JPS6330062B2 - - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 57
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 34
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 29
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 13
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- -1 In the case of Al Chemical class 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052576 carbides based ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
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- C01B32/914—Carbides of single elements
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- B01J15/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with non-particulate solids, e.g. sheet material; Apparatus specially adapted therefor
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- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
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- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
- C01B13/32—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation or hydrolysis of elements or compounds in the liquid or solid state or in non-aqueous solution, e.g. sol-gel process
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
- C01B21/0722—Preparation by direct nitridation of aluminium
- C01B21/0724—Preparation by direct nitridation of aluminium using a plasma
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツクスの超微粒子、特に直径
1μm以下の超微粒子の製造法に関する。
1μm以下の超微粒子の製造法に関する。
セラミツクスは優れた耐熱性、耐食性及び耐磨
耗性を有し、しかも特異な電気的あるいは光学的
性質を示すことから、耐熱、耐食、耐磨耗性材料
や、光学、電子材料として広く利用されている。
耗性を有し、しかも特異な電気的あるいは光学的
性質を示すことから、耐熱、耐食、耐磨耗性材料
や、光学、電子材料として広く利用されている。
しかし、セラミツクスの材料としては、難加工
性(例えば難焼結性)である欠点があり、これを
超微粒子とすると、これを改善し得られ、セラミ
ツクスの機能性や用途を一層向上させることがで
きる。
性(例えば難焼結性)である欠点があり、これを
超微粒子とすると、これを改善し得られ、セラミ
ツクスの機能性や用途を一層向上させることがで
きる。
従来、セラミツクスの超微粒子の製造法として
は、金属塩化物あるいは金属水素化物の蒸気を、
気相中で酸化、窒化あるいは炭化する気相反応法
が知られている。しかし、この気相反応法は、(1)
製造し得るセラミツクスの種類が極めて限定され
ると共に製造能力が低いこと。(2)反応による副生
成物である塩化物、アンモニア、炭素等によるセ
ラミツクスの汚染を防ぐことが困難であると共に
製造装置の防食対策、公害防止などに対して多大
の注意を払わねばならないこと、及び(3)異なつた
種類のセラミツクスの超微粒子の混合物(例えば
酸化物セラミツクスと炭化物セラミツクスの超微
粒子混合物等)の製造は不可能である等の欠点が
あつた。
は、金属塩化物あるいは金属水素化物の蒸気を、
気相中で酸化、窒化あるいは炭化する気相反応法
が知られている。しかし、この気相反応法は、(1)
製造し得るセラミツクスの種類が極めて限定され
ると共に製造能力が低いこと。(2)反応による副生
成物である塩化物、アンモニア、炭素等によるセ
ラミツクスの汚染を防ぐことが困難であると共に
製造装置の防食対策、公害防止などに対して多大
の注意を払わねばならないこと、及び(3)異なつた
種類のセラミツクスの超微粒子の混合物(例えば
酸化物セラミツクスと炭化物セラミツクスの超微
粒子混合物等)の製造は不可能である等の欠点が
あつた。
本発明はこれらの欠点をなくすべくなされたも
のであり、その目的は簡便な装置により、高能率
かつ無公害にセラミツクスの超微粒子、あるいは
異種セラミツクスの超微粒子の混合粉を製造する
方法を提供することにある。
のであり、その目的は簡便な装置により、高能率
かつ無公害にセラミツクスの超微粒子、あるいは
異種セラミツクスの超微粒子の混合粉を製造する
方法を提供することにある。
本発明者らは前記目的を達成すべく研究の結
果、圧力50Torr以上の水素、窒素の単独または
混合ガス中で発生させたアークまたはプラズマジ
エツトの熱プラズマにより塊状のセラミツクスあ
るいはセラミツクスに金属または炭素を混合した
塊状の混合物を溶融すると、セラミツクスあるい
は混合物においては混合物の反応により生成した
セラミツクスが蒸発して飛散し、超微粒子粉が得
られることを見出し、この知見に基づいて本発明
を完成した。
果、圧力50Torr以上の水素、窒素の単独または
混合ガス中で発生させたアークまたはプラズマジ
エツトの熱プラズマにより塊状のセラミツクスあ
るいはセラミツクスに金属または炭素を混合した
塊状の混合物を溶融すると、セラミツクスあるい
は混合物においては混合物の反応により生成した
セラミツクスが蒸発して飛散し、超微粒子粉が得
られることを見出し、この知見に基づいて本発明
を完成した。
本発明の方法における超微粒子の生成機構の詳
細は明らかではないが、大略次のように考えられ
る。すなわち、アークまたはプラズマジエツトの
高温化(約10000K以上)においては、水素ある
いは窒素のような2原子分子ガスの大部分は解離
して原子あるいはイオンの状態で存在しており、
これらの原子あるいはイオンは通常の分子状ガス
に比べて極めてエネルギーの高い活性化した状態
にある。このような活性化した化学種(原子状の
水素あるいは原子状の窒素)を含む熱プラズマに
より該セラミツクスあるいはセラミツクスと金属
あるいは炭素との混合物を溶融すると、該活性化
学種の溶融セラミツクス表面での再結合(水素分
子あるいは窒素分子の生成)や溶融セラミツクス
中への溶解等の反応が生じる(なお、この溶融セ
ラミツクス中に溶解した水素あるいは窒素は、溶
融セラミツクス表面で再結合して分子となり、溶
融セラミツクスから放出される)。このような原
子状水素あるいは原子状窒素の再結合時に発生す
るエネルギ(再結合エネルギ)は、溶融セラミツ
クスの表面原子あるいは分子に効果的に付与され
る。その結果、該溶融セラミツクス表面の原子あ
るいは分子の強制蒸発現象が誘起され、セラミツ
クスの超微粒子が生じるものと考えられる。
細は明らかではないが、大略次のように考えられ
る。すなわち、アークまたはプラズマジエツトの
高温化(約10000K以上)においては、水素ある
いは窒素のような2原子分子ガスの大部分は解離
して原子あるいはイオンの状態で存在しており、
これらの原子あるいはイオンは通常の分子状ガス
に比べて極めてエネルギーの高い活性化した状態
にある。このような活性化した化学種(原子状の
水素あるいは原子状の窒素)を含む熱プラズマに
より該セラミツクスあるいはセラミツクスと金属
あるいは炭素との混合物を溶融すると、該活性化
学種の溶融セラミツクス表面での再結合(水素分
子あるいは窒素分子の生成)や溶融セラミツクス
中への溶解等の反応が生じる(なお、この溶融セ
ラミツクス中に溶解した水素あるいは窒素は、溶
融セラミツクス表面で再結合して分子となり、溶
融セラミツクスから放出される)。このような原
子状水素あるいは原子状窒素の再結合時に発生す
るエネルギ(再結合エネルギ)は、溶融セラミツ
クスの表面原子あるいは分子に効果的に付与され
る。その結果、該溶融セラミツクス表面の原子あ
るいは分子の強制蒸発現象が誘起され、セラミツ
クスの超微粒子が生じるものと考えられる。
本発明において得られる超微粒子のセラミツク
スは酸化物系、窒化物系または炭化物系のセラミ
ツクス、及びそれらの複合したセラミツクスであ
る。
スは酸化物系、窒化物系または炭化物系のセラミ
ツクス、及びそれらの複合したセラミツクスであ
る。
酸化物系セラミツクスの超微粒子を製造する場
合の雰囲気としては、水素あるいは窒素またはそ
の混合ガスが使用されるが、超微粒子の粒径制御
や操業性の向上のためには、それに不活性ガス
(例えばAr,He等)で希釈して使用することが
好ましい。また雰囲気に水素を含む場合は、得ら
れる酸化物系セラミツクスの超微粒子の還元を抑
制するために、雰囲気中に水蒸気を添加してもよ
い。
合の雰囲気としては、水素あるいは窒素またはそ
の混合ガスが使用されるが、超微粒子の粒径制御
や操業性の向上のためには、それに不活性ガス
(例えばAr,He等)で希釈して使用することが
好ましい。また雰囲気に水素を含む場合は、得ら
れる酸化物系セラミツクスの超微粒子の還元を抑
制するために、雰囲気中に水蒸気を添加してもよ
い。
窒化物系セラミツクスの超微粒子を製造する場
合の雰囲気としては、窒素を使用することが好ま
しいが、製造能力の向上、粒径の制御、超微粒子
の純度保持、あるいは操業性の向上のために、水
素あるいは不活性ガスを雰囲気中に添加してもよ
い。
合の雰囲気としては、窒素を使用することが好ま
しいが、製造能力の向上、粒径の制御、超微粒子
の純度保持、あるいは操業性の向上のために、水
素あるいは不活性ガスを雰囲気中に添加してもよ
い。
炭化物系セラミツクスの超微粒子を製造する場
合の雰囲気としては、水素あるいは窒素またはそ
れらの混合ガスが使用されるが、セラミツクス中
の金属元素が窒化物を形成し易い元素、例えば、
Al、Ti、Hf、Zr、Nb、V等であ場合には、水
素を使用することが望ましい。また、超微粒子の
粒径制御あるいは操業性の向上等のために、不活
性ガスを雰囲気中に添加してもよい。また炭化物
系セラミツクスの超微粒子を製造する出発原料と
しては、炭化物系セラミツクス、あるいはこれに
金属、炭素を混合したものであつてもよい。また
は雰囲気中にメタン、エタン等の炭素含有化合物
ガスを添加してもよい。これらの金属、炭素は得
られる超微粒子の純度保持、また通電性を良好に
する作用をする。
合の雰囲気としては、水素あるいは窒素またはそ
れらの混合ガスが使用されるが、セラミツクス中
の金属元素が窒化物を形成し易い元素、例えば、
Al、Ti、Hf、Zr、Nb、V等であ場合には、水
素を使用することが望ましい。また、超微粒子の
粒径制御あるいは操業性の向上等のために、不活
性ガスを雰囲気中に添加してもよい。また炭化物
系セラミツクスの超微粒子を製造する出発原料と
しては、炭化物系セラミツクス、あるいはこれに
金属、炭素を混合したものであつてもよい。また
は雰囲気中にメタン、エタン等の炭素含有化合物
ガスを添加してもよい。これらの金属、炭素は得
られる超微粒子の純度保持、また通電性を良好に
する作用をする。
異種セラミツクスの超微粒子混合粉を製造する
場合の出発原料としては、異種セラミツクスの混
合物、あるいはこれに金属または炭素を混合した
ものが使用される。混合する金属としては、酸化
物、窒化物あるいは炭化物を形成し易い元素、例
えば、酸化物を形成し易い元素:Al、Ti、Zn、
Si、Sn、Ta、Nb等、窒化物を形成し易い元素:
Al、Ti、Zr、V、Ta、Nb等、炭化物を形成し
易い元素:Si、B、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、V、
Cr、Mo、W等であることが望ましい。
場合の出発原料としては、異種セラミツクスの混
合物、あるいはこれに金属または炭素を混合した
ものが使用される。混合する金属としては、酸化
物、窒化物あるいは炭化物を形成し易い元素、例
えば、酸化物を形成し易い元素:Al、Ti、Zn、
Si、Sn、Ta、Nb等、窒化物を形成し易い元素:
Al、Ti、Zr、V、Ta、Nb等、炭化物を形成し
易い元素:Si、B、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、V、
Cr、Mo、W等であることが望ましい。
異種セラミツクスの超微粒子混合物を製造する
場合の雰囲気としては、他のセラミツクスの場合
と同様に、水素あるいは窒素またはそれらの混合
物が使用され、更に必要に応じ、不活性ガスを混
合してもよい。窒化物系セラミツクスの超微粒子
を含む異種セラミツクスの超微粒子混合物を製造
する場合は、窒素あるいは窒素と不活性ガスの混
合ガスを使用することが好ましい。
場合の雰囲気としては、他のセラミツクスの場合
と同様に、水素あるいは窒素またはそれらの混合
物が使用され、更に必要に応じ、不活性ガスを混
合してもよい。窒化物系セラミツクスの超微粒子
を含む異種セラミツクスの超微粒子混合物を製造
する場合は、窒素あるいは窒素と不活性ガスの混
合ガスを使用することが好ましい。
本発明における雰囲気圧力は、アークあるいは
プラズマジエツトの安定に発生、維持し得る圧力
であればよく、通常1気圧〜約50Torrの範囲で
ある。
プラズマジエツトの安定に発生、維持し得る圧力
であればよく、通常1気圧〜約50Torrの範囲で
ある。
本発明を実施するための装置としては、通常の
アーク溶解炉やプラズマ溶解炉が使用し得られ
る。しかし、セラミツクスの超微粒子の粒径制御
や捕集効率を高めるためには、本発明者らによつ
て開発した装置(特願昭56―202568号)を使用す
ることが好ましい。
アーク溶解炉やプラズマ溶解炉が使用し得られ
る。しかし、セラミツクスの超微粒子の粒径制御
や捕集効率を高めるためには、本発明者らによつ
て開発した装置(特願昭56―202568号)を使用す
ることが好ましい。
その具体例を第1図および第2図に示す。第1
図は直流電源を使用したアーク溶解装置の縦断面
図を示す。図において、1は密閉容器で該密閉容
器上部に放電用電極2を1乃至複数個を設ける。
該放電用電極2と水冷銅ハース5上に置れたセラ
ミツクス材料4間に直流電源11により電圧を印
加してアーク3を発生させる。これにより導入さ
れた雰囲気中の水素あるいは窒素の活性化とセラ
ミツクス材料の加熱を行う。この際活性化した水
素あるいは窒素とセラミツクス材料との反応が起
る。なお、セラミツクスと金属あるいは炭素の混
合物においては、セラミツクスと金属あるいは炭
素との反応も同時に起こる。その反応過程におい
て、セラミツクスの超微粒子が発生する。発生し
たセラミツクスの超微粒子はガス導入口8あるい
は8′から導入され、吸引器6によつて吸引され
る気流より吸引されて冷却器7に運ばれて速やか
に冷却された後、捕集器9に移送され捕集され
る。なお、酸化物系セラミツクスのような通電性
の低いセラミツクスの場合は、複数電極やプラズ
マジエツトによる加熱が有効であるが、交流電流
を用いた交流アークによる加熱も効果的である。
図は直流電源を使用したアーク溶解装置の縦断面
図を示す。図において、1は密閉容器で該密閉容
器上部に放電用電極2を1乃至複数個を設ける。
該放電用電極2と水冷銅ハース5上に置れたセラ
ミツクス材料4間に直流電源11により電圧を印
加してアーク3を発生させる。これにより導入さ
れた雰囲気中の水素あるいは窒素の活性化とセラ
ミツクス材料の加熱を行う。この際活性化した水
素あるいは窒素とセラミツクス材料との反応が起
る。なお、セラミツクスと金属あるいは炭素の混
合物においては、セラミツクスと金属あるいは炭
素との反応も同時に起こる。その反応過程におい
て、セラミツクスの超微粒子が発生する。発生し
たセラミツクスの超微粒子はガス導入口8あるい
は8′から導入され、吸引器6によつて吸引され
る気流より吸引されて冷却器7に運ばれて速やか
に冷却された後、捕集器9に移送され捕集され
る。なお、酸化物系セラミツクスのような通電性
の低いセラミツクスの場合は、複数電極やプラズ
マジエツトによる加熱が有効であるが、交流電流
を用いた交流アークによる加熱も効果的である。
第2図は交流電源を使用したアーク溶解装置の
縦断図である。竪型円筒状の密閉容器1の上部に
設けられた1対の放電用電極2間に交流電源12
より電圧を印加してアーク3を発生させ、セラミ
ツクス材料4を加熱する。これにより前記の直流
電源を使用した場合と同様に発生したセラミツク
ス超微粒子を冷却器7を経て捕集器9で捕集され
る。
縦断図である。竪型円筒状の密閉容器1の上部に
設けられた1対の放電用電極2間に交流電源12
より電圧を印加してアーク3を発生させ、セラミ
ツクス材料4を加熱する。これにより前記の直流
電源を使用した場合と同様に発生したセラミツク
ス超微粒子を冷却器7を経て捕集器9で捕集され
る。
実施例 1
第1図の装置を使用し、30%H2―Ar雰囲気中
(1気圧)で直流アーク(電流140A、電圧30〜
40V)により、水冷鋼ハース上に載置した塊状の
炭化珪素を溶融した。該炭化珪素表面から炭化珪
素の超微粒子が飛散するので、これを冷却して炭
化珪素超微粒子を得た。得られた超微粒子の粒径
は0.02〜0.5μmであり、その形状は第3図の電子
顕微鏡写真に示すように、球形もしくは多角形で
あつた。
(1気圧)で直流アーク(電流140A、電圧30〜
40V)により、水冷鋼ハース上に載置した塊状の
炭化珪素を溶融した。該炭化珪素表面から炭化珪
素の超微粒子が飛散するので、これを冷却して炭
化珪素超微粒子を得た。得られた超微粒子の粒径
は0.02〜0.5μmであり、その形状は第3図の電子
顕微鏡写真に示すように、球形もしくは多角形で
あつた。
実施例 2
第2図の装置を使用し、100%H2雰囲気中(1
気圧)で発生した交流アーク(電流118A、電圧
30〜50V)により水冷鋼ハース上に載置した塊状
の酸化アルミニウムを溶融して酸化アルミニウム
超微粒子を得た。得られた酸化アルミニウム超微
粒子の粒径は0.01〜0.1μmであり、粒子の形状は
第4図の電子顕微鏡写真に示すように球形であつ
た。
気圧)で発生した交流アーク(電流118A、電圧
30〜50V)により水冷鋼ハース上に載置した塊状
の酸化アルミニウムを溶融して酸化アルミニウム
超微粒子を得た。得られた酸化アルミニウム超微
粒子の粒径は0.01〜0.1μmであり、粒子の形状は
第4図の電子顕微鏡写真に示すように球形であつ
た。
実施例 3
第2図の装置を使用し、100%H2雰囲気中(1
気圧)で発生した交流アーク(電流180A、電圧
30〜50V)により水冷銅ハース上に載置した塊状
の酸化ジルコニウムを溶融し、酸化ジルコニウム
超微粒子を得た。得られた酸化ジルコニウム超微
粒子の粒径は0.02〜0.2μmの範囲であり、第5図
に示すように、主として球状の粒子であつた。
気圧)で発生した交流アーク(電流180A、電圧
30〜50V)により水冷銅ハース上に載置した塊状
の酸化ジルコニウムを溶融し、酸化ジルコニウム
超微粒子を得た。得られた酸化ジルコニウム超微
粒子の粒径は0.02〜0.2μmの範囲であり、第5図
に示すように、主として球状の粒子であつた。
実施例 4
第2図の装置を使用し、100%H2雰囲気中(1
気圧)で発生した交流アーク(電流180A、電圧
30〜50V)により水冷銅ハース上に載置した塊状
の酸化マグネシウムを溶融し、酸化マグネシウム
超微粒子を得た。得られた酸化マグネシウム超微
粒子の粒径は0.02〜0.5μmであり、第6図の電子
顕微鏡写真に見られるように、粒子形状は多角形
及び球形であつた。
気圧)で発生した交流アーク(電流180A、電圧
30〜50V)により水冷銅ハース上に載置した塊状
の酸化マグネシウムを溶融し、酸化マグネシウム
超微粒子を得た。得られた酸化マグネシウム超微
粒子の粒径は0.02〜0.5μmであり、第6図の電子
顕微鏡写真に見られるように、粒子形状は多角形
及び球形であつた。
実施例 5
酸化珪素と金属アルミニウムを3対2(重量比)
に混合した塊状混合物を第1図の装置の水冷銅ハ
ース上に載置し、100%N2雰囲気中(1気圧)で
直流アーク(電流200A、電圧20〜30V)により
溶融し、酸化ケイ素と窒化アルミニウムの混合し
た異種セラミツクス超微粒子混合粉を得た。得ら
れた超微粒子混合粉中の酸化ケイ素は粒径0.02〜
0.5μmの球状粒子であり、窒化アルミニウムは長
さ0.5μm巾0.03μm程度の針状粒子であつた。
に混合した塊状混合物を第1図の装置の水冷銅ハ
ース上に載置し、100%N2雰囲気中(1気圧)で
直流アーク(電流200A、電圧20〜30V)により
溶融し、酸化ケイ素と窒化アルミニウムの混合し
た異種セラミツクス超微粒子混合粉を得た。得ら
れた超微粒子混合粉中の酸化ケイ素は粒径0.02〜
0.5μmの球状粒子であり、窒化アルミニウムは長
さ0.5μm巾0.03μm程度の針状粒子であつた。
実施例 6
第1図の装置の水冷銅ハース上に載置した酸化
珪素と炭素の塊状混合物(重量比で1対2)を
100%N2雰囲気中(1気圧)で直流アーク(電流
200A、電圧20〜30V)で溶融し、酸化ケイ素と
炭化ケイ素の混合した異種セラミツクス超微粒子
混合粉を得た。得られた異種セラミツクス超微粒
子混合粉中の酸化ケイ素は粒径0.02〜0.5μmの球
状粒子であり、炭化ケイ素は粒径0.02〜0.5μmの
多角形もしくは球形粒子であつた。
珪素と炭素の塊状混合物(重量比で1対2)を
100%N2雰囲気中(1気圧)で直流アーク(電流
200A、電圧20〜30V)で溶融し、酸化ケイ素と
炭化ケイ素の混合した異種セラミツクス超微粒子
混合粉を得た。得られた異種セラミツクス超微粒
子混合粉中の酸化ケイ素は粒径0.02〜0.5μmの球
状粒子であり、炭化ケイ素は粒径0.02〜0.5μmの
多角形もしくは球形粒子であつた。
以上のように、本発明の方法によると、従来法
で得られなかつた各種のセラミツクス超微粒子や
異種セラミツクスの超微粒子混合物も容易に得ら
れ、且つ従来法におけるような塩化物、アンモニ
ア等を発生することがないので、製造装置の防食
対策を要せず且つ公害を発生させることがなく、
また高能率で製造し得られる優れた効果を有す
る。
で得られなかつた各種のセラミツクス超微粒子や
異種セラミツクスの超微粒子混合物も容易に得ら
れ、且つ従来法におけるような塩化物、アンモニ
ア等を発生することがないので、製造装置の防食
対策を要せず且つ公害を発生させることがなく、
また高能率で製造し得られる優れた効果を有す
る。
第1図は直流電源を使用したアーク溶解装置の
縦断面図、第2図は交流電源を使用したアーク溶
解装置の縦断面図、第3図,第4図,第5図及び
第6図は本発明の方法で得られたセラミツクス超
微粒子の電子顕微鏡写真で、第3図は炭化ケイ素
セラミツクスの超微粒子、第4図は酸化アルミニ
ウムセラミツクスの超微粒子、第5図は酸化ジル
コニウムセラミツクスの超微粒子、第6図は酸化
マグネシウムセラミツクスの超微粒子をそれぞれ
示す。 1:密閉容器、2:放電用電極、3:アーク、
4:セラミツクス材料、5:水冷銅ハース、6:
吸引器、7:冷却器、8,8′:ガス導入口、
9:捕集器、10:吸引ポンプ、11:直流電
源、12:交流電源。
縦断面図、第2図は交流電源を使用したアーク溶
解装置の縦断面図、第3図,第4図,第5図及び
第6図は本発明の方法で得られたセラミツクス超
微粒子の電子顕微鏡写真で、第3図は炭化ケイ素
セラミツクスの超微粒子、第4図は酸化アルミニ
ウムセラミツクスの超微粒子、第5図は酸化ジル
コニウムセラミツクスの超微粒子、第6図は酸化
マグネシウムセラミツクスの超微粒子をそれぞれ
示す。 1:密閉容器、2:放電用電極、3:アーク、
4:セラミツクス材料、5:水冷銅ハース、6:
吸引器、7:冷却器、8,8′:ガス導入口、
9:捕集器、10:吸引ポンプ、11:直流電
源、12:交流電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 圧力が50Torr以上の水素あるいは窒素の単
独または混合ガス中で熱プラズマを発生させ、該
熱プラズマフレームにより、溶解台上に設置した
塊状のセラミツクスあるいはセラミツクスに金属
または炭素を混合した塊状混合物を溶融し、微粉
化することを特徴とするセラミツクス超微粒子の
製造法。 2 水素、窒素の単独または混合ガスに更に不活
性ガスを混合したものからなる特許請求の範囲第
1項記載の方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58098786A JPS59227765A (ja) | 1983-06-04 | 1983-06-04 | セラミツクスの超微粒子の製造法 |
US06/616,686 US4642207A (en) | 1983-06-04 | 1984-06-04 | Process for producing ultrafine particles of ceramics |
US06/882,536 US4889665A (en) | 1983-06-04 | 1986-07-07 | Process for producing ultrafine particles of ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58098786A JPS59227765A (ja) | 1983-06-04 | 1983-06-04 | セラミツクスの超微粒子の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59227765A JPS59227765A (ja) | 1984-12-21 |
JPS6330062B2 true JPS6330062B2 (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=14229049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58098786A Granted JPS59227765A (ja) | 1983-06-04 | 1983-06-04 | セラミツクスの超微粒子の製造法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4642207A (ja) |
JP (1) | JPS59227765A (ja) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4732369A (en) * | 1985-10-30 | 1988-03-22 | Hitachi, Ltd. | Arc apparatus for producing ultrafine particles |
US4764357A (en) * | 1987-03-09 | 1988-08-16 | Akzo America Inc. | Process for producing finely divided powdery metal oxide compositions |
AT392464B (de) * | 1988-08-10 | 1991-04-10 | Veitscher Magnesitwerke Ag | Magnesiumoxid in form eines feinen pulvers und seine verwendung |
US4960752A (en) * | 1989-02-27 | 1990-10-02 | Olin Corporation | Process to produce oriented high temperature superconductors |
US5128081A (en) * | 1989-12-05 | 1992-07-07 | Arch Development Corporation | Method of making nanocrystalline alpha alumina |
GB9116446D0 (en) * | 1991-07-31 | 1991-09-11 | Tetronics Research & Dev Co Li | A twin plasma torch process for the production of ultra-fine aluminium nitride |
DE4214725C2 (de) * | 1992-05-04 | 1995-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Feinteilige Nichtoxid-Keramikpulver |
DE4214720C2 (de) * | 1992-05-04 | 1994-10-13 | Starck H C Gmbh Co Kg | Vorrichtung zur Herstellung feinteiliger Metall- und Keramikpulver |
DE4214719C2 (de) * | 1992-05-04 | 1995-02-02 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung feinteiliger Metall- und Keramikpulver |
DE4214724C2 (de) * | 1992-05-04 | 1995-05-18 | Starck H C Gmbh Co Kg | Feinteiliges Oxid-Keramikpulver |
DE69419636T2 (de) * | 1993-03-16 | 2000-02-10 | Honda Giken Kogyo K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur Herstellung von ultrafeinen Kompositpartikeln aus Aluminiumnitrid und Seltenerdnitrid |
US5460701A (en) * | 1993-07-27 | 1995-10-24 | Nanophase Technologies Corporation | Method of making nanostructured materials |
DE4337336C1 (de) * | 1993-11-02 | 1994-12-15 | Starck H C Gmbh Co Kg | Feinteilige Metall-, Legierungs- und Metallverbindungspulver |
US5707419A (en) * | 1995-08-15 | 1998-01-13 | Pegasus Refractory Materials, Inc. | Method of production of metal and ceramic powders by plasma atomization |
US5736073A (en) * | 1996-07-08 | 1998-04-07 | University Of Virginia Patent Foundation | Production of nanometer particles by directed vapor deposition of electron beam evaporant |
US6933331B2 (en) * | 1998-05-22 | 2005-08-23 | Nanoproducts Corporation | Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants |
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