JP2007220810A - Cmp装置の状態把握方法、及びcmp装置 - Google Patents
Cmp装置の状態把握方法、及びcmp装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007220810A JP2007220810A JP2006038272A JP2006038272A JP2007220810A JP 2007220810 A JP2007220810 A JP 2007220810A JP 2006038272 A JP2006038272 A JP 2006038272A JP 2006038272 A JP2006038272 A JP 2006038272A JP 2007220810 A JP2007220810 A JP 2007220810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- slurry
- cmp apparatus
- additive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】 研磨液供給ノズル5から研磨テーブル1の研磨面に研磨液101を供給すると共に、研磨ヘッド3で保持した基板4を該研磨面に押圧し、該研磨面と該基板4の相対的運動で該基板4を研磨するCMP装置において、セリアスラリーを収容するスラリータンク7と、純水又は添加剤を収容する複数の添加物タンク6、8を備え、スラリータンク7から研磨液供給ノズルに供給するセリアスラリーに複数の添加物タンクの一つ又は複数から純水又は添加剤を添加し混合した研磨液を研磨テーブル1の研磨面に供給するように構成し、装置立ち上げ時の状態把握のためのテスト基板研磨時の研磨液の組成と、製品基板を研磨する製品研磨時の研磨液の組成を変える。
【選択図】図1
Description
2 研磨パッド
3 研磨ヘッド
4 基板
5 研磨液供給ノズル
6 第1添加物収容タンク
7 スラリータンク
8 第2添加物収容タンク
9 ポンプ
10 ポンプ
11 ポンプ
12 配管
13 配管
14 配管
31 ハウジング
32 隔壁
33 隔壁
34 隔壁
40 ロード/アンロード部
41 フロントロード部
42 走行機構
43 第1搬送ロボット
50 研磨部
51 第1研磨部
52 第2研磨部
53A 研磨テーブル
53B 研磨テーブル
53C 研磨テーブル
53D 研磨テーブル
54A トップリング
54B トップリング
54C トップリング
54D トップリング
55A 研磨液供給ノズル
55B 研磨液供給ノズル
55C 研磨液供給ノズル
55D 研磨液供給ノズル
56A ドレッサ
56B ドレッサ
56C ドレッサ
56D ドレッサ
57A アトマイザ
57B アトマイザ
57C アトマイザ
57D アトマイザ
60 洗浄部
61 第2搬送ロボット
62 搬送ユニット
64 洗浄機
65 洗浄機
66 洗浄機
67 洗浄機
71 第1リニアトランスポータ
72 反転機
73 リフタ
74 プッシャ
75 プッシャ
76 リフタ
77 第2リニアトランスポータ
78 リフタ
80 プッシャ
81 プッシャ
Claims (7)
- 面上に絶縁膜が形成されたテスト基板を研磨してCMP装置の状態を把握するCMP装置の状態把握方法において、
前記テスト基板研磨時に、パターンが形成された製品基板研磨時に用いる研磨液とは組成の異なる研磨液を用いて前記テスト基板の研磨を行うことを特徴とするCMP装置の状態把握方法。 - 請求項1に記載のCMP装置の状態把握方法において、
前記組成の異なる研磨液とは、純水によるスラリー希釈倍率が前記製品基板研磨時に用いる研磨液のスラリ−希釈倍率と異なることを特徴とするCMP装置の状態把握方法。 - 請求項1に記載のCMP装置の状態把握方法において、
前記組成の異なる研磨液とは、スラリーに添加する添加剤の濃度が前記製品基板研磨時に用いる研磨液のスラリ−に添加する添加剤の濃度と異なることを特徴とするCMP装置の状態把握方法。 - 請求項3に記載のCMP装置の状態把握方法において、
前記組成の異なる研磨液とは、スラリーに添加する添加剤の濃度が前記製品基板研磨時に用いる研磨液のスラリ−に添加する添加剤の濃度より低いことを特徴とするCMP装置の状態把握方法。 - 請求項1に記載のCMP装置の状態把握方法において、
前記組成の異なる研磨液とは、スラリーに添加する添加剤の種類が前記製品基板研磨時に用いる研磨液のスラリーに添加する添加剤とは異なることを特徴とするCMP装置の状態把握方法。 - CMP装置の状態確認のために製品基板と異なるテスト基板を研磨して該CMP装置の状態を把握するCMP装置の状態把握方法において、
前記テスト基板を製品基板研磨時に用いる研磨条件と異なる研磨条件で研磨することを特徴とするCMP装置の状態把握方法。 - 研磨テーブル、研磨ヘッド、研磨液供給ノズルを備え、研磨液供給ノズルから前記研磨テーブルの研磨面に研磨液を供給すると共に、前記研磨ヘッドで保持した基板を該研磨面に押圧し、該研磨面と該基板の相対的運動により該基板を研磨するCMP装置において、
スラリーを収容するスラリータンクと、純水又は添加剤を収容する複数の添加物タンクを備え、前記スラリータンクから前記研磨液供給ノズルに供給するスラリーに前記複数の添加物タンクの一つ又は複数から純水又は添加剤を添加し混合し、該混合した混合スラリーを前記研磨液として前記研磨テーブルの研磨面に供給するように構成し、
装置立ち上げ時や日常点検での状態把握のためのテスト基板研磨時の研磨液の組成と、製品基板を研磨する製品研磨時の研磨液の組成を変えることを特徴とするCMP装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006038272A JP2007220810A (ja) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | Cmp装置の状態把握方法、及びcmp装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006038272A JP2007220810A (ja) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | Cmp装置の状態把握方法、及びcmp装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007220810A true JP2007220810A (ja) | 2007-08-30 |
Family
ID=38497775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006038272A Withdrawn JP2007220810A (ja) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | Cmp装置の状態把握方法、及びcmp装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007220810A (ja) |
-
2006
- 2006-02-15 JP JP2006038272A patent/JP2007220810A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102326734B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US6494985B1 (en) | Method and apparatus for polishing a substrate | |
US10478938B2 (en) | Polishing method and apparatus | |
US7383601B2 (en) | Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same | |
JPWO2003071593A1 (ja) | ポリッシング方法および研磨液 | |
TW201442092A (zh) | 研磨裝置及研磨方法 | |
WO2018030254A1 (ja) | 化学機械研磨後の基板洗浄技術 | |
US20140158159A1 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
TWI503877B (zh) | 基板處理方法 | |
US20150290766A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6587379B2 (ja) | 研磨装置 | |
US20130040456A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US9721801B2 (en) | Apparatus and a method for treating a substrate | |
US10500691B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TW201731632A (zh) | 拋光後晶圓清潔 | |
TW201842568A (zh) | 基板處理裝置及其控制方法 | |
JP2000237952A (ja) | 研磨装置および半導体装置の製造方法 | |
US20050155629A1 (en) | Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same | |
US6824622B2 (en) | Cleaner and method for removing fluid from an object | |
JP6640041B2 (ja) | 洗浄装置及び基板処理装置 | |
JP2007220810A (ja) | Cmp装置の状態把握方法、及びcmp装置 | |
KR20210080609A (ko) | 기판 처리 장치 | |
WO2017094406A1 (ja) | 基板処理装置の排気装置 | |
KR101225923B1 (ko) | 혼합형 반도체 세정 장치 | |
US20080070407A1 (en) | Method for forming a conductive pattern in a semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080714 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080714 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090811 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090811 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091007 |