JP3943879B2 - 半導体基板上に形成される高精度高周波数キャパシタ - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
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- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
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- H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
- H01L27/0676—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type comprising combinations of diodes, or capacitors or resistors
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L2224/05541—Structure
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1302—Disposition
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- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体技術に関し、特に半導体基板上の高周波数キャパシタの構成に関する。
【0002】
【従来の技術】
本発明はKasem等によって2000年4月7日に"Vertical Structure And Process For Semiconductor Wafer-Level Chip Scale Packages"のタイトルで出願された出願番号09/545,287に関連し、ここで言及したことで本出願の一部とされたい。
【0003】
より高い周波数が通信技術に於いて益々用いられている。例えば450MHzより3GHzの範囲に於ける周波数はセルラー通信に用いられ、また10GHzより18GHzの範囲の周波数は衛星ビデオ及びデータ伝送に用いられる。
【0004】
これらのアプリケーションは小さく高精度なキャパシタを要求する。複数層の磁気キャパシタがこれらの目的で採用されてきたが、これらはその精度及び性能が欠如している傾向にあった。薄膜キャパシタがそれらの精度及び性能を改善してきたが、それらは高価であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、低コストで生産可能な高精度な高周波数キャパシタを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明により、高精度高周波数キャパシタは第一及び第二主面(principal surface)を有する高度ドープされた半導体基板上に形成される。キャパシタは基板の第一の主面上に誘電層を含み、誘電層上に主電極層を含む。導電層は、基板の第二主面上に形成される。ビア含有の導電性物質は、基板を通じて広がっている。第二の電極層は基板の第一の主面上に形成され、ビアの開口に近接する。第二の電極はビア中の導電性物質によって導電層と電気的に接続される。よって電圧の相違が電極に適用される場合、主電極層及び基板が誘電層によって分離されたキャパシタの「プレート(plate)」として働く。
【0007】
代替実施例に於いてビアは省略され、第一の電極層より電気的に絶縁された第二の電極層が、基板の第一の主面を覆って形成される。1つのバージョンでは、第二の電極は誘電層によって基板より分離され、事実上一対の連続して接続されたキャパシタを作り出し、基板がキャパシタの間にて共通のターミナルを表す。別のバージョンでは第二の電極が基板と電気的に接触を持ち、単一のキャパシタを生成する。各々の電極層は複数のフィンガーを有してもよく、前記フィンガーは櫛歯状に組み合わされている。しばしば酸化物である誘電層は、フィンガーが突出している電極層の「パーム(palm)」部分下部と比較してフィンガー下部でより薄くてもよい。
【0008】
本発明のキャパシタは先行技術のキャパシタと比較して多くの利点を示す。それらは、非常に低く効果的な一連の抵抗値(ESR)でウエハレベルで製造される。それらは操作可能な範囲の中に於いて非常に厳密な許容差(例えば2%より小さい)で機能してもよく、非常に高い周波数(例えば5GHz迄、またそれより高い)で動作してもよい。それらは品質(Q)要素を有し、例えばそれは1MHzに於いて1000より多い。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の原理は他の実施例を参照することで説明され、唯一実例である。
【0010】
図1は本発明による第一の実施例の断面図である。キャパシタ10がN+シリコン基板102上に形成される。基板102は、例えば3×1019cm−3から4×1019cm−3までの濃度までドープされてもよく、約2mΩ−cm及び高くて約3mΩ−cmの抵抗率を有してもよい。誘電層104は基板102の前方表面上に形成される。誘電層104はSiO2で形成され、化学蒸着法(CVD)によって熱的に成長し被膜されてもよい。或いは、層104は窒化物若しくは酸化物と窒化物の組合せのようなその他の誘電体によって形成されてもよい。熱成長酸化物は信頼性及び再現性を有し、低下を除けば4MV/cmまでの電界に耐え得る。0.1μmより厚い熱成長酸化物の厚さの3σ変数は、1.5%よりも小さい。
【0011】
主電極106及び第二電極108は誘電層104上にある。電極106及び108は単一若しくは複数層構造であってもよく、ドープされたポリシリコン、耐火金属、耐火金属珪化物、アルミニウムベースの合金、銅、若しくは前述の物質の組合せよりなり得る。もしそれらが金属より形成されるならば、電極106はスパッタリング若しくは蒸着によって基板102上に被膜し、メッキ層で重合された金属(例えばTa/Cu)の「シード(seed)」若しくは「バリア(barrier)」層を含んでもよい。電極106及び108は絶縁パシベーション層110によって覆われる。開口がパシベーション層110に形成され、はんだボール112及び114が電極106及び108と電気的に接続することを許可するべく開口を埋める。
【0012】
第二電極108の下部に、ビア若しくはスルーホール116がN+基板102を通して形成される。導電性物質118はアルミニウム若しくは銅のようなものであり、ビア116を満たす。導電性物質118は基板102の後ろ面に形成された導電層120と接触する。導電層120は、スパッタリング若しくは蒸着によって基板102上に被膜されメッキ層で重合された金属シード層を含んでもよい。
【0013】
キャパシタ10はこのように主電極106によって表された第一の「プレート」を有しそれはビアはんだボール112と接触し、N+基板102によって表された第二の「プレート」を含み、それはビアはんだボール114、第二電極108、導電性物質118、及び導電層120と接触する。「プレート」は誘電層104によって隔離されている。
【0014】
誘電層104の厚さは50Åより2μmまでの幅であってもよい。誘電層104が薄ければ薄いほど静電容量が高くなる。一方誘電層104が薄ければ薄いほど、誘電層104の損傷を伴うことなくキャパシタ10がさらされてもよい最大の電圧が低くなる。例えば誘電層104が0.1μmの厚さを有する酸化物である場合、キャパシタ10は、おおよそ350pF/mm2の静電容量を有するだろう。
【0015】
シリコン基板102は、200μm若しくはそれより小さな厚さを有してもよい。1×1019cm−3よりも高い濃度までドープされた基板102は、低レベルで効果的な一連の抵抗(ESR)を保ち、基板に於ける空乏層の形成を避ける。例えば2×1019cm−3の濃度までドープされたシリコン基板のためのESRは、僅か2.4mΩmm2であった。
【0016】
加えてキャパシタのQ要素が1MHzで1000よりも高いことが望ましい。Q要素は次の式、
【0017】
【数1】
で定められ、ここでXCはインピーダンスであり、RSは特定周波数に於けるキャパシタの連続する抵抗率である。
【0018】
図2は上述したようにキャパシタ10のための周波数の関数としてXC及びRSをプロットしたもので、ここで酸化物誘電層104の厚さは0.1μmでありN+シリコン基板は2×1019cm−3までドープされている。示したようにキャパシタのQ要素は約2GHzの周波数まで100よりも高く、100MHzに於いては1000よりも高い。
【0019】
キャパシタ10が複数のプロセスで製造され得るので、図3−12は用いられ得る1つの処理過程を表す。
【0020】
図3に示されているように、プロセスはN+シリコン基板102と共に開始する。好適には基板102はウエハの1つのダイであり、プロセスの完了時にその他のダイより離れていてもよい。基板102はエピタキシャル層を含んでいても含んでいなくてもよい。
【0021】
誘電層104は、基板102の正面(上面)表面に酸化(SiO2)層を熱成長させることによって形成される。例えば0.2μmの厚さの酸化層は、湿った空気条件下で基板を6分間1100℃まで熱することによって成長し得る。
【0022】
図4を参照すると、Ta/Cuのバリア層202は酸化層104の全体表面を覆ってスパッタリングされる。層202は例えば0.5〜1.0μmの厚さであってもよい。フォトレジスト層204が主たる電極が配置されるべき場所を定めるために図4に示されるように被膜され、またパターン付けられる。
【0023】
銅層206がTa/Cu層202の露出部分上にメッキされ、フォトレジスト層204は取り除かれ図5のような構造が残る。
【0024】
基板102の表面側はその時テープで固定されるか若しくは支持されており、基板102は背面側から薄くされる。基板102はその背面側を研磨することによって薄くされてもよい。或いは、例えばウエット(wet)エッチング及びバキュームプラズマエッチングのような薄膜化技術が薄い基板102に用いられてもよい。その他の可能性としては、Tru-Si Technologies, Inc. of Sunnyvale, Californiaより入手可能な、大気ダウンストリームプラズマ(ADP)プラズマエッチングシステムがあげられる。基板102は初期的に625μmの厚さの幅であってもよいが、例えば200μmより薄くされ得る。
【0025】
薄膜化プロセスが完了した後、テープ若しくはその他の支持部品は取り除かれる。Ta/Cuの層208が、基板102の全体的背面側表面を覆ってスパッタリング若しくは蒸着される。また銅層210はTa/Cu層208上にメッキされ図6のような構造が残る。銅層は例えば2−3μmの厚さであってもよい。
【0026】
図7に示されているように、フォトレジスト層212はシリコン基板102の正面側を覆って被膜される。フォトレジスト層212は開口214を生成するべくパターン化されエッチングされる。例えば従来のウェットエッチングプロセスが用いられてもよい。シリコン基板102はビア216を生成するべく開口214を介してエッチングされ、それによってバリア層208の表面が露出する。図2Eに示しているように、ビア216は斜めの面に沿ってシリコンがエッチングすることよりコニカルな形状を示す。開口214の形状によって、ビア216がどのような形状でもよい。
【0027】
図8に示されるようにフォトレジスト層212はその時取り除かれ、Ta/Cuのシード層218が構造の正面側表面上全体にスパッタリングされる。Ta/Cu層208は、例えば0.5−1.0μmであってもよい。
【0028】
図9に示されるようにフォトレジスト層212は被膜されまたパターン化され、露出したビア216の近くにTa/Cu層218の一部を残す。
【0029】
図10に示されるように、銅層222がTa/Cu層218の露出部分上にメッキされ、ビア216を満たし基板102の表面上に溢れる。
【0030】
図11に示されるようにフォトレジスト層212は取り除かれ、Ta/Cu層218はエッチングされ、所定の位置に銅層222が残る。
【0031】
図12に示すように、パシベーション層224はスクリーンプリントによって構造の表面上に形成されパターン化されており、銅層206及び222の一部を露出させる開口を備える。はんだバンプ(bump)226及び228は銅層206及び222の露出部分上に形成されている。結果として、図1に示されるキャパシタ10が得られ、フリップチップマウント法を用いてプリント回路モード(PCB)若しくはその他の構造上にマウントされてもよい。随意に第二のパシベーション層230が構造の後ろ側に形成されてもよい。
【0032】
キャパシタ10は、好適には単一のウエハ上にその他の同一のキャパシタと共に形成される。キャパシタの製造に従うならば、キャパシタ10を含むダイは、描かれた線に沿ってウエハを切断することでウエハ中のその他のダイと切り離される。
【0033】
図13は本発明の代替実施例を表す断面図である。キャパシタ30は実際に連続して接続された一対のキャパシタである。誘電層302が、N+シリコン基板102上に形成される。基板102は例えば2×1019cm−3のドーピング濃度を有し、層302は0.1μmの厚さの熱成長酸化物であってもよい。金属層は、第一の電極304及び第二の電極306を形成するべく通常の写真石版術のプロセスを用いて、誘電層302上に被膜されまたパターン化される。パシベーション層308が、構造の上部表面に被膜される。開口はパシベーション層308中に形成され、はんだボール310及び312は上述したように形成される。
【0034】
キャパシタ30は、例えばキャパシタ10(図1)よりも簡素でまた安価に製造できるが、静電容量はより低く一連の抵抗率はより大きい。例えばユニットエリアあたりの効果的な静電容量は、垂直構造のそれよりも4倍小さい。一連の抵抗率はデバイスの横方向の寸法の二乗で増加する。
【0035】
図14に示されたキャパシタ40のユニットエリアあたりの静電容量は、電極304及び306下部のトレンチ406の構成によって著しく増加する。誘電層402はトレンチ406中に延在し、通常のトレンチゲートMOSFETの規則でその壁(wall)を並べる。トレンチ406は導電性物質404で満たされ、例えばポリシリコンのようなそれは電極304及び306と電気的に接続される。最終的な結果として、「プレート」及びキャパシタ誘電層間のインタフェースの効果領域の増加をもたらす。
【0036】
図15は、電極504がN+基板102と電気的に接続されていることを除いて、図13に示されたキャパシタ30と類似しているようなキャパシタ50の断面図である。電極502は所定の厚さを有する誘電層506によって基板102より隔離されている。キャパシタ50は、図1に示されたキャパシタ10のそれと同様のユニットエリアあたりの静電容量値を有している。しかし電極502及び504の横方向の配置は、装置の横方向の関数(function)である、より大きな効果的連続抵抗率(ESR)を導く。
【0037】
図16は、第二の電極604のフィンガー604a−dを用いて櫛歯状に組み合わされているフィンガー602a−602cを第一の電極602が有するようなキャパシタ60の平面図である。図17は図16(図16と図17のスケールは同一ではないことに注意して頂きたい)に於いて示された線7−7での断面図である。606の活動化領域に於いて、フィンガーが櫛歯状に組み合わされている場所で、薄い誘電層618が基板上に形成される。比較的厚い誘電層614は、N+基板102より電極602の残っている“パーム”部分を分離させ、比較的厚い誘電層616は基板102と電極604のパーム部分とを分離させる。
【0038】
キャパシタ60の抵抗率は、フィンガーの数及び方向によって決定される。図16で示されているように、電極604は誘電層によってN+基板より分離することが可能であり、一対のキャパシタを作り出し、またそれは(図15に於ける電極504の規則で)N+基板と直接電気的接続をしても良く、また単一のキャパシタを生成する。多くの実施例に於いて、フィンガーレイアウトのピッチ“P”は300μmよりも小さくてもよい。例えば、電極604が基板と電気的に接続され、向かい合って組み合わさったフィンガーのピッチが250μm(フィンガーの幅が200μm、間隔が50μm)であり、また薄い誘電体層618が0.1μmの厚さの酸化物層であることを特徴とするようなキャパシタ60が、150pF/mm2の静電容量及び12mΩmm2のESRを有する。
【0039】
高精度キャパシタで用いられる薄い誘電層が、電気的放電(ESD)より受けるダメージを許容可能であるこれら装置を作成する。例えばESDはその製造過程の間の操作により生じ得る。ESDに対する保護の1つの方法は、図18の回路図に示されるようなキャパシタと平行な一対の互いに反転した定電圧ダイオードD1及びD2の接続である。ESD電圧のスパイクが発生する場合、ダイオードの1つが前方方向に導通し、その他のダイオードは所定の電圧でブレークダウンし逆方向に導通し、その結果キャパシタ周辺の電流経路を提供する。電流が保護された経路に沿って流れるような電圧は、その他のダイオードが正方向に導通している電圧(典型的には約0.5V)に1つのダイオードの反対のブレークダウン電圧を加えたものと等しい。(ここで用いた言葉「互いに反転した」は、ダイオードが互いに対向したそのアノード若しくはカソードのいずれかと直列に接続され、直列経路のどのような電流も正方向のダイオードの一つ、及び逆方向のその他のダイオードを通じて流れる事を意味している。)
本発明の一側面によると、保護ダイオードは自身の基板内で形成されてもよく、図19のESD保護キャパシタ構造に示されている。N+領域902、P領域904、及びN+領域906は電極106の下部の基板102内に形成される。領域はダイオードの1つを表すN+領域902及びP領域904の間の第一PNジャンクション、及びその他のダイオードを表すP領域904及びN+領域906間の第二PNジャンクションが存在するように形成される。領域902、904、及び906のドーピング濃度は、所望の電圧で逆方向でPNジャンクションがブレークダウンするべくセットされる。ブレークダウン電圧は、PNジャンクションのより軽度にドープされた側のドーピング濃度、及び本技術分野に於いて良く知られたその他の要素に依存している。例えばSze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed., John Wiley & Sons (1981), pp. 99-108を参照して頂きたい。またここで言及したことにより本出願の一部とされたい。
【0040】
第二のN+領域906は、N+基板は勿論のことP領域904へと延在し、ダイオードペアの対称的なブレークダウン特性を提供するべく用いられる。幾つかの実施例に於いては、N+領域906は省略されてもよい。
【0041】
キャパシタの高いRF性能能力を保持するべく、定電圧ダイオードのインピーダンスは1000若しくはそれより多いファクターで、キャパシタより高いレベルにセットされてもよい。
【0042】
基板中にダイオードを形成するためのプロセスは本技術分野中に於いてよく知られており、1つのそのような方法を以下に述べる。
【0043】
1.最初に、2.5μmの厚さのN型エピタキシャル(epi)層が基板の上部表面に形成される。epi層のドーピング濃度は1×1016cm−3であり、基板の下にある部分のそれと比較すると遙かに小さい。
【0044】
2.キャパシタが配置される活動化領域を定める開口を備えた第一のフォトレジストマスクがepi層を覆って形成され、またリンが8×1016cm−2の量、80keVのエネルギーでマスク中に開口を介して埋め込まれ、N+基板(1019cm−3)の残りとおよそ同一レベルまでepi層のドーピング濃度を設定する。第一のマスクはその時取り除かれる。
【0045】
3.第一のマスクを介した活動化エリアへのリンの埋め込みの後、別のマスクが、P領域が配置されてもよいように定められた開口を備え、基板を覆って形成される。ホウ素が、例えば2×1013cm−2及び80keVのエネルギーでP領域904を形成するべく、マスク中で開口を介して埋め込まれる。
【0046】
4.基板は1150℃で30分間焼きなまされ、epi層を通じてリンやホウ素の埋め込み物を打ち込む。
【0047】
5.酸化物誘電層104が上述されたように熱的に成長される。
【0048】
6.酸化層が成長した後、N+領域902及び906を定める開口を作り出すために第三のフォトレジストマスクが酸化層上に形成されパターン化される。
【0049】
7.酸化層は第三のフォトレジストマスク中に開口を介して部分的にエッチングされ、厚い酸化フィルムを介してドーパントを埋め込む必要性を避ける。
【0050】
8.リンがその時、第三のマスク、及び例えばN+領域902及び906を形成するべく3×1015cm−2及び60keVのエネルギーで薄くされた酸化層に於ける開口を通して埋め込まれる。
【0051】
9.第三のフォトレジストマスクは取り除かれ、ブランケットホウ素埋め込み物が表面ドーピングをしてp−ウェル(well)を形成するべく酸化層を通して働く。このことは、例えば3×1012cm−2、60keVのエネルギーでなされる。ホウ素ドーパントは、酸化環境で950℃で30分間焼きなまされることによって活性化されてもよい。
【0052】
10.第四のフォトレジストマスクは、N+領域904に対して接触が設けられるエリアを覆って、開口と共に形成されパターン化される。酸化層はN+領域902を露出させるべく開口を介してエッチングされる。第四のマスクはその時取り除かれる。
【0053】
これに続いて、上述されたプロセスは電極106及び108の形成と連続する。
【0054】
数値シミュレーションが図19に示されたESD保護構造の性能を測るためになされた。構造の寸法は次の値、
P領域904の幅(W1): 5μm
N+領域900の幅(W2): 3μm
構造体の長さ: 100μm
となる。
【0055】
図20は電極114(累積バイアス)に関連しポジティブにバイアスされた電極106を備えた構造のIV特性を示し、図21は電極114(空乏バイアス)に関連したネガティブにバイアスされた電極106を備えるIV特性を表す。示されるように、ダイオードのペアは16〜19Vの幅の中で何れかの方向にブレークダウンする。図22は混合されたキャパシタ及びESD構造の効果的な静電容量値が、0.1〜10GHzの周波数幅を通して約0.15pFに一定に保たれることを表している。
【0056】
本発明を、図面に示す一実施例に基づいて説明したが、これは単なる例示的なものに過ぎず、当業者は、本発明の範囲内で実施形態を様々に改変することが可能である。
【0057】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のキャパシタは、先行技術のキャパシタと比較して非常に厳密な許容差で機能し、非常に高い周波数で動作しうる。また低コストで生産可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】基板を介したビアを含む本発明によるキャパシタの断面図である。
【図2】周波数の関数としてインピーダンスの仮想部分と現実の部分の比率を表す、本発明によるキャパシタのQ値を示すグラフである。
【図3】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図4】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図5】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図6】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図7】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図8】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図9】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図10】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図11】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図12】図1のキャパシタを製造するために用いられる処理過程を表す図である。
【図13】基板の同一表面上に2つの電極を含む本発明によるキャパシタの断面図である。
【図14】各々の電極の下部に形成されたトレンチを備えたキャパシタの断面図である。
【図15】電極の1つが基板と電気的に接続されていることを除き図13に示されたキャパシタと同一のキャパシタの断面図である。
【図16】電極が、違いに櫛歯状に噛み合ったフィンガーを有することを特徴とするキャパシタの平面図である。
【図17】フィンガーの下部で誘電層がより薄いことを表す、図16に示されたキャパシタの断面図である。
【図18】一対の互いに反転したダイオードを有するESDプロテクトキャパシタの回路図である。
【図19】本発明によるESDプロテクトキャパシタの断面図である。
【図20】図19に示された種類のESD保護キャパシタのシミュレートされたブレークダウン特性を表すグラフである。
【図21】図19に示された種類のESD保護キャパシタのシミュレートされたブレークダウン特性を表すグラフである。
【図22】ESD保護キャパシタのシミュレートされた効果的静電容量を表すグラフである。
【符号の説明】
102 シリコン基板
104 誘電層
106 主電極
108 第二電極
110 パシベーション層
112 はんだボール
114 はんだボール
116 ビア
118 導電性物質
120 導電層
202 バリア層
204 フォトレジスト層
206 銅層
208 Ta/Cu層
210 銅層
212 フォトレジスト層
214 開口
216 ビア
218 Ta/Cu層
222 銅層
224 パシベーション層
226 はんだバンプ
228 はんだバンプ
230 パシベーション層
302 誘電層
304 第一電極
306 第二電極
308 パシベーション層
310 はんだボール
312 はんだボール
402 誘電層
404 導電性物質
406 トレンチ
502 電極
504 電極
506 誘電層
602 第一電極
602a、602b、602c フィンガー
604 第二電極
604a、604b、604c、604d フィンガー
606 活動化領域
616 誘電層
618 誘電層
902 N+領域
904 P領域
906 N+領域
Claims (10)
- キャパシタであって、
第一及び第二の主面を有し、所定の導電形式の物質をドープされた半導体基板と、
前記基板の前記第一主面上に形成された誘電層と、
前記誘電層上に形成された主電極層と、
前記基板の前記第二の主面上に形成された導電層と、
前記基板を貫通する導電性物質を含むビアと、
前記基板の前記第一の主面上に形成された第二電極層とを有し、
前記誘電体層によって分離された前記半導体基板と前記主電極層とが、前記キャパシタの両プレートを構成し、
前記ビア中の導電性物質によって前記導電層と第二電極層とが電気的に接続されていることを特徴とするキャパシタ。 - 前記半導体基板がシリコン基板であり、前記半導体基板の前記ドーピング濃度が1×1019cm−3より大きいことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記半導体基板の前記厚さが200ミクロンより小さいことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記誘電層が酸化物であることを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記誘電層の前記厚さが0.005ミクロン以上2ミクロン以下の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。
- 更に、
前記第一及び第二電極の上を覆う絶縁パシベーション層と、
前記第一の電極上の前記パシベーション層中に形成された第一開口と、
前記第二の電極上の前記パシベーション層中に形成された第二開口とを有することを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。 - 前記主電極層に電気的に接続されている前記第一開口中の第一はんだボールと、
前記第二電極層に電気的に接続されている前記第二開口中の第二はんだボールとを有することを特徴とする請求項6に記載のキャパシタ。 - 請求項1に記載のキャパシタに、一対の逆方向の極性を有するダイオードを直列に接続してなる逆方向ダイオード対を組み合わせてなるESD保護キャパシタ構造であって、
前記逆方向ダイオード対が前記キャパシタと並列に接続され、かつ前記基板中に形成されていることを特徴とするESD保護キャパシタ構造。 - 前記基板が第一の導電形式の物質によってドープされ、また一対のダイオードが、
前記主電極層と電気的に接続し、前記第一の導電形式の物質によって前記基板より高濃度にドープされた前記第一の導電形式の第一の領域と、
前記第一の領域に近接し、前記第一の領域と共に第一のPNジャンクションを形成する第二の導電形式の第二領域とを有することを特徴とする請求項8に記載のESD保護キャパシタ構造。 - 前記第二領域に隣接し、前記第二領域と共に第二のPNジャンクションを形成する、前記第一の導電形式の物質によって前記基板より高濃度にドープされた前記第一の導電形式の第三の領域を有することを特徴とする請求項9に記載のESD保護キャパシタ構造。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/661483 | 2000-09-14 | ||
US09/661,483 US6538300B1 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Precision high-frequency capacitor formed on semiconductor substrate |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006255468A Division JP5016284B2 (ja) | 2000-09-14 | 2006-09-21 | 半導体基板上に形成される高精度高周波数キャパシタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002176106A JP2002176106A (ja) | 2002-06-21 |
JP3943879B2 true JP3943879B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=24653791
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001279888A Expired - Fee Related JP3943879B2 (ja) | 2000-09-14 | 2001-09-14 | 半導体基板上に形成される高精度高周波数キャパシタ |
JP2006255468A Expired - Fee Related JP5016284B2 (ja) | 2000-09-14 | 2006-09-21 | 半導体基板上に形成される高精度高周波数キャパシタ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006255468A Expired - Fee Related JP5016284B2 (ja) | 2000-09-14 | 2006-09-21 | 半導体基板上に形成される高精度高周波数キャパシタ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6538300B1 (ja) |
EP (3) | EP1895568B1 (ja) |
JP (2) | JP3943879B2 (ja) |
CN (1) | CN1182566C (ja) |
DE (1) | DE60143510D1 (ja) |
SG (1) | SG103315A1 (ja) |
TW (1) | TW535251B (ja) |
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2000
- 2000-09-14 US US09/661,483 patent/US6538300B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-10 TW TW090122394A patent/TW535251B/zh active
- 2001-09-13 EP EP07021795.5A patent/EP1895568B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-13 DE DE60143510T patent/DE60143510D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-13 SG SG200105622A patent/SG103315A1/en unknown
- 2001-09-13 EP EP01307796A patent/EP1189263B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-13 EP EP07021796.3A patent/EP1895569B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-14 JP JP2001279888A patent/JP3943879B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-14 CN CNB011355794A patent/CN1182566C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-29 US US10/208,121 patent/US6621142B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-29 US US10/208,599 patent/US6621143B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-09-21 JP JP2006255468A patent/JP5016284B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1895568B1 (en) | 2014-07-16 |
EP1895569B1 (en) | 2013-06-12 |
EP1895568A1 (en) | 2008-03-05 |
JP2007005828A (ja) | 2007-01-11 |
EP1895569A1 (en) | 2008-03-05 |
CN1346138A (zh) | 2002-04-24 |
US20030057517A1 (en) | 2003-03-27 |
US6538300B1 (en) | 2003-03-25 |
EP1189263A2 (en) | 2002-03-20 |
US6621142B2 (en) | 2003-09-16 |
JP2002176106A (ja) | 2002-06-21 |
US20030030125A1 (en) | 2003-02-13 |
US6621143B2 (en) | 2003-09-16 |
DE60143510D1 (de) | 2011-01-05 |
CN1182566C (zh) | 2004-12-29 |
EP1189263A3 (en) | 2005-04-27 |
TW535251B (en) | 2003-06-01 |
EP1189263B1 (en) | 2010-11-24 |
SG103315A1 (en) | 2004-04-29 |
JP5016284B2 (ja) | 2012-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060322 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060619 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060622 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070327 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |