JPH1171600A - 洗浄液の製造方法およびそのための装置 - Google Patents
洗浄液の製造方法およびそのための装置Info
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- JPH1171600A JPH1171600A JP10166695A JP16669598A JPH1171600A JP H1171600 A JPH1171600 A JP H1171600A JP 10166695 A JP10166695 A JP 10166695A JP 16669598 A JP16669598 A JP 16669598A JP H1171600 A JPH1171600 A JP H1171600A
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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Abstract
る。 【解決手段】 電気分解用純水源21からの純水を加圧
ポンプ20で、電気分解装置2に供給しここで電気分解
し、オゾンガスと水素ガスを得る。加圧ポンプ20を用
いているため、これらのガスの圧力は大気圧以上であ
る。大気圧以上の圧力のオゾンガス及び水素ガスは、そ
れぞれ溶解装置6、7に供給され、ここで超純水供給装
置4から供給される超純水に溶解され、オゾン水及び水
素水が得られる。これらオゾン水及び水素水はそれぞれ
混合装置8、9に供給され、ここでpHが調整される。
Description
およびそのための装置に係る。
た水素水、あるいは、オゾンガスを溶解したオゾン水が
例えば半導体装置の基板、液晶表示装置の基板などの電
子部品の洗浄に効果的であることを見いだしている。
いはオゾンを溶解する際には、これらのガスを大気圧に
して溶解せしめている。
て溶解せしめると、所望のガス濃度に達するのに時間が
かかってしまう。
の水素水やオゾン水が得られない。
ス溶解洗浄液を短時間で製造することができる洗浄液の
製造方法およびそのための装置を提供することを目的と
する。
ルを可能にするために、ガス溶解量の制御で洗浄力があ
り、かつリサイクルの容易な洗浄液の製造方法、および
そのための装置を提供することを目的とする。
の本発明の洗浄液の製造方法は、電子部品等の被洗浄物
の洗浄液の製造方法において、酸化性ガス、還元性ガ
ス、不活性ガス、酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガス
または還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスのいずれか
のガスを、純水に前記ガスの供給圧力を大気圧を超えて
制御しながら溶解させることを特徴とする。
導体装置の基体、液晶表示装置の基体、磁性基体などが
あげられる。
ス、酸素ガスがあげられる。還元性ガスとしては、たと
えば、水素ガスがあげられる。
ガス、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガス、
ネオンガス、窒素ガスがあげられる。
ろ過装置、活性炭ろ過装置、逆浸透膜装置、2床3塔式
イオン交換装置、混床式イオン交換装置、精密フィルタ
ー等の1次純水処理系の装置で処理して得た水(1次純
水)である。
次純水処理系で処理して得た水で、2次純水処理系装置
とは次のようなものである。すなわち、純水槽に貯留し
た純水を紫外線照射装置、混床式ポリッシャー、限外ろ
過膜装置や逆浸透膜装置のような膜処理装置を用いて順
次2次処理し、前記純水に残留する微粒子、コロイダル
物質、有機物金属、陰イオン等を可及的に取り除いて、
被処理物のウェット処理に適する超純水(2次純水)と
するものである。なお、このようにして得た超純水は使
用点において使用され、残余の超純水は前記純水槽に循
環配管を介して循環するようになっている。超純水(2
次純水)の水質は、表1に示した。
純水とした。
そのガスの純水への供給圧力の制御は減圧制御弁により
行えばよい。
元性ガス(水素ガス)の供給源を、水の電気分解装置と
した場合には、酸化性ガスまたは還元性ガスの供給圧力
の制御は電気分解装置への水の供給圧力を制御すること
により行えばよい。すなわち、電気分解により発生する
オゾンガスあるいは水素ガスの圧力は、電気分解装置へ
供給する水の圧力の関数であり、水の圧力を所定の圧力
に設定すれば発生するオゾンガス、水素ガスの圧力は、
それに対応した所定の圧力になる。具体的には、実際の
各電気分解装置ごとに具体的に予め実験などにより求め
ておけばよい。
kgf/cm2(=9.8×104Pa、以下圧力の単位
としてkgf/cm2を使用する)以上が好ましい。か
かる圧力でガスを溶解した場合には、洗浄力が特に優れ
た洗浄液を製造することができる。また、洗浄液を使用
する場所は通常大気圧であり、5kgf/cm2以上の
高圧により大量のガスを溶解しても意味のない場合が多
い。従って、ガスの供給圧力としては、1ないし5kg
f/cm2の圧力が好適である。
上、特に1ないし5kgf/cm2の圧力が好適であ
る。
に、酸化性ガス、還元性ガス、不活性ガス、酸化性ガス
と不活性ガスとの混合ガスまたは還元性ガスと不活性ガ
スとの混合ガスを純水に溶解させた場合における洗浄液
(酸化性ガス、還元性ガス、不活性ガス、酸化性ガスと
不活性ガスとの混合ガスまたは還元性ガスと不活性ガス
との混合ガスを溶解した純水)の洗浄能力は、脱ガスを
行わずに酸化性ガス、還元性ガス、不活性ガス、酸化性
ガスと不活性ガスとの混合ガスまたは還元性ガスと不活
性ガスとの混合ガスを溶解せしめた洗浄液の洗浄能力に
比べると極めて優れているため、酸化性ガス、還元性ガ
ス、不活性ガス、酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガス
または還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスの溶解を行
う前に純水の脱ガスを行っておくことが好ましい。この
脱ガスには、真空脱気装置や膜脱気装置が利用される。
し、ガスを純水中に拡散させて行うことが好適である。
と、酸化性ガス、還元性ガス、不活性ガス、酸化性ガス
と不活性ガスとの混合ガスまたは還元性ガスと不活性ガ
スとの混合ガスの供給源と、前記純水の供給源からの純
水と前記ガスの供給源からのガスを溶解し被洗浄物に溶
解水を供給する溶解装置と、前記ガスを前記純水に溶解
する際前記ガスの供給圧力を大気圧を超えて制御するガ
ス供給圧力制御装置とを有することを特徴とする。
化性ガスと不活性ガスとの混合ガスまたは還元性ガスと
不活性ガスとの混合ガスの供給源としてはたとえばガス
ボンベそのものを用いればよい。また、酸化性ガスがオ
ゾンガス、還元性ガスが水素ガスの場合には電気分解装
置を用いることができる。
スする脱ガス装置をさらに有し、この脱ガス装置で脱ガ
スした純水を溶解装置に供給することが好適である。通
常の場合、純水には大気中の窒素ガスが溶解しており、
これを除去することにより、得られた洗浄液における洗
浄効果を高めることができる。
を大気圧を超えて制御するガス供給圧力制御装置として
は、前述したようにガスの供給源を高圧ガスボンベとし
た場合には減圧制御弁を用いればよい。また、ガスの供
給源を電気分解装置とした場合には、純水の電気分解装
置への供給圧力を制御するための装置(具体的には、加
圧ポンプ)を用いればよい。
し、ガスを純水中に拡散させる膜透過型ガス溶解装置で
行うことが好適である。
ス濃度とは比例関係にあるため純水中におけるガス濃度
を検出することによりガス供給圧力の制御を行うことが
できる。このため、ガス溶解水中における前記ガスの濃
度を検出するガス濃度検出装置を設けておき、該ガス濃
度検出装置からの信号に基づき前記ガス供給圧力制御装
置を操作する制御系とを設けておけば、ガス溶解水中の
ガス濃度を所望のものに制御することができる。
置の構成例を示すものであり、図1は洗浄液の生成部
(生成装置)および洗浄室を含む洗浄装置の構成図であ
り、図2はオゾンガスおよび水素ガスを発生する電気分
解装置の構成例を示す概略図である。
水素ガスを発生する電気分解装置2が設けられている。
は、陽極室2a、陰極室2b、中心部のイオン交換膜2
c、陽極側触媒2d、陰極側触媒2eを有しており、電
気分解用水(純水)が導入管3bから各室に供給され
る。また、電源回路3aから陽極側の電極と陰極側の電
極に対して直流電流が与えられる。電気分解により陽極
室2aに生成されたオゾン(O3 )は若干の酸素ガス
(O2 )とともに供給管3cから排出され、陰極室2b
に生成された水素ガス(H2 )は供給管3dから排出さ
れる。
純水を紫外線照射装置、混床式ポリッシャー、限外ろ過
膜装置などを用いて微粒子、コロイダル微生物、有機
物、金属、イオン、溶存酸素などを極低濃度まで除去し
た高純度な水を供給する。超純水供給装置4から供給さ
れる超純水は、弁5により切換えられて溶解装置6また
は溶解装置7に選択されて供給される。溶解装置6で
は、超純水が所定の流量で流れるガス透過膜からなる中
空糸膜の外側から供給管3cを通じてオゾンガスが供給
されて中空糸膜の流れ内で超純水にオゾンガスが混合さ
れてオゾン水が生成される。同様に、溶解装置7では、
超純水が流れるガス透過膜からなる中空糸膜の外側から
水素ガスが供給され、中空糸膜の流れ内で超純水に水素
ガスが混合されて水素水が生成される。
空糸膜の内側をガスとし外側を純水としてもさしつかえ
ない。また、ガス透過膜を用いずにエゼクターでガスを
吸い込んで溶解させるような機械的な溶解装置を用いて
もよい。さらに、加圧タンク内において、散気管を利用
した曝気や、機械的攪拌など行い、ガスを溶解すること
もできる。
れ、溶解装置7の次段には混合装置9が設けられてい
る。酸性溶液供給装置11からは酸性溶液の薬液が供給
され、この薬液が弁12により切換えられて混合装置8
または混合装置9のいずれかに選択されて供給される。
アルカリ性溶液供給装置13からはアルカリ性溶液の薬
液が供給され、弁14により切換えられて前記混合装置
8または混合装置9のいずれかに選択されて供給され
る。混合装置8、混合装置9は通常ラインミキサーが用
いられる。
溶液は、たとえばHCl(塩酸)やHF(フッ化水
素)、HNO3(硝酸)H2SO4(硫酸)などであり、
アルカリ性溶液供給装置13から供給されるアルカリ性
溶液は、たとえばNH4OH(水酸化アンモニウム)や
KOH(水酸化カリウム)、NaOH(水酸化ナトリウ
ム)などである。
HNO3 、H2SO4 、などの酸性溶液とオゾン水が混
合されると酸化力があり且つ酸性の洗浄液(酸性酸化性
洗浄液)が生成され、同じく混合装置8において、NH
4OHまたはKOH、NaOHなどのアルカリ性溶液に
オゾン水が混合されると酸化力があり且つアルカリ性の
洗浄液(アルカリ性酸化性洗浄液)が生成される。
H、NaOHなどのアルカリ性溶液と水素水が混合され
ると還元力があり且つアルカリ性の洗浄液(アルカリ性
還元性洗浄液)が生成され、混合装置9においてHC
l、HF、HNO3、H2SO4 などの酸性溶液と水素水
が混合されると還元力があり且つ酸性の洗浄液(酸性還
元性洗浄液)が生成される。
カリ性の酸化性洗浄液と、混合装置9から供給されるア
ルカリ性又は酸性洗浄液は、切換弁15により切り換え
られて選択され、洗浄室(チャンバ)16内に供給され
る。そして洗浄室16で、液晶基板等の被洗浄物が前記
4種類の洗浄液の中のいずれかの洗浄液により洗浄され
る。すなわち前記洗浄液の生成部1では、前記4種類の
洗浄液の中のいずれかの洗浄液が選択して生成され、こ
れが洗浄室16に送られ、ここで洗浄対象物である半導
体デバイスの洗浄が行われる。なお、半導体の製造は、
複数の工程からなっており、工程に応じて、異なる性状
の洗浄液が要求される場合が多い。そこで、洗浄液の生
成部1に複数種類の洗浄液を順次生成することも好適で
ある。溶解装置6、7は、酸化性のガス溶解水と、還元
性のガス溶解水を同時に生成することができる。そこ
で、一方を貯留しておくことも好適である。さらに、混
合装置を4つ設け、常時4種類の洗浄液を生成して、こ
れをそれぞれ貯留しておき、適宜洗浄室16に供給して
もよい。さらに、半導体の製造においては複数の工程が
別の場所で行われる場合もあり、この場合複数種類の洗
浄液を必要な場所に供給してもよく、また1種類の洗浄
液を複数の場所に供給してもよい。
または混合装置9において、オゾン水または水素水に対
する酸性溶液またはアルカリ性溶液の溶解濃度を調整す
ることにより、酸化還元電位やpHを任意に設定でき
る。よって、たとえば、液晶基板の各製造工程において
付着する汚染物質の種別に応じて、洗浄力の強弱を設定
することが可能である。
気分解装置2に導入する純水を加圧するための加圧ポン
プ20を設けてある点である。この加圧ポンプ20が本
発明のガス供給圧力制御装置を構成する。すなわち、加
圧ポンプの圧力を制御すると電気分解装置2において発
生するオゾンガスおよび水素ガスの圧力が制御される。
電気分解装置で発生するオゾンガスおよび水素ガスはそ
れぞれ溶解装置6と溶解装置7に供給されるためこれら
のガスの圧力が供給圧力となる。電気分解装置2へ導入
する純水の圧力をどの程度の圧力に制御すればオゾンガ
スおよび水素ガスの圧力が大気圧以上とすることができ
るかについては実際の装置を使用して実験的に求めてお
けばよい。一般的には、電気分解装置2に導入する純水
の圧力を大気圧以上、好ましくは1kgf/cm2〜5
kgf/cm2に制御し、かつ、電気分解装置2内部の
圧力を供給する純水の圧力と同じに制御すれば電気分解
装置2において発生するオゾンガスおよび水素ガスの圧
力を大気圧以上とすることができる。すなわち、電気分
解装置2の内部が密閉状態となっているため、ここで発
生するオゾンガス及び水素ガスもその圧力に応じて加圧
されたものである。これがそのまま溶解装置6、7に導
入されるため、ここで加圧状態におけるオゾンガス及び
水素ガスの超純水への溶解が行われる。また、電気分解
装置2の内部は加圧状態とはせず、電気分解により得ら
れたガスを昇圧ポンプにより、大気圧以上に加圧しても
よい。
ような構成となっている。
源からの純水と前記ガスの供給源からのガスとを混合
し、ガスを純水に溶解し、溶解水を被洗浄物に供給する
溶解装置を構成する。
にガス透過膜からなる中空糸モジュール33が配置され
ており、この中空糸モジュール33の中空糸内部に純水
を導入するための純水入口32が形成され、また、中空
糸内部の純水を外部へ排出するための純水(ガス溶解
水)出口36が形成されている。純水入口32の他端は
純水の供給源に接続されており、純水(ガス溶解水)出
口36は混合装置8または9に接続されている。なお、
pHを調整しない場合には、純水(ガス溶解水)出口3
6はガス溶解水のユースポイントに接続される。
を導入するためのガス入口34とガスを排出するための
ガス出口35が形成されている。ガス入口34の一端は
ガスの供給源である(すなわち、本例では電気分解装置
2に接続されており、加圧されたガスが容器31内部に
導入される)。一方、ガス出口35の一端は排気系に接
続されている。排気系には容器31内部の圧力が所定の
圧力となるように弁37が設けられている。この弁37
は、開閉弁や減圧弁、さらに抵抗などガスを加圧状態に
維持できれば何でもよい。さらに、溶解装置6、7内の
圧力を測定する圧力計を設けておき、これによって、弁
37を制御することによって、溶解装置6、7内の圧力
を所定値に制御することも好適である。
して分離されているが、中空糸はガスのみを透過するた
め中空糸33中の純水又は超純水にガスは溶解する。し
たがって、純水又は超純水出口36から排出される純水
又は超純水はガスが溶解している純水又は超純水であ
る。
パレーションプロダクツジャパン株式会社製のLiqu
iーCel(商品名)を用いればよい。
は超純水の流通方向と、中空糸外部のガスの流通方向と
を同方向(コンカレント)とした。しかし、中空糸内部
の純水又は超純水の流通方向と、中空糸外部のガスの流
通方向とを反対方向(カウンターカレント)とすること
も好適である。さらに、中空糸の内部にガスを流通し、
中空糸の外部に純水又は超純水を流通することも好適で
ある。このようにすることによって、ガス圧を上昇する
ことが容易になる。特に、水素ガスは、中空糸の内部に
流通して純水又は超純水溶解させることが好適である。
一方、オゾンガスは、中空糸の外部に流通させて純水又
は超純水に溶解させることが好適である。オゾンガスは
強い酸化剤であるため、オゾンガスに晒される部材は、
オゾンガスに耐えうる材質にしなければならない。とこ
ろが、中空糸の内部側の中空糸と配管との接続部などは
オゾンガスに耐えうるもので構成することが難しいから
である。容器31の内部や、中空糸モジュール33の外
側などはオゾンに耐えうるように構成することが比較的
容易である。
供給装置4と弁5との間に脱ガス装置17が設けられて
いる。この脱ガス装置17は、超純水供給装置4からの
純水から溶存ガスを除去する。例えば、充填材が充填さ
れた塔内を真空にし、ここに被処理水を落下させて、脱
ガスを行う真空脱気装置や、溶存ガスをガス透過膜で拡
散除去する膜脱気装置などが採用される。超純水供給装
置4から供給される純水には、大気中の窒素が溶解して
おり、これを除去しておくことによって、酸化性及び還
元性洗浄液による洗浄効果を上昇することができる。ま
た、大気中には酸素ガスも存在し、これが純水中に含ま
れているが、この酸素ガスを除去することで、還元性洗
浄液の洗浄効果が上昇する。
の形態例を示す。
おいて、溶解装置6、7にある溶解水中のガスの濃度を
検出するガス濃度検出装置とガス濃度検出装置からの信
号に基づきガス供給圧力制御装置(加圧ポンプ20)を
操作する制御系を付加したものである。又、ガス濃度検
出装置からの信号に基づき、ガス発生速度を操作する制
御系を付加したものである。
れぞれ設けられたガスセンサ24、25と濃度計22、
23により構成されている。なお、ガスセンサ24、2
5は、溶解装置6、7内に設けずに他の場所、たとえば
切換弁15と洗浄室16とを結ぶ配管中に設けてもよ
い。
らの信号に基づき加圧ポンプ20の動作を制御し、電気
分解装置2へ導入する純水の圧力を制御する。又は、濃
度計22、23からの信号に基づき、電気分解装置2を
制御し、ガスの発生速度を制御する。すなわち、電気分
解装置2における電解電流量を制御することでガス発生
量を制御することができる。
にも安定化することができ、ひいてはバラツキの少ない
洗浄効果を達成することが可能となる。
は、加圧ポンプ20を溶解装置6、7におけるガス圧力
の制御のために利用する。従って、ガス用に特別の昇圧
ポンプが不要となる。溶解装置6、7内へのガス供給圧
力としては、絶対圧力で、1kgf/cm2以上とする
ことが好適である。また、洗浄液は、大気圧で洗浄に使
用されるため、あまり大量の酸化性ガスや還元性ガスを
溶解しても意味のない場合も多い。また、あまり高圧に
すると、各種の装置の耐圧をそれに従って、大きくしな
ければならず、経済的に不利である。従って、圧力とし
ては、1ないし5kgf/cm2程度が好適であり、特
に1ないし3kgf/cm2程度が特に好ましい。
給源として高圧ガスボンベを用いた例であり、図5にそ
の構成例を示す。
介して溶解装置6に接続されている。高圧ガスボンベ5
1には、還元性ガス、不活性ガスあるいは酸化性ガスが
高圧で充填されている。高圧ガスボンベ51から出た高
圧のガスは減圧制御弁50で減圧され溶解装置6に導入
される。従って、本例では、減圧制御弁50がガス供給
圧力制御装置を構成する。なお、減圧といっても大気圧
以下には減圧しない。
る場合とは異なり、ガスは1種であるためラインは1ラ
インであるが他の点は第1の実施の形態例と同様であ
る。
る。
に、ガス濃度検出装置と、ガス供給圧力制御装置とを設
けてもよい。又、還元性ガスと、不活性ガスのボンベを
連結し、ガスを混合して、供給してもよい。酸化性ガス
についても同様である。ただし、酸化性ガスと還元性ガ
スが、混合しないように、配管系は、明確に分けること
が必要である。
るため、還元性洗浄液を生成する場合には、この装置が
非常に好適である。一方、大量のオゾン水を使用する場
合には、無声放電などによるオゾン発生器を利用するこ
とも好適である。
いて、溶解装置における超純水の圧力が、ガスの供給圧
力を変えた場合における超純水へのガスの可能溶解量に
影響を与えるか否かを調べた。
置における超純水圧力はガス溶解量に影響を与えない。
このことは、中空糸モジュールにおける中空糸内外にお
ける差圧の違いによりガスの溶解量は影響を受けないこ
とを意味する。つまり、水素ガスは供給圧力がガス溶解
量を支配していることがわかった。
は十分制御できることがわかる。
製造装置を用いてガス供給圧力を一定とした時のガス溶
解量が一定量に達するまでに要する時間を調べた。
ガス供給圧力を1.5kgf/cm2 とした場合には、
1.0kgf/cm2 の場合よりもガス溶解量を多くす
ることができるのみならず、所定の溶解量に達するまで
の時間を短縮することが可能である。
ゾンの溶解状況の調査結果を図11に(図1に示す装置
を使用)、また不活性ガスの場合(図5に示す装置を使
用)も図11に示すのと同様の傾向の結果が得られた。
用いて洗浄液を製造し、水素ガス供給圧力が洗浄効果に
与える影響について試験を行った。
力が1.5kgf/cm2(水素濃度2.0ppm)以
上になるとAl2O3粒子(パーティクル)の除去率は1
00%近くなり優れた洗浄効果を示す。
圧力が1.5kgf/cm2 場合について図9に比較例
とともに示す。
れば優れた洗浄効果を示す洗浄液の製造が可能なことが
わかる。
ある。
から脱ガスを行った場合の効果を示す。
溶解超純水−脱ガスなし(水素ガス1.3ppm、窒素
ガス14ppm含有) G:水素ガス大気圧溶解超純水−脱ガスあり(水素濃度
1.3ppm、窒素ガス無含有) H:水素ガス1.5kgf/cm2 溶解超純水 脱ガス
なし(水素ガス1.9ppm、窒素ガス14ppm含
有) I:水素ガス大気圧溶解超純水−脱ガスあり(水素濃度
2.0ppm、窒素ガス無含有) なお、洗浄条件は実施例3と同様である。
るように、ガス溶解前に脱ガスを行った場合には、脱ガ
スを行わなかった場合に比べ洗浄効果が著しく向上す
る。特に、0.5μmから1μmの粒子の除去効果の向
上が著しいことがわかる。 なお、以上の実施例におい
ては、超音波を照射した洗浄を示したが、超音波の照射
とともにあるいは超音波の照射を行うことなく、ブラシ
洗浄や高圧噴射洗浄を行ってもよいことはいうまでもな
い。
ガスとしてのヘリウムガスまたはアルゴンガスの混合ガ
ス、窒素ガス単独、アルゴンガス単独を超純水に溶解し
て、超音波洗浄を行ったときの効果を示す。なお、洗浄
についての試験条件は、実施例3と同様である。
アルゴンガス分圧0kgf/cm2、ヘリウムガス分圧
0kgf/cm2での気体溶解超純水 K:水素ガス分圧0.9kgf/cm2、ヘリウムガス
分圧0.1kgf/cm2での気体溶解超純水 L:水素ガス分圧0.9kgf/cm2、アルゴンガス
分圧0.1kgf/cm2での気体溶解超純水 M:水素ガス分圧1.5kgf/cm2、アルゴンガス
分圧0kgf/cm2での気体溶解超純水 N:水素ガス分圧1.4kgf/cm2、アルゴンガス
分圧0.1kgf/cm2での気体溶解超純水 O:窒素ガス分圧1.0kgf/cm2での気体溶解超
純水 P:アルゴンガス分圧1.0kgf/cm2での気体溶
解超純水 すべて、ガス溶解前に脱ガスを行い、溶存酸素、溶存窒
素をそれぞれ少なくとも1ppm以下に低減した。
るように、水素ガスと不活性ガス(この場合、ヘリウム
ガスまたはアルゴンガス)の混合ガスを溶解した場合、
水素ガスのみの溶解の場合に比べ洗浄効果が著しく向上
する。すなわち、0.5μm以上及び1.0μm以上の
微粒子のいずれにおいても洗浄効果が上昇している。ま
た、窒素ガスが溶解しているものに比べ、アルゴンガス
を溶解したものの微粒子除去効果が高いことがわかる。
液を短時間で製造することができる洗浄液の製造方法お
よびそのための装置を提供することができる。
ある。
る。
図である。
の構成図である。
る。
る。
る。
ともに示すグラフである。
ある。
ゾン濃度との関係を示すグラフである。
ある。
室、2b 陰極室、2c中心部のイオン交換膜、2d
陽極側触媒、2e 陰極側触媒、2f 陽極、2g 陰
極、3a 電源回路、3b 導入管、3c,3d 供給
管、4 超純水供給装置、5,12,14 弁、6,7
溶解装置、8,9 混合装置、11酸性溶液供給装
置、13 アルカリ性溶液供給装置、15 切換弁、1
6 洗浄室、20 加圧ポンプ、21 電気分解用純水
源、22,23 濃度計、24,25 ガスセンサ、2
8 制御系、31 容器、32 純水入口、33 中空
糸モジュール、34 ガス入口、35 ガス出口、36
純水出口、50 減圧制御弁、51 高圧ガスボン
ベ。
Claims (10)
- 【請求項1】 電子部品等の被洗浄物の洗浄液の製造方
法において、酸化性ガス、還元性ガス、不活性ガス、酸
化性ガスと不活性ガスとの混合ガスまたは還元性ガスと
不活性ガスとの混合ガスのいずれかのガスを、純水に前
記ガスの供給圧力を大気圧を超えて制御しながら溶解さ
せることを特徴とする洗浄液の製造方法。 - 【請求項2】 前記ガスの供給圧力を絶対圧力で、1な
いし5kgf/cm2の圧力に制御しながら溶解させる
ことを特徴とする請求項1に記載の洗浄液の製造方法。 - 【請求項3】 前記純水を脱ガスし、脱ガスした純水に
前記ガスを溶解させることを特徴とする請求項1に記載
の洗浄液の製造方法。 - 【請求項4】 前記ガスの溶解は、ガス透過膜を介し、
ガスを純水中に拡散させて行うことを特徴とする請求項
1に記載の洗浄液の製造方法。 - 【請求項5】 前記ガスの供給源を高圧ガスボンベと
し、該ガスの純水への供給圧力の制御を減圧制御弁によ
り行うことを特徴とする請求項1記載の洗浄液の製造方
法。 - 【請求項6】 前記酸化性ガスまたは還元性ガスの供給
源を、水の電気分解装置とし、酸化性ガスまたは還元性
ガスの供給圧力の制御は該電気分解装置への水の供給圧
力を制御することにより行うことを特徴とする請求項1
記載の洗浄液の製造方法。 - 【請求項7】 純水の供給源と、酸化性ガス、還元性ガ
ス、不活性ガス、酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガス
または還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスのいずれか
のガス供給源と、前記純水の供給源からの純水に前記ガ
スの供給源からのガスを溶解し被洗浄物に該溶解水を供
給する溶解装置と、前記ガスを前記純水に溶解する際前
記ガスの供給圧力を大気圧を超えて制御するガス供給圧
力制御装置と、を有することを特徴とする洗浄液の製造
装置。 - 【請求項8】 前記純水の供給源からの純水を脱ガスす
る脱ガス装置をさらに有し、この脱ガス装置で脱ガスし
た純水を前記溶解装置に供給することを特徴とする請求
項7に記載の洗浄液の製造装置。 - 【請求項9】 前記溶解装置は、ガス透過膜を介し、ガ
スを純水中に拡散させる膜透過型ガス溶解装置であるこ
とを特徴とする請求項7に記載の洗浄液の製造装置。 - 【請求項10】 前記溶解水中における前記ガスの濃度
を検出する濃度検出装置と、該ガス濃度検出装置からの
信号に基づき前記ガス供給圧力制御装置を操作する制御
装置とを有することを特徴とする請求項7記載の洗浄液
の製造装置。
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