TW201842568A - 基板處理裝置及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示基板處理裝置。一種實施形態中，基板處理裝置具備：具備可以指定流量排水之排水閥門的複數個研磨單元；具備可以指定流量排水之排水閥門的複數個洗淨單元；及可開關控制前述複數個研磨單元及前述複數個洗淨單元之各個前述排水閥門的控制裝置；前述控制裝置係以來自前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之總排水流量在指定流量以內之方式，依據對前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元所分配之指定的優先順序，開關控制前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元的前述排水閥門。

Description

基板處理裝置及其控制方法 (援用記載)
本申請案對2017年5月1日申請之日本專利申請第2017-091413號主張優先權，此處援用其內容。
本發明係關於一種使用純水之基板處理裝置、及其控制方法。
半導體製造裝置中包含之化學機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)裝置等基板處理裝置，係在化學機械研磨裝置運轉時，以研磨部與洗淨部使用純水進行基板之研磨及洗淨，或是在化學機械研磨裝置停止時，為了保持研磨部與洗淨部之濕潤狀態而使用純水(參照日本特開2010-205796號公報)。
基於上述用途而使用純水時，依裝置之運轉狀況，純水有可能長期間滯留於化學機械研磨裝置的配管內。此時純水中會產生細菌等，研磨部及洗淨部若使用產生細菌等的水時可能會造成晶圓損傷。因而化學機械研磨裝置需要定期將化學機械研磨裝置配管內存在的純水排出外部，並藉由供給排出外部部分之新的純水，而將化學機械研磨裝置配管內存在之純水保持潔淨狀態。將此 種純水排出外部稱為DDSP(虛擬分配(Dummy Dispence))，將純水排出外部時，打開化學機械研磨裝置之配管中的指定閥門。
過去之化學機械研磨裝置在實施DDSP時，化學機械研磨裝置之研磨部與洗淨部中未運轉部位的配管中，係從停止運轉起每30分鐘開閉指定之閥門，而以30~60秒鐘從上述配管排出純水，不過如第七圖所示，有時會同時打開複數個閥門。第七圖之例係以30分鐘的時間間隔，以每分鐘1700公升之流量排水60秒鐘。此因，第七圖所示之研磨部所包含之研磨單元21A、21B、21C、21D、與洗淨部所包含之洗淨單元CL1、CL2、CL3的全部閥門打開，導致整個化學機械研磨裝置的純水使用量極端增加。因此，在整個化學機械研磨裝置之純水使用量極端增加的期間，因為影響到工廠之純水供給系統，例如有可能缺乏應供給至其他需要純水之裝置的純水。此外，當整個化學機械研磨裝置之純水使用量極端增加時，排水也暫時驟增。此種過去狀況對於裝置需要穩定運轉之工廠而言仍有改善的餘地。
此外，為了抑制整個工廠的營運成本，期待將包含純水之資源的最大使用量予以最小化(平均化)，並使工廠內使用之各裝置的純水使用量保持一定。因而，如第七圖之虛線所示，在化學機械研磨裝置之DDSP中要求減少排水流量，使排水流量之上限例如從過去每分鐘1700公升減少到每分鐘1000公升。
本發明鑑於上述情形，提供一種基板處理裝置、及其控制方法。
本發明第一樣態之基板處理裝置具備：複數個研磨單元，其係具備可以指定流量排水之排水閥門；複數個洗淨單元，其係具備可以指定流量排水之排水閥門；及控制裝置，其係可開閉控制複數個研磨單元及複數個洗淨單元之各個排水閥門；控制裝置係以來自複數個研磨單元與複數個洗淨單元之總排水流量在指定流量以內之方式，依據對複數個研磨單元與複數個洗淨單元所分配之指定的優先順序，開關控制複數個研磨單元與複數個洗淨單元的排水閥門。
採用上述第一樣態時，來自具備排水閥門之複數個研磨單元、與具備排水閥門之複數個洗淨單元的總排水量可到達希望之流量以內。
本發明第二樣態如第一樣態之基板處理裝置，其中來自複數個研磨單元之排水的優先順序，比來自複數個洗淨單元之排水高。
採用上述第二樣態時，可使來自複數個研磨單元之排水，比來自複數個洗淨單元的排水優先。
本發明第三樣態如第一或第二樣態之基板處理裝置，其中控制裝置係以來自複數個研磨單元與複數個洗淨單元之總排水流量到達指定流量以內的方式，依據指定之優先順序開閉控制設於複數個研磨單元與複數個洗淨單元之排水閥門的結果之總排水流量，在到達指定流量有餘裕時，係以總排水流量成為指定流量之概略上限的方式，跳過優先順序，而開閉控制具有餘裕以下排水流量之單元的排水閥門。
採用上述第三樣態時，可以更接近希望流量之流量排水。
本發明第四樣態如第一或第二樣態之基板處理裝置，其中分別在複數個研磨單元設置複數個排水閥門，並分別在複數個洗淨單元設置複數個排水閥門，控制裝置係以來自複數個研磨單元與複數個洗淨單元之總排水流量到 達指定流量以內的方式，依據指定之優先順序，藉由將複數個排水閥門全開或全閉，來控制分別設於複數個研磨單元與複數個洗淨單元之複數個排水閥門的開閉。
採用上述第四樣態時，即使分別在研磨單元與洗淨單元設有複數個排水閥門時，仍可在希望之流量以內排水。
本發明第五樣態如第四樣態之基板處理裝置，其中控制裝置係以來自複數個研磨單元與複數個洗淨單元之總排水流量到達指定流量以內的方式，依據指定之優先順序，藉由將分別設於複數個研磨單元與複數個洗淨單元之複數個排水閥門全開或全閉而控制的結果之總排水流量，在到達指定流量有餘裕，且餘裕比複數個研磨單元與複數個洗淨單元之其中一個排水流量小時，係以總排水流量成為指定流量之概略上限的方式，開閉控制分別設於複數個研磨單元與複數個洗淨單元之複數個排水閥門的各個。
採用上述第五樣態時，即使非常微細地設定希望流量，仍可以更接近希望流量之流量排水。
本發明第六樣態的基板處理裝置之控制方法，該基板處理裝置具備：複數個研磨單元，其係具備可以指定流量排水之排水閥門；複數個洗淨單元，其係具備可以指定流量排水之排水閥門；及控制裝置，其係可開閉控制複數個研磨單元及複數個洗淨單元之各個排水閥門；控制裝置係以來自複數個研磨單元與複數個洗淨單元之總排水流量在指定流量以內之方式，依據對複數個研磨單元與複數個洗淨單元所分配之指定的優先順序，開關控制複數個研磨單元與複數個洗淨單元的排水閥門。
採用上述第六樣態時，可使來自具備排水閥門之複數個研磨單元、與具備排水閥門之複數個洗淨單元的總排水量到達希望之流量以內。
本發明第七樣態如第六樣態的基板處理裝置之控制方法，其中來自複數個研磨單元之排水的優先順序，比來自複數個洗淨單元之排水高。
採用上述第七樣態時，可使來自複數個研磨單元之排水，比來自複數個洗淨單元的排水優先。
本發明第八樣態如第六或第七樣態的基板處理裝置之控制方法，其中控制裝置係以來自複數個研磨單元與複數個洗淨單元之總排水流量到達指定流量以內的方式，依據指定之優先順序開閉控制設於複數個研磨單元與複數個洗淨單元之排水閥門的結果之總排水流量，在到達指定流量有餘裕時，係以總排水流量成為指定流量之概略上限的方式，跳過優先順序，而開閉控制具有餘裕以下排水流量之單元的排水閥門。
採用上述第八樣態時，可以更接近希望流量之流量排水。
本發明第九樣態如第六或第七樣態的基板處理裝置之控制方法，其中分別在複數個研磨單元設置複數個排水閥門，並分別在複數個洗淨單元設置複數個排水閥門，控制裝置係以來自複數個研磨單元與複數個洗淨單元之總排水流量到達指定流量以內的方式，依據指定之優先順序，藉由將複數個排水閥門全開或全閉，來控制分別設於複數個研磨單元與複數個洗淨單元之複數個排水閥門的開閉。
採用上述第九樣態時，即使分別在研磨單元與洗淨單元設有複數個排水閥門時，仍可在希望之流量以內排水。
本發明第十樣態如第九樣態的基板處理裝置之控制方法，其中控制裝置係以來自複數個研磨單元與複數個洗淨單元之總排水流量到達指定流量以內的方式，依據指定之優先順序，藉由將分別設於複數個研磨單元與複數個洗淨單元之複數個排水閥門全開或全閉而控制的結果之總排水流量，在到達指定流量有餘裕，且餘裕比複數個研磨單元與複數個洗淨單元之其中一個排水流量小時，係以總排水流量成為指定流量之概略上限的方式，開閉控制分別設於複數個研磨單元與複數個洗淨單元之複數個排水閥門的各個。
採用上述第十樣態時，即使非常微細地設定希望流量，仍可以更接近希望流量之流量排水。
採用本發明之上述樣態時，可將來自基板處理裝置之總排水量抑制在希望值以下，有助於工廠穩定運轉、及將包含純水之資源的最大使用量予以最小化。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧機殼
3‧‧‧控制裝置
10‧‧‧裝載/卸載部
11‧‧‧前裝載部
12‧‧‧搬送機器人
13‧‧‧行駛機構
20‧‧‧研磨部
21(21A~21D)、121A~121D‧‧‧研磨單元
22‧‧‧研磨墊
23‧‧‧研磨台
24‧‧‧上方環形轉盤
25‧‧‧研磨液供給噴嘴
26‧‧‧修整器
27‧‧‧霧化器
28‧‧‧搬送機器人
29a‧‧‧第一交換機
29b‧‧‧第二交換機
30‧‧‧洗淨部
32‧‧‧乾燥單元
33‧‧‧搬送室
34‧‧‧洗淨部基板搬送機構
40‧‧‧基板搬送部
41‧‧‧基板搬送路徑
41a‧‧‧一端部
41b‧‧‧另一端部
CL(CL1~CL3、CL11~CL13)、CLAdd‧‧‧洗淨單元
TP1~TP4‧‧‧第一~第四搬送位置
W‧‧‧基板
WS‧‧‧晶圓站
第一圖係本發明實施形態之基板處理裝置的前視圖。
第二A圖係本發明實施形態之基板處理裝置的概略圖，且顯示每單元設有一個排水閥門時。
第二B圖係本發明實施形態之基板處理裝置的概略圖，且顯示每單元設有複數個排水閥門時。
第三圖係本發明實施形態之基板處理裝置的排水流量說明圖。
第四圖係本發明實施形態之基板處理裝置的排水流量說明圖。
第五圖係本發明實施形態之基板處理裝置的排水流量說明圖。
第六圖係本發明實施形態之基板處理裝置的排水流量說明圖。
第七圖係過去技術之基板處理裝置的排水流量說明圖。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態。另外，以下之圖式中，為了將各構件及曲線圖形成可辨識的大小，而適切變更各構件及曲線圖之比例尺。
(第一種實施形態)
使用第一圖說明本發明之第一種實施形態。第一圖係第一種實施形態之基板處理裝置1的前視圖。
第一圖所示之基板處理裝置1係將矽晶圓等基板W表面研磨成平坦之化學機械研磨(CMP)裝置。基板處理裝置1具備矩形箱狀之機殼2。
機殼2平面觀看形成概略長方形。機殼2內部藉由分隔壁劃分成裝載/卸載部10、研磨部20、洗淨部30。此外，基板處理裝置1具備：從裝載/卸載部10搬送基板W至研磨部20之基板搬送部40；及控制裝載/卸載部10、研磨部20、洗淨部30、及基板搬送部40之動作，與從研磨部20、洗淨部30排水之動作的控制裝置3(控制面板)。
裝載/卸載部10具備收容基板W之前裝載部11。前裝載部11在機殼2之長度方向的一個側面設有複數個。複數個前裝載部11排列於機殼2之寬度方向(平面觀看與長度方向正交之方向)。前裝載部11例如搭載開放式匣盒、SMIF(晶舟承載(Standard Manufacturing Interface))盒、或FOUP(前開式晶圓傳送盒 (Front Opening Unified Pod))。SMIF、FOUP係在內部收納基板W之匣盒，並以分隔壁覆蓋的密閉容器，且可與外部空間保持獨立之環境。
此外，裝載/卸載部10具備：從前裝載部11搬出搬入基板W之搬送機器人12；及使搬送機器人12沿著前裝載部11之排列而行駛的行駛機構13。搬送機器人12在上下具備2個手部，在基板W之處理前及處理後分開使用。例如，將基板W送回前裝載部11時使用上部的手部，從前裝載部11取出處理前之基板W時使用下部的手部。
基板搬送部40具備在機殼2之長度方向延伸的基板搬送路徑41。基板搬送路徑41在平面觀看係通過配置有洗淨部30之區域，一端部41a連通於裝載/卸載部10，另一端部41b連通於研磨部20。基板搬送路徑41中設有支撐基板W之滑動載台；及使滑動載台在一端部41a與另一端部41b之間移動的載台移動機構。一端部41a係基板W之搬入口，且通常以快門關閉，於裝載/卸載部10之搬送機器人12存取時打開。此外，另一端部41b係基板W之搬出口，且通常以快門關閉，於研磨部20之搬送機器人28存取時打開。
研磨部20具備進行基板W之研磨(或是亦稱為磨削、平坦化)的複數個研磨單元21(21A、21B、21C、21D)。複數個研磨單元21排列於機殼2之長度方向。研磨單元21具備：使具有研磨面之研磨墊22旋轉的研磨台23；保持基板W，且將基板W按壓於研磨台23上之研磨墊22同時進行研磨的上方環形轉盤24；在研磨墊22上供給研磨液或修整液(例如純水)之研磨液供給噴嘴25；進行研磨墊22之研磨面的修整之修整器26；及將液體(例如純水)與氣體(例如氮氣)之混合流體或液體(例如純水)霧狀噴射於研磨面的霧化器27。
研磨單元21從研磨液供給噴嘴25供給研磨液至研磨墊22上，而且藉由上方環形轉盤24將基板W按壓於研磨墊22，進一步藉由使上方環形轉盤24與研磨台23相對移動，來研磨基板W將其表面形成平坦。修整器26在接觸於研磨墊22之前端的旋轉部固定鑽石粒子或陶瓷粒子等硬質粒子，藉由旋轉並搖動旋轉部，而將研磨墊22之整個研磨面均勻地修整形成平坦之研磨面。霧化器27藉由高壓流體沖洗殘留於研磨墊22研磨面之研磨屑及研磨粒等，達成研磨面之淨化、及機械性接觸之修整器26進行的研磨面修整作業，亦即研磨面的重現。
此外，研磨部20具備：搬送機器人28、第一交換機29a、及第二交換機29b。研磨部20中沿著複數個研磨單元21之排列，從裝載/卸載部10側起依序設定有第一搬送位置TP1、第二搬送位置TP2、第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4。第一搬送位置TP1、第二搬送位置TP2、第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4分別係與研磨單元21A、研磨單元21B、研磨單元21C、研磨單元21D交接基板W之位置。各研磨單元21藉由上方環形轉盤24之手部的轉動而進入第一搬送位置TP1、第二搬送位置TP2、第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4。
搬送機器人28在基板搬送部40、第一交換機29a、及第二交換機29b之間進行基板W之交接。搬送機器人28具備：保持基板W之手部；使手部上下反轉之反轉機構；支撐手部之可伸縮的支臂；使支臂上下移動之支臂上下移動機構；及使支臂在沿著鉛直方向之軸周圍轉動的支臂轉動機構等。搬送機器人28可在第二搬送位置TP2與第三搬送位置TP3之間移動，且將從基板搬送部40接收之基板W分配至第一交換機29a或第二交換機29b。此外，搬送機器人28從第一交換機29a或第二交換機29b接收經研磨模組21研磨後之基板W，並送交洗淨部30。
第一交換機29a係在第一搬送位置TP1、第二搬送位置TP2之間搬送基板W的機構。第一交換機29a具備：支撐基板W之複數個滑動載台；使各滑動載台以不同高度而水平方向移動之載台移動機構；配置於第一搬送位置TP1之第一推桿；配置於第二搬送位置TP2之第二推桿等。各滑動載台具有可供第一推桿及第二推桿上下通過之概略U字狀的缺口部，並藉由載台移動機構而在第一搬送位置TP1與第二搬送位置TP2之間移動。第一推桿在第一搬送位置TP1上下移動，並在滑動載台與研磨單元21A的上方環形轉盤24之間進行基板W的交接。此外，第二推桿在第二搬送位置TP2上下移動，並在滑動載台與研磨單元21B的上方環形轉盤24之間進行基板W的交接。
第二交換機29b係在第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4之間搬送基板W的機構。第二交換機29b具備：支撐基板W之複數個滑動載台；使各滑動載台以不同高度而水平方向移動之載台移動機構；配置於第三搬送位置TP3之第三推桿；配置於第四搬送位置TP4之第四推桿等。各滑動載台具有可供第三推桿及第四推桿上下通過之概略U字狀的缺口部，並藉由載台移動機構而在第三搬送位置TP3與第四搬送位置TP4之間移動。第三推桿在第三搬送位置TP3上下移動，並在滑動載台與研磨單元21C的上方環形轉盤24之間進行基板W交接。此外，第四推桿係在第四搬送位置TP4上下移動，並在滑動載台與研磨單元21D的上方環形轉盤24之間進行基板W交接。
洗淨部30(洗淨裝置)具備：進行基板W之洗淨的複數個洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3、CLAdd)；及使洗淨後之基板W乾燥的乾燥單元32(Dry)。複數個洗淨單元CL及乾燥單元32排列於機殼2的長度方向。在洗淨單元CL1與洗淨單元CLAdd之間設有搬送室33(WS：晶圓站)。搬送室33中設有裝載從搬送 機器人28送交之基板W的載台。此外，洗淨部30具備拾取裝載於搬送室33之載台的基板W，並在複數個洗淨單元CL、乾燥單元32與搬送室33之間搬送基板W的洗淨部基板搬送機構34。
洗淨單元CL1與搬送室33相鄰配置，將基板W進行一次洗淨。此外，洗淨單元CL2與洗淨單元CL1相鄰配置，並將基板W進行二次洗淨。此外，洗淨單元CL3與洗淨單元CL2相鄰配置，並將基板W進行三次洗淨。乾燥單元32與洗淨單元CL3相鄰配置，例如進行ROTAGONI乾燥(IPA(異丙醇(Iso-Propyl Alcohol))乾燥)。另外，洗淨單元CL1與夾著搬送室33而配置於與洗淨單元CL3相反位置之洗淨單元CLAdd係依洗淨規格而追加，例如在洗淨單元CL1、CL2、CL3的洗淨處理之前預備洗淨基板W。各洗淨單元CL及乾燥單元32具備基板W及搬送基板W之洗淨部基板搬送機構34可通過的附快門開口部。乾燥後，打開設於乾燥單元32與裝載/卸載部10之間的分隔壁上之快門，並藉由搬送機器人12從乾燥單元32取出基板W。
運轉具備如上述構成之基板處理裝置1(化學機械研磨(CMP)裝置)時，從無圖示之配管對研磨部20與洗淨部30供給用於研磨及洗淨基板的純水。研磨部20與洗淨部30運轉時，因為純水持續供給研磨部20與洗淨部30，所以純水不致滯留在配管內。但是，設於研磨部20與洗淨部30之研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3、CLAdd)未必全部始終運轉。
另外，因為本實施形態之純水的供給目的地主要係研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)，所以，以下之說明係以對研磨 單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)供給純水為例作說明。
例如，研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)在一日中運轉8小時，及16小時停止運轉。因為在運轉停止之16小時中，停止對研磨部20與洗淨部30供給純水，所以可能會在配管中產生細菌等。再者，研磨單元21與洗淨單元CL再度開始運轉後，將產生細菌等之水供給研磨部20與洗淨部30時，有可能造成基板W損傷。因而，為了將研磨部20與洗淨部30中之純水保持在潔淨狀態，通常係以每30分鐘1次之時間間隔，進行對研磨部20與洗淨部30供給30~60秒鐘純水之DDSP(虛擬分配)。再者，須將進行DDSP時之純水的排水量抑制在希望之流量以內。
關於對研磨部20與洗淨部30供給純水，使用第二A圖至第三圖進一步作說明。
第二A圖係第一種實施形態之基板處理裝置1的概略圖，且顯示每個單元設有一個排水閥門B時之基板處理裝置1。第二B圖顯示每個單元設有複數個排水閥門B時之基板處理裝置110。第三圖係第一種實施形態之基板處理裝置1的排水流量說明圖。
第一種實施形態如第二A圖所示，在全部研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)中設有1個排水閥門B。
從無圖示之純水供給源對研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)供給純水，係藉由控制裝置3打開分別設於研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之1個排水閥門B時開始。此時，從無圖示之純水供給源對研磨單元21(21A、21B、21C、 21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)供給純水時，係以與供給等量之滯留在配管內的純水被新供給之純水推出的形態而從研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)排水。
此處，本實施形態係從研磨單元21A每分鐘排水500公升，從研磨單元21B每分鐘排水300公升，從研磨單元21C每分鐘排水400公升，並從研磨單元21D每分鐘排水200公升。此外，從洗淨單元CL1每分鐘排水150公升，從洗淨單元CL2每分鐘排水100公升，並從洗淨單元CL3每分鐘排水50公升(參照第二A圖)。
再者，將設於研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之全部排水閥門B打開時每分鐘1700公升之流量稱為假設最大流量，在不超過假設最大流量的範圍內，將任意可設定之排水流量的上限(第三圖之例係每分鐘1000公升的流量)稱為設定總流量。
參照第三圖說明從上述研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之假設最大流量為每分鐘1700公升時，將設定總流量設定為每分鐘1000公升之情況。
第三圖係將從研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之設定總流量設定為每分鐘1000公升，且對從研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之排水順序附加優先順序之第一種實施形態的說明圖。
第三圖顯示第一種實施形態係按照研磨單元21A、研磨單元21C、研磨單元21B、研磨單元21D、洗淨單元CL1、洗淨單元CL2、洗淨單元CL3之順序進行排水。換言之，從研磨單元21A排水之優先順序最高，而從洗淨單元CL3之排水的優先順序最低。此外，顯示從研磨單元21(21A、21B、21C、21D)之排水的優 先順序比從洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之排水高。此因，研磨單元21對基板W之影響大，而將研磨單元21之純水保持在更新鮮的狀態。
亦即，控制裝置3打開具備每分鐘500公升流量之研磨單元21A的排水閥門B，開始從研磨單元21A每分鐘排水500公升時，至上限之每分鐘1000公升流量，尚有每分鐘500公升的餘裕流量。因而，控制裝置3打開具備每分鐘400公升流量之研磨單元21C的排水閥門B，亦開始從研磨單元21C每分鐘排水400公升。結果藉由來自研磨單元21A之每分鐘500公升的排水與來自研磨單元21C之每分鐘400公升的排水，進行每分鐘900公升之排水，並持續約60秒鐘。
此處，在來自研磨單元21A之排水與來自研磨單元21C之排水持續中，控制裝置3打開具備每分鐘300公升流量之研磨單元21B的排水閥門B，開始從研磨單元21B每分鐘排水300公升時，藉由從研磨單元21A每分鐘排水500公升之排水、從研磨單元21C每分鐘排水400公升、及從研磨單元21B每分鐘排水300公升，而合計排水1200公升。因為排水量超過上限之每分鐘1000公升，所以控制裝置3不進行此種操作。
因此，從研磨單元21B每分鐘排水300公升，係在控制裝置3關閉研磨單元21A之排水閥門B，結束從研磨單元21A每分鐘排水500公升之排水，或是控制裝置3關閉研磨單元21C之排水閥門B，而結束從研磨單元21C每分鐘排水400公升的時刻開始。如此，係以合計排水流量每分鐘不超過1000公升之方式，控制裝置3控制排水閥門B的開閉。
繼續，從研磨單元21A每分鐘排水500公升之排水、及從研磨單元21C每分鐘排水400公升結束時，控制裝置3打開研磨單元21B之排水閥門B。藉此，開始從研磨單元21B每分鐘排水300公升，進一步藉由控制裝置3打開研磨單 元21D之排水閥門B，開始從研磨單元21D每分鐘排水200公升。藉由控制裝置3打開洗淨單元CL1之排水閥門B，開始從洗淨單元CL1每分鐘排水150公升。進一步，藉由控制裝置3打開洗淨單元CL2之排水閥門B，而開始從洗淨單元CL2每分鐘排水100公升。藉由控制裝置3打開洗淨單元CL3之排水閥門B，開始從洗淨單元CL3每分鐘排水50公升。因而，開始合計每分鐘排水800公升約持續60秒鐘。
如第三圖所示，藉由以30分鐘間隔反覆進行上述之排水，可防止因純水長期間滯留在研磨部20與洗淨部30之配管中，而在研磨部20與洗淨部30之配管中產生細菌等。同時，可將排水流量抑制在設定總流量之每分鐘1000公升以內，可減少對工廠之純水系統造成影響。
此處，控制裝置3之控制係藉由CPU(中央運算處理裝置)執行預先登錄之比較研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之各個排水量與所設定的設定總流量，以不超過設定總流量之方式，按照研磨單元21A、研磨單元21B、研磨單元21B、研磨單元21D、洗淨單元CL1、洗淨單元CL2、洗淨單元CL3之順序進行排水的程式來實現。換言之，控制裝置3之控制係藉由軟體與硬體資源之合作來實現。
另外，控制裝置3之控制亦可為依序進行從優先順序高之單元的排水量與設定總流量之比較，而每1個決定打開之排水閥門B的控制。此外，亦可比較事先登錄之每個單元的流量與設定總流量，事前決定應打開之排水閥門B，以同時打開複數個單元之排水閥門B的方式作控制。
採用第一種實施形態時，可使來自具備排水閥門B之複數個研磨單元21、與具備排水閥門B之複數個洗淨單元CL的總排水量在希望之流量以內，此有助於工廠之正常運轉。
第二B圖顯示基板處理裝置110之全部研磨單元121A、121B、121C、121D與洗淨單元CL11、CL12、CL13中設有複數個排水閥門B之情況。
更具體而言，第二B圖顯示在全部研磨單元121A、121B、121C、121D中各設置4個排水閥門B，並在全部洗淨單元CL11、CL12、CL13中各設置2個排水閥門B之情況。
例如將設於研磨單元121A之4個排水閥門，如第二B圖所示，分別稱為B1-121A、B2-121A、B3-121A、B4-121A，並將設於洗淨單元CL13之2個排水閥門B稱為B1-CL13、B2-CL13。
另外，第二B圖中並未顯示全部排水閥門B之參考編號，不過，以下同樣地，係將設於研磨單元121B之4個排水閥門B稱為B1-121B、B2-121B、B3-121B、B4-121B；將設於研磨單元121C之4個排水閥門B稱為B1-121C、B2-121C、B3-121C、B4-121C；並將設於研磨單元121D之4個排水閥門B稱為B1-121D、B2-121D、B3-121D、B4-121D；將設於洗淨單元CL11之2個排水閥門B稱為B1-CL11、B2-CL11；並將設於洗淨單元CL12之2個排水閥門B稱為B1-CL12、B2-CL12。
即使是第二B圖所示之情況，仍與第二A圖所示之情況同樣地，係按照研磨單元121A、研磨單元121C、研磨單元121B、研磨單元121D、洗淨單元CL11、洗淨單元CL12、洗淨單元CL13之優先順序進行排水。
即使使用第二B圖所示之基板處理裝置110時，仍可藉由控制裝置3使設於各個研磨單元121A、121B、121C、121D與各個洗淨單元CL11、CL12、CL13之複數個排水閥門B全開或全閉，進行與控制裝置3開閉控制第二A圖所示之各個研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與各個洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)的1個排水閥門B之結果的第三圖所示之第一種實施形態同樣的控制。
如此，即使複數個設有排水閥門B時，仍可進行與一個設有排水閥門B時同樣的控制。
(第二種實施形態)
使用第四圖說明本發明之第二種實施形態。第四圖係第二種實施形態之基板處理裝置1的排水量說明圖。
第四圖所示之第二種實施形態與第三圖所示之第一種實施形態同樣地，係假設最大流量為每分鐘1700公升，而設定總流量為每分鐘1000公升。
第二種實施形態與第一種實施形態不同之處為：係以來自研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之排水流量與設定總流量的每分鐘1000公升概等之方式，控制裝置3跳過第三圖所示之第一種實施形態時的優先順序，來控制設於各個研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與各個洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之排水閥門B的開閉。該差異使用第四圖詳細說明。另外，以下之說明僅說明差異部分，而省略與上述實施形態重複之說明。
第三圖所示之第一種實施形態的情況，係按照研磨單元21A、研磨單元21C、研磨單元21B、研磨單元21D、洗淨單元CL1、洗淨單元CL2、洗淨單元CL3之優先順序從研磨單元21A進行排水。
此時，即使控制裝置3打開具備每分鐘500公升流量之研磨單元21A的排水閥門B，從研磨單元21A每分鐘排水500公升，至上限之每分鐘1000公升仍有餘裕。因而，控制裝置3打開具備每分鐘400公升流量之研磨單元21C的排水閥門B，開始從研磨單元21C每分鐘400公升排水。結果，藉由從研磨單元21A每分鐘排水500公升、與從研磨單元21C每分鐘排水400公升，而進行每分鐘900公升之排水。
但是，即使上述情況，對設定總流量之每分鐘1000公升仍有每分鐘100公升流量的餘裕。若按照上述優先順序，在研磨單元21A與研磨單元21C之後應從研磨單元21B排水。但是，由於從研磨單元21B之排水流量為每分鐘300公升，因此除了研磨單元21A與研磨單元21C之外，亦從研磨單元21B開始排水時，合計流量為每分鐘1200公升，而無法實現在設定總流量之每分鐘1000公升以內的流量。
第二種實施形態中，在此種情況下，係跳過上述優先順序，而以從具備每分鐘100公升流量之洗淨單元CL2排水，係在從研磨單元21A之排水、與從研磨單元21C的排水之後開始的方式，控制裝置3除了對設於研磨單元21A之排水閥門B、與設於研磨單元21C的排水閥門B之外，還控制設於洗淨單元CL2之排水閥門B的開閉。
如上述，第二種實施形態係將等於設定總流量之每分鐘1000公升的排水，藉由控制裝置3除了控制設於研磨單元21A之排水閥門B、與設於研磨單元21C的排水閥門B之外，還控制設於洗淨單元CL2之排水閥門B的開閉來實現。
從研磨單元21A、研磨單元21C、洗淨單元CL2之排水持續60秒鐘結束後，藉由從研磨單元21B每分鐘排水300公升、從研磨單元21D每分鐘排水200公升、從洗淨單元CL1每分鐘排水150公升、從洗淨單元CL3每分鐘排水50公升，合計進行每分鐘700公升之排水。
第二種實施形態中，藉由控制裝置3之控制，比較預先登錄之研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)的各個排水量、與設定之設定總流量，以不超過設定總流量之方式，按照研磨單元21A、研磨單元21C、研磨單元21B、研磨單元21D、洗淨單元CL1、洗淨單元CL2、洗 淨單元CL3之優先順序進行排水。此處，實際排水流量至設定總流量有餘裕時，控制裝置3之控制係以從研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)之總排水流量成為設定總流量之概略上限的方式，跳過優先順序，藉由CPU(中央運算處理裝置)執行對設於具有餘裕以下排水流量之研磨單元21(21A、21B、21C、21D)與洗淨單元CL(CL1、CL2、CL3)的排水閥門B進行開閉控制之程式來實現。換言之，控制裝置3之控制係藉由軟體與硬體資源合作來實現。
另外，控制裝置3之控制亦可係依序進行從優先順序高之單元的排水量與設定總流量之比較，而每1個決定打開之排水閥門B，亦可比較預先所登錄之每個單元的流量與設定總流量，事前決定須打開之排水閥門B，以同時打開複數個單元之排水閥門B的方式進行控制。
採用上述第二種實施形態時，可以更接近設定總流量之流量進行排水。
另外，第二種實施形態與第一種實施形態之情況同樣，可適用於每個單元設置一個第二A圖所示之排水閥門B的情況、與每個單元設置複數個第二B圖所示之排水閥門B的情況兩者。
(第三種實施形態)
使用第五圖說明本發明之第三種實施形態。第五圖係第三種實施形態之基板處理裝置110的排水流量說明圖。
第五圖所示之第三種實施形態與第三圖及第四圖所示之第一種實施形態與第二種實施形態不同之處為，假設最大流量為每分鐘1700公升，而將 設定總流量設定為每分鐘920公升。以下之說明省略與上述實施形態重複的說明，僅說明差異處。
另外，第三種實施形態適用於第二B圖所示之每個單元設有複數個排水閥門B的情況。
此處，將分別來自第二B圖所示之分別設於研磨單元121A、121B、121C、121D與洗淨單元CL(CL11、CL12、CL13)的複數個排水閥門B之排水流量設為：B1-121A(每分鐘200公升)、B2-121A(每分鐘100公升)、B3-121A(每分鐘100公升)、B4-121A(每分鐘100公升)、B1-121B(每分鐘100公升)、B2-121B(每分鐘100公升)、B3-121B(每分鐘100公升)、B4-121B(每分鐘100公升)、B1-121C(每分鐘80公升)、B2-121C(每分鐘80公升)、B3-121C(每分鐘80公升)、B4-121C(每分鐘60公升)、B1-121D(每分鐘50公升)、B2-121D(每分鐘50公升)、B3-121D(每分鐘50公升)、B4-121D(每分鐘50公升)、B1-CL11(每分鐘75公升)、B2-CL11(每分鐘75公升)、B1-CL12(每分鐘50公升)、B2-CL12(每分鐘50公升)、B1-CL13(每分鐘25公升)、B2-CL13(每分鐘25公升)。
第三種實施形態與第一~第二種實施形態不同之處為：係以概略等於設定總流量之每分鐘920公升的方式，控制裝置3跳過優先順序，開閉控制設於各個研磨單元121A、121B、121C、121D與各個洗淨單元CL(CL11、CL12、CL13)之複數個排水閥門B的各個。並使用第五圖說明其詳細差異。
首先，按照研磨單元121A、研磨單元121C、研磨單元121B、研磨單元121D、洗淨單元CL11、洗淨單元CL12、洗淨單元CL13之優先順序，藉由將設於研磨單元121A之複數個排水閥門B1-121A、B2-121A、B3-121A、B4-121A全部打開，開始從研磨單元121A排水。
此時，控制裝置3將具備每分鐘500公升流量之研磨單元121A的複數個排水閥門B1-121A、B2-121A、B3-121A、B4-121A全部打開，從研磨單元121A每分鐘排水500公升時，至上限的每分鐘1000公升仍有餘裕。因而，控制裝置3將具備每分鐘400公升流量之研磨單元121C的複數個排水閥門B1-121C、B2-121C、B3-121C、B4-121C全部打開，開始從研磨單元121C每分鐘排水400公升。結果，藉由從研磨單元121A每分鐘500公升之排水、與從研磨單元121C每分鐘400公升之排水，而每分鐘進行900公升的排水。
但是，即使此時，設定總流量之每分鐘920公升中仍有每分鐘20公升部分的餘裕。若是按照上述優先順序，在研磨單元121A與研磨單元121C之後，應該要從研磨單元121B排水。但是，由於從研磨單元121B之排水量為每分鐘300公升，因此除了從研磨單元121A與研磨單元121B的排水之外，開始從研磨單元121B排水時，合計成為每分鐘1200公升的流量，而無法實現達到設定總流量之每分鐘920公升的流量。
第三種實施形態中，在此種情況下，係以從具有每分鐘20公升流量之洗淨單元CL13的閥門B2排水，係在從研磨單元121A之排水與從研磨單元121C的排水後繼續開始的方式，由控制裝置3除了設於研磨單元121A之複數個排水閥門B、與設於研磨單元121C的複數個排水閥門B之外，還控制設於洗淨單元CL13之排水閥門B2-CL13的開閉。
如上述，第三種實施形態係將等於設定總流量之每分鐘920公升的排水，藉由控制裝置3除了將設於研磨單元121A之複數個排水閥門B1-121A、B2-121A、B3-121A、B4-121A全開，與將設於研磨單元121C的複數個排水閥門 B1-121C、B2-121C、B3-121C、B4-121C全開之外，還藉由打開設於洗淨單元CL13之排水閥門B2-CL13來實現。
從設於研磨單元121A之複數個排水閥門B1-121A、B2-121A、B3-121A、B4-121A、設於研磨單元121C之複數個排水閥門B1-121C、B2-121C、B3-121C、B4-121C、設於洗淨單元CL13之排水閥門B2-CL13的排水持續60秒鐘後結束。
然後，按照優先順序，從設於研磨單元121B之複數個排水閥門B1-121B、B2-121B、B3-121B、B4-121B每分鐘排水300公升；從設於研磨單元121D之複數個排水閥門B1-121D、B2-121D、B3-121D、B4-121D每分鐘排水200公升；從設於洗淨單元CL11之複數個排水閥門B1-CL11、B2-CL11每分鐘排水150公升；從設於洗淨單元CL12之複數個排水閥門B1-CL12、B2-CL12每分鐘排水100公升；並從設於洗淨單元CL13之排水閥門B1-CL13每分鐘排水30公升，進行每分鐘排水780公升。
採用上述第三種實施形態時，即使極微細設定設定總流量，仍可以接近設定總流量之流量進行排水。
此處，藉由控制裝置3之控制係比較預先登錄之研磨單元121A、121B、121C、121D與洗淨單元CL(CL11、CL12、CL13)之各個排水流量、從分別設於研磨單元121A、121B、121C、121D與洗淨單元CL(CL11、CL12、CL13)之複數個排水閥門B的各個排水流量、及設定之設定總流量。其次，藉由控制裝置3之控制，以不超過設定總流量之方式，按照研磨單元121A、研磨單元121C、研磨單元121B、研磨單元121D、洗淨單元CL11、洗淨單元CL12、洗淨單元CL13之優先順序進行排水。同時，藉由控制裝置3之控制於實際總排水流量至設定總流 量仍有餘裕時，該餘裕比研磨單元121A、121B、121C、121D與洗淨單元CL(CL11、CL12、CL13)之任何一個排水流量小時，係以總排水流量成為設定總流量之概略上限的方式，藉由CPU(中央運算處理裝置)執行開閉控制分別設於研磨單元121A、121B、121C、121D與洗淨單元CL(CL11、CL12、CL13)之複數個排水閥門B的程式來實現。換言之，控制裝置3之控制係藉由軟體與硬體資源合作來實現。
另外，控制裝置3之控制亦可依序進行從優先順序高之單元的排水量、從各個單元之排水閥門B的排水量及設定總流量的比較，每個單元或每個排水閥門B依序決定打開之排水閥門B作控制。此外，亦可比較預先登錄之之每個單元的流量、單元之每個排水閥門B的流量及設定總流量，事前決定應打開之排水閥門B，以同時打開複數個單元之全部排水閥門B、及某個單元之1個排水閥門B的方式進行控制。
除上述實施形態所記載的情況之外，控制裝置3亦可進行如下之控制。
在第二B圖所示之每個單元設有複數個排水閥門B情況下，如第六圖所示，考慮將設定總流量設定成每分鐘200公升之情況。
如第六圖所示，按照研磨單元121A、研磨單元121C、研磨單元121B、研磨單元121D、洗淨單元CL11、洗淨單元CL12、洗淨單元CL13之優先順序進行排水。
但是，因為設定總流量係每分鐘200公升，比來自研磨單元121A之每分鐘500公升小，所以從研磨單元121A之各個排水閥門B1-121A、B2-121A、B3-121A、B4-121A依序開始排水。
此時，首先係從具備每分鐘200公升流量之研磨單元121A的排水閥門B1-121A開始排水，並持續60秒鐘後結束。緊接著開始從優先順序次高之具備每分鐘100公升流量的研磨單元121A之排水閥門B2-121A、與具備每分鐘100公升流量之研磨單元121A的排水閥門B3-121A排水持續進行60秒鐘。
如此，因為每個排水閥門B依序進行排水，所以優先順序最低之B1-CL13及B2-CL13的排水係在開始從研磨單元121A之排水閥門B1-121A排水起，在某種程度的等待時間之後進行。
通常等待時間若為數分鐘，則產生細菌等的狀況差異不大。但是，例如第六圖所示，具備優先順序比排水閥門B1-CL13及B2-CL13高之其他排水閥門(第六圖之例係指排水閥門B1-121E、B2-121E、B3-121E、B4-121E、B1-121F、B2-121F、B3-121F、B4-121F)的第二B圖中，基板處理裝置1具備無圖示之研磨單元121E、121F。此時，在優先順序最低之排水閥門B1-CL13及B2-CL13開始排水之前，係從研磨單元121E、121F之排水閥門B1-121E、B2-121E、B3-121E、B4-121E、B1-121F、B2-121F、B3-121F、B4-121F開始排水。如此一來，從優先順序最低之B1-CL13及B2-CL13的排水更慢開始。
上述情況下，例如，係以首先開始從研磨單元121A之排水閥門B1-121A排水10分鐘以內，從優先順序最低之排水閥門B1-CL13及B2-CL13的排水結束的方式，如第六圖之箭頭表示，亦可將從排水閥門B1-CL13及B2-CL13之排水的優先順序提前。
此外，例如良率良好時及檢測出之異物少時等，控制裝置3亦可以無圖示之記憶部記憶基板處理裝置1之表現良好時的從研磨單元21與洗淨單元CL之排水順序，並以與基板處理裝置1之表現良好時相同的排水順序進行排水之 方式進行控制。如此是由於，只要按照基板處理裝置1之表現良好時的排水順序，即可期待基板處理裝置1再度以高度表現進行運轉。
此外，第三種實施形態之控制裝置3係以總排水流量至設定總流量仍有餘裕時，且該餘裕比研磨單元121A、121B、121C、121D與洗淨單元CL(CL11、CL12、CL13)之任何一個排水流量小時，以總排水流量成為設定總流量之概略上限的方式，開閉控制分別設於研磨單元121A、121B、121C、121D與洗淨單元CL(CL11、CL12、CL13)之複數個排水閥門B。但是，控制裝置3亦可以總排水流量係設定總流量之上限以下，且優先從第六圖所示之優先順序高的排水閥門B排水之方式進行控制。
另外，上述實施形態中例示之每個單元的排水優先順序及排水量、每個排水閥門之排水優先順序與排水量係一例，可任意設定。
此外，上述各個CMP裝置之控制裝置的功能亦可事先設於工廠內的每條生產線，或是，亦可先將整個工廠合併成一個，此時，可使每條生產線及工廠內之純水使用量保持一定。
除此之外，在不脫離本發明旨趣之範圍內，可將上述實施形態之基板處理裝置1中的元件適切替換成習知的元件，此外，亦可適切組合上述不同實施形態之基板處理裝置1的控制方法。
以上係說明本發明適合之實施例，不過本發明並非限定於此等實施例。在不脫離本發明旨趣之範圍內，可進行構成之附加、省略、替換、及其他變更。本發明不受前述說明所限定，而僅依附加之申請專利範圍作限定。

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：複數個研磨單元，其係具備可以指定流量排水之排水閥門；複數個洗淨單元，其係具備可以指定流量排水之排水閥門；及控制裝置，其係可開閉控制前述複數個研磨單元及前述複數個洗淨單元之各個前述排水閥門；其中，前述控制裝置係以來自前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之總排水流量在指定流量以內之方式，依據對前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元所分配之指定的優先順序，開關控制前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元的前述排水閥門。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中來自前述複數個研磨單元之排水的優先順序，比來自前述複數個洗淨單元之排水高。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述控制裝置係以來自前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之總排水流量到達前述指定流量以內的方式，依據前述指定之優先順序開閉控制設於前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之前述排水閥門的結果之前述總排水流量，在到達前述指定流量有餘裕時，係以前述總排水流量成為前述指定流量之概略上限的方式，跳過前述優先順序，而開閉控制具有前述餘裕以下排水流量之單元的前述排水閥門。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中分別在前述複數個研磨單元設置複數個前述排水閥門，並分別在前述複數個洗淨單元設置複數個前述排水閥門， 前述控制裝置係以來自前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之總排水流量到達前述指定流量以內的方式，依據前述指定之優先順序，藉由將前述複數個排水閥門全開或全閉，來控制分別設於前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之前述複數個前述排水閥門的開閉。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中前述控制裝置係以來自前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之總排水流量到達前述指定流量以內的方式，依據前述指定之優先順序，藉由將分別設於前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之前述複數個排水閥門全開或全閉而控制的結果之前述總排水流量，在到達前述指定流量有餘裕，且前述餘裕比前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之其中一個排水流量小時，係以前述總排水流量成為前述指定流量之概略上限的方式，開閉控制分別設於前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之前述複數個排水閥門的各個。
  6. 一種基板處理裝置之控制方法，該基板處理裝置具備：複數個研磨單元，其係具備可以指定流量排水之排水閥門；複數個洗淨單元，其係具備可以指定流量排水之排水閥門；及控制裝置，其係可開閉控制前述複數個研磨單元及前述複數個洗淨單元之各個前述排水閥門；其中，前述控制裝置係以來自前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之總排水流量在指定流量以內之方式，依據對前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元所分配之指定的優先順序，開關控制前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元的前述排水閥門。
  7. 如申請專利範圍第6項的基板處理裝置之控制方法，其中來自前述複數個研磨單元之排水的優先順序，比來自前述複數個洗淨單元之排水高。
  8. 如申請專利範圍第6項的基板處理裝置之控制方法，其中前述控制裝置係以來自前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之總排水流量到達前述指定流量以內的方式，依據前述指定之優先順序開閉控制設於前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之前述排水閥門的結果之前述總排水流量，在到達前述指定流量有餘裕時，係以前述總排水流量成為前述指定流量之概略上限的方式，跳過前述優先順序，而開閉控制具有前述餘裕以下排水流量之單元的前述排水閥門。
  9. 如申請專利範圍第6項的基板處理裝置之控制方法，其中分別在前述複數個研磨單元設置複數個前述排水閥門，並分別在前述複數個洗淨單元設置複數個前述排水閥門，前述控制裝置係以來自前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之總排水流量到達前述指定流量以內的方式，依據前述指定之優先順序，藉由將前述複數個排水閥門全開或全閉，來控制分別設於前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之前述複數個前述排水閥門的開閉。
  10. 如申請專利範圍第9項的基板處理裝置之控制方法，其中前述控制裝置係以來自前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之總排水流量到達前述指定流量以內的方式，依據前述指定之優先順序，藉由將分別設於前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之前述複數個前述排水閥門全開或全閉而控制的結果之前述總排水流量，在到達前述指定流量有餘裕，且前述餘裕比前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之其中一個排水流量小時，係以前述總排水流量成為前述指定流量之概略上限的方式，開閉控制分別設於前述複數個研磨單元與前述複數個洗淨單元之前述複數個前述排水閥門的各個。
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