JP4001212B2 - フラーレンを生成するための方法および装置 - Google Patents

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Description

本発明は、高い含量のフラーレンを含むカーボンブラックを連続生成するための方法および装置に関する。
以下、フラーレンという語は、分子の、化学的に均質な、安定なフラーレンを意味する。この群のフラーレンにおいて代表的なのは、C60、C70またはC84である。これらのフラーレンは通常、芳香族の溶媒に可溶である。特に好ましいフラーレンはC60フラーレンである。
フラーレンを含有するカーボンブラックを生成するには、いくつかの方法が公知である。しかしながら、それらの方法によって得られるカーボンブラックにおいて達成可能なフラーレンの濃度はあまりにも低く、純粋フラーレンの調製には多大な費用を要する。純粋フラーレンが結果として高額であるため、種々の技術分野における興味ある応用はその経済的な理由のため経験的に考えられない。たとえばUS−A5,227,038号は、原料としての炭素電極間のアークによって断続的に数グラムのフラーレンを生成することを可能にする、実験室用の機器を開示している。生成される量が少ないということを別にしても、堆積されたカーボンブラック内のフラーレンC60の濃度は非常に低く、生成された質量の10%を超えることは決してない。また、この方法においては、フラーレンC60は、十分な純度で分離するために分別に高額の費用を要する、より高次のフラーレン化合物との混合物として存在する。
US−A5,304,366号は、ある濃度の生成物を得ることのできる方法を開示しているが、高温でガスの循環をフィルタリングするシステムを使用しており、これは実際に行なうのは困難である。
EP−B1 0 682 561号は、高温でのガス状プラズマのカーボンに対する作用によって規定される微小構造を有するカーボンブラックを生成するための一般的な方法を開示している。このようにして得られる生成物系(productseries)においては、フラーレンは十分な処理温度において、連続的な実用的方法で得ることができるかもしれない。
しかし、EP−B1 0 682 561号に従った方法から得られる反応生成物は、純度が非常に低く、フラーレンに変換されなかった炭素とは別に、最高で10%のフラーレンC60を、より高次のフラーレンとの混合物として含有するに過ぎない。
したがって、本発明の課題は、高い含量のフラーレンを含むカーボンブラックを連続的に生成することを可能にする装置および方法を開発することであった。この課題は、本発明に従った、請求項1に記載の装置および、それに基づく請求項12に記載の方法によって解決された。
図面の説明
図1は、本発明に従った装置であって、実質的に、第1の反応チャンバ(A)および第2の反応チャンバ(B)を有するプラズマ反応器(1)と、下流の高温分離器(2)と、それに取付けられる低温分離器(3)とからなる装置の実施例を示す図である。
図2は、実質的に第1の反応チャンバ(A)を含む、プラズマ反応器(1)の頭部の詳細図である。
図3は、反応器(1)の平面図であって、120°の角度で配される3つの電極(4)と、炭素含有材料のための中央供給装置(5)と、耐熱性の断熱ライニングとを有する、本発明の1実施例を説明するための図である。
図4は、実質的に図1と同じ部分からなるが、プラズマ反応器(1)内の生成物の流れが重力と反対方向とされる、本発明に従った装置の別の実施例を示す図である。
請求項1によれば、本発明に従った装置は以下の構成要素からなる。すなわち、該装置は、
a)2つ以上の電極(4)がその中に挿入される第1の反応チャンバ(A)からなるプラズマ反応器(1)を含み、該第1の反応チャンバ(A)は、プラズマガスおよび炭素含有化合物を反応領域の中央へと導く、プラズマガスおよび炭素含有化合物のための供給構造(5)をさらに含み、該プラズマ反応器(1)は、第1の反応チャンバ(A)に隣接して、第1の反応チャンバ(A)から出る反応混合物を冷却するための好適な構造を有する第2の反応チャンバ(B)を含み、さらに
b)該プラズマ反応器(1)に取付けられた高温分離器(2)と、
c)該高温分離器(2)に取付けられた低温分離器(3)とを含む。
プラズマ反応器(1)は好ましくは、円筒形の金属製ケーシングからなり、これは必要であれば、2重壁で設計され得る。この2重壁内では、好適な冷却手段が循環し得る。該金属製ケーシングにはさらに、通常はグラファイトから、または付加的にセラミック層からなる、断熱材(6)が設けられてもよい。第1の反応チャンバ(A)は、非常に高温におけるプラズマ反応のためにのみ使用される。
本発明に従えば、2つ以上、好ましくは3つの電極(4)が第1の反応チャンバ(A)の頭部に挿入される。該電極は、好ましくは、それらが第1の反応チャンバ(A)の上方部分で交差するように、かつ、それらが導管グランド(7)によって別個にかつ連続的に調節され得るように、軸に対してある角度をもって配される。垂直軸に対するこの傾きは好ましくは、15°から90°の範囲内であるが、どのような場合にも、この傾斜は、プラズマを生成するアークが容易に開始されるように、かつ、プラズマの最高の安定性が保証されるように、選ばれる。
好ましくは、該電極(4)は、均等に配されて、3つの電極が120°の角度で隔てられるようにされる。典型的には、当業者に広く知られたプラズマ電極が使用される。これらの電極は典型的に、概して数センチメートルの直径を有する円筒状のロッドの形をした、できるだけ高純度のグラファイトからなる。必要であれば、このグラファイトはさらに、プラズマを安定させる作用を有する成分を含んでもよい。
該電極は通常、50ボルトから500ボルトの交流電圧で動作される。かけられる電力は通常、40kWから150kWの範囲内である。電極を好適に制御することで、一定でありかつ安定なプラズマ領域が得られる。電極は、それらの消費状況に応じて、自動的に調整し直される。
供給装置(5)は、炭素含有化合物およびプラズマガスの供給ユニットとして機能する。この目的のために、当業者に広く知られた、一定供給を可能にする装置が使用され得る。供給場所は好ましくは、電極によって制御されるプラズマ領域の中央とされる。第2の反応チャンバ(B)は、第1の反応チャンバ(A)から出る反応混合物を有効にかつ選択的に冷却するための、好適な装置を含む。好ましい実施例においては、そこには、たとえばサイクロンの作用によってプラズマガス等を好適に分配することを可能にする供給装置(8)が、または必要に応じて、別の冷却手段が、設けられてもよい。
本発明に従えば、第2の反応チャンバ(B)から出る反応混合物は、高温分離器(2)に送られる。高温分離器(2)は、好ましくは、その下方部分に、不揮発性成分を分離するためのロック(9)および、該不揮発性成分をプラズマ反応器(10)内に回収するための導管(10)を、またその上方部分に、揮発性成分を低温分離器(3)内に導くための導管(11)を含む、絶縁されるかまたは等温に加熱されるサイクロンの形に設計される。サイクロンの等温加熱は、公知の方法で達成することが可能である。
代替的に、高温分離器は、好適な耐熱性フィルタに置換されてもよい。このようなフィルタは、たとえば、耐熱性材料から、および、多孔性のセラミック、メタルフリット、またはグラファイト泡沫で作ることができる。高温分離器の場合と同様に、図示しない装置は、分離された固体成分を回収するようにすることが可能である。また、ガス状の化合物を低温分離器(3)内に導くためのラインを設けることも可能である。
低温分離器(3)は、高温分離器(2)に接続され、好ましくは、冷却が可能であってその下方部分にフラーレンを含有するカーボンブラックを分離するためのロック(12)と、その上方部分にプラズマガスをプラズマ反応器(1)内へと戻すよう案内するための導管(10)とを含む、サイクロンの形とされる。
このサイクロンの冷却は、たとえば冷却用流体が供給される冷却用ジャケット等によって、一般的な方法で実行され得る。
本発明に従った装置のさらに別の実施例においては、第2の反応チャンバ(B)における冷却装置への供給のための導管(13)が、導管(10)から分岐されてもよい。
また、炭素含有材料をロック(15)を介して導管(10)に送ることができるようにする、炭素含有材料のための入口装置(14)が設けられてもよい。
本発明のさらに別の主題は、本発明に従った上述の装置によって、プラズマ内で炭素含有化合物から、最初に述べたフラーレンを高い含量で含むカーボンブラックを生成するための方法である。本発明は特に、C60フラーレンを高い含量で含むカーボンブラックの生成に関する。
好ましくは、プラズマの温度は、挿入された炭素含有材料の可能な限りもっとも高い揮発性が達成されるように調節される。一般に、第1の反応チャンバ(A)内の最小温度は4000℃である。
プラズマガスとしては、好ましくは希ガスまたは数種の希ガスの混合物が使用される。好ましくはヘリウムが、必要であれば異なる希ガスとの混合物として、使用される。使用される希ガスは、できる限り純粋でなければならない。
炭素含有材料としては、好ましくは、妨害しかつフラーレンの質に悪影響を与える不純物をできるだけ含まない、高純度の炭素が使用される。水素、酸素または硫黄等の不純物は、フラーレンの生産量を減じ、また、望ましくない副産物を生成するためである。一方、生産サイクルの循環内に存在するガス状の不純物は、プラズマガスの純度を減じるため、もともとの組成を維持するには純粋な形のプラズマガスが供給されねばならない。しかしながら、生産サイクルの循環内においてプラズマガスを直接清浄にすることも可能である。好ましくは、アセチレンブラック、グラファイトパウダー、カーボンブラック、粉砕された熱分解グラファイト、または良くか焼されたコークス等の、高純度の細かく粉砕されたカーボンパウダー、または、それら炭素類の混合物が使用される。プラズマ内で最適に蒸発されるように、上記カーボンパウダーは、できる限り細かいことが好ましい。粗いカーボン粒子は、蒸発されずにプラズマ領域に入るおそれがある。この場合、図4に記載の装置が助けとなるであろう。この装置においては、カーボン粒子は、重力とは反対方向でプラズマ領域に到達する。
炭素含有材料は、好ましくは、プラズマガスとともに、供給構造(5)を介してプラズマ反応器に供給される。
プラズマガスは、好ましくは0.1kg/m3から5kg/m3の量の炭素含有材料を含む。
反応チャンバ(A)内に形成される反応混合物は、既に上に述べたように、効率的に第2の反応チャンバ(B)内で冷却されて、数分の一秒から最高1秒の所定の時間期間、好ましくは1000℃から2700℃の間の温度に保たれる。この段階で、第1の反応チャンバ(A)から出るガス状のカーボン分子は、最初に記載したフラーレンに再結合する。
冷却は、上述のように、好適な冷却装置によって行なわれる。これは好ましくは、第2の反応チャンバ(B)内に所定量の低温プラズマガスを均質に分布することによって行なわれる。この低温プラズマガスは、好ましくは、再循環するプラズマガスから得られる。
第2の反応チャンバ(B)の出口において、混合物は実質的に、プラズマガスと、ガス状態の所望のフラーレンと、変換されない原料および蒸発しないフラーレンの画分からなる。
高温分離器(2)は上述のようにサイクロンとして提供されるが、この高温分離器(2)において、固体部分がガス状部分から、サイクロン効果によって分離される。
所望のフラーレンは、それ自体揮発性であり、したがってこれは、最高90%の収率で、他の不揮発性炭素化合物から分離することができる。
高温分離器(2)は、所望のフラーレンがそのどの部分においても凝縮することのないように、公知の手段によって、好ましくは600℃から1000℃の温度で等温に保たれる。
高温分離器(2)の底部のロック(9)は、所望のフラーレンへと変換されなかった炭素を、たとえばブローイングエンジン(blowing engine)によって、ガス循環内に戻るよう導くことができるようにする。
上に記載したが詳細には説明されなかったフィルタは、上述の高温分離器(2)と同様の機能を果たすことが可能である。
低温分離器(3)は、高温分離器(2)の後段に置かれる。この低温分離器は、公知の手段によって、好ましくは室温から最高200℃の範囲内の、所望のフラーレンの凝縮に十分な温度にまで冷却される。
低温分離器(3)の出口においては通常、所望のフラーレンを最高40%の割合で含むカーボンブラックを含有する、粒子状の材料が溜まる。
ロック(12)が配置されているために、溜まった所望のフラーレンを有するカーボンブラックは、処理過程から取除かれて、さらに精製され得る。このさらなる精製は、抽出等の公知の方法によって実行され得る(Dresselhaus等、Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes, Academic Press, 1996, Chapter 5, pp. 111,特にChapters 5.2および5.3)。
低温分離器(3)から出るプラズマガスは、たとえばブローイングエンジンによって、導管(10)を介してプラズマ反応器(1)内に戻るよう導くことができる。
導管(10)の分岐(13)は、低温の流れの一部を反応混合物の冷却のために第2の反応チャンバ(B)内に戻るように導くことを可能にする。
以下の例は、本発明の主題を説明するものであるが、本発明を例の範囲に限定するものではない。
例:
例1
装置は、内径300mm、高さ150cmの円筒状の反応器と、水が循環する2重壁の冷却用ジャケットからなる。グラファイトのライニングと圧力チャンバの内壁との間には、グラファイト泡沫の絶縁層が配される。直径20mmの3つのグラファイト電極が、電気的絶縁ソケット内に挿入された導管グランドによって、反応器のカバーを介して、摺動装置を有して配置される。直径3mmの中央導管が、グラファイト懸濁物質をプラズマ状ガス内に導入するのに使用される。このプラズマガスは、循環し続ける純粋ヘリウムである。
電極には、供給電力が100kWとなるように交流電圧がかけられる。
アーク炉に使用される種類の3相コントローラによって、プラズマレベルの比較的一定した電気特性が達成される。このようにして、ほぼ5000℃のプラズマ温度が反応チャンバ(A)内で維持される。
反応チャンバ(B)には、チャンバの温度をおよそ1600℃に保つようにチャンバに戻るよう案内される低温ガスが提供される。
原料は、Timcal AG, CH-SinsのTIMREX▲R▼ KS 6の、微粉化されたグラファイトである。反応器の入口の高さで10m3/hの量のガスを投入し、10kg/hの量の材料を付加することにより、1時間の動作時間の後に、永続状態が達成される。高温分離器(2)は800℃の温度に保たれ、その中では、8kg/hの不揮発性炭素化合物がロック(9)を介して分離され回収された。導入された炭素のおよそ6%が、この条件下で、ガス状フラーレンC60へと変換されることがわかった。高温分離器の約90%の効率では、フラーレンC60はある程度、不揮発性炭素化合物およびヘリウムと混合されていた。このエーロゾルは、150℃に保たれた低温分離器(3)に送られた。
低温分離器(3)の底部に溜まる生成物は、連続動作の間に、2kg/hの量でロック(12)から除かれ、変換されなかった炭素との混合物として30%のフラーレンC60を含んだ。
得られた生成物はこの状態で使用することも可能であるが、Dresselhaus等、Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes, Academic Press, 1996, Chapter 5, pp. 111,特にChapters 5.2および5.3にしたがって、トルオールで抽出することによってさらに精製された。例示の生成方法では、0.6kg/hの純粋フラーレンC60を生成することができる。
例2
例1に従った方法を繰返した。ただし、ヘリウムをアルゴンに置換した。この条件下では、精製後、0.4kg/hの純粋フラーレンC60を得ることができた。
例3
例1の方法を繰返した。ただし、高温分離器(2)を多孔性セラミックのフィルタに置換した。フィルタから出て低温分離器(3)に入るガス流は、ガス状フラーレンC60と混合されたヘリウムのみを含んだ。フィルタの効率はおよそ90%であった。この方法では、精製後、0.6kg/hの純粋フラーレンC60が得られた。
例4
例1に従った方法を繰返した。ただし、微粒化グラファイトを、企業SN2A, F-Berre l'Etangの、高純度アセチレンブラックに置換した。この方法では、精製後、0.8kg/hの純粋フラーレンC60が得られた。
例5
例1の方法を繰返した。ただし、微粒化グラファイトは、企業MMM-Carbon, B-BrusselsのENSACO Super Pの、高純度の脱気された熱分解グラファイトに置換された。この方法では、精製後、0.7kg/hの純粋フラーレンC60を得ることができた。

Claims (22)

  1. 炭素を含有する化合物からプラズマ内で高い含量のフラーレンを含むカーボンブラックを連続生成するための装置であって、前記装置は、
    a)2つ以上の電極(4)がその中に挿入される第1の反応チャンバ(A)からなるプラズマ反応器(1)を含み、該第1の反応チャンバ(A)は、プラズマガスおよび炭素含有化合物を反応領域の中央へと導く、プラズマガスおよび炭素含有化合物のための供給構造(5)をさらに含み、前記プラズマ反応器(1)は、第1の反応チャンバ(A)に隣接して、第1の反応チャンバ(A)から出る反応混合物を冷却するための好適な構造を有する第2の反応チャンバ(B)を含み、さらに
    b)前記プラズマ反応器(1)に取付けられた高温分離器(2)と、
    c)前記高温分離器(2)に取付けられた低温分離器(3)とを含み、
    前記高温分離器(2)は、前記低温分離器(3)よりも高い温度で動作し、前記プラズマ反応器(1)から主としてフラーレンではないカーボンから構成された不揮発性化合物および主としてフラーレンから構成された揮発性化合物を含む前記プラズマガスを受け入れ、揮発性化合物を含む前記プラズマガスから前記不揮発性化合物を分離し、主としてフラーレンではないカーボンから構成された前記不揮発性化合物を前記プラズマ反応器(1)内へ導き、
    前記低温分離器(3)は、前記揮発性化合物を含む前記プラズマガスを受け入れて冷却し、それにより、前記プラズマガスから前記フラーレンを凝縮させて分離し、前記プラズマガスを前記プラズマ反応器(1)内へ戻すように導く、装置。
  2. 前記プラズマ反応器(1)には、耐熱性の断熱ライニング(6)が設けられる、請求項1に記載の装置。
  3. 前記ライニング(6)はグラファイトからなる、請求項2に記載の装置。
  4. 前記2つ以上の電極(4)が軸に対してある角度をもって配されて、該電極が第1の反応チャンバ(A)の上方部分において交差部を形成しかつ、該電極が前記反応チャンバ内に挿入される導管グランド(7)によってそれらの軸の方向に個別に調節可能とされることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の装置。
  5. 3つの電極(4)が使用され、それらが3相の交流電圧で動作されかつグラファイトからなることを特徴とする、請求項4に記載の装置。
  6. プラズマガスの供給構造(8)が冷却用装置として提供され
    前記冷却用装置が、前記プラズマガスを前記プラズマ反応器(1)内へ導くための導管であることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の装置。
  7. 前記高温分離器(2)が、等温に加熱可能なサイクロンの形で設けられかつ、その下方部分に、不揮発性化合物を分離するためのロック(9)および、該不揮発性化合物を前記プラズマ反応器(1)に戻すよう案内するための導管(10)と、その上方部分に、揮発性化合物を前記低温分離器(3)内に案内するための導管(11)とを含むことを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の装置。
  8. 前記高温分離器(2)が耐熱性フィルタの形で提供されることを特徴とする、請求項1から7のいずれかに記載の装置。
  9. 前記低温分離器(3)が冷却可能なサイクロンの形で提供されかつ、その下方部分に、フラーレンを含有するカーボンブラックを分離するためのロック(12)と、その上方部分に、プラズマガスを前記プラズマ反応器(1)内に戻すよう案内するための導管(10)とを含むことを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の装置。
  10. プラズマガスを第2の反応チャンバ(B)内に供給するために設けられる導管(13)が、プラズマガスをプラズマ反応器内に戻すよう案内するために設けられる導管(10)から分岐することを特徴とする、請求項9に記載の装置。
  11. 炭素含有材料をロック(15)を介して導管(10)内に送ることを可能にする、炭素含有材料のための入口装置(14)が存在することを特徴とする、請求項1から10のいずれかに記載の装置。
  12. 炭素含有化合物がプラズマ内で請求項1から11のいずれかに記載の装置によって高い含有量のフラーレンを有するカーボンブラック材料に変換されることを特徴とする、高い含量のフラーレンを有するカーボンブラックを連続生成するための方法。
  13. フラーレンC60、C70、もしくはC84、またはこれらフラーレンの混合物が生成されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
  14. プラズマの温度が第1の反応チャンバ(A)内において4000℃の最小温度を有することを特徴とする、請求項12または13に記載の方法。
  15. 希ガスまたは異なる希ガスの混合物がプラズマガスとして使用されることを特徴とする、請求項12から14のいずれかに記載の方法。
  16. ヘリウムがプラズマガスとして使用されることを特徴とする、請求項12から15のいずれかに記載の方法。
  17. 純度炭素が炭素含有材料として使用されることを特徴とする、請求項12から16のいずれかに記載の方法。
  18. 第2の反応チャンバ(B)内の温度が、1000℃から2700℃の間の温度に保たれることを特徴とする、請求項12から17のいずれかに記載の方法。
  19. 第2の反応チャンバ(B)内の温度が、供給装置(8)から低温のプラズマガスを供給することによって調整されることを特徴とする、請求項18に記載の方法。
  20. 高温分離器(2)が、600℃から1000℃の温度で等温に保たれることを特徴とする、請求項12から19のいずれかに記載の方法。
  21. 低温分離器(3)が、室温から200℃の範囲の温度で動作されることを特徴とする、請求項12から20のいずれかに記載の方法。
  22. 高い含量のC60フラーレンを含むカーボンブラックが生成されることを特徴とする、請求項12から21のいずれかに記載の方法。
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Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1188801B1 (en) * 2000-09-19 2005-11-16 Timcal S.A. Device and method for converting carbon containing feedstock into carbon containing materials, having a defined structure
CA2385802C (en) * 2002-05-09 2008-09-02 Institut National De La Recherche Scientifique Method and apparatus for producing single-wall carbon nanotubes
CN101061064B (zh) 2002-07-03 2011-03-30 Nano-C公司 富勒烯的分离和提纯
US7361821B2 (en) 2002-09-20 2008-04-22 Intel Corporation Controlled alignment of nanobarcodes encoding specific information for scanning probe microscopy (SPM) reading
WO2004038037A2 (en) * 2002-09-20 2004-05-06 Intel Corporation Controlled alignment of nano-barcodes encoding specific information for scanning probe microscopy (spm) reading
US20040124093A1 (en) * 2002-10-16 2004-07-01 Dal-Young Jung Continuous production and separation of carbon-based materials
US7606403B2 (en) * 2002-10-17 2009-10-20 Intel Corporation Model-based fusion of scanning probe microscopic images for detection and identification of molecular structures
DE10312494A1 (de) * 2003-03-20 2004-10-07 Association pour la Recherche et le Développement des Méthodes et Processus Industriels (Armines) Kohlenstoff-Nanostrukturen und Verfahren zur Herstellung von Nanoröhren, Nanofasern und Nanostrukturen auf Kohlenstoff-Basis
US20050064435A1 (en) * 2003-09-24 2005-03-24 Xing Su Programmable molecular barcodes
US7641882B2 (en) * 2003-09-30 2010-01-05 Massachusetts Institute Of Technology Fullerenic structures and such structures tethered to carbon materials
JP2007515364A (ja) * 2003-10-16 2007-06-14 ザ ユニバーシティ オブ アクロン カーボンナノファイバ基板上のカーボンナノチューブ
SG111177A1 (en) * 2004-02-28 2005-05-30 Wira Kurnia Fine particle powder production
US7669349B1 (en) 2004-03-04 2010-03-02 TD*X Associates LP Method separating volatile components from feed material
CN1934286B (zh) * 2004-03-23 2010-05-05 理想星株式会社 材料膜的制造方法以及材料膜的制造装置
US20060127285A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Von Drasek William A Method and apparatus for flameless carbon black deposition
JP2006169002A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Nikkiso Co Ltd 分別捕集装置、および分別捕集方法
US7736818B2 (en) 2004-12-27 2010-06-15 Inphase Technologies, Inc. Holographic recording medium and method of making it
CA2500766A1 (en) * 2005-03-14 2006-09-14 National Research Council Of Canada Method and apparatus for the continuous production and functionalization of single-walled carbon nanotubes using a high frequency induction plasma torch
KR100793154B1 (ko) * 2005-12-23 2008-01-10 주식회사 포스코 고주파 플라즈마를 이용한 은나노 분말 제조방법
CN100488872C (zh) * 2006-02-24 2009-05-20 厦门大学 碳簇合成装置
US9034297B2 (en) 2006-06-08 2015-05-19 Directa Plus S.P.A. Production of nano-structures
JP5318463B2 (ja) * 2008-05-27 2013-10-16 住友金属鉱山株式会社 微粒子の製造方法およびそれに用いる製造装置
DE102010015891A1 (de) 2010-03-09 2011-09-15 Industrieanlagen-Betriebsgesellschaft Mbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung nanoskaliger partikulärer Feststoffe und Plasmabrenner
US8796361B2 (en) 2010-11-19 2014-08-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Adhesive compositions containing graphenic carbon particles
US20140150970A1 (en) 2010-11-19 2014-06-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Structural adhesive compositions
US10240052B2 (en) 2011-09-30 2019-03-26 Ppg Industries Ohio, Inc. Supercapacitor electrodes including graphenic carbon particles
US9574094B2 (en) 2013-12-09 2017-02-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Graphenic carbon particle dispersions and methods of making same
US10294375B2 (en) 2011-09-30 2019-05-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrically conductive coatings containing graphenic carbon particles
US9475946B2 (en) 2011-09-30 2016-10-25 Ppg Industries Ohio, Inc. Graphenic carbon particle co-dispersions and methods of making same
US9832818B2 (en) 2011-09-30 2017-11-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Resistive heating coatings containing graphenic carbon particles
US9761903B2 (en) 2011-09-30 2017-09-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Lithium ion battery electrodes including graphenic carbon particles
US9988551B2 (en) 2011-09-30 2018-06-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Black pigments comprising graphenic carbon particles
US9938416B2 (en) 2011-09-30 2018-04-10 Ppg Industries Ohio, Inc. Absorptive pigments comprising graphenic carbon particles
US8486363B2 (en) * 2011-09-30 2013-07-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Production of graphenic carbon particles utilizing hydrocarbon precursor materials
US10763490B2 (en) 2011-09-30 2020-09-01 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods of coating an electrically conductive substrate and related electrodepositable compositions including graphenic carbon particles
JP5926920B2 (ja) * 2011-10-19 2016-05-25 一般財団法人ファインセラミックスセンター 粒子捕集装置及び噴霧熱分解装置
RU2496713C2 (ru) * 2011-10-31 2013-10-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение "ВЫСОКОГОРНЫЙ ГЕОФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ" (ФГБУ ВГИ) Способ получения углеродных наноструктурных материалов
US20160068395A1 (en) * 2013-03-15 2016-03-10 Luna Innovations Incorporated Methods and Devices for the Synthesis of Metallofullerenes
US11430979B2 (en) 2013-03-15 2022-08-30 Ppg Industries Ohio, Inc. Lithium ion battery anodes including graphenic carbon particles
US10138378B2 (en) 2014-01-30 2018-11-27 Monolith Materials, Inc. Plasma gas throat assembly and method
US10100200B2 (en) 2014-01-30 2018-10-16 Monolith Materials, Inc. Use of feedstock in carbon black plasma process
US11939477B2 (en) 2014-01-30 2024-03-26 Monolith Materials, Inc. High temperature heat integration method of making carbon black
US10370539B2 (en) * 2014-01-30 2019-08-06 Monolith Materials, Inc. System for high temperature chemical processing
RU2016135213A (ru) 2014-01-31 2018-03-05 Монолит Матириалз, Инк. Конструкция плазменной горелки
US9574086B2 (en) 2014-01-31 2017-02-21 Monolith Materials, Inc. Plasma reactor
JP6277844B2 (ja) * 2014-04-21 2018-02-14 Jfeエンジニアリング株式会社 ナノ粒子材料製造装置
JP6337354B2 (ja) * 2015-01-20 2018-06-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 微粒子製造装置及び微粒子製造方法
MX2017009982A (es) 2015-02-03 2018-01-25 Monolith Mat Inc Metodo y dispositivo de enfriamiento regenerativo.
MX2018001259A (es) 2015-07-29 2018-04-20 Monolith Mat Inc Aparato y método de diseño de energía eléctrica para soplete de plasma cc.
CN108352493B (zh) 2015-09-14 2022-03-08 巨石材料公司 由天然气制造炭黑
JP6590203B2 (ja) * 2015-11-12 2019-10-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 微粒子製造装置及び微粒子製造方法
US10377928B2 (en) 2015-12-10 2019-08-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Structural adhesive compositions
JP6512484B2 (ja) * 2016-03-25 2019-05-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 微粒子製造装置及び製造方法
CN109642090A (zh) 2016-04-29 2019-04-16 巨石材料公司 炬针方法和设备
CN109562347A (zh) 2016-04-29 2019-04-02 巨石材料公司 颗粒生产工艺和设备的二次热添加
EP3592810A4 (en) 2017-03-08 2021-01-27 Monolith Materials, Inc. SYSTEMS AND METHODS FOR THE PRODUCTION OF CARBON PARTICLES WITH HEAT TRANSFER GAS
JP6924944B2 (ja) * 2017-04-05 2021-08-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 微粒子製造装置及び微粒子製造方法
KR20190138862A (ko) 2017-04-20 2019-12-16 모놀리스 머티어리얼스 인코포레이티드 입자 시스템 및 방법
EP3700980A4 (en) 2017-10-24 2021-04-21 Monolith Materials, Inc. PARTICULAR SYSTEMS AND PROCEDURES
JP7056535B2 (ja) * 2018-12-04 2022-04-19 トヨタ自動車株式会社 改質カーボン粒子の製造方法、改質カーボン粒子、及び改質カーボン粒子を含む燃料電池用触媒層
KR20220060043A (ko) * 2020-11-02 2022-05-11 재단법인 한국탄소산업진흥원 개선된 반응원료 주입 구조를 갖는 아세틸렌 블랙 제조장치
KR102508756B1 (ko) * 2020-11-02 2023-03-10 재단법인 한국탄소산업진흥원 플라즈마 처리와 열분해 복합화를 이용한 아세틸렌 블랙 제조장치
SE545144C2 (en) * 2021-04-28 2023-04-11 Saltx Tech Ab Electric arc calciner

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1986002024A1 (en) * 1984-09-27 1986-04-10 Regents Of The University Of Minnesota Multiple arc plasma device with continuous gas jet
JPH05124807A (ja) * 1991-08-07 1993-05-21 Mitsubishi Kasei Corp フラーレン類の製造方法
US5227038A (en) * 1991-10-04 1993-07-13 William Marsh Rice University Electric arc process for making fullerenes
JPH05116923A (ja) * 1991-10-29 1993-05-14 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd フラーレン類の製造方法
US5304366A (en) * 1991-12-24 1994-04-19 Sri International Process and apparatus for producing and separating fullerenes
WO1993023331A1 (en) * 1992-05-15 1993-11-25 Lane David R Iii Plasma method for the production of fullerenes
US5876684A (en) * 1992-08-14 1999-03-02 Materials And Electrochemical Research (Mer) Corporation Methods and apparati for producing fullerenes
DE4243566A1 (de) * 1992-12-22 1994-06-23 Hoechst Ag Verfahren zur Direkt-Gewinnung von kristallinen Fullerenen aus Fullerengas-Ruß-Gemischen
DE4302144C2 (de) * 1993-01-27 1996-01-25 Lipprandt Michael Dipl Ing Verfahren zur Erzeugung von Kohlenstoff-Fullerenen aus kohlenstoffhaltigen festen Rohstoffen und Vorrichtung dazu
FR2701267B1 (fr) * 1993-02-05 1995-04-07 Schwob Yvan Procédé pour la fabrication de suies carbonées à microstructures définies.
US5326644A (en) * 1993-02-05 1994-07-05 Avery Dennison Corporation Repulpable pressure-sensitive adhesive compositions
DE4319049A1 (de) * 1993-06-08 1994-12-15 Hoechst Ag Verfahren zur Abtrennung von Fulleren aus fullerenhaltigem Ruß

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