JP6578317B2 - 基板処理装置、及びその制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、純水を用いる基板処理装置、及びその制御方法に関する。

半導体製造装置に含まれる化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）装置のような基板処理装置では、化学機械研磨装置の稼働時に研磨部と洗浄部で純水を使用して基板の研磨や洗浄を行ったり、化学機械研磨装置の停止時に研磨部と洗浄部の湿潤状態を保ったりするために純水を使用している（特許文献１参照）。
純水を上記のような用途に使用するに際し、装置の稼働状況によっては、純水が化学機械研磨装置の配管内に長期間留まる可能性がある。このような場合、純水にバクテリア等が発生し、このようなバクテリア等の発生した水を研磨部や洗浄部で使用するとウエハが損傷する可能性がある。そのため、化学機械研磨装置では、定期的に化学機械研磨装置の配管内に存在する純水を外部に排出し、外部に排出した分、新たな純水を供給することによって、化学機械研磨装置の配管内に存在する純水を清潔な状態に保つ必要がある。このような、純水の外部への排出を、ＤＤＳＰ（Ｄｕｍｍｙ Ｄｉｓｐｅｎｃｅ）と呼び、純水を外部へ排出する際には、化学機械研磨装置の配管内の所定のバルブを開にする。

特開２０１０−２０５７９６号公報

従来の化学機械研磨装置では、ＤＤＳＰを実施する際、化学機械研磨装置の研磨部と洗浄部のうちで稼働していない部位の配管において、稼働停止から３０分の間に１回あたり３０〜６０秒の間、上記配管から純水を排出するように所定のバルブを開閉しているが、図７に示すように、同時に複数のバルブが開となるタイミングが生じる可能性がある。図７の例では、３０分の時間間隔で毎分１７００リットルの流量の排水が６０秒間発生している。これは、図７に示す、研磨部に含まれる研磨ユニット２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄと、洗浄部に含まれる洗浄ユニットＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３の全てのバルブが開となり、化学機械研磨装置全体の純水使用量が極端に増えているためである。このように、化学機械研磨装置全体の純水使用量が極端に増える期間が発生すると、工場の純水供給系に影響するため、例えば、純水を必要とする他の装置に供給されるべき純水が欠乏する可能性がある。また、化学機械研磨装置全体の純水使用量が極端に増えると、排水も一時的に急増する。このような従来の状況は、定常的な装置の運転が望まれる工場においては、改善の余地がある。
また、工場全体のランニングコストを抑えるため、純水を含めた資源の最大使用量を最小化（平均化）し、工場内で使用される装置当りの純水使用量を一定に保つことが期待されている。そのため、図７に点線で示すように、排水流量の上限を、例えば従来の毎分１７００リットルから毎分１０００リットルに削減できるように、化学機械研磨装置のＤＤＳＰにおいて、排水流量の削減が求められている。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされ、基板処理装置、及びその制御方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明の第一の態様は、所定の流量で排水可能な排水バルブを備える複数の研磨ユニットと、所定の流量で排水可能な排水バルブを備える複数の洗浄ユニットと、複数の研磨ユニット及び複数の洗浄ユニットそれぞれの排水バルブを開閉制御可能な制御装置と、を備える基板処理装置において、制御装置は、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットに割り振られた所定の優先順位に基づいて、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットの排水バルブを開閉制御することを特徴とする。

本発明の第一の態様によれば、排水バルブを備える複数の研磨ユニットと、排水バルブを備える複数の洗浄ユニットからの総排水量を、所望の流量以内とすることができる。

本発明の第二の態様は、第一の態様において、複数の研磨ユニットからの排水は、複数の洗浄ユニットからの排水よりも優先順位が高いことを特徴とする。

本発明の第二の態様によれば、複数の研磨ユニットからの排水を、複数の洗浄ユニットからの排水よりも優先することができる。

本発明の第三の態様は、第一又は第二の態様において、制御装置は、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、所定の優先順位に基づいて、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットに設けられた排水バルブを開閉制御した結果の総排水流量が、所定の流量までに余裕がある場合、総排水流量が所定の流量の略上限となるように、優先順位を飛び越えて、余裕以下の排水流量を有するユニットの排水バルブを開閉制御することを特徴とする。

本発明の第三の態様によれば、所望の流量により近い流量で排水することができる。

本発明の第四の態様は、第一又は第二の態様において、複数の研磨ユニットのそれぞれに複数の排水バルブが設けられ、複数の洗浄ユニットのそれぞれに複数の排水バルブが設けられ、
制御装置は、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、所定の優先順位に基づいて、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた複数の排水バルブの開閉を、複数の排水バルブを全開或いは全閉することにより制御することを特徴とする。

本発明の第四の態様によれば、研磨ユニットと洗浄ユニットのそれぞれに複数の排水バルブが設けられている場合であっても、所望の流量以内で排水することができる。

本発明の第五の態様は、第四の態様において、制御装置は、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、所定の優先順位に基づいて、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた複数の排水バルブを全開或いは全閉することにより制御した結果の総排水流量が、所定の流量までに余裕があり、余裕が複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットのいずれの排水流量よりも小さい場合、総排水流量が所定の流量の略上限となるように、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた複数の排水バルブの各々を開閉制御することを特徴とする。

本発明の第五の態様によれば、所望の流量がきめ細かく設定されている場合であっても、所望の流量により近い流量で排水することができる。

本発明の第六の態様は、所定の流量で排水可能な排水バルブを備える複数の研磨ユニットと、所定の流量で排水可能な排水バルブを備える複数の洗浄ユニットと、複数の研磨ユニット及び複数の洗浄ユニットそれぞれの排水バルブを開閉制御可能な制御装置と、を備える基板処理装置の制御方法において、制御装置は、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットに割り振られた所定の優先順位に基づいて、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットの排水バルブを開閉制御することを特徴とする。

本発明の第六の態様によれば、排水バルブを備える複数の研磨ユニットと、排水バルブを備える複数の洗浄ユニットからの総排水量を、所望の流量以内とすることができる。

本発明の第七の態様は、第六の態様において、複数の研磨ユニットからの排水は、複数の洗浄ユニットからの排水よりも優先順位が高いことを特徴とする。

本発明の第七の態様によれば、複数の研磨ユニットからの排水を、複数の洗浄ユニットからの排水よりも優先することができる。

本発明の第八の態様は、第六又は第七の態様において、制御装置は、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、所定の優先順位に基づいて、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットに設けられた排水バルブを開閉制御した結果の総排水流量が、所定の流量までに余裕がある場合、総排水流量が所定の流量の略上限となるように、優先順位を飛び越えて、余裕以下の排水流量を有するユニットの排水バルブを開閉制御することを特徴とする。

本発明の第八の態様によれば、所望の流量により近い流量で排水することができる。

本発明の第九の態様は、第六又は第七の態様において、複数の研磨ユニットのそれぞれに複数の排水バルブが設けられ、複数の洗浄ユニットのそれぞれに複数の排水バルブが設けられ、
制御装置は、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、所定の優先順位に基づいて、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた複数の排水バルブの開閉を、複数の排水バルブを全開或いは全閉することにより制御することを特徴とする。

本発明の第九の態様によれば、研磨ユニットと洗浄ユニットのそれぞれに複数の排水バルブが設けられている場合であっても、所望の流量以内で排水することができる。

本発明の第十の態様は、第九の態様において、制御装置は、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、所定の優先順位に基づいて、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた複数の排水バルブを全開或いは全閉することにより制御した結果の総排水流量が、所定の流量までに余裕があり、余裕が複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットのいずれの排水流量よりも小さい場合、総排水流量が所定の流量の略上限となるように、複数の研磨ユニットと複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた複数の排水バルブの各々を開閉制御することを特徴とする。

本発明の第十の態様によれば、所望の流量がきめ細かく設定されている場合であっても、所望の流量により近い流量で排水することができる。

本発明に係る基板処理装置、及びその制御方法によれば、基板処理装置からの総排水量を所望の値以下に抑えることができ、工場の定常的な運転と、純水を含めた資源の最大使用量の最小化に貢献することができる。

本発明の実施形態に係る基板処理装置の正面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略図である。（ａ）は排水バルブがユニット毎に単数設けられている場合であり、（ｂ）は排水バルブがユニット毎に複数設けられている場合である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の排水流量を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の排水流量を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の排水流量を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の排水流量を説明するための図である。 従来技術による基板処理装置の排水流量を説明するための図である。

以下、図面を参照し、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の図面において、各部材やグラフを認識可能な大きさとするために、各部材やグラフの縮尺を適宜変更している。

（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る基板処理装置１の正面図である。図１に示す基板処理装置１は、シリコンウェハ等の基板Ｗの表面を平坦に研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ）装置である。基板処理装置１は、矩形箱状のハウジング２を備える。
ハウジング２は、平面視で略長方形に形成されている。ハウジング２の内部は隔壁によって、ロード／アンロード部１０、研磨部２０、洗浄部３０に区画されている。また、基板処理装置１は、ロード／アンロード部１０から研磨部２０に基板Ｗを搬送する基板搬送部４０と、ロード／アンロード部１０、研磨部２０、洗浄部３０、及び基板搬送部４０の動作と、研磨部２０、洗浄部３０からの排水の動作と、を制御する制御装置３（制御盤）と、を備える。

ロード／アンロード部１０は、基板Ｗを収容するフロントロード部１１を備える。フロントロード部１１は、ハウジング２の長手方向の一方側の側面に複数設けられている。複数のフロントロード部１１は、ハウジング２の幅方向（平面視で長手方向と直交する方向）に配列されている。フロントロード部１１は、例えば、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載する。ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部に基板Ｗのカセットを収納し、隔壁で覆った密閉容器であり、外部空間とは独立した環境を保つことができる。

また、ロード／アンロード部１０は、フロントロード部１１から基板Ｗを出し入れする搬送ロボット１２と、搬送ロボット１２をフロントロード部１１の並びに沿って走行させる走行機構１３と、を備える。搬送ロボット１２は、上下に２つのハンドを備えており、基板Ｗの処理前、処理後で使い分けている。例えば、フロントロード部１１に基板Ｗを戻すときは上側のハンドを使用し、フロントロード部１１から処理前の基板Ｗを取り出すときは下側のハンドを使用する。

基板搬送部４０は、ハウジング２の長手方向に延在する基板搬送路４１を備える。基板搬送路４１は、平面視で洗浄部３０が配置されている領域を通り、一端部４１ａがロード／アンロード部１０に連通し、他端部４１ｂが研磨部２０に連通している。基板搬送路４１には、基板Ｗを支持するスライドステージ、及び、このスライドステージを一端部４１ａと他端部４１ｂとの間で移動させるステージ移動機構が設けられている。一端部４１ａは、基板Ｗの搬入口であり、通常はシャッタで閉じられ、ロード／アンロード部１０の搬送ロボット１２がアクセスするときに開かれる。また、他端部４１ｂは、基板Ｗの搬出口であり、通常はシャッタで閉じられ、研磨部２０の搬送ロボット２８がアクセスするときに開かれる。

研磨部２０は、基板Ｗの研磨（あるいは研削、平坦化ともいう）を行う複数の研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）を備える。複数の研磨ユニット２１は、ハウジング２の長手方向に配列されている。研磨ユニット２１は、研磨面を有する研磨パッド２２を回転させる研磨テーブル２３と、基板Ｗを保持しかつ基板Ｗを研磨テーブル２３上の研磨パッド２２に押圧しながら研磨するためのトップリング２４と、研磨パッド２２に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル２５と、研磨パッド２２の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ２６と、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ２７と、を備える。

研磨ユニット２１は、研磨液供給ノズル２５から研磨液を研磨パッド２２上に供給しながら、トップリング２４により基板Ｗを研磨パッド２２に押し付け、さらにトップリング２４と研磨テーブル２３とを相対移動させることにより、基板Ｗを研磨してその表面を平坦にする。ドレッサ２６は、研磨パッド２２に接触する先端の回転部にダイヤモンド粒子やセラミック粒子などの硬質な粒子が固定され、この回転部を回転しつつ揺動することにより、研磨パッド２２の研磨面全体を均一にドレッシングし、平坦な研磨面を形成する。アトマイザ２７は、研磨パッド２２の研磨面に残留する研磨屑や砥粒などを高圧の流体により洗い流すことで、研磨面の浄化と、機械的接触であるドレッサ２６による研磨面の目立て作業、すなわち研磨面の再生を達成する。

また、研磨部２０は、搬送ロボット２８と、第１エクスチェンジャ２９ａと、第２エクスチェンジャ２９ｂと、を備える。研磨部２０には、複数の研磨ユニット２１の並びに沿って、ロード／アンロード部１０側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４が設定されている。第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４は、それぞれ、研磨ユニット２１Ａ、研磨ユニット２１Ｂ、研磨ユニット２１Ｃ、研磨ユニット２１Ｄに基板Ｗを受け渡す位置である。各研磨ユニット２１は、トップリング２４のアームの回動によって、第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４にアクセスする。

搬送ロボット２８は、基板搬送部４０と、第１エクスチェンジャ２９ａと、第２エクスチェンジャ２９ｂとの間で、基板Ｗの受け渡しを行う。搬送ロボット２８は、基板Ｗを保持するハンド、ハンドを上下反転させる反転機構、ハンドを支持する伸縮可能なアーム、アームを上下移動させるアーム上下移動機構、及びアームを鉛直方向に延びる軸回りに回動させるアーム回動機構等を備える。搬送ロボット２８は、第２搬送位置ＴＰ２と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動可能であり、基板搬送部４０から受け取った基板Ｗを、第１エクスチェンジャ２９ａまたは第２エクスチェンジャ２９ｂに振り分ける。また、搬送ロボット２８は、研磨モジュール２１で研磨された基板Ｗを、第１エクスチェンジャ２９ａまたは第２エクスチェンジャ２９ｂから受け取り、洗浄部３０に受け渡す。

第１エクスチェンジャ２９ａは、第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２の間で基板Ｗを搬送する機構である。第１エクスチェンジャ２９ａは、基板Ｗを支持する複数のスライドステージ、各スライドステージを異なる高さで水平方向に移動させるステージ移動機構、第１搬送位置ＴＰ１に配置された第１プッシャ、第２搬送位置ＴＰ２に配置された第２プッシャ等を備える。各スライドステージは、第１プッシャや第２プッシャが上下に通過可能な略コの字状の切欠き部を有し、ステージ移動機構によって、第１搬送位置ＴＰ１と第２搬送位置ＴＰ２の間を移動する。第１プッシャは、第１搬送位置ＴＰ１において上下に移動し、スライドステージと研磨ユニット２１Ａのトップリング２４との間における基板Ｗの受け渡しを行う。また、第２プッシャは、第２搬送位置ＴＰ２において上下に移動し、スライドステージと研磨ユニット２１Ｂのトップリング２４との間における基板Ｗの受け渡しを行う。

第２エクスチェンジャ２９ｂは、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４の間で基板Ｗを搬送する機構である。第２エクスチェンジャ２９ｂは、基板Ｗを支持する複数のスライドステージ、各スライドステージを異なる高さで水平方向に移動させるステージ移動機構、第３搬送位置ＴＰ３に配置された第３プッシャ、第４搬送位置ＴＰ４に配置された第４プッシャ等を備える。各スライドステージは、第３プッシャや第４プッシャが上下に通過可能な略コの字状の切欠き部を有し、ステージ移動機構によって、第３搬送位置ＴＰ３と第４搬送位置ＴＰ４の間を移動する。第３プッシャは、第３搬送位置ＴＰ３において上下に移動し、スライドステージと研磨ユニット２１Ｃのトップリング２４との間における基板Ｗの受け渡しを行う。また、第４プッシャは、第４搬送位置ＴＰ４において上下に移動し、スライドステージと研磨ユニット２１Ｄのトップリング２４との間における基板Ｗの受け渡しを行う。

洗浄部３０（洗浄装置）は、基板Ｗの洗浄を行う複数の洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬＡｄｄ）と、洗浄した基板Ｗを乾燥させる乾燥ユニット３２（Ｄｒｙ）と、を備える。複数の洗浄ユニットＣＬ及び乾燥ユニット３２は、ハウジング２の長手方向に配列されている。洗浄ユニットＣＬ１と洗浄ユニットＣＬＡｄｄとの間には、搬送室３３（ＷＳ：ウェハステーション）が設けられている。搬送室３３には、搬送ロボット２８から受け渡された基板Ｗを載置するステージが設けられている。また、洗浄部３０は、搬送室３３のステージに載置された基板Ｗをピックアップし、複数の洗浄ユニットＣＬと、乾燥ユニット３２と、搬送室３３との間にて基板Ｗを搬送する洗浄部基板搬送機構３４を備える。

洗浄ユニットＣＬ１は、搬送室３３に隣り合って配置され、基板Ｗを一次洗浄する。
また、洗浄ユニットＣＬ２は、洗浄ユニットＣＬ１に隣り合って配置され、基板Ｗを二次洗浄する。また、洗浄ユニットＣＬ３は、洗浄ユニットＣＬ２に隣り合って配置され、基板Ｗを三次洗浄する。乾燥ユニット３２は、洗浄ユニットＣＬ３に隣り合って配置され、例えば、ロタゴニ乾燥（ＩＰＡ（Iso-Propyl Alcohol）乾燥）を行う。なお、洗浄ユニットＣＬ１と搬送室３３を挟んで反対側に配置された洗浄ユニットＣＬＡｄｄは、洗浄の仕様に応じて追加され、例えば、洗浄ユニットＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３の洗浄処理の前に、基板Ｗを予備洗浄する。各洗浄ユニットＣＬ及び乾燥ユニット３２は、基板Ｗ及び基板Ｗを搬送する洗浄部基板搬送機構３４が通過可能なシャッタ付き開口部を備える。乾燥後は、乾燥ユニット３２とロード／アンロード部１０との間の隔壁に設けられたシャッタが開かれ、搬送ロボット１２によって乾燥ユニット３２から基板Ｗが取り出される。

上記のような構成を備える基板処理装置１（化学機械研磨（ＣＭＰ）装置）を運転するに際し、研磨部２０と洗浄部３０には、基板の研磨や洗浄に用いる純水が不図示の配管から供給される。研磨部２０と洗浄部３０が稼働している時、純水は研磨部２０と洗浄部３０に供給され続けるため、配管内で純水が留まることはない。しかしながら、研磨部２０と洗浄部３０に設けられる研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬＡｄｄ）の全てが常に稼働している訳ではない。
なお、本実施形態での純水の供給先は、主に研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）であるため、以下の説明では、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）への純水の供給を例に説明する。

例えば、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）が、一日のうち８時間稼働し１６時間稼働を休止するとする。稼働が休止している１６時間の間、研磨部２０と洗浄部３０への純水の供給が停止するため、配管にバクテリア等が発生する可能性がある。さらに、研磨ユニット２１と洗浄ユニットＣＬの稼働が再開した後、バクテリア等が発生した水を研磨部２０と洗浄部３０へ供給すると、基板Ｗを損傷させる可能性がある。そのため、研磨部２０と洗浄部３０内の純水を清潔な状態に保つため、通常、３０分に１回の時間間隔で、研磨部２０と洗浄部３０へ純水を３０〜６０秒の間供給するＤＤＳＰ（Ｄｕｍｍｙ Ｄｉｓｐｅｎｃｅ）を行う。さらに、ＤＤＳＰを行う際の純水の排水量を所望の流量以内に抑える必要がある。

研磨部２０と洗浄部３０への純水の供給について、図２と図３を用いてさらに説明する。
図２は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１の概略図であり、（ａ）は排水バルブＢがユニット毎に単数設けられている場合の基板処理装置１であり、（ｂ）は排水バルブＢがユニット毎に複数設けられている場合の基板処理装置１１０である。
図３は、本発明の第１実施形態の基板処理装置１の排水流量を説明するための図である。
本発明の第一の実施形態では、図２の（ａ）に示すように、全ての研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）に１個の排水バルブＢが設けられている。

不図示の純水供給源から研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）への純水の供給は、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）のそれぞれに１個設けられた排水バルブＢが制御装置３により開とされると開始される。この場合、不図示の純水供給源から研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）へ純水が供給されると、供給されたのと同じ量の配管内に溜まっていた純水が、新たに供給される純水に押し出される形で研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）から排水される。
ここで、本実施形態では、研磨ユニット２１Ａから毎分５００リットル排水され、研磨ユニット２１Ｂから毎分３００リットル排水され、研磨ユニット２１Ｃから毎分４００リットル排水され、研磨ユニット２１Ｄから毎分２００リットル排水されるとする。また、洗浄ユニットＣＬ１から毎分１５０リットル排水され、洗浄ユニットＣＬ２から毎分１００リットル排水され、洗浄ユニットＣＬ３から毎分５０リットル排水されるとする（図２の（ａ）参照）。
さらに、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）に設けられた全ての排水バルブＢが開となった場合の毎分１７００リットルの流量を想定最大流量と呼び、想定最大流量を超えない範囲で、任意に設定可能な排水の流量の上限（図３の例では毎分１０００リットルの流量）を総流量設定と呼ぶ。

図３を参照しながら、上記のような研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）からの想定最大流量が毎分１７００リットルの場合に、総流量設定を毎分１０００リットルに設定した場合を説明する。

図３は、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）からの総流量設定を毎分１０００リットルとし、かつ、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）からの排水の順番に優先順位を付けた本発明の第一の実施形態を説明する図である。
本発明の第１実施形態では、研磨ユニット２１Ａ、研磨ユニット２１Ｃ、研磨ユニット２１Ｂ、研磨ユニット２１Ｄ、洗浄ユニットＣＬ１、洗浄ユニットＣＬ２、洗浄ユニットＣＬ３の順番で排水が行われることを図３は示している。つまり、研磨ユニット２１Ａからの排水が最も優先順位が高く、洗浄ユニットＣＬ３からの排水が最も優先順位が低い。また、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）からの排水は、洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）からの排水よりも優先順位が高いことを示している。これは、研磨ユニット２１の方が、基板Ｗに与える影響が大きいため、研磨ユニット２１の純水をより新鮮な状態に保つためである。

即ち、制御装置３が毎分５００リットルの流量を備える研磨ユニット２１Ａの排水バルブＢを開として、研磨ユニット２１Ａから毎分５００リットルの排水が開始されると、上限の毎分１０００リットルの流量まで毎分５００リットル分の流量の余裕があるので、制御装置３が毎分４００リットルの流量を備える研磨ユニット２１Ｃの排水バルブＢを開として、研磨ユニット２１Ｃからも毎分４００リットルの排水を開始する。結果として、研磨ユニット２１Ａからの毎分５００リットルの排水と、研磨ユニット２１Ｃからの毎分４００リットルの排水により、毎分９００リットルの排水が行われ、約６０秒間継続される。
ここで、研磨ユニット２１Ａからの排水と、研磨ユニット２１Ｃからの排水が継続中に、制御装置３が毎分３００リットルの流量を備える研磨ユニット２１Ｂの排水バルブＢを開として、研磨ユニット２１Ｂからの毎分３００リットルの排水も開始すると、研磨ユニット２１Ａからの毎分５００リットル排水の排水と、研磨ユニット２１Ｃからの毎分４００リットルの排水と、研磨ユニット２１Ｂからの毎分３００リットルの排水により、合計１２００リットルの排水となり、上限の毎分１０００リットルの排水量を超えるため、制御装置３は、このような操作は行わない。
従って、研磨ユニット２１Ｂからの毎分３００リットルの排水は、制御装置３が研磨ユニット２１Ａの排水バルブＢを閉として研磨ユニット２１Ａからの毎分５００リットル排水の排水が終了するか、制御装置３が研磨ユニット２１Ｃの排水バルブＢを閉として研磨ユニット２１Ｃからの毎分４００リットルの排水が終了した時点から開始される。このように、排水流量の合計が毎分１０００リットルを超えないように制御装置３は排水バルブＢの開閉を制御する。

続いて、研磨ユニット２１Ａからの毎分５００リットル排水の排水と、研磨ユニット２１Ｃからの毎分４００リットルの排水が終了したとすると、制御装置３が研磨ユニット２１Ｂの排水バルブＢを開とする。これにより、研磨ユニット２１Ｂからの毎分３００リットルの排水が開始され、さらに、制御装置３が研磨ユニット２１Ｄの排水バルブＢを開とすることにより、研磨ユニット２１Ｄからの毎分２００リットルの排水が開始され、制御装置３が洗浄ユニットＣＬ１の排水バルブＢを開とすることにより、洗浄ユニットＣＬ１からの毎分１５０リットルの排水が開始され、制御装置３が洗浄ユニットＣＬ２の排水バルブＢを開とすることにより、洗浄ユニットＣＬ２からの毎分１００リットルの排水が開始され、制御装置３が洗浄ユニットＣＬ３の排水バルブＢを開とすることにより、洗浄ユニットＣＬ３からの毎分５０リットルの排水が開始されるため、合計で毎分８００リットルの排水が開始され約６０秒間継続する。
図３に示すように、上記のような排水が３０分間隔で繰り返されることにより、純水が研磨部２０と洗浄部３０の配管で長期間にわたって留まる事により、研磨部２０と洗浄部３０の配管内でのバクテリア等の発生を防止することができる。同時に、排水の流量を総流量設定である毎分１０００リットル以内に抑えることができ、工場の純水系に与える影響を低減することができる。

ここで、制御装置３による制御は、予め登録された、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）それぞれの排水量と、設定された総流量設定とを比較して、総流量設定を超えないように、研磨ユニット２１Ａ、研磨ユニット２１Ｃ、研磨ユニット２１Ｂ、研磨ユニット２１Ｄ、洗浄ユニットＣＬ１、洗浄ユニットＣＬ２、洗浄ユニットＣＬ３の順番で排水を行うためのプログラムがＣＰＵ（中央演算処理装置）で実行されることによって実現される。つまり、制御装置３による制御は、ソフトウェアとハードウェア資源とが協働することによって実現される。
なお、制御装置３による制御は、優先順位の高いユニットからの排水量と、総流量設定との比較とを順次行い、開とする排水バルブＢを１個毎に決定する制御であっても良いし、あらかじめ登録されたユニット毎の流量と総流量設定とを比較して、開とすべき排水バルブＢを事前に決定し、同時に複数のユニットの排水バルブＢを開とするように制御してもよい。

本発明の第一の実施形態によれば、排水バルブＢを備える複数の研磨ユニット２１と、排水バルブＢを備える複数の洗浄ユニットＣＬからの総排水量を、所望の流量以内とすることができ、工場の定常運転に資することができる。

ここで、図２の（ｂ）は、基板処理装置１１０の全ての研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと洗浄ユニットＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３に複数の排水バルブＢが設けられている場合を示す。
より具体的には、図２の（ｂ）は、全ての研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄに排水バルブＢが４個ずつ設けられ、全ての洗浄ユニットＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３に排水バルブＢが２個ずつ設けられている場合を示す。
例えば、研磨ユニット１２１Ａに設けられた４個の排水バルブを、図２の（ｂ）に示される通り、Ｂ１−１２１Ａ、Ｂ２−１２１Ａ、Ｂ３−１２１Ａ、Ｂ４−１２１Ａと呼び、洗浄ユニットＣＬ１３に設けられた２個の排水バルブＢを、Ｂ１−ＣＬ１３、Ｂ２−ＣＬ１３のように呼ぶ。
なお、図２の（ｂ）には全ての排水バルブＢの参照番号が表示されていないが、以下同様に、研磨ユニット１２１Ｂに設けられた４個の排水バルブＢをＢ１−１２１Ｂ、Ｂ２−１２１Ｂ、Ｂ３−１２１Ｂ、Ｂ４−１２１Ｂ、研磨ユニット１２１Ｃに設けられた４個の排水バルブＢをＢ１−１２１Ｃ、Ｂ２−１２１Ｃ、Ｂ３−１２１Ｃ、Ｂ４−１２１Ｃ、研磨ユニット１２１Ｄに設けられた４個の排水バルブＢをＢ１−１２１Ｄ、Ｂ２−１２１Ｄ、Ｂ３−１２１Ｄ、Ｂ４−１２１Ｄ、洗浄ユニットＣＬ１１に設けられた２個の排水バルブＢを、Ｂ１−ＣＬ１１、Ｂ２−ＣＬ１１、洗浄ユニットＣＬ１２に設けられた２個の排水バルブＢを、Ｂ１−ＣＬ１２、Ｂ２−ＣＬ１２と呼ぶ。

図２の（ｂ）に示される場合においても、図２の（ａ）に示した場合と同様に、研磨ユニット１２１Ａ、研磨ユニット１２１Ｃ、研磨ユニット１２１Ｂ、研磨ユニット１２１Ｄ、洗浄ユニットＣＬ１１、洗浄ユニットＣＬ１２、洗浄ユニットＣＬ１３の優先順位で排水が行われる。
図２の（ｂ）に示される基板処理装置１１０を使用する場合においても、個々の研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと個々の洗浄ユニットＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３に設けられる複数の排水バルブＢを制御装置３が全開或いは全閉させることにより、図２の（ａ）に示す個々の研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と個々の洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）に設けられる１個の排水バルブＢを制御装置３が開閉制御した結果である図３に示す第１実施形態と同様の制御を行なうことができる。
このように、排水バルブＢが複数設けられている場合であっても、排水バルブＢが単数設けられている場合と同様の制御を行なうことができる。

（第２実施形態）
図４を用いて、本発明の第２実施形態を説明する。図４は、本発明の第２実施形態による基板処理装置１の排水量を説明するための図である。

図４に示す本発明の第２実施形態では、図３に示す本発明の第１実施形態と同様に、想定最大流量が毎分１７００リットルに対して総流量設定が毎分１０００リットルである。
本発明の第２実施形態では、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）からの排水流量が、総流量設定である毎分１０００リットルに略等しくなるように、制御装置３が図３に示す本発明の第１実施形態の場合の優先順位を飛び越えて、個々の研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と個々の洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）に設けられる排水バルブＢの開閉を制御する点において、第１実施形態と異なっている。この差異の詳細を、図４を用いて説明する。なお、以下の説明では、上記実施形態と重複する説明は省略し、違いのみ説明する。

まず、図３に示す本発明の第１実施形態の場合の、研磨ユニット２１Ａ、研磨ユニット２１Ｃ、研磨ユニット２１Ｂ、研磨ユニット２１Ｄ、洗浄ユニットＣＬ１、洗浄ユニットＣＬ２、洗浄ユニットＣＬ３の優先順位に沿って、研磨ユニット２１Ａから排水が行われる。
この場合、制御装置３が毎分５００リットルの流量を備える研磨ユニット２１Ａの排水バルブＢを開として、研磨ユニット２１Ａから毎分５００リットル排水させても、上限の毎分１０００リットルまで余裕がある。そのため、制御装置３が毎分４００リットルの流量を備える研磨ユニット２１Ｃの排水バルブＢを開として、研磨ユニット２１Ｃからの毎分４００リットルの排水が開始される。結果として、研磨ユニット２１Ａからの毎分５００リットルの排水と、研磨ユニット２１Ｃからの毎分４００リットルの排水により、毎分９００リットルの排水が行われる。

しかしながら、この場合であっても、総流量設定の毎分１０００リットルに対して、毎分１００リットルの流量の余裕がある。上記の優先順位に従えば、研磨ユニット２１Ａと研磨ユニット２１Ｃの後には研磨ユニット２１Ｂから排水されるはずである。しかしながら、研磨ユニット２１Ｂからの排水流量は毎分３００リットルであるから、研磨ユニット２１Ａと研磨ユニット２１Ｃに加え、研磨ユニット２１Ｂからの排水も開始されると、合計で毎分１２００リットルの流量となり、総流量設定の毎分１０００リットルに収まる流量を実現できない。

本発明の第２実施形態においては、このような場合に、上記の優先順位を飛び越えて、毎分１００リットルの流量を備える洗浄ユニットＣＬ２からの排水が、研磨ユニット２１Ａからの排水と、研磨ユニット２１Ｃからの排水に続いて開始されるように制御装置３が研磨ユニット２１Ａに設けられた排水バルブＢと、研磨ユニット２１Ｃに設けられた排水バルブＢに加え、洗浄ユニットＣＬ２に設けられた排水バルブＢの開閉を制御する。

上記のように、本発明の第２実施形態では、総流量設定に等しい毎分１０００リットルの排水を、制御装置３が研磨ユニット２１Ａに設けられた排水バルブＢと、研磨ユニット２１Ｃに設けられた排水バルブＢに加え、洗浄ユニットＣＬ２に設けられた排水バルブＢの開閉を制御することにより実現する。
研磨ユニット２１Ａ、研磨ユニット２１Ｃ、洗浄ユニットＣＬ２からの排水が６０秒間継続して終了すると、研磨ユニット２１Ｂからの毎分３００リットルの排水、研磨ユニット２１Ｄからの毎分２００リットルの排水、洗浄ユニットＣＬ１からの毎分１５０リットルの排水、洗浄ユニットＣＬ３からの毎分５０リットルの排水により、合計で毎分７００リットルの排水が行われる。

本発明の第２実施形態においては、制御装置３による制御により、予め登録された、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）それぞれの排水量と、設定された総流量設定とを比較して、総流量設定を超えないように、研磨ユニット２１Ａ、研磨ユニット２１Ｃ、研磨ユニット２１Ｂ、研磨ユニット２１Ｄ、洗浄ユニットＣＬ１、洗浄ユニットＣＬ２、洗浄ユニットＣＬ３の優先順位で排水を行う。ここで、実際の排水流量が、総流量設定までに余裕がある場合、制御装置３による制御は、研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）からの総排水流量が総流量設定の略上限となるように、優先順位を飛び越えて、余裕以下の排水流量を有する研磨ユニット２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）と洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３）に設けられた排水バルブＢを開閉制御するためのプログラムがＣＰＵ（中央演算処理装置）で実行されることによって実現される。つまり、制御装置３による制御は、ソフトウェアとハードウェア資源とが協働することによって実現される。
なお、制御装置３による制御は、優先順位の高いユニットからの排水量と、総流量設定との比較とを順次行い、開とする排水バルブＢを１個毎に決定する制御であっても良いし、あらかじめ登録されたユニット毎の流量と総流量設定とを比較して、開とすべき排水バルブＢを事前に決定し、同時に複数のユニットの排水バルブＢを開とするように制御してもよい。

上記のような本発明の第２実施形態によれば、より総流量設定に近い流量にて排水を行うことができる。
なお、本発明の第２実施形態は、本発明の第１実施形態の場合と同様に、図２の（ａ）に示す排水バルブＢがユニット毎に単数設けられている場合と、図２の（ｂ）に示す排水バルブＢがユニット毎に複数設けられている場合の両方に適用可能である。

（第３実施形態）
図５を用いて本発明の第３実施形態を説明する。図５は本発明の第３実施形態の基板処理装置１１０の排水量を説明するための図である。

図５に示す本発明の第３実施形態では、想定最大流量が毎分１７００リットルに対して、総流量設定が毎分９２０リットルと設定されている点で、図３と図４に示した本発明の第１実施形態と第２実施形態と異なっている。以下の説明では、上記実施形態と重複する説明は省略し、違いのみ説明する。
なお、本発明の第３実施形態は、図２の（ｂ）に示す、排水バルブＢがユニット毎に複数設けられている場合に適用される。
ここで、図２の（ｂ）に示される、研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３）のそれぞれに設けられた複数の排水バルブＢそれぞれからの排水流量を、Ｂ１−１２１Ａ（毎分２００リットル）、Ｂ２−１２１Ａ（毎分１００リットル）、Ｂ３−１２１Ａ（毎分１００リットル）、Ｂ４−１２１Ａ（毎分１００リットル）、Ｂ１−１２１Ｂ（毎分１００リットル）、Ｂ２−１２１Ｂ（毎分１００リットル）、Ｂ３−１２１Ｂ（毎分１００リットル）、Ｂ４−１２１Ｂ（毎分１００リットル）、Ｂ１−１２１Ｃ（毎分８０リットル）、Ｂ２−１２１Ｃ（毎分８０リットル）、Ｂ３−１２１Ｃ（毎分８０リットル）、Ｂ４−１２１Ｃ（毎分６０リットル）、Ｂ１−１２１Ｄ（毎分５０リットル）、Ｂ２−１２１Ｄ（毎分５０リットル）、Ｂ３−１２１Ｄ（毎分５０リットル）、Ｂ４−１２１Ｄ（毎分５０リットル）、Ｂ１−ＣＬ１１（毎分７５リットル）、Ｂ２−ＣＬ１１（毎分７５リットル）、Ｂ１−ＣＬ１２（毎分５０リットル）、Ｂ２−ＣＬ１２（毎分５０リットル）、Ｂ１−ＣＬ１３（毎分２５リットル）、Ｂ２−ＣＬ１３（毎分２５リットル）とする。

本発明の第３実施形態では、総流量設定である毎分９２０リットルに略等しくなるように、制御装置３が優先順位を飛び越えて、個々の研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと個々の洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３）に設けられる複数の排水バルブＢの各々を開閉制御する点において、第１〜第２実施形態と異なっている。この差異の詳細を、図５を用いて説明する。

まず、研磨ユニット１２１Ａ、研磨ユニット１２１Ｃ、研磨ユニット１２１Ｂ、研磨ユニット１２１Ｄ、洗浄ユニットＣＬ１１、洗浄ユニットＣＬ１２、洗浄ユニットＣＬ１３の優先順位に沿って、研磨ユニット１２１Ａに設けられた複数の排水バルブＢ１−１２１Ａ、Ｂ２−１２１Ａ、Ｂ３−１２１Ａ、Ｂ４−１２１Ａを全開することにより、研磨ユニット１２１Ａから排水が開始される。
この場合、制御装置３が毎分５００リットルの流量を備える研磨ユニット１２１Ａの複数の排水バルブＢ１−１２１Ａ、Ｂ２−１２１Ａ、Ｂ３−１２１Ａ、Ｂ４−１２１Ａを全開して、研磨ユニット１２１Ａから毎分５００リットル排水させると、上限の毎分１０００リットルまで余裕がある。そのため、制御装置３が毎分４００リットルの流量を備える研磨ユニット１２１Ｃの複数の排水バルブＢ１−１２１Ｃ、Ｂ２−１２１Ｃ、Ｂ３−１２１Ｃ、Ｂ４−１２１Ｃを全開して、研磨ユニット１２１Ｃからの毎分４００リットルの排水を開始する。結果として、研磨ユニット１２１Ａからの毎分５００リットル排水の排水と、研磨ユニット１２１Ｃからの毎分４００リットルの排水により、毎分９００リットルの排水が行われる。

しかしながら、この場合であっても、総流量設定の毎分９２０リットルには毎分２０リットル分の余裕がある。上記の優先順位に従えば、研磨ユニット１２１Ａと研磨ユニット１２１Ｃの後には研磨ユニット１２１Ｂから排水されるはずである。しかしながら、研磨ユニット１２１Ｂからの排水量は毎分３００リットルであるから、研磨ユニット１２１Ａと研磨ユニット１２１Ｃからの排水に加え、研磨ユニット１２１Ｂからの排水が開始されると、合計で毎分１２００リットルの流量となり、総流量設定の毎分９２０リットルに収まる流量を実現できない。

本発明の第３実施形態においては、このような場合に、毎分２０リットルの流量を有する洗浄ユニットＣＬ１３のバルブＢ２からの排水が、研磨ユニット１２１Ａからの排水と、研磨ユニット１２１Ｃからの排水に続いて開始されるように制御装置３が研磨ユニット１２１Ａに設けられた複数の排水バルブＢと、研磨ユニット１２１Ｃに設けられた複数の排水バルブＢに加え、洗浄ユニットＣＬ１３に設けられた排水バルブＢ２−ＣＬ１３の開閉を制御する。

上記のように、本発明の第３実施形態では、総流量設定に等しい毎分９２０リットルの排水を、制御装置３が研磨ユニット１２１Ａに設けられた複数の排水バルブＢ１−１２１Ａ、Ｂ２−１２１Ａ、Ｂ３−１２１Ａ、Ｂ４−１２１Ａを全開するのと、研磨ユニット１２１Ｃに設けられた複数の排水バルブＢ１−１２１Ｃ、Ｂ２−１２１Ｃ、Ｂ３−１２１Ｃ、Ｂ４−１２１Ｃを全開するのに加え、洗浄ユニットＣＬ１３に設けられた排水バルブＢ２−ＣＬ１３を開とすることにより実現する。

研磨ユニット１２１Ａに設けられた複数の排水バルブＢ１−１２１Ａ、Ｂ２−１２１Ａ、Ｂ３−１２１Ａ、Ｂ４−１２１Ａ、研磨ユニット１２１Ｃに設けられた複数の排水バルブＢ１−１２１Ｃ、Ｂ２−１２１Ｃ、Ｂ３−１２１Ｃ、Ｂ４−１２１Ｃ、洗浄ユニットＣＬ１３に設けられた排水バルブＢ２−ＣＬ１３からの排水が６０秒間継続すると終了する。
その後、優先順位に沿って、研磨ユニット１２１Ｂに設けられた複数の排水バルブＢ１−１２１Ｂ、Ｂ２−１２１Ｂ、Ｂ３−１２１Ｂ、Ｂ４−１２１Ｂからの毎分３００リットルの排水、研磨ユニット１２１Ｄに設けられた複数の排水バルブＢ１−１２１Ｄ、Ｂ２−１２１Ｄ、Ｂ３−１２１Ｄ、Ｂ４−１２１Ｄからの毎分２００リットルの排水、洗浄ユニットＣＬ１１に設けられた複数の排水バルブＢ１−ＣＬ１１、Ｂ２−ＣＬ１１からの毎分１５０リットルの排水、洗浄ユニットＣＬ１２に設けられた複数の排水バルブＢ１−ＣＬ１２、Ｂ２−ＣＬ１２からの毎分１００リットルの排水、洗浄ユニットＣＬ１３に設けられた排水バルブＢ１−ＣＬ１３からの毎分３０リットルの排水による毎分７８０リットルの排水が行われる。

上記のような本発明の第３実施形態によれば、総流量設定がきめ細かく設定されている場合であっても、総流量設定に近い流量にて排水を行うことができる。
ここで、制御装置３による制御により、予め登録された、研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３）それぞれの排水流量、研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３）のそれぞれに設けられた複数の排水バルブＢそれぞれからの排水流量、及び、設定された総流量設定とを比較する。次いで、制御装置３による制御により、総流量設定を超えないように、研磨ユニット１２１Ａ、研磨ユニット１２１Ｃ、研磨ユニット１２１Ｂ、研磨ユニット１２１Ｄ、洗浄ユニットＣＬ１１、洗浄ユニットＣＬ１２、洗浄ユニットＣＬ１３の優先順位で排水を行う。同時に、制御装置３による制御は、実際の総排水流量が総流量設定までに余裕がある場合であって、この余裕が、研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３）のいずれの排水流量よりも小さい場合、総排水流量が総流量設定の略上限となるように、研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３）のそれぞれに設けられた複数の排水バルブＢを開閉制御するためのプログラムがＣＰＵ（中央演算処理装置）で実行されることによって実現される。つまり、制御装置３による制御は、ソフトウェアとハードウェア資源とが協働することによって実現される。
なお、制御装置３による制御は、優先順位の高いユニットからの排水量、個々のユニットの排水バルブＢからの排水量、及び総流量設定との比較とを順次行い、開とする排水バルブＢをユニット毎、又は排水バルブＢ毎に順次決定する制御であっても良いし、あらかじめ登録されたユニット毎の流量、ユニットの排水バルブＢ毎の流量、及び総流量設定とを比較して、開とすべき排水バルブＢを事前に決定し、複数のユニットの全ての排水バルブＢ、及び、あるユニットの１個の排水バルブＢを同時に開とするように制御してもよい。

上記のような実施形態に記載される場合以外にも、制御装置３は以下のような制御をしても良い。

図２の（ｂ）に示す、排水バルブＢがユニット毎に複数設けられている場合において、図６に示すように、総流量設定が毎分２００リットルに設定された場合を考える。
図６に示すように、研磨ユニット１２１Ａ、研磨ユニット１２１Ｃ、研磨ユニット１２１Ｂ、研磨ユニット１２１Ｄ、洗浄ユニットＣＬ１１、洗浄ユニットＣＬ１２、洗浄ユニットＣＬ１３の優先順位で排水が行われる。
しかしながら、総流量設定が毎分２００リットルであり、研磨ユニット１２１Ａからの毎分５００リットルより小さいため、研磨ユニット１２１Ａの個々の排水バルブＢ１−１２１Ａ、Ｂ２−１２１Ａ、Ｂ３−１２１Ａ、Ｂ４−１２１Ａから順番に排水が開始される。

この場合、最初に毎分２００リットルの流量を備える研磨ユニット１２１Ａの排水バルブＢ１−１２１Ａからの排水が始まって６０秒間継続し終了する。その瞬間から、次に優先順位の高い毎分１００リットルの流量を備える研磨ユニット１２１Ａの排水バルブＢ２−１２１と、毎分１００リットルの流量を備える研磨ユニット１２１Ａの排水バルブＢ３−１２１からの排水が始まり６０秒間継続する。

このように、排水バルブＢ毎に、順番に排水が行われるため、優先順位が最低のＢ１−ＣＬ１３やＢ２−ＣＬ１３の排水は、研磨ユニット１２１Ａの排水バルブＢ１−１２１Ａからの排水が始まってから、或る程度の待ち時間の後に行われる。

通常、数分の待ち時間であれば、バクテリア等の発生状況に大きな差異は生まれない。しかしながら、例えば、図６に示すように、優先順位が最低の排水バルブＢ１−ＣＬ１３やＢ２−ＣＬ１３の排水が開始される前に、排水バルブＢ１−ＣＬ１３やＢ２−ＣＬ１３よりも優先順位が高い別の排水バルブ（図６の例では、排水バルブＢ１−１２１Ｅ、Ｂ２−１２１Ｅ、Ｂ３−１２１Ｅ、Ｂ４−１２１Ｅ、Ｂ１−１２１Ｆ、Ｂ２−１２１Ｆ、Ｂ３−１２１Ｆ、Ｂ４−１２１Ｆ）を備えた図２の（ｂ）に不図示の研磨ユニット１２１Ｅ、１２１Ｆが基板処理装置１に備わっていたとして、これらの研磨ユニット１２１Ｅ、１２１Ｆの排水バルブＢ１−１２１Ｅ、Ｂ２−１２１Ｅ、Ｂ３−１２１Ｅ、Ｂ４−１２１Ｅ、Ｂ１−１２１Ｆ、Ｂ２−１２１Ｆ、Ｂ３−１２１Ｆ、Ｂ４−１２１Ｆからの排水が開始されるとする。このような場合、優先順位が最低のＢ１−ＣＬ１３やＢ２−ＣＬ１３からの排水の開始はさらに遅れることになる。

このような場合、例えば、最初に研磨ユニット１２１Ａの排水バルブＢ１−１２１Ａからの排水が始まってから１０分以内に、優先順位が最低の排水バルブＢ１−ＣＬ１３やＢ２−ＣＬ１３からの排水が終了するように、図６に矢印で表示するように、排水バルブＢ１−ＣＬ１３やＢ２−ＣＬ１３からの排水の優先順位を繰り上げても良い。

また、例えば、歩留まりが良好であった際や検出された異物が少なかった際などのように、基板処理装置１のパフォーマンスが良好であった場合の研磨ユニット２１と洗浄ユニットＣＬからの排水順序を不図示の記憶部が記憶し、基板処理装置１のパフォーマンスが良好であった時と同じ排水順序で排水を行うように制御装置３が制御しても良い。このように、基板処理装置１のパフォーマンスが良好であった時の排水順序を倣えば、基板処理装置１が再び高いパフォーマンスで稼働することが期待できるからである。

また、第３実施形態では、制御装置３は、総排水流量が総流量設定までに余裕がある場合であって、この余裕が、研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３）のいずれの排水流量よりも小さい場合、総排水流量が総流量設定の略上限となるように、研磨ユニット１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄと洗浄ユニットＣＬ（ＣＬ１１，ＣＬ１２，ＣＬ１３）のそれぞれに設けられた複数の排水バルブＢを開閉制御するとした。しかしながら、制御装置３は、総排水流量が総流量設定の上限以下であり、かつ、図６に示した優先順位の高い排水バルブＢからの排水が優先されるように制御しても良い。
なお、上記実施形態において例示したユニット毎の排水の優先順位や排水量、排水バルブ毎の排水の優先順位と排水量は一例であって、任意に設定可能である。
また、上述した個々のＣＭＰ装置の制御装置の機能が工場内の製造ライン毎におかれても良く、あるいは工場全体を一つにまとめておかれても良く、その場合は製造ライン毎や工場内の純水の使用量を一定に保つことができる。

その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態に係る基板処理装置１における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上記の異なる実施形態に係る基板処理装置１の制御方法を適宜組み合わせてもよい。

１、１１０ 基板処理装置
３ 制御装置
Ｂ、Ｂ１−１２１Ａ、Ｂ２−１２１Ａ、Ｂ３−１２１Ａ、Ｂ４−１２１Ａ、Ｂ１−ＣＬ１３、Ｂ２−ＣＬ１３ 排水バルブ
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ、１２１Ａ、１２１Ｂ、１２１Ｃ、１２１Ｄ 研磨ユニット
ＣＬ、ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３、ＣＬ１１、ＣＬ１２、ＣＬ１３ 洗浄ユニット

Claims (12)

1. 配管を介して供給される純水を所定の流量で配管から排水可能な排水バルブを備え、配管から排水された純水が外部に排水される複数の研磨ユニットと、配管を介して供給される純水を所定の流量で配管から排水可能な排水バルブを備え、配管から排水された純水が外部に排水される複数の洗浄ユニットと、前記複数の研磨ユニット及び前記複数の洗浄ユニットそれぞれの前記排水バルブを開閉制御可能な制御装置と、を備える基板処理装置において、
   前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットの稼働が休止している場合に、予め規定された時間間隔で、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットに割り振られた所定の優先順位に基づいて、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットの前記排水バルブを開閉制御することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記複数の研磨ユニットからの排水は、前記複数の洗浄ユニットからの排水よりも優先順位が高いことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの総排水流量が前記所定の流量以内となるように、前記所定の優先順位に基づいて、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットに設けられた前記排水バルブを開閉制御した結果の前記総排水流量が、前記所定の流量までに余裕がある場合、前記総排水流量が前記所定の流量の略上限となるように、前記優先順位を飛び越えて、前記余裕以下の排水流量を有するユニットの前記排水バルブを開閉制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記複数の研磨ユニットのそれぞれに複数の前記排水バルブが設けられ、前記複数の洗浄ユニットのそれぞれに複数の前記排水バルブが設けられ、
   前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの総排水流量が前記所定の流量以内となるように、前記所定の優先順位に基づいて、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた前記複数の前記排水バルブの開閉を、前記複数の前記排水バルブを全開或いは全閉することにより制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
5. 前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの総排水流量が前記所定の流量以内となるように、前記所定の優先順位に基づいて、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた前記複数の前記排水バルブを全開或いは全閉することにより制御した結果の前記総排水流量が、前記所定の流量までに余裕があり、前記余裕が前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットのいずれの排水流量よりも小さい場合、前記総排水流量が前記所定の流量の略上限となるように、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた前記複数の前記排水バルブの各々を開閉制御することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
6. 自装置のパフォーマンスが良好であった場合における前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットの排水順序を記憶する記憶部を備え、
   前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの排水が、前記記憶部に記憶された前記排水順序で行われるように、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットの前記排水バルブを開閉制御する
   ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の基板処理装置。
7. 配管を介して供給される純水を所定の流量で配管から排水可能な排水バルブを備え、配管から排水された純水が外部に排水される複数の研磨ユニットと、配管を介して供給される純水を所定の流量で配管から排水可能な排水バルブを備え、配管から排水された純水が外部に排水される複数の洗浄ユニットと、前記複数の研磨ユニット及び前記複数の洗浄ユニットそれぞれの前記排水バルブを開閉制御可能な制御装置と、を備える基板処理装置の制御方法において、
   前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットの稼働が休止している場合に、予め規定された時間間隔で、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの総排水流量が所定の流量以内となるように、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットに割り振られた所定の優先順位に基づいて、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットの前記排水バルブを開閉制御することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
8. 前記複数の研磨ユニットからの排水は、前記複数の洗浄ユニットからの排水よりも優先順位が高いことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置の制御方法。
9. 前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの総排水流量が前記所定の流量以内となるように、前記所定の優先順位に基づいて、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットに設けられた前記排水バルブを開閉制御した結果の前記総排水流量が、前記所定の流量までに余裕がある場合、前記総排水流量が前記所定の流量の略上限となるように、前記優先順位を飛び越えて、前記余裕以下の排水流量を有するユニットの前記排水バルブを開閉制御することを特徴とする請求項７又は８に記載の基板処理装置の制御方法。
10. 前記複数の研磨ユニットのそれぞれに複数の前記排水バルブが設けられ、前記複数の洗浄ユニットのそれぞれに複数の前記排水バルブが設けられ、前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの総排水流量が前記所定の流量以内となるように、前記所定の優先順位に基づいて、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた前記複数の前記排水バルブの開閉を、前記複数の前記排水バルブを全開或いは全閉することにより制御することを特徴とする請求項７又は８に記載の基板処理装置の制御方法。
11. 前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの総排水流量が前記所定の流量以内となるように、前記所定の優先順位に基づいて、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた前記複数の前記排水バルブを全開或いは全閉することにより制御した結果の前記総排水流量が、前記所定の流量までに余裕があり、前記余裕が前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットのいずれの排水流量よりも小さい場合、前記総排水流量が前記所定の流量の略上限となるように、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットにそれぞれ設けられた前記複数の前記排水バルブの各々を開閉制御することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置の制御方法。
12. 自装置のパフォーマンスが良好であった場合における前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットの排水順序を記憶部に記憶し、
    前記制御装置は、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットからの排水が、前記記憶部に記憶された前記排水順序で行われるように、前記複数の研磨ユニットと前記複数の洗浄ユニットの前記排水バルブを開閉制御する
    ことを特徴とする請求項７から請求項１１の何れか一項に記載の基板処理装置の制御方法。

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