JPH08157884A - 化学処理液の生成方法 - Google Patents
化学処理液の生成方法Info
- Publication number
- JPH08157884A JPH08157884A JP32385994A JP32385994A JPH08157884A JP H08157884 A JPH08157884 A JP H08157884A JP 32385994 A JP32385994 A JP 32385994A JP 32385994 A JP32385994 A JP 32385994A JP H08157884 A JPH08157884 A JP H08157884A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sulfuric acid
- acid solution
- treatment
- tank
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な設備で所定温度の処理液を処理槽に安
定供給して、処理能力を高める。 【構成】 ウエハ１を収容する処理槽２に硫酸液を循環
させる。処理槽２の外でミキサー４により硫酸液にオゾ
ンガスを溶解混合する。オゾンガスが溶解混合された硫
酸液によりウエハ１を洗浄処理することにより、オゾン
ガスとウエハ１の接触時間が長くなり、洗浄能力が高ま
る。
定供給して、処理能力を高める。 【構成】 ウエハ１を収容する処理槽２に硫酸液を循環
させる。処理槽２の外でミキサー４により硫酸液にオゾ
ンガスを溶解混合する。オゾンガスが溶解混合された硫
酸液によりウエハ１を洗浄処理することにより、オゾン
ガスとウエハ１の接触時間が長くなり、洗浄能力が高ま
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製品または半製
品の化学処理、例えば半導体ウエハや液晶基板の洗浄や
エッチングに使用される化学処理液の生成方法に関す
る。
品の化学処理、例えば半導体ウエハや液晶基板の洗浄や
エッチングに使用される化学処理液の生成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハや液晶基板の洗浄やエッチ
ングには、ＮＨ4 ＯＨ水，ＨＣｌ水，ＨＦ水等の化学処
理液が使用される。これらの化学処理液は、従来は下表
左欄のようにＮＨ4 ＯＨ，ＨＣｌ，ＨＦ等を液体の状態
で購入し、そのケミカル液を純水等の他の液体に混合し
て使用している。しかし、それらのケミカル液に不純物
が混入していると、それを清浄にする工程が必要にな
る。これは大変厄介なことである。そこで、最近は下表
右欄のようにケミカルガスを他の液体、例えば純水に溶
解させて使用するように使用方法が変化して来ている。
ングには、ＮＨ4 ＯＨ水，ＨＣｌ水，ＨＦ水等の化学処
理液が使用される。これらの化学処理液は、従来は下表
左欄のようにＮＨ4 ＯＨ，ＨＣｌ，ＨＦ等を液体の状態
で購入し、そのケミカル液を純水等の他の液体に混合し
て使用している。しかし、それらのケミカル液に不純物
が混入していると、それを清浄にする工程が必要にな
る。これは大変厄介なことである。そこで、最近は下表
右欄のようにケミカルガスを他の液体、例えば純水に溶
解させて使用するように使用方法が変化して来ている。
【０００３】 旧 方 法 新 方 法 ＮＨ4 ＯＨ＋純水 ＮＨ3 ガス＋純水 ＨＣｌ ＋純水 → ＨＣｌガス＋純水 ＨＦ ＋純水 → ＨＦガス ＋純水 Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 → Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｏ3 ガス 純水 ＋温水 → 純水 ＋Ｏ3 ガス
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ケミカルガス
を他の液体に溶解させて使用する場合、従来は処理槽と
は別のタンク内で溶解混合を行い処理液を生成するた
め、設備が大掛かりとなる。また、ケミカルガスがオゾ
ンのように経時的に分解するものの場合は、処理槽にお
いて処理液の成分濃度を一定に維持することが難しい。
を他の液体に溶解させて使用する場合、従来は処理槽と
は別のタンク内で溶解混合を行い処理液を生成するた
め、設備が大掛かりとなる。また、ケミカルガスがオゾ
ンのように経時的に分解するものの場合は、処理槽にお
いて処理液の成分濃度を一定に維持することが難しい。
【０００５】本発明の目的は、簡単な設備で所定濃度の
処理液を処理槽に安定して供給することができる化学処
理液の生成方法を提供することにある。
処理液を処理槽に安定して供給することができる化学処
理液の生成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の化学処理液の生
成方法は、半導体製品または半製品の化学処理に使用す
る化学処理液の生成方法であって、処理槽内に循環させ
る液体に、処理槽外でケミカルガスを溶解混合するもの
である。
成方法は、半導体製品または半製品の化学処理に使用す
る化学処理液の生成方法であって、処理槽内に循環させ
る液体に、処理槽外でケミカルガスを溶解混合するもの
である。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１に本発明法を用いたウエハ洗浄システムを示
す。
する。図１に本発明法を用いたウエハ洗浄システムを示
す。
【００１０】ウエハ１を洗浄処理する処理槽２には、硫
酸液が収容されている。処理槽内の硫酸液は、ポンプ３
により吸引されてミキサー４に送られる。オゾンガスは
ポンプ３の入側からインシュクション方式で注入すれば
ミキサー４で硫酸液中に溶解混合されるが、オゾンガス
を加圧してミキサー４に直接注入してもよい。
酸液が収容されている。処理槽内の硫酸液は、ポンプ３
により吸引されてミキサー４に送られる。オゾンガスは
ポンプ３の入側からインシュクション方式で注入すれば
ミキサー４で硫酸液中に溶解混合されるが、オゾンガス
を加圧してミキサー４に直接注入してもよい。
【００１１】ミキサー４としては、図２に示すように、
金属イオンの溶出がないテフロン等のチューブ４ａを曲
げたり二重構造とすることにより長い管路を形成し、更
にその管路内にひねり板４ｂを設けたものが望ましい。
金属イオンの溶出がないテフロン等のチューブ４ａを曲
げたり二重構造とすることにより長い管路を形成し、更
にその管路内にひねり板４ｂを設けたものが望ましい。
【００１２】他のミキサー４としては、図３に示すよう
に、焼結材等の多孔質な材料からなるチューブ４ｃを用
いることができる。チューブ４ｃの外側にオゾンガスを
加圧供給すると、そのオゾンガスがチューブ４ｃの内側
を通過する硫酸液に小さな気泡となって混合溶解され
る。
に、焼結材等の多孔質な材料からなるチューブ４ｃを用
いることができる。チューブ４ｃの外側にオゾンガスを
加圧供給すると、そのオゾンガスがチューブ４ｃの内側
を通過する硫酸液に小さな気泡となって混合溶解され
る。
【００１３】オゾンガスが溶解混合された硫酸液は、リ
アクター５、フィルター６を通って処理槽２に戻る。リ
アクター５は気液分離を行い、処理槽２に未溶解ガスが
侵入するのを防ぐ一方、ここで硫酸液を滞留させること
によりオゾンガスの溶解を一層促進する。
アクター５、フィルター６を通って処理槽２に戻る。リ
アクター５は気液分離を行い、処理槽２に未溶解ガスが
侵入するのを防ぐ一方、ここで硫酸液を滞留させること
によりオゾンガスの溶解を一層促進する。
【００１４】処理槽２内の硫酸液は、槽下方に設けたヒ
ーター７により加熱される。その硫酸液には、槽下部に
配設されたバブリング管８からオゾンガスや窒素ガス、
酸素ガス等が注入される。
ーター７により加熱される。その硫酸液には、槽下部に
配設されたバブリング管８からオゾンガスや窒素ガス、
酸素ガス等が注入される。
【００１５】ウエハ１を洗浄処理するには、処理槽２内
の硫酸液にウエハ１を浸漬する。この状態で硫酸液を循
環させ、循環途中で硫酸液にオゾンガスを溶解混合す
る。これにより、処理槽２内のウエハ１が、オゾンガス
の溶解混合した硫酸液により洗浄処理される。その結
果、硫酸液中でオゾンガスをバブリングさせる混合に比
べて、オゾンとウエハの接触時間が長くなり、洗浄処理
効果が上がる。
の硫酸液にウエハ１を浸漬する。この状態で硫酸液を循
環させ、循環途中で硫酸液にオゾンガスを溶解混合す
る。これにより、処理槽２内のウエハ１が、オゾンガス
の溶解混合した硫酸液により洗浄処理される。その結
果、硫酸液中でオゾンガスをバブリングさせる混合に比
べて、オゾンとウエハの接触時間が長くなり、洗浄処理
効果が上がる。
【００１６】更に本洗浄システムでは、オゾンガスの溶
解混合した硫酸液中にオゾンガス等をバブリングさせ
る。このガスバブリングにより処理槽２内の硫酸液が攪
拌され、処理効果が更に向上する。
解混合した硫酸液中にオゾンガス等をバブリングさせ
る。このガスバブリングにより処理槽２内の硫酸液が攪
拌され、処理効果が更に向上する。
【００１７】バブリングを併用する場合、オゾンガスの
バブリング量と溶解混合量との比は、流量比で２：８〜
５：５が望ましく、３：７が特に望ましい。バブリング
ガスの比率が低すぎると、バブリングによる攪拌作用が
十分に得られず、その比率が高すぎる場合はオゾンガス
溶解による洗浄作用が十分に得られない。
バブリング量と溶解混合量との比は、流量比で２：８〜
５：５が望ましく、３：７が特に望ましい。バブリング
ガスの比率が低すぎると、バブリングによる攪拌作用が
十分に得られず、その比率が高すぎる場合はオゾンガス
溶解による洗浄作用が十分に得られない。
【００１８】バブリングガスとしては、洗浄効果も期待
できるオゾンガスが特に望ましい。バブリングさせるガ
スがオゾン以外の窒素、酸素等の攪拌のみを目的とした
ガスの場合は、バブリング比は上記の限りではない。
できるオゾンガスが特に望ましい。バブリングさせるガ
スがオゾン以外の窒素、酸素等の攪拌のみを目的とした
ガスの場合は、バブリング比は上記の限りではない。
【００１９】ウエハに付着したホトレジスト膜を除去す
るに際し、硫酸１リットルに対して0.４リットル／分の
オゾンガス（オゾン濃度１４％）をバブリングが３、混
合が７の割合で供給したところ、従来のバブリングだけ
の方法に比べて剥離除去に要する時間が約半分に短縮さ
れる。
るに際し、硫酸１リットルに対して0.４リットル／分の
オゾンガス（オゾン濃度１４％）をバブリングが３、混
合が７の割合で供給したところ、従来のバブリングだけ
の方法に比べて剥離除去に要する時間が約半分に短縮さ
れる。
【００２０】本発明はＨ2 ＳＯ4 液とＯ3 ガスの溶解混
合だけでなく、純水とＯ3 ガス、ＮＨ3 ガスと純水、Ｈ
Ｆガスと純水などの溶解混合にも適用することができ
る。
合だけでなく、純水とＯ3 ガス、ＮＨ3 ガスと純水、Ｈ
Ｆガスと純水などの溶解混合にも適用することができ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明の化学処理
液の生成方法は、処理槽内に循環させる液体に処理槽外
でケミカルガスを溶解混合して、化学処理液を生成供給
するので、簡単な設備で所定濃度の化学処理液を処理槽
に安定して供給することができる。
液の生成方法は、処理槽内に循環させる液体に処理槽外
でケミカルガスを溶解混合して、化学処理液を生成供給
するので、簡単な設備で所定濃度の化学処理液を処理槽
に安定して供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明法を用いた洗浄システムの系統図であ
る。
る。
【図２】ミキサーの構成例を示す模式図である。
【図３】ミキサーの他の構成例を示す模式図である。
１ ウエハ ２ 処理槽 ３ ポンプ ４ ミキサー ５ リアクター ６ フィルター ７ ヒーター ８ バブリング管
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 Ｓ Ｚ 21/308 Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体製品または半製品の化学処理に使
用する化学処理液の生成方法であって、処理槽内に循環
させる液体に、処理槽外でケミカルガスを溶解混合する
ことを特徴とする化学処理液の生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32385994A JPH08157884A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 化学処理液の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32385994A JPH08157884A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 化学処理液の生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08157884A true JPH08157884A (ja) | 1996-06-18 |
Family
ID=18159390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32385994A Pending JPH08157884A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 化学処理液の生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08157884A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499629B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
| US7243911B2 (en) | 2004-01-27 | 2007-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| KR100968668B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2010-07-06 | 가부시끼가이샤 도시바 | 기포/약액 혼합 세정액을 이용하는 반도체 기판의 세정방법 |
| JP2012204546A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料洗浄方法および洗浄装置 |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP32385994A patent/JPH08157884A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499629B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
| US7243911B2 (en) | 2004-01-27 | 2007-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| KR100968668B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2010-07-06 | 가부시끼가이샤 도시바 | 기포/약액 혼합 세정액을 이용하는 반도체 기판의 세정방법 |
| US20110088731A1 (en) * | 2007-05-29 | 2011-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor substrate cleaning method using bubble/chemical mixed cleaning liquid |
| JP2012204546A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料洗浄方法および洗浄装置 |
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