CN110158155A - 一种硅块的处理方法和处理装置 - Google Patents

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CN110158155A CN201910475524.9A CN201910475524A CN110158155A CN 110158155 A CN110158155 A CN 110158155A CN 201910475524 A CN201910475524 A CN 201910475524A CN 110158155 A CN110158155 A CN 110158155A
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Abstract

本发明提供一种硅块的处理方法和处理装置，硅块的处理方法包括：在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除所述硅块表面的硅烷醇基。根据本发明的硅块的处理方法，在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除硅块表面的硅烷醇基，避免硅烷醇基对后续刻蚀的影响，减少对刻蚀工序中刻蚀液的影响，延长刻蚀液的使用时间，减少刻蚀液的更换次数，提高生产效率。

Description

一种硅块的处理方法和处理装置
技术领域
本发明涉及硅技术领域，特别涉及一种硅块的处理方法和处理装置。
背景技术
以往，硅块(单晶、多晶)的蚀刻清洗多通过氢氟酸、硝酸的混合酸来进行，根据该方法，为了处理1吨的硅，需要250-400kg左右的氢氟酸、硝酸的混合液，为了形成硅块的高纯度的表面，这是必不可少的成本，导致成本较高。在后续的冲洗槽中，为了除去附着于硅块的试剂成分，需要大量的水和时间，限制了蚀刻工序的速率。另外，在刚刚破碎的硅块的割断面，存在大量硅烷醇基，该基团活性强，如果直接浸渍于试剂，则强烈吸附试剂成分，影响刻蚀工序。
在研究蚀刻试剂可使用至何种程度之后，影响品质的因素有两个，一个是表面的杂质，另一个是表面的外观、颜色。硅块的表面大致会被蚀刻至10-30μm的深度，就表面的杂质浓度而言，即使反复使用试剂也仅会带来轻微的变化。相对于此，外观、颜色的变化灵敏地呈现出变化，作为色调的变化，随着蚀刻处理量的进行，灰色逐渐变黑，黑色加深，刻蚀液的质量变差。目前，在该变黑开始时、或者将要开始前将蚀刻试剂更换为新液，再次开始蚀刻。该试剂更换大致需要1小时至2小时左右。由于试剂为烈性试剂、危险性高、操作量大，因此设计了以排液作业、新液供给、共洗涤、再次排液、再次新液供给的方式使装置自动运转的机构，但需要许多的确认作业，需要繁琐的作业。此外，试剂的填充作业中，关于泵的供给速度，为了避免试剂的危险性，不会进行高速输送，因此成为连续操作的颈瓶，大幅损害连续生产率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种硅块的处理方法和处理装置，用于解决硅块表面的硅烷醇基对刻蚀液造成的影响，影响硅片刻蚀质量的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
根据本发明第一方面实施例的硅块的处理方法，包括：
在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除所述硅块表面的硅烷醇基。
进一步地，将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除所述硅块表面的硅烷醇基之后，还包括：
将所述硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行硅块表面的蚀刻，所述刻蚀液包括氢氟酸溶液和/或硝酸溶液。
进一步地，在所述蚀刻槽中的刻蚀液中包括氢氟酸溶液和硝酸溶液，所述刻蚀液中氢氟酸的浓度小于等于10wt％，硝酸的浓度大于等于50wt％。
进一步地，将所述硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行硅块表面的蚀刻，包括：
将从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
进一步地，所述蚀刻槽的底部设有进入口，将从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中，包括：通过所述进入口向所述蚀刻槽中的刻蚀液中通入从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体。
进一步地，通过所述进入口向所述蚀刻槽中的刻蚀液中通入从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体，包括：
通过风机将从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
进一步地，所述蚀刻槽包括盛有刻蚀液的第一蚀刻槽和盛有刻蚀液的第二蚀刻槽，所述第一蚀刻槽中的刻蚀液和所述第二蚀刻槽中的刻蚀液通过泵在所述第一蚀刻槽和所述第二蚀刻槽之间进行循环，所述第二蚀刻槽的底部设有进入口，
将所述硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行所述硅块表面的蚀刻包括：将所述硅块置于所述第一蚀刻槽中进行所述硅块表面的蚀刻；
将从所述第一蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通过所述第二蚀刻槽的进入口通入所述第二蚀刻槽中的刻蚀液中。
根据本发明第二方面实施例的处理装置，包括：
清洗槽，用于盛装硝酸溶液和/或乙酸溶液；
蚀刻槽，用于盛装刻蚀液，所述刻蚀液包括氢氟酸溶液和/或硝酸溶液。
排气罩，设置于所述清洗槽与所述蚀刻槽的上方以收集从所述清洗槽与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体；
风机，所述风机的进口与所述排气罩的出口连通，所述风机的出口与所述蚀刻槽连通，用以将从所述清洗槽与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
进一步地，所述蚀刻槽的底部设有进入口，所述风机的出口与所述进入口连通，以将从所述清洗槽与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体通过所述进入口通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
进一步地，处理装置还包括泵，所述蚀刻槽包括用于盛装刻蚀液的第一蚀刻槽和用于盛装刻蚀液的第二蚀刻槽，所述进入口设在所述第二蚀刻槽的底部，所述泵设在所述第一蚀刻槽和所述第二蚀刻槽之间，以使所述第一蚀刻槽中的刻蚀液和所述第二蚀刻槽中的刻蚀液通过所述泵在所述第一蚀刻槽和所述第二蚀刻槽之间进行循环。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
根据本发明的硅块的处理方法，在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除硅块表面的硅烷醇基，避免硅烷醇基对后续刻蚀的影响，减少对刻蚀工序中刻蚀液的影响，延长刻蚀液的使用时间，减少刻蚀液的更换次数，提高生产效率。
附图说明
图1为本发明实施例的处理装置的配合示意图；
图2为刻蚀液中氢氟酸浓度、硝酸浓度、水的浓度之间的三角图。
附图标记
清洗槽 10；
第一蚀刻槽 20；
第二蚀刻槽 30；
泵 40；
风机 50；
排气罩 60；
冲洗槽 70。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面首先结合附图具体描述根据本发明实施例的硅块的处理方法。
根据本发明实施例的硅块的处理方法，包括：在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽10中，以去除硅块表面的硅烷醇基，在选择使用酸的种类中优选水的含量低的酸，与氢氟酸溶液(HF＝50wt％，H2O＝50wt％)相比，硝酸溶液(HNO3＝70wt％，H2O＝30wt％)更佳，由于乙酸不含水可以为更佳选择，可以只选择乙酸或乙酸溶液。硅烷醇基可被碱、酸去除，但当为碱时，会根据下式(1)和(2)生成生成物，当为酸时，会根据下式(3)反应，结果生成硅氧烷-Si-O-Si-，具体如下述式：
-Si-OH+NaOH→-Si-Ona (1)；-Si-OH+KOH→-Si-O-K (2)；
-Si-OH+H+→-Si-O-Si- (3)；
在使用碱液的情况下，由于接下来的蚀刻槽为酸，会对刻蚀槽中的酸带来影响，碱液的浓度高则影响大。为了将蚀刻液的试剂的寿命延长，需要阻止水的生成，且不使水含量上升，在使用碱液的情况下，碱液与酸的反应因生成当量的水而不利，因此，将硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽10中，以去除硅块表面的硅烷醇基，减少因生成水对刻蚀液造成影响。通过在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽10中清洗，从而去除硅块表面的硅烷醇基，避免硅烷醇基对后续刻蚀的影响，减少对刻蚀工序中刻蚀液的影响，延长刻蚀液的使用时间，减少刻蚀液的更换次数，提高生产效率。
在本发明的一些实施例中，将硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽10中，以去除硅块表面的硅烷醇基之后，还包括：
将硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行硅块表面的蚀刻，刻蚀液包括氢氟酸溶液和/或硝酸溶液，比如，刻蚀液可以只包括硝酸溶液，硝酸溶液可以为70wt％以下的硝酸水溶液。将硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽10中去除硅块表面的硅烷醇基，硅块表面杂质较少，避免硅烷醇基对后续刻蚀的影响，减少对刻蚀工序中刻蚀液的影响，延长刻蚀液的使用时间。
在本发明的另一些实施例中，在蚀刻槽中的刻蚀液中包括氢氟酸溶液和硝酸溶液，刻蚀液中氢氟酸的浓度小于等于10wt％，氢氟酸的浓度过大刻蚀时不易控制刻蚀强度，硝酸的浓度大于等于50wt％，在氢氟酸的浓度小于等于10wt％时硝酸的浓度过低，易导致刻蚀速度慢，刻蚀效率低，为了保证合适的刻蚀效果和效率选择刻蚀液中氢氟酸的浓度小于等于10wt％，硝酸的浓度大于等于50wt％。
在本发明的实施例中，将硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行硅块表面的蚀刻，包括：将从蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入蚀刻槽中的刻蚀液中。蚀刻槽中的刻蚀液中的HF或HNO3存在挥发，刻蚀硅片时发生的反应也会产生气体，比如NO2和NO，可以将挥发出的蒸汽和/或气体中的一部分通过刻蚀液中，也可以将挥发出的蒸汽和/或气体经过处理分离后得到某一个单一的组份，然后将单一的组份通过刻蚀液中，比如，只将NO2或HF或HNO3通入刻蚀液中，还可以将两种组份通入刻蚀液中，比如，可以将NO2和HF通入刻蚀液中，气体向蚀刻槽的通入量几乎取决于蚀刻槽的容积，通入量最大可以设为每1分钟通入量与蚀刻槽的体积相同，通过将从蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入蚀刻槽中的刻蚀液中可以减少刻蚀液中HF和/或HNO3的消耗，延长刻蚀液的使用时间，减轻硅片刻蚀时硅片表面变黑的情况，减少刻蚀液的更换频率。
蚀刻反应总结如下，一般而言，已知刻蚀过程中主要存在主反应和副反应，具体如下：
主反应：Si+2HNO3+6HF→H2SiF6+NO↑+NO2↑+3H2O，
ΔH＝-85.2kcal/mol(发热)；
副反应：Si+4HNO3+6HF→H2SiF6+4NO2↑+4H2O；
Si+4HNO3+18HF→3H2SiF6+4NO↑+8H2O；
上述反应式中均生成水，所有的化学物质均要被水稀释，虽然生成了H2SiF6，但之后，由于水解而生成SiF4和HF，如此，存在许多生成物，也产生气体成分，因此操作困难，反应中产生的NO2和NO气体，未反应的HF、HNO3也挥发出蒸汽，体系内的物质消生变得复杂，为了尽量保持刻蚀液中各个物质体系的平衡，可以将从刻蚀液中挥发的蒸汽和/或气体重新收集后至少一部分通入刻蚀液中，挥发出的HF、HNO3可以重新进入刻蚀液中，气体中的NO2也可以与水反应生成HNO3，比如进行以下反应：2NO2+H2O→HNO3+HNO2，用以补充刻蚀液中HF、HNO3，减少HF、HNO3的消耗损失，延长刻蚀液的使用时间，减轻硅片刻蚀时硅片表面变黑的情况，以便保证刻蚀液的刻蚀效果和刻蚀效率，同时也避免了挥发蒸汽和/或气体的污染。
关于刻蚀液刻蚀时硅片变黑的问题，在利用氢氟酸水溶液和硝酸水溶液刻蚀过程中，水也是蚀刻反应的生成物，随着蚀刻反应进行，水浓度增大，可以利用三角图来依次对氢氟酸浓度、硝酸浓度、水的浓度进行描绘，另外，制作该三角图时使用的氢氟酸浓度、硝酸浓度使用离子色谱，剩余的百分含量为水的浓度。在离子色谱中，由于除了氟离子以外，无法分离SiF4 －、HSiF3 －等一系列成分，因此所得的氟离子的浓度作为总的氟离子来考虑。关于硝酸，由于除了NO3 －以外还对NO2 －进行了分离、定量，因此将NO2 －分子量换算成NO3 －，作为合计量而算出。
如图2所示为刻蚀液中氢氟酸浓度、硝酸浓度、水的浓度之间的三角图，根据该图2可知，当氢氟酸：硝酸＝1：9时，在线a和线b之间的区域不变黑，水的浓度在31-39％之间，(HF浓度为4.3wt％)硅片不发生变黑，如果超过该范围，则变为黑色，线a的左下方区域出现变黑，点1出现变黑，点2和点3不出现变黑，可见水的浓度对变黑产生一定影响，为了不发生变黑，需要保持水的浓度在合理范围。关于求出上述的测定图时的方法、条件，在氢氟酸、硝酸混合液之前仅浸渍于盛有单纯的超纯水的驱流槽中，然后是蚀刻的方法。此时，每1个被清洗物(硅块和用于收容硅块的容器)，内部保持有150-300ml的水，因此将它们直接投入至蚀刻槽。并且，在蚀刻槽中一个接一个地对被清洗物进行蚀刻，因此试剂成分被消耗，同时生成水，渐渐水的浓度上升，同时对不同组份浓度进行检测。
可以通过控制不使水的浓度上升来防止变黑，在前述的清洗槽中以去除硅烷醇基为目的使用硝酸或乙酸时，由于硝酸溶液中也存在水分，因此会使带入蚀刻槽的水分增加，而乙酸可以不含水，因此不存在向蚀刻槽中带入水的问题。蚀刻槽中的刻蚀液由于蚀刻反应而生成水，因此迫切需要使水的浓度下降的方法，例如，可以将NO2气体直接吹入蚀刻槽中的刻蚀液，NO2气体生成硝酸，即消耗了水又增加了硝酸，也可以将HF气体直接吹入蚀刻槽中的刻蚀液，HF也容易与水反应或溶解，不会生成水，可见通过将从蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入蚀刻槽中的刻蚀液中，既能生成酸又能消耗水，降低水对刻蚀液的影响，能够延长刻蚀液的使用时间，减轻硅片刻蚀时硅片表面变黑的情况。
根据本发明的一些实施例，蚀刻槽的底部可以设有进入口，将从蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入蚀刻槽中的刻蚀液中，包括：通过进入口向蚀刻槽中的刻蚀液中通入从蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体，从蚀刻槽的底部的进入口通入挥发出的蒸汽和/或气体能够使得挥发出的蒸汽和/或气体与刻蚀液充分接触，促进挥发出的蒸汽和/或气体与刻蚀液的反应，同时，通过挥发出的蒸汽和/或气体对刻蚀液进行扰流，促进刻蚀液的流动，使得刻蚀液均匀。
在本发明的另一些实施例中，通过进入口向蚀刻槽中的刻蚀液中通入从蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体，包括：
通过风机50将从蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体通入蚀刻槽中的刻蚀液中。风机50能够对吸收的挥发出的蒸汽和/或气体产生作用力，对挥发出的蒸汽和/或气体进行增压，促进挥发出的蒸汽和/或气体进入刻蚀液，增强挥发出的蒸汽和/或气体与刻蚀液的接触反应。另外，可以通过排气罩60收集挥发出的蒸汽和/或气体，然后通过风机50将收集的挥发出的蒸汽和/或气体集中通入刻蚀液中。
在本发明的实施例中，蚀刻槽可以包括盛有刻蚀液的第一蚀刻槽20和盛有刻蚀液的第二蚀刻槽30，第一蚀刻槽20中的刻蚀液和第二蚀刻槽30中的刻蚀液可以通过泵40在第一蚀刻槽20和第二蚀刻槽30之间进行循环，第二蚀刻槽30的底部可以设有进入口，将硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行硅块表面的蚀刻包括：将硅块置于第一蚀刻槽20中进行硅块表面的蚀刻，蚀刻之后还可以置于盛有超纯水的冲洗槽70中进行冲洗，以清洗去刻蚀液；将从第一蚀刻槽20中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通过第二蚀刻槽30的进入口通入第二蚀刻槽30中的刻蚀液中，挥发出的蒸汽和/或气体从第二蚀刻槽30的进入口通入第二蚀刻槽30中的刻蚀液中，使得挥发出的蒸汽和/或气体与第二蚀刻槽30中的刻蚀液充分接触反应，能够使得硅块置于第一蚀刻槽20中稳定地进行硅块表面的蚀刻，可以避免挥发出的蒸汽和/或气体对第一蚀刻槽20中硅块表面的蚀刻的影响，同时，又能够减少刻蚀过程中HF或HNO3的含量的降低。
盛装硝酸溶液的清洗槽的容积为60L，第一蚀刻槽的容积为60L，第二蚀刻槽的容积为50L，气体吹入流量为0-75L/分钟，供于蚀刻的硅块的重量为14kg，刻蚀液中氢氟酸：硝酸＝1:9(刻蚀液中所加入的氢氟酸为50wt％氢氟酸，加入的硝酸为70wt％硝酸)，试验中气体通入量和各组分用量如表1，蚀刻、冲洗的单次时间可以为4分钟。
表1试验中气体通入量和各组分用量
清洗槽中有水以及70wt％的HNO3、乙酸时，产生显著的差异，根据所带入的水的量来表示效果。随着排出气体的吹入量，慢慢显示出效果，能够减少刻蚀过程中刻蚀液用量，通入气体75ml时刻蚀液的用量减少至不通入时的三分之一。试验中，未识别到硅片变黑是前提条件，识别到变黑时结束。关于上述的条件下得到的硅块的表面杂质浓度，全部Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na、Ca、Mg、Al、Co、Pb、B、Sb、B、Li的合计浓度为20pptw以下，残留在表面的试剂的成分浓度为0.1ppbw以下，通过将从蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体通入蚀刻槽中的刻蚀液中，能够延长刻蚀液的使用时间，减少硅片表面的杂质，减少刻蚀液的使用量。
本发明还提供一种处理装置，处理装置包括：清洗槽10，用于盛装硝酸溶液和/或乙酸溶液；蚀刻槽，用于盛装刻蚀液，所述刻蚀液包括氢氟酸溶液和/或硝酸溶液；排气罩60，设置于所述清洗槽10与所述蚀刻槽的上方以收集从所述清洗槽10与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体；风机50，所述风机50的进口与所述排气罩60的出口连通，所述风机50的出口与所述蚀刻槽连通，用以将从所述清洗槽10与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
也就是说，清洗槽10可以用于盛装硝酸溶液和/或乙酸溶液，可以通过硝酸溶液和/或乙酸溶液去除硅块表面的硅烷醇基，避免硅烷醇基对后续刻蚀的影响，减少对刻蚀工序中刻蚀液的影响，延长刻蚀液的使用时间，减少刻蚀液的更换次数，提高生产效率；蚀刻槽可以用于盛装刻蚀液，刻蚀液可以包括氢氟酸溶液和/或硝酸溶液，在蚀刻槽中的刻蚀液中可以包括氢氟酸溶液和硝酸溶液，刻蚀液中氢氟酸的浓度可以小于等于10wt％，硝酸的浓度可以大于等于50wt％；排气罩60可以设置于清洗槽10与蚀刻槽的上方以收集从清洗槽10与蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体，便于将挥发出的蒸汽和/或气体通入蚀刻槽中；风机50的进口与排气罩60的出口连通，风机50的出口与蚀刻槽连通，用以将从清洗槽10与蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体通入蚀刻槽中的刻蚀液中，风机50能够对吸收的挥发出的蒸汽和/或气体产生作用力，对挥发出的蒸汽和/或气体进行增压，促进挥发出的蒸汽和/或气体进入刻蚀液，增强挥发出的蒸汽和/或气体与刻蚀液的接触反应。
在本发明的一些实施例中，蚀刻槽的底部设有进入口，风机50的出口与进入口连通，以将从清洗槽10与蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体通过进入口通入蚀刻槽中的刻蚀液中。从蚀刻槽的底部的进入口通入挥发出的蒸汽和/或气体能够使得挥发出的蒸汽和/或气体与刻蚀液充分接触，促进挥发出的蒸汽和/或气体与刻蚀液的反应，同时，通过挥发出的蒸汽和/或气体对刻蚀液进行扰流，促进刻蚀液的流动，使得刻蚀液均匀。
在本发明的另一些实施例中，处理装置还可以包括泵40，蚀刻槽可以包括用于盛装刻蚀液的第一蚀刻槽20和用于盛装刻蚀液的第二蚀刻槽30，进入口设在第二蚀刻槽30的底部，泵40设在第一蚀刻槽20和第二蚀刻槽30之间，以使第一蚀刻槽20中的刻蚀液和第二蚀刻槽30中的刻蚀液通过泵40在第一蚀刻槽20和第二蚀刻槽30之间进行循环。第二蚀刻槽30的底部可以设有进入口，将硅块置于第一蚀刻槽20中进行硅块表面的蚀刻；处理装置还可以包括盛有超纯水的冲洗槽70，通过第一蚀刻槽20中的刻蚀液刻蚀之后，还可以置于盛有超纯水的冲洗槽中进行冲洗，以清洗去刻蚀液；将从第一蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通过第二蚀刻槽的进入口通入第二蚀刻槽中的刻蚀液中，挥发出的蒸汽和/或气体从第二蚀刻槽的进入口通入第二蚀刻槽中的刻蚀液中，使得挥发出的蒸汽和/或气体与第二蚀刻槽中的刻蚀液充分接触反应，能够使得硅块置于第一蚀刻槽中稳定地进行硅块表面的蚀刻，可以避免挥发出的蒸汽和/或气体对第一蚀刻槽中硅块表面的蚀刻的影响，同时，又能够减少刻蚀过程中HF或HNO3的含量的降低。
除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种硅块的处理方法，其特征在于，包括：
在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除所述硅块表面的硅烷醇基。
2.根据权利要求1所述的硅块的处理方法，其特征在于，将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除所述硅块表面的硅烷醇基之后，还包括：
将所述硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行硅块表面的蚀刻，所述刻蚀液包括氢氟酸溶液和/或硝酸溶液。
3.根据权利要求2所述的硅块的处理方法，其特征在于，在所述蚀刻槽中的刻蚀液中包括氢氟酸溶液和硝酸溶液，所述刻蚀液中氢氟酸的浓度小于等于10wt％，硝酸的浓度大于等于50wt％。
4.根据权利要求2所述的硅块的处理方法，其特征在于，将所述硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行硅块表面的蚀刻，包括：
将从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
5.根据权利要求4所述的硅块的处理方法，其特征在于，所述蚀刻槽的底部设有进入口，将从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中，包括：通过所述进入口向所述蚀刻槽中的刻蚀液中通入从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体。
6.根据权利要求5所述的硅块的处理方法，其特征在于，通过所述进入口向所述蚀刻槽中的刻蚀液中通入从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体，包括：
通过风机将从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
7.根据权利要求2所述的硅块的处理方法，其特征在于，所述蚀刻槽包括盛有刻蚀液的第一蚀刻槽和盛有刻蚀液的第二蚀刻槽，所述第一蚀刻槽中的刻蚀液和所述第二蚀刻槽中的刻蚀液通过泵在所述第一蚀刻槽和所述第二蚀刻槽之间进行循环，所述第二蚀刻槽的底部设有进入口，
将所述硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行所述硅块表面的蚀刻包括：将所述硅块置于所述第一蚀刻槽中进行所述硅块表面的蚀刻；
将从所述第一蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通过所述第二蚀刻槽的进入口通入所述第二蚀刻槽中的刻蚀液中。
8.一种处理装置，其特征在于，包括：
清洗槽，用于盛装硝酸溶液和/或乙酸溶液；
蚀刻槽，用于盛装刻蚀液，所述刻蚀液包括氢氟酸溶液和/或硝酸溶液；
排气罩，设置于所述清洗槽与所述蚀刻槽的上方以收集从所述清洗槽与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体；
风机，所述风机的进口与所述排气罩的出口连通，所述风机的出口与所述蚀刻槽连通，用以将从所述清洗槽与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
9.根据权利要求8所述的处理装置，其特征在于，所述蚀刻槽的底部设有进入口，所述风机的出口与所述进入口连通，以将从所述清洗槽与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体通过所述进入口通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
10.根据权利要求9所述的处理装置，其特征在于，还包括泵，所述蚀刻槽包括用于盛装刻蚀液的第一蚀刻槽和用于盛装刻蚀液的第二蚀刻槽，所述进入口设在所述第二蚀刻槽的底部，所述泵设在所述第一蚀刻槽和所述第二蚀刻槽之间，以使所述第一蚀刻槽中的刻蚀液和所述第二蚀刻槽中的刻蚀液通过所述泵在所述第一蚀刻槽和所述第二蚀刻槽之间进行循环。
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