JP5266088B2 - 電磁シールド用めっき膜、電磁シールド基板及びその製造方法 - Google Patents
電磁シールド用めっき膜、電磁シールド基板及びその製造方法 Download PDFInfo
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Description
○硫酸銅・五水和物(濃度:100〜300g/L、好ましくは150〜250g/L)
○硫酸(濃度:30〜100g/L、好ましくは40〜60g/L)
○塩素イオン(濃度:0〜1000mg/L、好ましくは30〜120mg/L)
○ノニオン系界面活性剤(濃度:1×10−6〜1×10−4mol/L、好ましくは1×10−5〜5×10−5mol/L)
○ブライトナー成分(濃度:0.1〜100ppm、好ましくは1〜10ppm)
○レベラー成分(濃度:0.1〜100ppm、好ましくは1〜10ppm)
○カーボンナノチューブ(濃度:0.1〜10g/L、好ましくは1〜3g/L)
上記のノニオン系界面活性剤は分散剤として配合されるものである。ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルポリグルコシド、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステルなどを用いることができる。これらのなかでも、ポリアクリル酸もしくはその塩が好ましく、またポリアクリル酸の分子量は3000〜40000程度の範囲が好ましい。
○硫酸ニッケル(濃度:100〜500g/L、好ましくは200〜400g/L)
○塩化ニッケル(濃度:20〜80g/L、好ましくは30〜60g/L)
○硼酸(濃度:10〜50g/L、好ましくは20〜40g/L)
○ノニオン系界面活性剤(濃度:1×10−6〜1×10−4mol/L、好ましくは1×10−5〜5×10−5mol/L)
○ブチンチオール(濃度:1×10−3〜1×10−2mol/L、好ましくは1×10−3〜5×10−3mol/L)
○サッカリン(濃度:0.1〜10g/L、好ましくは1〜3g/L)
○カーボンナノチューブ(濃度は:0.1〜10g/L、好ましくは1〜3g/L)
上記のニッケルめっき浴はワット浴であるが、これに限らず、スルファミン酸ニッケル浴、クエン酸ニッケル浴、硫酸ニッケル浴、ウッド浴、硼弗化ニッケル浴などであってもよい。
次の組成の、カーボンナノチューブを添加した銅めっき浴を調製した。
○硫酸銅・五水和物 200g/L
○硫酸 50g/L
○塩素イオン 75mg/L
○ポリアクリル酸 3×10−5mol/L
○ブライトナー成分(ビス(3−スルホプロピル)ジサルファイド(2−ナトリウム塩)) 5ppm
○レベラー成分(ヤーヌスグリーンB) 5ppm
○カーボンナノチューブ(昭和電工株式会社製「VGCF」) 2g/L
一方、ナイロン樹脂製の基板を用い、基板の表面にスパッタリングで0.3μm厚の銅の導電膜を形成した。
カーボンナノチューブを添加しない他は、実施例1と同じ組成の銅めっき浴を調製した。そしてこの銅めっき浴を用いて、実施例1と同様にして電気めっきを行ない、基板の導電膜の表面に膜厚20μmのCuめっき膜を形成した。
次の組成の、カーボンナノチューブを添加した銅めっき浴を調製した。
○硫酸銅・五水和物 200g/L
○硫酸 50g/L
○塩素イオン 75mg/L
○ポリアクリル酸 3×10−5mol/L
○カーボンナノチューブ(昭和電工株式会社製「VGCF」) 2g/L
そしてこの銅めっき浴を用いて、実施例1と同様にして電気めっきを行ない、基板の導電膜の表面に膜厚20μmのCuめっき膜を形成した。
カーボンナノチューブを添加しない他は、比較例2と同じ組成の銅めっき浴を調製した。そしてこの銅めっき浴を用いて、実施例1と同様にして電気めっきを行ない、基板の導電膜の表面に膜厚20μmのCuめっき膜を形成した。
次の組成の、カーボンナノチューブを添加したニッケルめっき浴(ワット浴)を調製した。
○硫酸ニッケル 300g/L
○塩化ニッケル 45g/L
○硼酸 30g/L
○ポリアクリル酸 3×10−5mol/L
○ブチンチオール 3×10−3mol/L
○サッカリン 2g/L
○カーボンナノチューブ(昭和電工株式会社製「VGCF」) 2g/L
そしてこのニッケルめっき浴を25℃の浴温を調節し、実施例1と同様に導電膜を形成した基板をこのニッケルめっき浴に浸漬し、導電膜に5A/dm2の電流密度で通電することによって、導電膜の表面にNiめっき膜を形成した。このNiめっき膜の膜厚は15μmであり、Niめっき膜中のカーボンナノチューブの含有率は0.5質量%であった。
次の組成の、カーボンナノチューブを添加しないニッケルめっき浴(ワット浴)を調製した。
○硫酸ニッケル 300g/L
○塩化ニッケル 45g/L
○硼酸 30g/L
そしてこのニッケルめっき浴を用いて、実施例2と同様にして電気めっきを行ない、基板の導電膜の表面に膜厚15μmのNiめっき膜を形成した。
2 凹所
3 導電膜
4 回路パターン
5 電磁シールド膜
5a Cuめっき膜
5b Niめっき膜
Claims (5)
- X線回折で得られる(220)面のピーク強度と(111)面のピーク強度の比[(220)/(111)]が1以上である結晶配向を有するとともにカーボンナノチューブを含有するCuめっき膜からなることを特徴とする電磁シールド用めっき膜。
- 上記Cuめっき膜中のカーボンナノチューブの含有量が0.05〜1.0質量%であることを特徴とする請求項1に記載の電磁シールド用めっき膜。
- 上記Cuめっき膜の厚みが、2〜50μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電磁シールド用めっき膜。
- 回路パターンを有する基板の表面に、請求項1乃至3のいずれかに記載の電磁シールド用めっき膜が形成されて成ることを特徴とする電磁シールド基板。
- 基板の表面に導電膜を形成する工程と、導電膜にパターンニングを施して回路パターンを形成する工程と、銅めっき浴を用いて導電膜の表面に電気めっきを行なって、X線回折で得られる(220)面のピーク強度と(111)面のピーク強度の比(220)/(111)が1以上である結晶配向を有するとともにカーボンナノチューブを含有するCuめっき膜を形成する工程及び、ニッケルめっき浴を用いて基板の表面に電気めっきを行なって、カーボンナノチューブを0.05〜1.0質量%含有するNiめっき膜を形成する工程の少なくとも一方の工程と、を有することを特徴とする電磁シールド基板の製造方法。
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JP2009035370A JP5266088B2 (ja) | 2009-02-18 | 2009-02-18 | 電磁シールド用めっき膜、電磁シールド基板及びその製造方法 |
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