にはほとんど粒状に成長せず、直接基板上に析出して、この析出銅めっき皮膜内にＣＮＴが巻き込まれるかたちで固定されることが判明した。また、図１９に示されるように、銅めっき皮膜の表面では、該表面からＣＮＴの先端が突出していることが顕著に観察される。この突出端が電界電子放出端として機能する。
【００２９】
実施例７
ベース浴２ +
PA25000 2×10-4Ｍ
実施例８
ベース浴２ +
PA25000 2×10-4Ｍ
ＣＮＴ 2ｇ／l
（なお、PA25000は、分子量25000のポリアクリル酸）
上記ベース浴２、実施例７、実施例８の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ図２０（ａ）、（ａ´）、図２０（ｂ）、（ｂ´）、図２０（ｃ）、（ｃ´）に示す（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）。
図２０（ｂ）、（ｂ´）、図２０（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ポリアクリル酸に分子量25000のものを用いても、2A／dm2の電流密度の条件下では、めっき皮膜の表面が荒れてしまい、実用に至らなかった。
【００３０】
図２１（ａ）、（ａ´）、図２１（ｂ）、（ｂ´）、図２１（ｃ）、（ｃ´）は（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）、上記ベース浴２、実施例７、実施例８の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ示す。図２２は図２１（ｃ´）のさらなる拡大図である。 図２１（ａ）、（ａ´）から明らかなように、銅めっき皮膜の表面は比較的荒れているが、図２１（ｂ）、（ｂ´）に示されるように、ポリアクリル酸を添加することによって、また電流密度を5A／dm2と上げることによって、表面の平滑性が生じ、光沢めっき皮膜が得られた。ポリアクリル酸はＣＮＴの分散剤として作用すると共に、光沢剤としても作用する。図２１（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ＣＮＴはニッケルめっき皮膜中に取り込まれている。なお、図２２に示すように、ニッケルめっきの場合とは異なり、銅めっきの場合には、めっき金属がＣＮＴ表面にはほとんど粒状に成長せず、直接基板上に析出して、この析出銅めっき皮膜内にＣＮＴが巻き込まれるかたちで固定されることが判明した。また、図２２に示されるように、銅めっき皮膜の表面では、該表面からＣＮＴの先端が突出していることが顕著に観察される。この突出端が電界電子放出端として機能する。
【００３１】
本発明によれば、微細炭素繊維が混入した、電気伝導性に優れる配線パターンを有する電子部品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】分散電気めっきの原理を示す説明図である。
【図２】ＣＮＴの先端が突出している状態を示す説明図である。
【図３】フォトレジストパターンを形成した状態の説明図である。
【図４】凹部内にめっき構造物を形成した状態の説明図である。
【図５】フォトレジストパターンを除去した状態の説明図である。
【図６】微細歯車の説明図である。
【図７】ビアを形成した状態の説明図である。
【図８】多層配線パターンに形成した状態の説明図である。
【図９】放熱フィンの説明図である。
【図１０】めっき皮膜を形成した状態の炭素繊維の説明図である。
【図１１】ベース浴１、実施例１、実施例２の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１２】図１１の拡大図である。
【図１３】ベース浴１、実施例１、実施例２の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１４】図１３の拡大図である。
【図１５】ベース浴１、実施例３、実施例４の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１６】図１５の拡大図である。
【図１７】ベース浴２、実施例５、実施例６の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１８】ベース浴２、実施例５、実施例６の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１９】図１８の拡大図である。
【図２０】ベース浴２、実施例７、実施例８の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図２１】ベース浴２、実施例７、実施例８の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図２２】図２１の拡大図である。
【符号の説明】
１０ 微細炭素繊維
１２ 基板（基材）
１４ めっき皮膜
１６ フォトレジストパターン
１７ 凹部
１８ めっき構造物
２０ 歯車
２１ 配線パターン
２２ 絶縁層
２３ ビアホール
２４ ビア
２５ レジストパターン
２６ 配線パターン
３０ 放熱体
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）あるいはナノファイバーと呼ばれる微細炭素繊維（直径２００ｎｍ以下、アスペクト比１０以上）は、炭素の基本骨格（６員環）が軸方向に配列していることが特徴であり、その特徴に由来する、熱伝導性、電気伝導性、摺動特性、機械的強度等の特性に優れていることが期待でき、幅広い用途に用いられようとしている。
上記ＣＮＴの製造方法は種々知られているが、量産性の点から気相成長法が有利とされている（田中一義［編］「カーボンナノチューブ」化学同人出版、２００１年１月３０日、Ｐ.６７−７７）。
【０００３】
【非特許文献】
田中一義［編］「カーボンナノチューブ」化学同人出版、２００１年１月３０日、Ｐ.６７−７７
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記微細炭素繊維は、例えば金属中に混入した複合材料として、各種摺動材や放熱材などに用いられている。
この複合材料の製法は、溶融金属中に微細炭素繊維を添加し、撹拌、混合するという手法が一般的である。
しかしながら、上記方法では、金属と微細炭素繊維とでは比重が大きく異なることから、微細炭素繊維を均一に溶融金属中に分散するのは極めて困難であるという課題がある。
また、微細炭素繊維その他の混合物に対して熱的負荷が大きく、場合によって混合が不可能となる素材も存在する。
【０００５】
本発明は、微細炭素繊維が混入した導電性に優れる配線パターンを有する電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明に係る電子部品は、配線パターンを有する電子部品において、前記配線パターンが、分散剤によりカーボンナノチューブが液中に分散されて混入した水溶液性のめっき液を用いてめっきされて、めっき金属中にカーボンナノチューブが取り込まれためっき皮膜により形成されていることを特徴とする。
【０００７】
めっき皮膜が単一の金属からなることを特徴とする。
あるいは、めっき皮膜を合金めっき皮膜とすることもできる。
【０００８】
めっき皮膜が電解めっき皮膜であることを特徴とする。
あるいは、めっき皮膜が無電解めっき皮膜と、該無電解めっき皮膜上に形成された電解めっき皮膜とからなることを特徴とする。
【０００９】
また本発明に係る電子部品の製造方法は、配線パターンを有する電子部品の製造方法において、水溶液性のめっき液中に分散剤とカーボンナノチューブを添加して、該分散剤によりめっき液中にカーボンナノチューブを分散させ、該カーボンナノチューブを分散させためっき液によりめっきを施して、カーボンナノチューブが混入しているめっき皮膜からなる前記配線パターンを形成することを特徴とする。
また配線パターンを有する多層回路基板の製造方法において、下層の配線パターン上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層に前記下層の配線パターンが露出するビアホールを形成する工程と、水溶液性のめっき液中に分散剤とカーボンナノチューブを添加して、該分散剤によりめっき液中にカーボンナノチューブを分散させ、該カーボンナノチューブを分散させためっき液により電解めっきを施して、前記ビアホール内に、めっき金属中にカーボンナノチューブが混入しているビアを形成する工程と、前記絶縁層上に前記ビアが露出する所要のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、水溶液性の無電解めっき液中および電解めっき液中に分散剤とカーボンナノチューブを添加して、該分散剤によりにカーボンナノチューブを分散させ、該カーボンナノチューブを分散させた無電解めっき液および電解めっき液により、前記レジストパターンをマスクとして、無電解めっき、次いで電解めっきを施して、前記ビアに電気的に接続する、カーボンナノチューブが混入しためっき皮膜からなる配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。
前記分散剤にポリアクリル酸を用いると好適である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
本発明原理は、めっき液中に分散剤と微細炭素繊維もしくはその誘導体を添加して、該分散剤によりめっき液中に微細炭素繊維もしくはその誘導体を分散させ、めっきを施すことにより、基材表面に、微細炭素繊維もしくはその誘導体（以下微細炭素繊維等、あるいは単に微細炭素繊維ということがある）がめっき金属に混入しているめっき皮膜を形成するのである。
【００１１】
図１は、分散電気めっきの模式図である。
ＣＮＴ等の微細炭素繊維１０もしくはその誘導体は、分散剤の存在によりめっき液中に均一に分散する。めっき中には、めっき液を撹拌するのが好ましく、これにより微細炭素繊維１０等が、沈降することなく、めっき液中を浮遊する。
この状態で電解めっきを行うことによって、めっき金属が基材１２表面に析出する際、基材１２表面に位置している微細炭素繊維１０等がめっき皮膜１４中に取り込まれ、金属と微細炭素繊維等との複合材（めっき構造物）が基材１２表面に形成される。
なお、めっき方法は、直流めっきに限らず、電流反転めっき法やパルスめっき法も採用できる。
【００１２】
微細炭素繊維１０は多少の撥水性を有し、単独ではめっき液中に分散しにくい。特にフッ素化炭素繊維の場合には分散しにくい。
そこで、分散剤を添加し、微細炭素繊維等をめっき液中に分散させるのである。
分散剤としては、特に限定されないが、電解めっきによるときは、カチオン系もしくはノニオン系の界面活性剤を用いるとよい。
カチオン系界面活性剤としては、例えば、塩化セチルトリメチルアンモニウム、臭化セチルトリメチルアンモニウム、塩化セチルピリジニウムなどを好適に用いることができる。
また、フッ素化炭素繊維を分散させるには、Ｎ−［（３−ペルフルオロオクタンスルホンアミド）プロピル］−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムヨ−ダイド等のカチオン系界面活性剤を好適に用いることができる。
アニオン系界面活性剤としては、ドデシル硫酸ナトリウム、ドデカン酸ナトリウム、テトラデシル硫酸ナトリウム、脂肪酸ナトリウム、脂肪酸トリエタノールアミン塩、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、モノアルキルリン酸ナトリウム等を好適に用いることができる。
フッ素化炭素繊維を分散させるには、ペルフルオロオクタンスルホン酸、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩、Ｎ−プロピル−Ｎ−ペルフルオロオクチルスルホニルグリシンカリウム塩、リン酸ビス［２−（Ｎ−プロピルペルフルオロオクチルスルホニルアミノ）エチル］アンモニウム塩、ペルフルオロカプリル酸、ペルフルオロオクタン酸アンモニウム等のアニオン系界面活性剤を好適に用いることができる。
【００１３】
またノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルポリグルコシド、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステルなどを好適に用いることができる。
フッ素化炭素繊維を分散させるには、Ｎ−プロピル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ペルフルオロオクタンスルホンアミド、Ｎ−ポリオキシエチレン−Ｎ−プロピルペルフルオロオクタンスルホンアミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−ペルフルオロオクチルスルホニルベンジルアミン等のノニオン系界面活性剤を好適に用いることができる。
これら界面活性剤は、単独でも、あるいは併用して用いてもよい。
また、分散剤として、ポリアクリル酸等のポリカルボン酸もしくはその塩を用いて好適であった。ポリアクリル酸の場合、分子量は３０００〜４００００位のものが、均一分散性に優れていた。
【００１４】
めっき液は特に限定されないが、ニッケルめっき、銅めっきが特に好適であった。
あるいは、種々の金属の合金めっきであってもよい。
また、電解めっきに限らず、無電解めっきであってもよい。
無電解めっきの場合にも、図１に示すように、めっき金属が基板（基材）１２表面に析出する際、めっき皮膜１４中に巻き込まれるようにして微細炭素繊維等が取り込まれる。
【００１５】
微細炭素繊維は高熱伝導性、高電気伝導性を有することから、上記のようにして得られためっき構造物も、高熱伝導性、高電気伝導性を有するものとなる。したがって放熱板、電気材料などの種々の用途に用いることができる。
また、図２に示すように、微細炭素繊維１０の先端がめっき皮膜１４表面から突出するようにしてめっき皮膜１４に固定される状況が生じる。特にめっき皮膜１４が銅めっき皮膜の場合に図２に示す状況が顕著に生じた。
【００１６】
図２に示されるように、多数の微細炭素繊維１０が先端を突出してめっき皮膜１４に固定されためっき構造物は、電解放出用エミッタとして好適に使用できる。
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）からの電界放出（field emission）が検討され、ディスプレー用材料としての有用性に注目されているところである。
この電界放出を実現するためには、強電界を得る必要がある。そのためにエミッタ材料として先端を鋭く尖らせる必要がある。この点、ＣＮＴは、アスペクト比が大きく、鋭い先端をもち、化学的に安定で機械的にも強靭であって、かつ高温での安定性にも優れていて、電界放出のエミッタ材料として有用である。
【００１７】
従来、ＣＮＴは、多数本のＣＮＴを、基板上にスクリーン印刷法などによって向きを揃えて固定されることによって、発光デバイスにおける、大きな面積を有する冷陰極に形成されていた。
しかし、上記のように、多数本のＣＮＴを、基板上にスクリーン印刷法などによって向きを揃えてするのは、必ずしも容易ではない。この点、本実施の形態におけるめっき法によれば、めっき工程中において、ＣＮＴ（微細炭素繊維）が起立した状態でめっき皮膜に固定されるので、多数の電界放出端を有する電界放出エミッタを容易に形成できる。
【００１８】
図３〜図５は微小な機械部品の製造工程を示す。
図３に示すように、基板１２上にフォトリソグラフィーにより、凹部１７を有するレジストパターン１６を形成する。次に図４に示すように、この凹部１７内に微細炭素繊維１０が混入するめっき構造物１８を上記のようにして形成し、次に図５に示すようにレジストパターン１６を除去することによって、基板１２上に柱状のめっき構造物１８を形成することができる。基板１２からめっき構造物１８を剥離することによって、例えば図６に示すような、極めて微細な歯車２０を形成することができる。これらめっき構造物１８（２０）は、微細炭素繊維が含有されていることから、極めて強度が高く、耐久性に優れる柱状部品とすることができる。
【００１９】
図７〜図８は本発明に係る電子部品の一例たる多層回路基板を形成する場合の説明図である。
図７に示すように、下層の配線パターン２１上に絶縁層２２を絶縁性樹脂を塗布するなどして形成し、この絶縁層２２にレーザー加工等によって配線パターン２１が底面に露出するビアホール２３を形成し、このビアホール２３内に、上記と同様のめっき工程により微細炭素繊維が混入するめっき構造物（ビア）２４を形成する。
次に図８に示すように、絶縁層２２上にビア２４が露出する所要のレジストパターン２５をフォトリソグラフィーにより形成し、次いで上記と同様のめっき工程により、無電解めっき、次いで電解めっきを施して（アディティブ法）、ビア２４に電気的に接続する、微細炭素繊維を含有するめっき構造物からなる配線パターン２６を形成する。このようにして、微細炭素繊維を含有するめっき構造物からなる配線パターンを有する多層の回路基板を形成することができる。
【００２０】
上記微細炭素繊維を含有する配線パターン２６は電気伝導性に優れるものである。
なお、アディティブ法でなく、無電解めっき、電解めっきにより上記めっき皮膜（めっき構造物）を全面に形成し、このめっき皮膜をエッチングして所要の配線パターンに形成するようにしてもよい（サブトラクティブ法）。
なお、図示しないが、半導体チップ上にポリイミド樹脂層（絶縁層）を形成し、このポリイミド樹脂層上に、半導体チップの電極に接続する再配線パターンを、上記微細炭素繊維を含有するめっき構造物によって形成するようにしてもよい。この再配線パターンの適所に外部接続用のバンプを形成することによって、半導体チップの電極位置を再配置するものである。
この場合の再配線パターンは、電気伝導性ばかりでなく、熱伝導性にも極めて優れるので、半導体チップの放熱経路となり、放熱性を高めることができる。
【００２１】
図９は放熱体に適用した例を示す。
まず、上記微細炭素繊維を含むめっき構造物からなるめっき層（例えばＣＮＴを含む銅めっき層）３１と、このめっき層３１とは異なる金属（例えばニッケル）からなるめっき層（微細炭素繊維を含んでも含まなくともよい）３２とが交互に多数積層されるように積層物をめっきにより形成する。この積層体自身、めっき層の積層方向と、これと直交する方向（層が伸びている方向）とで熱伝導率の異なる異方性熱伝導体として用いることができる。特にめっき層３２に微細炭素繊維を含まない場合、微細炭素繊維を含むめっき層３１の方が熱伝導率が高いので、好適な異方性熱伝導体となる。なお、この積層体は、３つ以上の異なる金属からなるめっき層の積層体であってもよい。
この積層体の、例えばめっき層３２の周縁部をエッチングにより除去することによって、微細炭素繊維を含むめっき構造物からなるめっき層３１が微小空間を介して多数並列している構造をなす放熱体３０を形成できる。めっき層３１が極めて放熱性に優れるものであり、このめっき層３１が多数並列されて表面積が大なるものであることから、この放熱体３０は極めて高い放熱性を示す。
【００２２】
次に、ＣＮＴ等の微細炭素繊維は、フッ素化することによって、フッ素化炭素繊維になることが知られている。
例えば次の条件によってフッ素化する。
すなわち、微細炭素繊維（ＣＮＴ）をニッケルボートに充填し、フッ素化用のニッケル管中に設置し、フッ素との反応温度を３４０℃、フッ素分圧４６０ｍｍＨｇ、窒素分圧３１０ｍｍＨｇで、７２時間程度フッ素と反応させることによってＣxＦyで表される構造をもつフッ素化炭素繊維が形成される。
なお、フッ素化を促進させるために、フッ化銀などの触媒を用いることができる。
【００２３】
このフッ素化炭素繊維は、撥水性に優れることが知られている。
このフッ素化炭素繊維を、上記と同様にして、上記と同様の分散剤と共にめっき液に添加し、めっき液中に均一に分散させ、めっき液を撹拌しつつめっきを行うことによって、図１と同様にして、めっき金属が基材１２表面に析出する際、基材１２表面に位置しているフッ素化炭素繊維がめっき皮膜１４中に取り込まれ、金属とフッ素化炭素繊維との複合材（めっき構造物）が基材１２表面に形成される。
この複合材も撥水性に優れたものとなった。
【００２４】
また、めっき液中に、例えばテフロン（登録商標）等のフッ素樹脂などの、樹脂からなる微粉末あるいは微細繊維を分散させ、めっきを行うことによって、フッ素化炭素繊維と共に樹脂の微粉末、微細繊維をめっき皮膜中に取り込むことができる。この３つの素材からなる複合材も撥水性に優れる。
なお、フッ素化炭素繊維でなく、上記微細炭素繊維と、微粉末、微細繊維からなる樹脂と、めっき金属との３種混合物からなる複合材とすることもできる。
【００２５】
図１０は、微細炭素繊維（ＣＮＴ）１０の表面に、めっき皮膜３４を形成した炭素繊維を示す。
このめっき皮膜３４は、無電解めっき液中に上記と同様の分散剤と共にＣＮＴを分散させて、ＣＮＴ表面に無電解めっき皮膜３４を形成したものである。ＣＮＴ１０をめっき液中に分散させることによって、ＣＮＴ１０表面に無電解めっき皮膜３４を均一厚さに形成することができる。
このように表面にめっき金属皮膜を形成した炭素繊維は、比重もそれなりに大きくなり、金属との相応性も良好なことから、溶融金属中に均一に分散させることができ、金属との均一な複合材を形成することができる。また、樹脂中に分散させて、樹脂との複合材とすることもできる。さらには、表面に上記めっき皮膜が形成された炭素繊維を接着剤樹脂中に混入して導電性樹脂とすることもできる。
【００２６】
【実施例】
ベース浴１
NiSO4・6H2O １Ｍ
NiCl2・6H2O 0.2Ｍ
H3BO3 0.5Ｍ
実施例１
ベース浴１ +
PA5000 2×10-4Ｍ
実施例２
ベース浴１ +
PA5000 2×10-4Ｍ
ＣＮＴ 2ｇ／l
（なお、PA5000は、分子量5000のポリアクリル酸）
上記ベース浴１、実施例１、実施例２の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ図１１（ａ）、（ａ´）、図１１（ｂ）、（ｂ´）、図１１（ｃ）、（ｃ´）に示す（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）。また図１２は図１１（ｃ´）のさらなる拡大図である。
図１１（ａ）、（ａ´）から明らかなように、ニッケルめっき皮膜の表面は比較的荒れているが、図１１（ｂ）、（ｂ´）に示されるように、ポリアクリル酸を添加することによって表面の平滑性が生じ、光沢めっき皮膜が得られた。ポリアクリル酸はＣＮＴの分散剤として作用すると共に、光沢剤としても作用する。図１１（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ＣＮＴはニッケルめっき皮膜中に取り込まれている。特に図１１（ｃ´）、図１２から明らかなように、ニッケルめっき金属はＣＮＴ表面に粒状に成長し、ＣＮＴを覆い、やがて、粒状のめっき金属が連続し、ＣＮＴがニッケルめっき皮膜中に取り込まれる状態となるのである。
図１３（ａ）、（ａ´）、図１３（ｂ）、（ｂ´）、図１３（ｃ）、（ｃ´）は（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）、上記ベース浴１、実施例１、実施例２の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ示す。図１４は図１３（ｃ´）のさらなる拡大図である。このように電流密度を変えても、図１１に示す場合とほとんど同様の結果が得られた。
【００２７】
実施例３
ベース浴１ +
PA25000 2×10-4Ｍ
実施例４
ベース浴１ +
PA25000 2×10-4Ｍ
ＣＮＴ 2ｇ／l
（なお、PA25000は、分子量25000のポリアクリル酸）
実施例３、実施例４は、ポリアクリル酸に分子量25000のものを用いた他はそれぞれ実施例１、実施例２と同じである。
図１５（ａ）、（ａ´）、図１５（ｂ）、（ｂ´）、図１５（ｃ）、（ｃ´）は（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）、上記ベース浴１、実施例３、実施例４の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ示す。図１６は図１５（ｃ´）のさらなる拡大図である。このようにポリアクリル酸に分子量25000のものを用いても、図１１に示す場合とほとんど同様の結果が得られた。
また、電流密度を5A／dm2に変更した場合も同様の結果が得られた。
【００２８】
ベース浴２
CuSO4・5H2O 0.85Ｍ
H2SO4 0.55Ｍ
実施例５
ベース浴２ +
PA5000 2×10-4Ｍ
実施例６
ベース浴２ +
PA5000 2×10-4Ｍ
ＣＮＴ 2ｇ／l
（なお、PA5000は、分子量5000のポリアクリル酸）
上記ベース浴２、実施例５、実施例６の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ図１７（ａ）、（ａ´）、図１７（ｂ）、（ｂ´）、図１７（ｃ）、（ｃ´）に示す（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）。
図１７（ｂ）、（ｂ´）、図１７（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ポリアクリル酸を添加した場合、2A／dm2の電流密度の条件下では、めっき皮膜の表面が荒れてしまい、実用に至らなかった。
図１８（ａ）、（ａ´）、図１８（ｂ）、（ｂ´）、図１８（ｃ）、（ｃ´）は（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）、上記ベース浴２、実施例５、実施例６の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ示す。図１９は図１８（ｃ´）のさらなる拡大図である。 図１８（ａ）、（ａ´）から明らかなように、銅めっき皮膜の表面は比較的荒れているが、図１８（ｂ）、（ｂ´）に示されるように、ポリアクリル酸を添加することによって、また電流密度を5A／dm2と上げることによって、表面の平滑性が生じ、光沢めっき皮膜が得られた。ポリアクリル酸はＣＮＴの分散剤として作用すると共に、光沢剤としても作用する。図１８（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ＣＮＴはニッケルめっき皮膜中に取り込まれている。なお、図１９に示すように、ニッケルめっきの場合とは異なり、銅めっきの場合には、めっき金属がＣＮＴ表面にはほとんど粒状に成長せず、直接基板上に析出して、この析出銅めっき皮膜内にＣＮＴが巻き込まれるかたちで固定されることが判明した。また、図１９に示されるように、銅めっき皮膜の表面では、該表面からＣＮＴの先端が突出していることが顕著に観察される。この突出端が電界電子放出端として機能する。
【００２９】
実施例７
ベース浴２ +
PA25000 2×10-4Ｍ
実施例８
ベース浴２ +
PA25000 2×10-4Ｍ
ＣＮＴ 2ｇ／l
（なお、PA25000は、分子量25000のポリアクリル酸）
上記ベース浴２、実施例７、実施例８の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ図２０（ａ）、（ａ´）、図２０（ｂ）、（ｂ´）、図２０（ｃ）、（ｃ´）に示す（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）。
図２０（ｂ）、（ｂ´）、図２０（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ポリアクリル酸に分子量25000のものを用いても、2A／dm2の電流密度の条件下では、めっき皮膜の表面が荒れてしまい、実用に至らなかった。
【００３０】
図２１（ａ）、（ａ´）、図２１（ｂ）、（ｂ´）、図２１（ｃ）、（ｃ´）は（なおａ、ｂ、ｃは５００倍、ａ´、ｂ´、ｃ´は５０００倍）、上記ベース浴２、実施例７、実施例８の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真をそれぞれ示す。図２２は図２１（ｃ´）のさらなる拡大図である。 図２１（ａ）、（ａ´）から明らかなように、銅めっき皮膜の表面は比較的荒れているが、図２１（ｂ）、（ｂ´）に示されるように、ポリアクリル酸を添加することによって、また電流密度を5A／dm2と上げることによって、表面の平滑性が生じ、光沢めっき皮膜が得られた。ポリアクリル酸はＣＮＴの分散剤として作用すると共に、光沢剤としても作用する。図２１（ｃ）、（ｃ´）から明らかなように、ＣＮＴはニッケルめっき皮膜中に取り込まれている。なお、図２２に示すように、ニッケルめっきの場合とは異なり、銅めっきの場合には、めっき金属がＣＮＴ表面にはほとんど粒状に成長せず、直接基板上に析出して、この析出銅めっき皮膜内にＣＮＴが巻き込まれるかたちで固定されることが判明した。また、図２２に示されるように、銅めっき皮膜の表面では、該表面からＣＮＴの先端が突出していることが顕著に観察される。この突出端が電界電子放出端として機能する。
【００３１】
本発明によれば、微細炭素繊維が混入した、電気伝導性に優れる配線パターンを有する電子部品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】分散電気めっきの原理を示す説明図である。
【図２】ＣＮＴの先端が突出している状態を示す説明図である。
【図３】フォトレジストパターンを形成した状態の説明図である。
【図４】凹部内にめっき構造物を形成した状態の説明図である。
【図５】フォトレジストパターンを除去した状態の説明図である。
【図６】微細歯車の説明図である。
【図７】ビアを形成した状態の説明図である。
【図８】多層配線パターンに形成した状態の説明図である。
【図９】放熱フィンの説明図である。
【図１０】めっき皮膜を形成した状態の炭素繊維の説明図である。
【図１１】ベース浴１、実施例１、実施例２の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１２】図１１の拡大図である。
【図１３】ベース浴１、実施例１、実施例２の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１４】図１３の拡大図である。
【図１５】ベース浴１、実施例３、実施例４の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１６】図１５の拡大図である。
【図１７】ベース浴２、実施例５、実施例６の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１８】ベース浴２、実施例５、実施例６の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図１９】図１８の拡大図である。
【図２０】ベース浴２、実施例７、実施例８の浴を用いて、撹拌下、2A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図２１】ベース浴２、実施例７、実施例８の浴を用いて、撹拌下、5A／dm2の電流密度で電解めっきした場合のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。
【図２２】図２１の拡大図である。
【符号の説明】
１０ 微細炭素繊維
１２ 基板（基材）
１４ めっき皮膜
１６ フォトレジストパターン
１７ 凹部
１８ めっき構造物
２０ 歯車
２１ 配線パターン
２２ 絶縁層
２３ ビアホール
２４ ビア
２５ レジストパターン
２６ 配線パターン
３０ 放熱体
Claims (8)
- 配線パターンを有する電子部品において、
前記配線パターンが、分散剤によりカーボンナノチューブが液中に分散されて混入した水溶液性のめっき液を用いてめっきされて、めっき金属中にカーボンナノチューブが取り込まれためっき皮膜により形成されていることを特徴とする電子部品。 - めっき皮膜が単一の金属からなることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
- めっき皮膜が合金めっき皮膜であることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
- めっき皮膜が電解めっき皮膜であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の電子部品。
- めっき皮膜が無電解めっき皮膜と、該無電解めっき皮膜上に形成された電解めっき皮膜とからなることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の電子部品。
- 配線パターンを有する電子部品の製造方法において、水溶液性のめっき液中に分散剤とカーボンナノチューブを添加して、該分散剤によりめっき液中にカーボンナノチューブを分散させ、該カーボンナノチューブを分散させためっき液によりめっきを施して、カーボンナノチューブが混入しているめっき皮膜からなる前記配線パターンを形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
- 配線パターンを有する多層回路基板の製造方法において、
下層の配線パターン上に絶縁層を形成する工程と、
該絶縁層に前記下層の配線パターンが露出するビアホールを形成する工程と、
水溶液性のめっき液中に分散剤とカーボンナノチューブを添加して、該分散剤によりめっき液中にカーボンナノチューブを分散させ、該カーボンナノチューブを分散させためっき液により電解めっきを施して、前記ビアホール内に、めっき金属中にカーボンナノチューブが混入しているビアを形成する工程と、
前記絶縁層上に前記ビアが露出する所要のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、
水溶液性の無電解めっき液中および電解めっき液中に分散剤とカーボンナノチューブを添加して、該分散剤によりにカーボンナノチューブを分散させ、該カーボンナノチューブを分散させた無電解めっき液および電解めっき液により、前記レジストパターンをマスクとして、無電解めっき、次いで電解めっきを施して、前記ビアに電気的に接続する、カーボンナノチューブが混入しためっき皮膜からなる配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする配線パターンを有する多層回路基板の製造方法。 - 前記分散剤にポリアクリル酸を用いることを特徴とする請求項６または７記載の電子部品の製造方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011048984A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 株式会社 村田製作所 | めっき浴の作製方法、めっき浴、及び電子部品 |
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Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051726A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Nec Corporation | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4689218B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2011-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2005277096A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Japan Science & Technology Agency | カーボンナノチューブ含有金属膜を用いてなる半導体配線とその製造方法、およびカーボンナノチューブ含有金属膜の製造方法 |
| KR100593907B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 전계방출 에미터전극 제조방법 및 이를 이용하여 제조된전계방출장치 |
| JP4697857B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2011-06-08 | 株式会社リコー | インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置 |
| JP2006080170A (ja) | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Hitachi Cable Ltd | Ｃｎｔ入り配線材の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材 |
| US7906210B2 (en) | 2004-10-27 | 2011-03-15 | Nissei Plastic Industrial Co., Ltd. | Fibrous nanocarbon and metal composite and a method of manufacturing the same |
| KR100638668B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 전계방출 에미터 어레이 및 그 제조 방법 |
| DE102005006982A1 (de) * | 2005-02-15 | 2006-08-17 | Basf Ag | Verwendung nichtionischer Tenside bei der Metallgewinnung durch Elektrolyse |
| JP4716760B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2011-07-06 | 国立大学法人信州大学 | 金めっき液および金めっき方法 |
| JP2006265667A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Totoku Electric Co Ltd | カーボン複合めっき電線及びその製造方法 |
| KR100688860B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 전계방출소자의 제조 방법 |
| JP2007070689A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Nissan Motor Co Ltd | ナノカーボン／アルミニウム複合材、その製造方法及びこれに用いるめっき液 |
| DE102005061135A1 (de) * | 2005-12-19 | 2007-06-28 | Siemens Ag | Kokille für eine Stranggussanlage und Verfahren zur Herstellung einer Kokille |
| US8845866B2 (en) | 2005-12-22 | 2014-09-30 | General Electric Company | Optoelectronic devices having electrode films and methods and system for manufacturing the same |
| CN100564610C (zh) * | 2006-03-09 | 2009-12-02 | 上海交通大学 | 电沉积制备定向短纤维增强金属基复合材料的方法 |
| JP2008028200A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 立体回路部品およびその製造方法 |
| US8703271B2 (en) * | 2007-04-23 | 2014-04-22 | University College Cork—National University of Ireland | Thermal interface material |
| JP5031450B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2012-09-19 | 富士フイルム株式会社 | 複合圧電材料、超音波探触子、超音波内視鏡、及び、超音波診断装置 |
| DE102007028064A1 (de) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Siemens Ag | Kokillenplatte für eine Kokille einer Stranggießanlage |
| WO2009075320A1 (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 冷却デバイスとその製造方法 |
| JP2009210552A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | 接触部品および時計 |
| JP5389455B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2014-01-15 | セイコーインスツル株式会社 | 摺動部品及び時計 |
| JP2010027916A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Meiko:Kk | プリント配線板 |
| WO2010021629A1 (en) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for the electrochemical deposition of carbon nanotubes |
| JP5266088B2 (ja) * | 2009-02-18 | 2013-08-21 | パナソニック株式会社 | 電磁シールド用めっき膜、電磁シールド基板及びその製造方法 |
| TW201041009A (en) * | 2009-05-08 | 2010-11-16 | Univ Nat Taiwan Science Tech | Fabrication method of carbon nanotube field emission cathode |
| JP5334052B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2013-11-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 構造部材およびその製造方法 |
| KR101217507B1 (ko) * | 2009-11-12 | 2013-01-02 | 한국기계연구원 | 패턴이 구비된 복합재료의 제조방법 |
| KR101161060B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-06-29 | 서강대학교산학협력단 | 나노입자를 기둥형태로 조직화시키기 위한 배열장치 및 그 배열방법 |
| JP5631775B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2014-11-26 | 新光電気工業株式会社 | 複合めっき液 |
| US8853540B2 (en) * | 2011-04-19 | 2014-10-07 | Commscope, Inc. Of North Carolina | Carbon nanotube enhanced conductors for communications cables and related communications cables and methods |
| US20130126212A1 (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-23 | Tyco Electronica Corporation | Conductive members using carbon-based substrate coatings |
| JP6127289B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2017-05-17 | 国立大学法人信州大学 | リチウムイオン電池用負極材料およびその製造方法 |
| JP6118540B2 (ja) | 2012-11-08 | 2017-04-19 | 新光電気工業株式会社 | 放熱部品及びその製造方法 |
| JP6304681B2 (ja) * | 2013-07-24 | 2018-04-04 | 国立大学法人信州大学 | 金属膜及び金属膜の形成方法 |
| JP6483616B2 (ja) * | 2013-10-08 | 2019-03-13 | 日本ゼオン株式会社 | 金属複合材料の製造方法 |
| JP2016012799A (ja) | 2014-06-27 | 2016-01-21 | Tdk株式会社 | 高周波伝送線路、アンテナ及び電子回路基板 |
| JP2016012798A (ja) | 2014-06-27 | 2016-01-21 | Tdk株式会社 | 高周波伝送線路、アンテナ及び電子回路基板 |
| JP6558769B2 (ja) * | 2014-09-09 | 2019-08-14 | 国立大学法人信州大学 | Ｓｎ系金属を保持する銅三次元ナノ構造体の製造方法 |
| JP7023112B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2022-02-21 | 日本ゼオン株式会社 | 複合材料の製造方法 |
| JP6536819B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2019-07-03 | トヨタ自動車株式会社 | 銅皮膜の成膜方法 |
| US10316424B2 (en) * | 2016-02-23 | 2019-06-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible electrically conductive structure, flexible wiring board, production method thereof, and electronic device includng the same |
| JP6975715B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-12-01 | 日本ゼオン株式会社 | 複合体およびリチウムイオン二次電池用負極、並びに複合体の製造方法 |
| IT201700012608A1 (it) * | 2017-02-06 | 2018-08-06 | Arnaldo Morganti | Componenti meccanici antifrizione perfezionati, procedimento di rivestimento e vasca dell’impianto per la loro fabbricazione |
| CN107099834A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-08-29 | 广东工业大学 | 一种铜基自润滑复合涂层及其制备方法 |
| CN107099833A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-08-29 | 广东工业大学 | 一种复合电镀液及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5468727A (en) | 1977-11-11 | 1979-06-02 | Nippon Carbon Co Ltd | Manufacture of carbon fiber-metal composite material |
| JPS61221394A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めつき方法 |
| JPH04158932A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-06-02 | Eagle Ind Co Ltd | ベローズの製造方法 |
| JP3306606B2 (ja) * | 1993-05-14 | 2002-07-24 | 大阪瓦斯株式会社 | 高耐久性・高撥水性複合メッキ被膜を備えた基板材およびその製造法ならびに製氷板 |
| JP3730476B2 (ja) | 2000-03-31 | 2006-01-05 | 株式会社東芝 | 電界放出型冷陰極及びその製造方法 |
| JP2002150922A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Sony Corp | 電子放出装置、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法 |
| JP2002088482A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Japan Science & Technology Corp | 分散材磁場めっき方法と分散材磁場共析めっき方法 |
| CN1132968C (zh) * | 2001-12-20 | 2003-12-31 | 上海交通大学 | 镍基复合材料复合电铸制备方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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