JP3976718B2 - ウェーハ乾燥装置 - Google Patents
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Description
本発明はウェーハ乾燥装置に関する。より詳しくには、ウェーハを回転させ、回転するウェーハ上にイソプロピルアルコールなどの有機溶剤を供給してウェーハを乾燥させる装置に関する。
最近、半導体装置の製造技術は、情報通信技術の発達及び消費者の多様な欲求を満足させるため、集積度、信頼度、応答速度などを向上させる方向に発展している。
一般的に、半導体装置は蒸着、ホトリソグラフィ、食刻、研磨、洗浄および乾燥などの単位工程の繰り返しによって製造される。前記単位工程のうち洗浄工程は、各単位工程を実施する間に半導体基板で使用されるシリコンウェーハ表面に付着する不純物又は不必要な膜を除去する工程として、最近ウェーハ上に形成されるパターンが微細化し、パターンのアスペクト比が大きくなるにつれてますます重要度が大きくなってきている。前記乾燥工程は、洗浄されたウェーハ表面に残された水分を乾燥する工程である。乾燥後、ウェーハ表面に残されたパティクル又はウェーハ表面に形成された水斑点（ｗａｔｅｒ ｍａｒｋ）は、後続工程で工程不良の要因として作用する。
前記乾燥装置はバッチ式乾燥装置と枚葉式（単一式）乾燥装置に分類される。バッチ式乾燥装置は、さらにシングル容器方式とデュアル容器方式に分類できる。シングル容器方式は基板の最終的なリンスと乾燥が単一容器内で行われる方式で、マランゴニ効果（ｍａｒａｎｇｏｉ ｅｆｆｅｃｔ）を利用する方式とイソプロピルアルコール噴射方式とがある。前記デュアル容器方式は、基板の最終的なリンスと乾燥工程を別々の容器を用いて行う。基板の最終的なリンス工程は下部洗浄容器で実施され、基板の乾燥工程は基板を上部乾燥容器で上昇させた状態で実施される。デュアル容器方式の乾燥方法には、マランゴニ効果を利用する方式、イソプロピルアルコール噴射方式、イソプロピルアルコール蒸気を用いる方式などがある。
前記バッチ式乾燥装置についての一例として、マランゴニ効果を用いたシングル容器方式のバッチ式乾燥装置が開示されており（例えば、特許文献１参照。）、また、イソプロピルアルコール蒸気噴射を用いる乾燥装置が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
枚葉式乾燥装置では、基板を高速に回転させ遠心力により基板の表面に残った水分を除去する。このとき、乾燥効率を向上させるために基板の表面にイソプロピルアルコールなどの有機溶剤を供給する。前記枚葉式乾燥装置についての一例として、基板の後面下部に位置するバックスペース（Ｂａｃｋ ｓｐａｃｅ）を限定し基板を水平に把持するホルダと、基板を回転させるための駆動部と、クリーンガス（ｃｌｅａｎ ｇａｓ）を前記バックスペースに供給するためのガス供給部を含む回転乾燥装置が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。
前記枚葉式乾燥装置はウェーハの回転による遠心力を用いており、ウェーハ上の水分除去効率を向上させるためにウェーハ上にイソプロピルアルコールが供給される。イソプロピルアルコールは蒸気形態で供給できるし、キャリアーガスと共にミスト（ｍｉｓｔ）形態で供給可能である。
図１は従来の枚葉式ウェーハ乾燥装置を説明するための概略的構成図である。
図１によるウェーハ乾燥装置（１００）において、ウェーハ（Ｗ）は回転チャック（１１０）により、水平方向に支持され、回転チャック（１１０）を通じて提供される真空によって回転チャック（１１０）に吸着する。回転チャック（１１０）の下部面には回転力を伝達する回転軸（１１２）が連結されており、回転軸（１１２）は回転力を提供する駆動部（１１４）と連結されている。回転チャック（１１０）の周辺には回転チャックから飛散した脱イオン水を遮断するためのカバー（１１６）が配置されている。カバー（１１６）は上部が開放されたキャプ形状で、回転軸（１１２）はカバー（１１６）の底を貫通して回転チャック（１１０）と連結されている。回転チャック（１１０）に支持されたウェーハ（Ｗ）の上部には、脱イオン水を供給するための脱イオン水供給部（１２０）と、イソプロピルアルコールを供給するためのイソプロピルアルコール供給部（１３０）が配置されている。
脱イオン水供給部（１２０）は回転チャック（１１０）によって回転するウェーハ（Ｗ）の中心供給部から端部に向かって移動しながら、回転するウェーハ（Ｗ）上に脱イオン水を供給する。イソプロピルアルコール供給部（１３０）は脱イオン水供給部（１２０）の移動通路に沿ってウェーハ（Ｗ）の中心部から端部に向かって移動し、回転するウェーハ（Ｗ）上にイソプロピルアルコールを供給する。イソプロピルアルコールは、ウェーハ（Ｗ）上の脱イオン水の表面張力を減少させて遠心力による乾燥効果を上昇させる。
米国特許第６、０２７、５７４号明細書
米国特許第６、０２９、３７１号明細書
米国特許第５、８２９、１５６号明細書
前記のウェーハ乾燥装置（１００）を用いて乾燥工程を実施する場合、次の問題点が生ずる。
第１に、ウェーハ（Ｗ）の端部に多数の水斑点が発生する。ウェーハ（Ｗ）の表面をスキャン（ｓｃａｎ）する脱イオン水供給部（１２０）は、ウェーハ（Ｗ）の端部に脱イオン水を十分に供給することができない。脱イオン水供給部（１２０）がウェーハ（Ｗ）の中心部に位置するとき、ウェーハ（Ｗ）の端部に存在する水分はウェーハ（Ｗ）から除去されず、ウェーハ（Ｗ）の端部で自然に乾燥する。多数の水斑点は前記のような水分の自然乾燥によって生ずる。
第２に、遠心力によってウェーハ（Ｗ）から飛散した脱イオン水は、カバー（１１６）によって跳ね返り、跳ね返った脱イオン水がウェーハ（Ｗ）の乾燥部に再付着する。前記ウェーハ（Ｗ）に再付着した脱イオン水は、遠心力によって除去できず、ウェーハ（Ｗ）上に多数の水斑点を形成する。
第３に、ウェーハ（Ｗ）の乾燥効率を向上させるために、脱イオン水供給部（１２０）とイソプロピルアルコール供給部（１３０）のスキャン速度を遅くする場合、ウェーハの乾燥時間が長くなる。
前記問題点はウェーハの大きさが大きくなればなるほどさらに大きくなる。最近、ウェーハの大口径化の傾向につれて、前記水斑点発生に関する問題点は最も至急に解決されるべき問題点の一つとして台頭している。
前記問題点を解決するために、本発明の目的は遠心力を用いたウェーハの乾燥工程を実施する間に水斑点の発生を抑えるウェーハ乾燥装置を提供することにある。
前記の目的を達成するための本発明の第１側面によるウェーハ乾燥装置は、ウェーハを回転させるための回転チャックと、前記ウェーハと隣接して移動できるように配置し、前記ウェーハの中心部と端部の間で半径方向に向かって移動し、前記ウェーハ上に脱イオン水を供給するための脱イオン水供給部と、前記回転チャックによって回転するウェーハから飛散した脱イオン水を遮断するために、前記回転チャック周辺に配置されたカバーと、前記ウェーハと隣接して配置され、前記ウェーハ上へ供給された脱イオン水を除去するため前記ウェーハ上へ有機溶剤を供給するための有機溶剤供給部を含み、前記有機溶剤供給部は、前記ウェーハの中心部と端部の間で半径方向に向かって移動できるように配置される少なくとも一つの有機溶剤供給ノズルを有する第１有機溶剤供給部と、前記ウェーハの中心部と隣接する固定された位置に配置され、前記カバーから跳ね返った、前記ウェーハ上に再付着した脱イオン水を除去するため少なくとも一つの有機溶剤供給ノズルを有する第２有機溶剤供給部を含む。
前記有機溶剤では、通常、イソプロピルアルコールが用いることができ、イソプロピルアルコール蒸気又はイソプロピルアルコールミストを用いることが望ましい。
本発明によれば、ウェーハ上には十分な量の脱イオン水とイソプロピルアルコールが供給される。従って、ウェーハの乾燥工程を実施する間にウェーハの未乾燥領域が自然乾燥される現象が抑えられ、これによって水斑点の発生が抑制される。また、ウェーハの乾燥工程を実施する間にウェーハの周辺に配置されたカバーから跳ね返った脱イオン水による水斑点が抑えられる。
前記のように本発明によれば、脱イオン水供給部より供給される脱イオン水がウェーハの自然乾燥を防止できる。従って、ウェーハの端部で発生する水斑点形成を抑制することができる。また、ウェーハ表面に充分な量の有機溶剤を供給することによってカバーから跳ね返った脱イオン水による水斑点形成を抑制することができる。
また、ウェーハの表面全体に均一に有機溶剤を供給することによってウェーハの乾燥時間を短縮させることができ、水斑点の形成を抑制することができる。
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施例をより詳しく説明する。
図２は本発明の望ましい第１実施例によるウェーハ乾燥装置を説明するための概略的な構成図であり、図３は図２に示された乾燥装置の動作を説明するための概略的な構成図である。
図２及び図３によれば、第１実施例によるウェーハ乾燥装置（２００）は、ウェーハを水平方向に把持し、把持されたウェーハを回転させるための回転チャック（２１０）と、回転チャック（２１０）に把持されたウェーハ（Ｗ）に脱イオン水を供給するための脱イオン水供給部（２２０）と、回転チャック（２１０）に把持されたウェーハに有機溶剤を供給するための第１有機溶剤供給部（２３０）と、第２有機溶剤供給部（２４０）とを含む。
回転チャック（２１０）の下部面には回転力を伝達するための回転軸（２１２）が連結されており、回転軸（２１２）は回転力を提供するための第１駆動部（２１４）と連結されている。第１駆動部（２１４）は工程（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）チャンバ（２０２）の下部に設置されており、回転軸（２１２）は工程チャンバ（２０２）の底を貫通して回転チャック（２１０）と連結されている。詳しくは図示されていないが、回転チャック（２１０）及び回転軸（２１２）にはウェーハを固定させるための真空ライン（図示せず）が形成されており、ウェーハは真空ラインを通じて提供される真空によって回転チャック（２１０）に吸着する。一方、ウェーハの端部を機械的に把持するクランプを具備した回転チャックも使用可能である。
回転チャック（２１０）の周辺には遠心力によってウェーハから飛散した脱イオン水を遮断するためのカバー（２５０）が設置されている。カバー（２５０）は上部が開放されたキャップ形状で、回転軸（２１２）はカバー（２５０）の底を貫通して設置されている。カバー（２５０）の底にはウェーハから除去された脱イオン水を排出するための排出管（２５２）が連結されており、排出管（２５２）は工程チャンバ（２０２）の底を貫通して工程チャンバ（２０２）の外部へ延伸されている。又は、カバー（２５０）の底には、ウェーハのロード及びアンロードのために、カバー（２５０）を垂直方向に移動させるための駆動軸（２５４）に連結されており、駆動軸（２５４）は第２駆動部（２５６）と連結されている。第２駆動部（２５６）は工程チャンバ（２０２）の下部に設置されており、駆動軸（２５４）は工程チャンバ（２０２）の底を貫通してカバー（２５０）と連結されている。
脱イオン水供給部（２２０）は回転チャック（２１０）に吸着したウェーハの上部に配置されており、ウェーハの中心部から端部に向かって移動可能である。第１有機溶剤供給部（２３０）は脱イオン水供給部（２２０）に隣接して配置されており、脱イオン水供給部（２２０）の移動通路に沿って移動できるように設置されている。第２有機溶剤供給部（２４０）は第１有機溶剤供給部（２３０）に隣接して配置されており、ウェーハの中心部に有機溶剤を供給する。即ち、ウェーハの乾燥工程の初期に第２有機溶剤供給部（２４０）はウェーハの中心上部に配置され、第２有機溶剤供給部（２４０）、第１有機溶剤供給部（２３０）及び脱イオン水供給部（２２０）はウェーハの中心部から端部に向かって平行配置される。
このとき、図３に示されるように、脱イオン水供給部（２２０）と第１有機溶剤供給部（２３０）はウェーハが回転する間に同時にウェーハの中心部から端部に向かって移動することが望ましい。しかし、脱イオン水供給部が完全に移動した後に第１有機溶剤供給部（２３０）が移動させることも可能である。
脱イオン水供給部（２２０）、第１有機溶剤供給部（２３０）及び第２有機溶剤供給部（２４０）は一般的な形状のノズルを有する。脱イオン水の供給流量は第１流量調節部（２２２）によって調節され、第１有機溶剤及び第２有機溶剤の供給流量は第２流量調節部（２３２）及び第３流量調節部（２４２）によってそれぞれ調節される。
第１有機溶剤及び第２有機溶剤としてはイソプロピルアルコールが使用できるし、イソプロピルアルコールは蒸気形態でウェーハ上に供給されることが望ましい。イソプロピルアルコール蒸気は一般的なバブリング（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）方式で形成できるし、ヒーターの加熱によっても形成できる。イソプロピルアルコール蒸気はキャリアーガスによって運ばれ、キャリアーガスは窒素（Ｎ２）のような不活性ガスが使用できる。このときイソプロピルアルコールの沸点より高温で加熱された窒素ガスを使用することが望ましい。一方、イソプロピルアルコールはキャリアーガスでミスト形態でウェーハ上に供給することができる。このとき、第１有機溶剤供給部（２３０）及び第２有機溶剤供給部（２４０）には第１キャリアーガス供給管（図示せず）及び第２キャリアーガス供給管（図示せず）が各々連結され、第１キャリアーガス及び第２キャリアーガスは、第１有機溶剤供給部（２３０）及び第２有機溶剤供給部（２４０）を通じてそれぞれウェーハ上に噴射される。イソプロピルアルコールはウェーハに向かって噴射される第１キャリアーガス及び第２キャリアーガスによってミスト形態に形成され、ウェーハ上に供給される。
第１駆動部（２１４）がウェーハを回転させる間に、脱イオン水供給部（２２０）及び第１有機溶剤供給部（２３０）はウェーハの中心部から端部に向かって移動する。図示されてはいないが、脱イオン水供給部（２２０）及び第１有機溶剤供給部（２３０）は第３駆動部（図示せず）によって移動する。第３駆動部はモータと連結したボールスクリュー及びボールブロックなどで構成できる。また、第３駆動部はリニアモータ、油／空圧シリンダなどで構成できる。
また、図示されてはいないが、ウェーハのロード及びアンロードのために脱イオン水供給部（２２０）、第１有機溶剤供給部（２３０）及び第２有機溶剤供給部（２４０）は、第４駆動部（図示せず）によって垂直方向又は水平の方向に向かって移動可能でなければならない。
一方、脱イオン水供給部（２２０）及び第１有機溶剤供給部（２３０）の移動が終了した後、ウェーハの完全乾燥のために、ウェーハ表面に加熱された又は常温の乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部（２６０）がウェーハの上部に配置されている。ここで、乾燥ガスとしては窒素ガスなどの不活性ガスが使用できるし、乾燥ガスの供給流量は第４流量調節部（２６２）によって調節される。
洗浄工程及び最終リンス工程を経たウェーハ表面に存在する脱イオン水は、ウェーハの回転によってウェーハから除去される。このとき、脱イオン水供給部（２２０）は、回転するウェーハの表面が自然乾燥することを防ぐために、ウェーハ表面に脱イオン水を供給する。かかる脱イオン水はウェーハの回転によってウェーハから除去され、有機溶剤は脱イオン水の表面張力を弱くしてウェーハの乾燥効率を向上させる。
ウェーハの回転によってウェーハから飛散した脱イオン水はカバー（２５０）によって遮断され、カバー（２５０）の内部側に沿って流れ落ちる。このとき、カバー（２５０）から飛散した脱イオン水はウェーハの乾燥領域に再付着できる。第２有機溶剤供給部（２３０）は、前記のように再付着した脱イオン水を除去するため、ウェーハ上に有機溶剤を供給する。従って、前記再付着した脱イオン水による水斑点の発生を抑制することができる。
図２および３において、符号２０はウェーハの未乾燥領域を意味する。
図４は本発明の望ましい第２実施例によるウェーハ乾燥装置を説明するための概略的な構成図である。図５は図４に示されたウェーハ乾燥装置の動作を説明するための概略的な構成図であり、図６は図４に示された脱イオン水供給部を示された断面図である。
図４〜図６を参照すれば、第２実施例によるウェーハ乾燥装置（３００）は、ウェーハを水平方向に把持し、把持されたウェーハを回転させるための回転チャック（３１０）と、回転チャック（３１０）に把持されたウェーハに脱イオン水を供給するための脱イオン水供給部（３２０）と、回転チャック（３１０）に把持されたウェーハに有機溶剤を供給するための第１有機溶剤供給部（３３０）と、第２有機溶剤供給部（３４０）とを含む。
回転チャック（３１０）の下部面には回転力を伝達する回転軸（３１２）が連結されており、回転軸（３１２）は第１駆動部（３１４）と連結されている。回転チャック（３１０）の周辺にはキャップ形状のカバー（３５０）が配置され、回転チャック（３１０）はカバー（３５０）の底と工程チャンバ（３０２）の底を通じて第１駆動部（３１４）と連結される。カバー（３５０）の底にはウェーハから除去された脱イオン水を排出するための排出管（３５２）と、カバー（３５０）を垂直方向に向かって移動させるための駆動軸（３５４）と第２駆動部（３５６）が連結されている。
脱イオン水供給部（３２０）は、ウェーハの中心部から端部の方向に延伸されたパイプの形状をもち、多数の脱イオン水供給ノズル（３２２）が脱イオン水供給部（３２０）の中心軸（３２４）に沿ってウェーハに向かって形成されている。脱イオン水供給部（３２０）は、ウェーハの中心部から端部の方向に移動しながらウェーハ表面に脱イオン水を供給する。従って、ウェーハの乾燥工程を実施する間に、ウェーハ表面には充分な量の脱イオン水が供給され、これによって、ウェーハの未乾燥領域（２０）の自然乾燥が防止され、ウェーハ表面の自然乾燥による水斑点形成が抑制される。即ち、ウェーハ乾燥工程の進行途中でウェーハの端部が自然乾燥する現象が防止され、これによってウェーハの端部に形成される水斑点が抑制される。一方、カバー（３５０）の一端にはウェーハの端部の方向に移動した脱イオン水供給部（３２０）を収めるための空間（３５８）が形成されている。
第１有機溶剤供給部（３３０）は、脱イオン水供給部（３２０）の移動通路に沿って移動しながらウェーハ上に有機溶剤を供給し、第２有機溶剤供給部（３４０）はウェーハの中心部に有機溶剤を供給してウェーハの乾燥領域に再付着した脱イオン水を除去する。脱イオン水供給部（３２０）及び第１有機溶剤供給部（３３０）の移動が終了すると、乾燥ガス供給部（３６０）は、ウェーハの完全乾燥のために、ウェーハ表面に乾燥ガスを供給する。ここで、第１有機溶剤供給部（３３０）、第２有機溶剤供給部（３４０）及び乾燥ガス供給部（３６０）についての詳しい説明は省略する。
図７は本発明の望ましい第３実施例によるウェーハ乾燥装置を説明するための概略的な構成図である。図８は図７に示されたウェーハ乾燥装置を説明するための平面図であり、図９は図７に示されたウェーハ乾燥装置の動作を説明するための平面図であり、図１０は図７に示された第１有機溶剤供給部を説明するための断面図である。
図７〜図８を参照すると、第３実施例によるウェーハ乾燥装置（４００）は、ウェーハを水平方向に把持し、把持されたウェーハを回転させるための回転チャック（４１０）と、回転チャック（４１０）に把持されたウェーハに脱イオン水を供給するための脱イオン水供給部（４２０）と、回転チャック（４１０）に把持されたウェーハに有機溶剤を供給するための第１有機溶剤供給部（４３０）と、第２有機溶剤供給部（４４０）とを含む。
回転チャック（４１０）の下部面には回転力を伝達する回転軸（４１２）が連結されており、回転軸（４１２）は第１駆動部（４１４）と連結されている。回転チャック（４１０）の周辺にはキャップ形状を有するカバー（４５０）が配置され、回転軸（４１２）はカバー（４５０）の底と、工程チャンバ（４０２）の底を通じて第１駆動部（４１４）と連結される。カバー（４５０）の底にはウェーハから除去された脱イオン水を排出するための排出管（４５２）と、カバー（４５０）を垂直方向に移動させるための駆動軸（４５４）と第２駆動部（４５６）が連結されている。
脱イオン水供給部（４２０）は、ウェーハの中心部から端部の方向に延伸されたパイプ形状を有し、多数の脱イオン供給ノズルが脱イオン水供給部（４２０）の中心軸に沿ってウェーハに向かって形成されている。ここで、脱イオン水供給部は、図６に示された第２実施例の脱イオン水供給部（３２０）と同一の形状を有する。脱イオン水供給部（４２０）は、ウェーハの中心部から端の方向に移動しながらウェーハの表面に脱イオン水を供給する。従って、ウェーハの乾燥工程を実施する間に、ウェーハの表面には充分な量の脱イオン水が供給され、これによって、ウェーハの未乾燥領域の自然乾燥が防止され、ウェーハ表面の自然乾燥による水斑点形成が抑制される。一方、カバー（４５０）の一端にはウェーハの端の方向に移動した脱イオン水供給部（４２０）を収めるための空間（４５８）が形成されている。
第１有機溶剤供給部（４３０）は、脱イオン水供給部（４２０）の移動通路に沿って移動しながらウェーハ上に有機溶剤を供給する。第１有機溶剤供給部（４３０）には、多数の有機溶剤供給ノズル（４３２）が第１有機溶剤供給部（４３０）の中心軸（４３４）に沿ってウェーハに向かって形成されている。第１有機溶剤供給部（４３０）は湾曲したパイプ形状をもち、第１有機溶剤供給部（４３０）の湾曲中心（４３６、ｃｕｒｖｅｄ ｃｅｎｔｅｒ）がウェーハの中心に向かって配置されている。ウェーハの乾燥工程初期に第１有機溶剤供給部（４３０）の湾曲中心（４３６）は、ウェーハの中心と一致する。従って、ウェーハ上には充分な量の有機溶剤が供給され、ウェーハの乾燥効率が向上する。
第２有機溶剤供給部（４４０）はウェーハの中心部乾燥と、カバー（４５０）から跳ね返ってウェーハに再付着した脱イオン水の除去のためにウェーハの中心部に有機溶剤を供給し、乾燥ガス供給部（４６０）は、脱イオン水供給部（４２０）及び第１有機溶剤供給部（４３０）の移動が終了した後、ウェーハ表面に乾燥ガスを供給する。
図１１は本発明の望ましい第４実施例によるウェーハ乾燥装置を説明するための概略的な構成図である。図１２は図１１に示された乾燥装置を説明するための平面図であり、図１３は図１１に示されたウェーハ乾燥装置の動作を説明するための平面図であり、図１４は図１１に示された脱イオン水供給部、第１有機溶剤供給部及び第２有機溶剤供給部を説明するための断面図である。
図１１〜図１４を参照すれば、回転チャック（５１０）に支持されたウェーハの上部には脱イオン水供給部（５２０，５３０）、第１有機溶剤供給部（５４０）、第２有機溶剤供給部（５５０）及び第３有機溶剤供給部（５６０）が配置されている。
脱イオン水供給部（５２０，５３０）は、第１脱イオン水供給部（５２０）と第２脱イオン水供給部（５３０）から構成されている。第１脱イオン水供給部（５２０）は湾曲したパイプ形状を有し、第１脱イオン水供給部（５２０）の第１湾曲中心（５２４）がウェーハの中心（Ｗｃ）に向かって配置されている。第２脱イオン水供給部（５３０）は第１脱イオン水供給部（５２０）と同一の形状を有し、第１脱イオン水供給部（５２０）と向かい合うように配置されている。ウェーハの乾燥工程初期に、第１脱イオン水供給部（５２０）の第１湾曲中心（５２４）と第２脱イオン水供給部（５３０）の第２湾曲中心（５３４）は、ウェーハの中心（Ｗｃ）と一致する。即ち、脱イオン水供給部（５２０，５３０）はウェーハの乾燥工程初期に円形で配置される。第１脱イオン水供給部（５２０）及び第２脱イオン水供給部（５３０）には、多数の脱イオン供給ノズル（５２２、５３２）がウェーハに向かって形成されている。第１脱イオン水供給部及び第２脱イオン水供給部はウェーハの中心部からウェーハの端部の方向にお互い反対の方向に移動しながらウェーハ上に脱イオン水を供給する。
第１有機溶剤供給部（５４０）及び第２有機溶剤供給部（５５０）は、脱イオン水供給部（５２０，５３０）と類似形状を有する。第１有機溶剤供給部（５４０）及び第２有機溶剤供給部（５５０）は脱イオン水供給部（５２０，５３０）の内側に配置され、第１脱イオン水供給部（５２０）及び第２脱イオン水供給部（５３０）の移動通路に沿って各々移動しながら有機溶剤をウェーハ上に供給する。第１有機溶剤供給部（５４０）及び第２有機溶剤供給部（５５０）には、有機溶剤を供給するための多数の有機溶剤供給ノズル（５４２，５５２）が各々形成されている。ウェーハの乾燥工程の初期に、第１有機溶剤供給部（５４０）の第３湾曲中心（５４４）及び第２有機溶剤供給部（５５０）の第４湾曲中心（５５４）は、ウェーハの中心と一致する。即ち、第１有機溶剤供給部（５４０）及び第２有機溶剤供給部（５５０）は、ウェーハの乾燥工程初期に、脱イオン水供給部（５２０，５３０）の同心円形態で配置される。
第３有機溶剤供給部（５６０）はウェーハの中心部に有機溶剤を供給し、乾燥ガス供給部（５７０）は、脱イオン水供給部（５２０，５３０）、第１有機溶剤供給部（５４０）及び第２有機溶剤供給部（５５０）の移動の終了した後、乾燥ガスを供給する
一方、第４実施例によるウェーハ乾燥装置において、ウェーハの乾燥工程は第１脱イオン水供給部（５２０）、第１有機溶剤供給部（５４０）及び第３有機溶剤供給部（５６０）だけで実施することもできる。即ち、第２脱イオン水供給部（５３０）と第２有機溶剤供給部（５５０）を除いても、ウェーハの乾燥工程を実施することができる。
一方、第４実施例によるウェーハ乾燥装置において、ウェーハの乾燥工程は第１脱イオン水供給部（５２０）、第１有機溶剤供給部（５４０）及び第３有機溶剤供給部（５６０）だけで実施することもできる。即ち、第２脱イオン水供給部（５３０）と第２有機溶剤供給部（５５０）を除いても、ウェーハの乾燥工程を実施することができる。
図１５は本発明の望ましい第５実施例によるウェーハ乾燥装置を説明するための概略的な構成図である。図１６は図１５に示された有機溶剤供給部を説明するための斜視図である。
図１５及び図１６を参照すれば、回転チャック（６１０）に支持されたウェーハの上部には、有機溶剤を供給するための有機溶剤供給部（６２０）が配置されている。有機溶剤供給部（６２０）はウェーハの中心部から端の方向に延伸されたパイプ形状で、多数の有機溶剤供給ノズルが有機溶剤供給部（６２０）の中心軸に沿ってウェーハに向かって形成されている。有機溶剤供給部（６２０）の長さはウェーハの半径と同一である。従って、ウェーハの表面全体に均一に有機溶剤を供給することができる。このとき、有機溶剤は蒸気状態で供給することが望ましい。
また、ウェーハの上部には、有機溶剤と遠心力によって乾燥されたウェーハを完全に乾燥させるために、加熱された乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部（６３０）が配置されている。
有機溶剤供給部（６２０）は、回転するウェーハ上に全体的に均一に有機溶剤を供給することからウェーハの乾燥時間を短縮できるし、ウェーハ端部の水斑点の発生を抑制することもできる。また、カバー（６４０）から跳ね返った脱イオン水を効果的に除去することによって、ウェーハの水斑点発生を抑制することもできる。
一方、図１７に示されるように、有機溶剤供給部（６２０ａ）はウェーハの直径と同一の長さを持つこともできる。有機溶剤供給部（６２０ａ）がウェーハの直径と同じ長さを持つ場合、ウェーハの乾燥時間は一層短縮される。
また、一方では、図示されてはいないが、別の駆動部（図示せず）によって、有機溶剤供給部（６２０）はウェーハのロード及びアンロードのため垂直方向又は水平方向に移動できなければならない。
図１８は本発明の望ましい第６実施例によるウェーハ乾燥装置を説明するための概略的な構成図である。図１９は図１８に示された有機溶剤供給部を説明するための斜視図である。
図１８及び図１９を参照すれば、回転チャック（７１０）に支持されたウェーハの上部には、有機溶剤を供給するための有機溶剤供給部（７２０）が配置されている。有機溶剤供給部（７２０）はウェーハに対応する円盤形状をもち、内部には有機溶剤を収めるための空間（７２２）が形成されている。有機溶剤供給部（７２０）の下部（ｌｏｗｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）に、有機溶剤をウェーハ上に供給するための多数の有機溶剤供給ノズル（７２４）が形成されている。有機溶剤供給ノズル（７２４）は放射状で配置され、前記空間（７２２）と連結される。
ウェーハは、有機溶剤供給部（７２０）より供給される充分な量の有機溶剤と遠心力によって乾燥される。このとき、有機溶剤はウェーハの表面に全体的に同時に供給されるのでウェーハの乾燥時間が短縮され、水斑点の発生が抑制される。
前記では本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、該当の技術分野の熟練された当業者は下記の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することができる。
本発明はウェーハの乾燥に活用できる。
１０ 乾燥領域
２０ 未乾燥領域
１００ ウェーハ乾燥装置
１１０ 回転チャック
１１２ 回転軸
１１６ カバー
２００ ウェーハ乾燥装置
２０２ 工程チャンバ
２１０ 回転チャック
２１２ 回転軸
２１４ 第１駆動部
２２０ 脱イオン水供給部
２３０ 第１有機溶剤供給部
２３２ 第２流量調節部
２４０ 第２有機溶剤供給部
２４２ 第３流量調節部
２５０ カバー
２５２ 排出管
２５４ 駆動軸
２５６ 第２駆動部
２６０ 乾燥ガス供給部
３００ ウェーハ乾燥装置
３０２ 工程チャンバ
３１０ 回転チャック
３１２ 回転軸
３１４ 第１駆動部
３２０ 脱イオン水供給部
３２２ 脱イオン水供給ノズル
３２４ 中心軸
３３０ 第１有機溶剤供給部
３４０ 第２有機溶剤供給部
３５０ カバー
３５２ 排出管
３５４ 駆動軸
３５６ 第２駆動部
３６０ ガス供給部
４００ ウェーハ乾燥装置
４０２ 工程チャンバ
４１０ 回転チャック
４１２ 回転軸
４１４ 第１駆動部
４２０ 脱イオン水供給部
４３０ 第１有機溶剤供給部
４３２ 有機溶剤供給ノズル
４４０ 第２有機溶剤供給部
４６０ 乾燥ガス供給部
５１０ 回転チャック
５２０ 脱イオン水供給部
５３０ 脱イオン水供給部
５４０ 第１有機溶剤供給部
５５０ 第２有機溶剤供給部
５６０ 第３有機溶剤供給部
２０ 未乾燥領域
１００ ウェーハ乾燥装置
１１０ 回転チャック
１１２ 回転軸
１１６ カバー
２００ ウェーハ乾燥装置
２０２ 工程チャンバ
２１０ 回転チャック
２１２ 回転軸
２１４ 第１駆動部
２２０ 脱イオン水供給部
２３０ 第１有機溶剤供給部
２３２ 第２流量調節部
２４０ 第２有機溶剤供給部
２４２ 第３流量調節部
２５０ カバー
２５２ 排出管
２５４ 駆動軸
２５６ 第２駆動部
２６０ 乾燥ガス供給部
３００ ウェーハ乾燥装置
３０２ 工程チャンバ
３１０ 回転チャック
３１２ 回転軸
３１４ 第１駆動部
３２０ 脱イオン水供給部
３２２ 脱イオン水供給ノズル
３２４ 中心軸
３３０ 第１有機溶剤供給部
３４０ 第２有機溶剤供給部
３５０ カバー
３５２ 排出管
３５４ 駆動軸
３５６ 第２駆動部
３６０ ガス供給部
４００ ウェーハ乾燥装置
４０２ 工程チャンバ
４１０ 回転チャック
４１２ 回転軸
４１４ 第１駆動部
４２０ 脱イオン水供給部
４３０ 第１有機溶剤供給部
４３２ 有機溶剤供給ノズル
４４０ 第２有機溶剤供給部
４６０ 乾燥ガス供給部
５１０ 回転チャック
５２０ 脱イオン水供給部
５３０ 脱イオン水供給部
５４０ 第１有機溶剤供給部
５５０ 第２有機溶剤供給部
５６０ 第３有機溶剤供給部
Claims (15)
- ウェーハを回転させるための回転チャックと、
前記ウェーハと隣接して移動できるように配置し、前記ウェーハの中心部と端部の間で半径方向に向かって移動し、前記ウェーハ上に脱イオン水を供給するための脱イオン水供給部と、
前記回転チャックによって回転するウェーハから飛散した脱イオン水を遮断するために、前記回転チャック周辺に配置されたカバーと、
前記ウェーハと隣接して配置され、前記ウェーハ上へ供給された脱イオン水を除去するため前記ウェーハ上へ有機溶剤を供給するための有機溶剤供給部を含み、
前記有機溶剤供給部は、前記ウェーハの中心部と端部の間で半径方向に向かって移動できるように配置される少なくとも一つの有機溶剤供給ノズルを有する第１有機溶剤供給部と、前記ウェーハの中心部と隣接する固定された位置に配置され、前記カバーから跳ね返った、前記ウェーハ上に再付着した脱イオン水を除去するため少なくとも一つの有機溶剤供給ノズルを有する第２有機溶剤供給部を含むことを特徴とするウェーハ乾燥装置。 - 前記脱イオン水供給部と前記第１有機溶剤供給部は同時に移動してなることを特徴とする請求項１記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記有機溶剤はアルコールを含むことを特徴とする請求項１記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記第１有機溶剤供給部及び前記第２有機溶剤供給部は蒸気状態の有機溶剤を供給してなることを特徴とする請求項３記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記第１有機溶剤供給部及び前記第２有機溶剤供給部はキャリアーガスにより運ばれるミスト状態の有機溶剤を供給してなることを特徴とする請求項３記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記ウェーハを最終的に乾燥させるため前記ウェーハ上に乾燥ガスを供給するための乾燥ガス供給部をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記脱イオン水供給部はウェーハ中心部から半径方向に向かって延伸されたパイプ形状を持ち、多数の脱イオン水供給ノズルが形成されてなることを特徴とする請求項１記載のウェーハ乾燥装置
- 前記第１有機溶剤供給部は湾曲したパイプ形状を持ち、前記第１有機溶剤供給部の湾曲中心は前記ウェーハの中心に向かって配置され、多数の有機溶剤供給ノズルが形成されてなることを特徴とする請求項７記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記第１有機溶剤供給部は湾曲したパイプ形状と多数の有機溶剤供給ノズルを持ち、前記第１有機溶剤供給部の湾曲中心は前記ウェーハの中心に向かって配置されてなることを特徴とする請求項１記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記脱イオン水供給部は湾曲したパイプ形状と多数の脱イオン水供給ノズルを持ち、前記脱イオン水供給部の湾曲中心は前記ウェーハの中心に向かって配置され、前記第１有機溶剤供給部は前記脱イオン水供給部と前記ウェーハの中心の間に配置されてなることを特徴とする請求項９記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記脱イオン水供給部は多数の脱イオン水供給ノズルを各々有する第１脱イオン水供給部と第２脱イオン水供給部を含み、前記第２脱イオン水供給部は前記回転チャックの中心軸を中心に前記第１脱イオン水供給部と向かい合うように配置され、前記第１脱イオン水供給部と第２脱イオン水供給部は反対に向かって移動してなることを特徴とする請求項１０記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記第１有機溶剤供給部は多数の有機溶剤供給ノズルを各々有する第３有機溶剤供給部と第４有機溶剤供給部を含み、前記第４有機溶剤供給部は前記回転チャックの中心軸を中心に前記第３有機溶剤供給部と向かい合うように配置され、前記第３有機溶剤供給部と第４有機溶剤供給部はお互い反対方向に向かって移動してなることを特徴とする請求項１１記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記第１脱イオン水供給部と前記第２脱イオン水供給部は前記ウェーハの乾燥工程初期に実質的に円形で配置され、前記第３有機溶剤供給部と前記第４有機溶剤供給部は前記ウェーハの乾燥工程初期に実質的に円形で配置されてなることを特徴とする請求項１２記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記第１有機溶剤供給部は多数の有機溶剤供給ノズルを各々有する第３有機溶剤供給部と第４有機溶剤供給部を含み、前記第４有機溶剤供給部は前記回転チャックの中心軸を中心に前記第３有機溶剤供給部と向かい合うように配置され、前記第３有機溶剤供給部は第４有機溶剤供給部とお互い反対の方向に向かって移動してなることを特徴とする請求項第９記載のウェーハ乾燥装置。
- 前記第３有機溶剤供給部と前記第４有機溶剤供給部は前記ウェーハの乾燥工程初期に実質的に円形で配置されてなることを特徴とする請求項１４記載のウェーハ乾燥装置。
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| JP2006173378A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US7228645B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-06-12 | Xuyen Ngoc Pham | Multi-zone shower head for drying single semiconductor substrate |
| US7681581B2 (en) * | 2005-04-01 | 2010-03-23 | Fsi International, Inc. | Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| JP4527660B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| KR100697288B1 (ko) * | 2005-07-20 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 건조 장치 |
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| JP2007165661A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2007084952A2 (en) | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Akrion Technologies, Inc. | Systems and methods for drying a rotating substrate |
| US7470638B2 (en) * | 2006-02-22 | 2008-12-30 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for manipulating liquid films on semiconductor substrates |
| JP2007222755A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Hoya Corp | スピン洗浄装置及びスピン洗浄方法 |
| JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP4176779B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2008-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置 |
| KR100749544B1 (ko) * | 2006-04-06 | 2007-08-14 | 세메스 주식회사 | 기판세정장치 및 기판세정방법 |
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| US8196312B2 (en) * | 2006-05-18 | 2012-06-12 | Fujifilm Corporation | Drying method and apparatus for drying object |
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| KR101941214B1 (ko) * | 2014-03-08 | 2019-01-23 | 주식회사 제우스 | 기판의 건조 방법 |
| JP6593920B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-10-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6611172B2 (ja) | 2016-01-28 | 2019-11-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
| JP6938248B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2021-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| JP7292120B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2023-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US11728185B2 (en) | 2021-01-05 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Steam-assisted single substrate cleaning process and apparatus |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4989345A (en) * | 1989-12-18 | 1991-02-05 | Gill Jr Gerald L | Centrifugal spin dryer for semiconductor wafer |
| US5416047A (en) * | 1990-09-07 | 1995-05-16 | Tokyo Electron Limited | Method for applying process solution to substrates |
| US5226437A (en) * | 1990-11-28 | 1993-07-13 | Tokyo Electron Limited | Washing apparatus |
| JP3227642B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2001-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置 |
| KR100201386B1 (ko) * | 1995-10-28 | 1999-06-15 | 구본준 | 화학기상증착장비의 반응가스 분사장치 |
| JP3556043B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2004-08-18 | 株式会社荏原製作所 | 基板乾燥装置 |
| US5884640A (en) * | 1997-08-07 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for drying substrates |
| JP3194036B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2001-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理装置及び乾燥処理方法 |
| KR19990075167A (ko) * | 1998-03-18 | 1999-10-15 | 윤종용 | 웨이퍼 건조장치 및 이를 이용한 웨이퍼 건조방법 |
| KR20000037982A (ko) * | 1998-12-03 | 2000-07-05 | 김규현 | 반도체 웨이퍼 건조장치 및 건조방법 |
| JP2001176833A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| US6401353B2 (en) * | 2000-03-08 | 2002-06-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate dryer |
| US6488040B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-12-03 | Lam Research Corporation | Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying |
| US6401361B1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for drying wafers by a solvent |
| US6647642B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-11-18 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and method |
| KR100416592B1 (ko) * | 2001-02-10 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법 |
| KR20030020059A (ko) * | 2001-08-29 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 세정건조방법 및 장치 |
| KR100418324B1 (ko) * | 2001-12-01 | 2004-02-14 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 세정 장비의 웨이퍼 건조기 |
| KR100456527B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2004-11-09 | 삼성전자주식회사 | 마란고니 효과를 증대시키기 위한 건조 장비 및 건조 방법 |
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-
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