JP3909321B2 - エッチング液を用いてシリコンを湿式化学的に処理するための方法および装置 - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 title description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 161
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 32
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N dinitrogen tetraoxide Chemical compound [O-][N+](=O)[N+]([O-])=O WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical class N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002894 chemical waste Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000007039 two-step reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Description
(1)Si+2(O)→SiO2
(2)SiO2+6HF→SiF6 2−+2H2O+2H+
第一段階でシリコンを酸化剤により二酸化ケイ素へと酸化させ、該二酸化ケイ素を最終的に第二段階でフッ化水素酸により溶解する。この反応を達成するために、一般に硝酸(酸化剤として)およびフッ化水素酸を含有するエッチング液を使用する。酢酸(CH3COOH)および/またはリン酸(H3PO4)のような添加剤または界面活性剤は反応に関与しないが、しかし反応速度およびエッチングされたシリコンウェハの粗さを変え、従ってしばしば添加される。
1)特定量のシリコンを処理した後、たとえば特定数のシリコンウェハを処理した後にエッチング液を廃棄し、新しいエッチング液と交換する、または
2)化学量論的に必要とされる硝酸およびフッ化水素酸よりも多くを後供給して含水率を規定のレベルに維持する。
(3)2HNO3+Si→SiO2+2HNO2
しかしその後のエッチング法において、形成された亜硝酸(HNO2)が同様に酸化剤として働き、その際、亜硝酸は硝酸よりも強い酸化作用がある:
(4)4HNO2+Si→SiO2+2H2O+4NO
従って第一のエッチング過程ではエッチング速度ひいてはエッチングにより生じるシリコンウェハの形状は、その後の過程とは異なる。これは変法1)の重大な欠点である。
(5)N2O4+2NO+2H2O→4HNO2
このことによりシリコンを添加する必要なしに新鮮なエッチング液はすでにその最初の使用の前に活性化されている。従って上記の欠点は回避される。活性化によりエッチング液の一部はすでに消費される。さらに反応水が生じないので、エッチング液の水の割合は活性化により変化しない。エッチング速度ひいては湿式化学的に処理したシリコンウェハの形状はすでに新鮮な、活性化されたエッチング液により実施されるシリコンの第一の湿式化学的な処理から一定している。
a)水、硝酸およびフッ化水素酸を含有するエッチング液4を用いてシリコンを湿式化学的に処理するための第一の容器1、
b)新鮮なエッチング液5を含有する第二の容器2および
c)第一の容器中で湿式化学的な処理の際に生じる窒素酸化物(NOx)を第二の容器に導通する、第一および第二の容器の間の接続導管8
を有する装置に関する。
Claims (9)
- エッチング液をシリコンの湿式化学的な処理のために初めて使用する前にエッチング液に窒素酸化物(NO x )を導入することによりエッチング液を活性化する、水、硝酸およびフッ化水素酸を含有するエッチング液でシリコンを湿式化学的に処理する方法において、活性化のために使用される窒素酸化物(NO x )は、第一の容器(1)中でエッチング液によりシリコンを湿式化学的に処理する際に生じ、その際、該エッチング液は水、硝酸およびフッ化水素酸を含有し、かつその際、生じる窒素酸化物(NO x )を第一の容器から排出し、かつ同様に、水、硝酸およびフッ化水素酸を含有する新鮮なエッチング液(5)を含有する第二の容器(2)へ導入して新鮮なエッチング液を活性化することを特徴とする、水、硝酸およびフッ化水素酸を含有するエッチング液でシリコンを湿式化学的に処理する方法。
- 窒素酸化物(NOx)が、一酸化窒素(NO)、二酸化窒素(NO2)、四酸化二窒素(N2O4)またはこれらの混合物である、請求項1記載の方法。
- 窒素酸化物(NOx)は、エッチング液が窒素酸化物で飽和するまで導入する、請求項1または2記載の方法。
- 湿式化学的な処理の際に生じる窒素酸化物(NOx)をポンプ(9)により第一の容器(1)から吸引し、かつ第二の容器(2)へポンプ輸送する、請求項1記載の方法。
- 第一の容器(1)から排出された窒素酸化物(NOx)を循環路(6)に供給し、該循環路を介して新鮮なエッチング液(5)をポンプ(7)により循環させる、請求項1または4記載の方法。
- 湿式化学的な処理を単結晶のシリコンウェハに行う、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- a)水、硝酸およびフッ化水素酸を含有するエッチング液(4)を用いてシリコンを湿式化学的に処理する第一の容器(1)、
b)新鮮なエッチング液(5)を含有する第二の容器(2)および
c)第一の容器中で湿式化学的な処理の際に生じる窒素酸化物(NOx)を第二の容器に導通する、第一および第二の容器の間の接続導管(8)
を有する装置。 - ポンプ(7)により新鮮なエッチング液(5)が循環される循環路(6)を有し、その際、接続導管(8)が第一の容器(1)および循環路(6)を接続している、請求項7記載の装置。
- 窒素酸化物(NOx)を第一の容器(1)から吸引し、かつ循環路(6)に供給するポンプ(9)を有する、請求項8記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10248481A DE10248481B4 (de) | 2002-10-17 | 2002-10-17 | Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung von Silicium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004140368A JP2004140368A (ja) | 2004-05-13 |
JP3909321B2 true JP3909321B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=32086988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003355312A Expired - Fee Related JP3909321B2 (ja) | 2002-10-17 | 2003-10-15 | エッチング液を用いてシリコンを湿式化学的に処理するための方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7083741B2 (ja) |
JP (1) | JP3909321B2 (ja) |
KR (1) | KR100581619B1 (ja) |
CN (1) | CN1332068C (ja) |
DE (1) | DE10248481B4 (ja) |
TW (1) | TWI240018B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100902888B1 (ko) * | 2008-03-07 | 2009-06-16 | 윤대식 | 실리콘 폐기물로부터의 저분자 실리콘 화합물 회수 방법 |
US20110048931A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Makarov Vladimir V | FIB Process for Selective and Clean Etching of Copper |
US20110048929A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Makarov Vladimir V | FIB Process for Selective and Clean Etching of Copper |
JP5858770B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-02-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理システム |
JP6139634B2 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-31 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
JP6317801B2 (ja) * | 2016-12-20 | 2018-04-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理システム |
CN110158155A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-23 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅块的处理方法和处理装置 |
JP7455713B2 (ja) | 2020-09-17 | 2024-03-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
US11869774B2 (en) * | 2020-09-25 | 2024-01-09 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Method for improving etching rate of wet etching |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2013830A1 (en) * | 1970-03-23 | 1971-10-07 | Licentia Gmbh | Etching semi-conductors with acid soln having |
JPS4936792B1 (ja) * | 1970-10-15 | 1974-10-03 | ||
JPH0296334A (ja) * | 1988-10-01 | 1990-04-09 | Nisso Eng Kk | 高温エッチング液の循環方法 |
JP3077304B2 (ja) * | 1991-10-09 | 2000-08-14 | 日産自動車株式会社 | エッチング装置 |
US5843322A (en) * | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
DE19927527B4 (de) * | 1999-06-16 | 2007-02-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur naßchemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe |
SG92720A1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-11-19 | Nisso Engineering Co Ltd | Method and apparatus for etching silicon |
JP2001250804A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 過酸化水素による亜硝酸イオンの制御方法 |
JP2002043274A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Kanto Chem Co Inc | ポリシリコン膜の表面処理剤及びそれを用いたポリシリコン膜の表面処理方法 |
-
2002
- 2002-10-17 DE DE10248481A patent/DE10248481B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-13 KR KR1020030071117A patent/KR100581619B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-10-15 JP JP2003355312A patent/JP3909321B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-15 TW TW092128628A patent/TWI240018B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-10-15 US US10/686,365 patent/US7083741B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-17 CN CNB2003101014817A patent/CN1332068C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10248481B4 (de) | 2006-04-27 |
US7083741B2 (en) | 2006-08-01 |
TW200406506A (en) | 2004-05-01 |
KR20040034427A (ko) | 2004-04-28 |
CN1497066A (zh) | 2004-05-19 |
US20040129679A1 (en) | 2004-07-08 |
KR100581619B1 (ko) | 2006-05-22 |
DE10248481A1 (de) | 2004-05-06 |
TWI240018B (en) | 2005-09-21 |
CN1332068C (zh) | 2007-08-15 |
JP2004140368A (ja) | 2004-05-13 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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