JP3667196B2 - タイミング差分割回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、タイミング差分割回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のタイミング差を分割(内分、補間)する信号制御方法は、文献1(特願平09−157028号(特開平11−4145号公報))に記載されているように、クロック信号の逓倍等の用途に用いられている。
【0003】
例えば、文献2(ISSCC Digest of Technical Papers pp.216−217,Feb.1996、USP5,422,835、USP5,530,837)には、図24に示すような、クロック信号逓倍回路が開示されている。
【0004】
図24を参照すると、このクロック信号逓倍回路は、4逓倍の場合、4組の遅延回路301、302、303、304と、位相比較器309と、計数器310とから構成されている。
【0005】
第1〜第4の遅延回路301、302、303、304は、それぞれ、第1〜第4の切替器305〜308によって、出力端子が選択され、第1〜第4の遅延回路遅延回路301〜304は直列に接続される。
【0006】
外部から第1に遅延回路201に入力される第1のクロック311と、第1〜第4の遅延回路列301〜304を通過した第5のクロック315とが位相比較器309で比較され、その比較結果に基いて、UP信号316またはDOWN信号317が計数器310に転送され、計数器310から第1〜第4の切替器305〜308に制御信号318が出力され、第1のクロック311と第5のクロック315の位相が互いに等しくなるように調整される。
【0007】
ここで、4組の遅延回路301〜304の遅延時間は等しく調整されるため、その遅延時間も等しくなり、第1のクロック311、第2のクロック312、第3のクロック313、第4のクロック314のタイミング差は等しく、そのタイミング差は、クロック周期tCKの1/4になる。
【0008】
したがって、第1のクロック311、第2のクロック312、第3のクロック313、第4のクロック314を合成することにより、4逓倍のクロックを得る。
【0009】
また、クロック信号を逓倍する回路としては、位相同期ループ(PLL)が用いられている。図25は、PLL回路の一例を示す図である。図25に示すように、PLLでは、電圧制御発信器322からの出力が分周器323を用いて分周され、その分周信号と外部クロック324とが位相比較器319で比較され、その比較結果がUP(アップ)信号325またはDOWN(ダウン)信号326としてチャージポンプ320及びループフィルタ321を介して電圧制御発信器322に入力され、その信号によって電圧制御発信器322が制御され、電圧制御発信器322の出力を分周したクロックが、外部クロック324と等しい周波数になるように調節される。これにより、電圧制御発信器322は、分周数の逆倍数の逓倍クロック327を出力する。
【0010】
しかしながら、図24に示す回路では、直列接続した遅延回路列を通過した信号と外部クロックとを数十回以上比較し、比較の毎に徐々に遅延差、位相差を補正するというものである。
【0011】
また図25に示すPLL回路では、電圧制御発信器322の出力を分周したクロックが外部クロック324と等しい周波数になるように数十回以上調整して徐々に遅延差、位相差を補正する構成であるため、逓倍されたクロックを得るまでに数十クロック以上待つ必要があり、高速性に欠ける、という問題があった。
【0012】
図24及び図25に示す回路は、基本的にクロック制御にしか用いることができず、信号の遅延度を可変する遅延回路として用いることは不可能であった。
【0013】
これらの問題点を解決し、高速性を実現し、かつ可変遅延回路としても利用可能なクロック信号の制御方法及びその装置を提供することを目的として、本発明者は、特願平09−157028号において、以下に説明するような回路構成を提案している。以下、従来例(特願平09−157028号)に記載されるクロック制御回路について、図を参照して説明する。
【0014】
図4は、特願平09−157028の構成を示す図である。図4に示す回路は、外部クロックを逓倍するものであって、外部クロック1を多相のクロック3に分周し、分周された多相クロック3の異なる位相パルスエッジの入力タイミング差を分割する、或いは、その分割した相の異なるクロック9cを多重化し、外部クロック1の相を倍増するものである。分周器2と、多相クロック逓倍回路5と、クロック合成回路8とを有している。分周器2は、外部クロック1を多相のクロック3に分周する。また多相クロック逓倍回路5は、多相クロック3のうち異なる位相クロックの異なる相のパルスをn分割するタイミング差分割回路4aと、同じ相のパルスをn分割するタイミング差分割回路4aと、n分割された異なる相のパルス9cを多重化する多重化回路4bとを有し、多相のクロック9aを出力する。
【0015】
クロック合成回路8は、多重化回路4bから出力される多相クロック9aを合成して単相のクロック9bを生成する。タイミング差分割回路4aは並列接続されている。
【0016】
外部クロック1を分周器2で多相のクロック3に分周し、分周された多相クロック3の異なる位相パルスエッジの入力タイミング差をタイミング差分割回路4aにより分割し、分割した相の異なるクロック9cを多重化して外部クロック1を逓倍する。これにより、多相クロックの相が倍増される。
【0017】
図5は、図4に示した多相クロック逓倍回路5として、2相クロック逓倍回路の構成の一例を示す図である。外部クロック105を2分周し、これを2倍周した2相のクロックを出力するものである。
【0018】
図5において、分周器101は、外部クロック105を2分周して、2相のクロックD1、D2を生成する。2相クロック逓倍回路(多相クロック逓倍回路)1021〜102nは、複数直列接続されている。複数の二相クロック逓倍回路1021〜102nは、分周された多相クロックD1、D2(図4の3)の異なる位相パルスエッジの入力タイミング差を分割し、初段の二相クロック逓倍回路1021は、分周器101からの2相クロックD1、D2を倍周した二相のクロック信号D11、D12を生成し、同様にして、二相クロック逓倍回路1022、1023〜102n-1もそれぞれ前段のクロックD21、D22を次々に倍周し、最終段の二相クロック逓倍回路102nより、外部クロック105を2n逓倍した二相のクロックDn1、Dn2を得る。
【0019】
クロック合成回路103は、最終段の二相クロック逓倍回路102nから出力される2n逓倍の二相クロックDn1、Dn2を合成し、逓倍したクロック107を出力する。
【0020】
また周期検知回路104(図4の6)は、外部クロック105を入力として、各二相クロック逓倍回路1021〜102nに含まれるタイミング差分割回路のクロック周期依存を補正して負荷を調整するための制御信号106(図4の7)を各二相クロック逓倍回路1021〜102nに出力する。
【0021】
周期検知回路104は、固定された段数のリングオシレータとカウンタから構成され、外部クロック105の周期中のリングオシレータ発振回数をカウンタでカウントし、そのカウント数に応じて制御信号105を出力する。
【0022】
二相クロック逓倍回路1021〜102nは、周期検知回路104からの制御信号106により、特性のばらつきが解消される。
【0023】
図5に示す回路では、図6に示すように、外部クロック105を1/2分周器101で分周し、二相のクロックD1、D2を生成し、このクロックD1、D2を初段の二相クロック逓倍回路1021で倍周し二相のクロックD11、D12を生成する。同様の過程を二相クロック逓倍回路1022〜102nにて繰り返し、最終段の二相クロック逓倍回路102nより最終的に2n逓倍した二相クロックDn1、Dn2を得る。
【0024】
このクロックDn1、Dn2をクロック合成回路103で合成し、逓倍クロック107を得る。
【0025】
図6に示す例の場合、n=4に設定したものであり、逓倍クロック107は、外部クロック105と同一の周期をもち、外部クロック105を2n逓倍(=8逓倍)した信号として得られるように設定されている。なお、n=4の場合に限定されるものではなく、nは所望の整数に設定すればよい。
【0026】
図7は、図5に示す二相クロック逓倍回路5の構成を示す図である。図5に示す複数組の二相クロック逓倍回路1021〜102nは同一構成のものであり、最終段の二相クロック逓倍回路102nを例にとって説明する。また二相クロック逓倍器102-nの構成は、n=4に設定した場合のものである。
【0027】
二相クロック逓倍回路102nは、並列接続された第1乃至第4のタイミング差分割回路108〜111と、第1、第2の多重化回路112、113とを備えて構成されている。第1乃至第4のタイミング差分割回路108〜111は、二相のクロックD(n-1)1、D(n-1)2が2つの入力端に入力される。制御信号106及び相補関係のタイミング差分割回路108〜111からの4相のクロックP1、P2、P3、P4が帰還入力されるようになっている。
【0028】
また、第1、第2の多重化回路112、113は、第1乃至第4のタイミング差分割回路108〜111からの二相のクロックP1、P3と、P2、P4を入力として多重化し、二相のクロックDn1、Dn2を生成する。
【0029】
次に図7に示した二相クロック逓倍回路の動作について図8を用いて説明する。
【0030】
二相クロック逓倍回路102nには、前段からの2相クロックD(n−1)1とD(n−1)2および周期検知回路104からの制御信号106が入力され、倍周した二相クロックDn1とDn2を出力する。
【0031】
二相クロック逓倍回路102nでは、2相クロックD(n−1)1とD(n−1)2と制御信号106は、4組のタイミング差分割回路108〜111のすべてに入力され、クロックP1〜P4は4組のタイミング差分割回路108〜1114から出力され、クロックP1〜P4は対応する各タイミング差分割回路108〜111に帰還入力される。
【0032】
図8に示すように、クロックP1の立上がりは、クロックD(n−1)1の立上がりからタイミング差分割回路108の内部遅延時分の遅れで決定される。
【0033】
クロックP2の立上がりは、クロックD(n−1)1の立上がりとクロックD(n−1)2の立上がりのタイミング差の分割と内部遅延分の遅れで決定される。
【0034】
クロックP3の立上がりは、クロックD(n−1)2の立上がりからの内部遅延分の遅れで決定される。クロックP4の立上がりは、クロックD(n−1)2の立上がりとクロックD(n−1)1の立上がりのタイミング差の分割と内部遅延分の遅れにより決定される。
【0035】
また、クロックP2は、タイミング差分割回路108に入力されクロックP1の立下がりを制御する。クロックP3は、タイミング分割器109に入力されクロックP2の立ち下がりを制御する。クロックP4は、タイミング分割器110に入力しクロックP3の立ち下がりを制御する。クロックP1は、タイミング分割器111に入力されクロックP4の立ち下がりを制御する。
【0036】
したがって、クロックP1、P2、P3、P4は、その周期がクロックD(n−1)1とD(n−1)2と等しく、ほぼデューティー25%の4相の信号となる。
【0037】
さらにクロックP1とP3は、多重化回路112に入力されて多重化され、クロック信号Dn1として出力される。
【0038】
クロックP2とP4は、多重化回路113に入力されて多重化され、クロック信号Dn2として出力される。
【0039】
クロックDn1とDn2は、その周期がクロックD(n−1)1とD(n−1)2の1/2、ほぼデューティー50%の2相クロックになる。
【0040】
次に図7に用いたタイミング差分割回路108〜111の構成の具体例について図9乃至図12を参照して説明する。図9乃至図12において、MP11、MP21、MP31、MP41はPチャネルMOSトランジスタ、MN11、MN12、MN13、MN14、MN15、MN16、MN17、MN18、MN19、MN21、MN22、MN23、MN24、MN25、MN26、MN27、MN28、MN29、MN31、MN32、MN33、MN34、MN35、MN36、MN37、MN38、MN39、MN41、MN42、MN43、MN44、MN45、MN46、MN47、MN48、MN49はNチャネルMOSトランジスタである。CAP11、CAP12、CAP13、CAP21、CAP22、CAP23、CAP31、CAP32、CAP33、CAP41、CAP42、CAP43は容量素子である。
【0041】
タイミング差分割回路108〜111は、同一の素子構成とされている。1つの2入力NAND10、1つのインバータ11、1つのPチャネルMOSトランジスタ、3組の2つ直列に接続したNチャネルMOSトランジスタ、3組の直列接続されたNチャネルMOSトランジスタと容量素子から構成されている。3つのNANDは、全て等しいゲート幅からなり、3組のNMOSのゲート幅と容量素子の容量は、1:2:4のサイズ比となっている。
【0042】
図9、図11にそれぞれ示すタイミング差分割回路108、110の構成は互いに等しく、入力D(n-1)1、D(n-1)2の接続と、入力P2(P4)の接続が相違している。
【0043】
図9を参照すると、タイミング差分割回路108は、信号D(n-1)2と信号P2を入力とするNAND回路NAND11と、電源VCCにソースが接続されゲートがNAND11の出力端に接続され、ドレインが内部ノードN12に接続されたPチャネルMOSトランジスタMP11と、内部ノードN12にドレインが共通に接続され、ゲートが信号D(n-1)1に共通に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN12、MN13、及びゲートがグランド電位に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN11と、ソースがグランド電位GNDに共通接続され、ゲートがNAND11の出力端に共通に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN14、MN15、MN16と、を備え、内部ノードN12はインバータINV11の入力端に接続され、インバータINV11の出力端から信号P1を出力する。内部ノードN12には、ドレインが共通接続されゲートがそれぞれ制御信号に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN17、MN18、MN19と、一端がNチャネルMOSトランジスタMN17、MN18、MN19のソースに接続され他端がグランド電位に共通接続された容量CAP11、CAP12,CAP13を備えて構成されている。
【0044】
図10を参照すると、タイミング差分割回路109は、信号D(n-1)2と信号P3を入力とするNAND回路NAND21と、電源VCCにソースが接続されゲートがNAND21の出力端に接続され、ドレインが内部ノードN22に接続されたPチャネルMOSトランジスタMP21と、内部ノードN22にドレインが接続され、ゲートが、信号D(n-1)1に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN21と、内部ノードN22にドレインが共通接続され、ゲートが、信号D(n-1)2に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN22、MN23と、ソースがグランド電位GNDに共通接続され、ゲートがNAND21の出力端に共通に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN24、MN25、MN26と、を備え、内部ノードN22はインバータINV21の入力端に接続されされ、インバータINV21の出力端から信号P3を出力する。内部ノードN22には、ドレインが共通接続されゲートがそれぞれ制御信号に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN27、MN28、MN29と、一端がNチャネルMOSトランジスタMN27、MN28、MN29のソースに接続され他端がグランド電位に共通接続された容量CAP21、CAP22,CAP23を備えて構成されている。
【0045】
図11を参照すると、タイミング差分割回路110は、信号D(n-1)1と信号P4を入力とするNAND回路NAND31と、電源VCCにソースが接続されゲートがNAND31の出力端に接続され、ドレインが内部ノードN32に接続されたPチャネルMOSトランジスタMP31と、内部ノードN32にドレインが共通に接続され、ゲートが信号D(n-1)1に共通に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN32、MN33及び及びゲートがグランド電位に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN11と、ソースがグランド電位GNDに共通接続され、ゲートがNAND31の出力端に共通に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN34、MN35、MN36と、を備え、内部ノードN32はインバータINV31の入力端に接続され、インバータINV31の出力端から信号P3を出力する。内部ノードN32には、ドレインが共通接続されゲートがそれぞれ制御信号に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN37、MN38、MN39と、一端がNチャネルMOSトランジスタMN37、MN38、MN39のソースに接続され他端がグランド電位に共通接続された容量CAP31、CAP32,CAP33を備えて構成されている。
【0046】
図12を参照すると、タイミング差分割回路111は、信号D(n-1)1と信号P1を入力とするNAND回路NAND41と、電源VCCにソースが接続されゲートがNAND41の出力端に接続され、ドレインが内部ノードN42に接続されたPチャネルMOSトランジスタMP41と、内部ノードN42にドレインが接続され、ゲートが、信号D(n-1)2に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN41と、内部ノードN42にドレインが共通接続され、ゲートが、信号D(n-1)1に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN42、MN43と、ソースがグランド電位GNDに共通接続され、ゲートがNAND41の出力端に共通に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN44、MN45、MN46と、を備え、内部ノードN41はインバータINV41の入力端に接続されされ、インバータINV41の出力端から信号P4を出力する。内部ノードN42には、ドレインが共通接続されゲートがそれぞれ制御信号に接続されたNチャネルMOSトランジスタMN47、MN48、MN49と、一端がNチャネルMOSトランジスタMN47、MN48、MN49のソースに接続され他端がグランド電位に共通接続された容量CAP41、CAP42,CAP43を備えて構成されている。
【0047】
次に、タイミング差分割回路108〜111の動作について、図13のタイミング波形図を参照して説明する。図9と図11に示すタイミング差分割回路108、110は、入出力信号以外は、同じ回路構成であり、図10と図12に示すタイミング差分割回路107、111は、入出力信号以外は、同じ回路構成であるため、図9、図10に示したタイミング差分割回路108、109の動作について説明する。
【0048】
図9に示すタイミング差分割回路108の内部動作については、図13のt1からt3期間で1周期になっているため、その1周期の期間の内部ノード波形を図示してある。
【0049】
まず、クロックP1の立上がりタイミングについて説明する。
【0050】
クロックD(n−1)1の立上がりエッジにより、ノードN12の電荷が、NチャネルMOSトランジスタMN12、MN13に引き抜かれ、ノードN12の電位がインバータINV11のしきい値に達したところで、インバータINV11から出力されるクロックP1のエッジが立上がる。
【0051】
インバータINV11のしきい値に達したところまで引き抜く必要のある内部ノードN12の電荷をCVとし、NチャネルMOSトランジスタMN12、MN13のチャージ引き抜きの電流値をそれぞれIとすると、クロックD(n−1)1からCVの電荷量を2Iの電流で引き抜いた結果、すなわち、CV/2Iが、クロックD(n−1)1の立上がりエッジからクロックP1の立上がりまでのタイミングを表す。
【0052】
クロックP1の立下がりタイミングは、2入力NAND11の出力がLowになることで、PチャネルMOSトランジスタMP11が導通し、内部ノードN12がHighに充電されることによる。2入力NAND11には、クロックD(n−1)2とクロックP2が入力され、クロックD(n−1)2とクロックP2がともにHighの時のみ出力はLowになる。クロックP2がHighの期間は、クロックD(n−1)2がHighの期間内に収まるので、出力されるクロックは、クロックP2を反転させたパターンになるが、パワーのオン時に、クロックP2の初期値が確定しない時に使う場合、クロックD(n−1)2との間に論理をとっている。
【0053】
図10に示すタイミング差分割回路109の動作についても、図13のt1からt3期間で1周期になっているので、その1周期の期間内部ノード波形を図示してある。
【0054】
まず、クロックP2の立上がりタイミングについて説明する。クロックD(n−1)1の立上がりエッジから時間tCKnの期間ノードN22の電荷がNチャネルMOSトランジスタMN21で引き抜かれ、時間tCKn後、クロックD(n−1)2の立上がりエッジからノードN22の残りの電荷がNチャネルMOSトランジスタMN22、23で引き抜かれ、それにより、ノードN22の電位がインバータINV21のしきい値に達したところでクロックP2のエッジが立上がる。ノードN22の電荷をCVとし、NチャネルMOSトランジスタMN21、MN22、MN23の電荷引き抜きの電流値をそれぞれIとすると、クロックD(n−1)1からCVの電流をtCKnの期間Iの電流で引き抜き、残りの期間を2Iで引き抜いた結果、すなわち、
tCKn+(CV−tCKn・I)/2I
=CV+tCKn/2
がクロックD(n−1)1の立上がりエッジからクロックP2の立上がりまでのタイミングを表す。
【0055】
従って、クロックP1の立上がりとのタイミング差をみると、丁度tCKn/2となる。
【0056】
クロックP2の立下がりタイミングは、2入力NAND21の出力がLowになることで、PチャネルMOSトランジスタMP21が導通し、ノードN22がHighに充電されることによる。2入力NAND21には、クロックD(n−1)2とクロックP3が入力し、クロックD(n−1)2とクロックP3がともにHighの時のみ出力は、Lowになる。
【0057】
次にクロックP3、P4について説明する。クロックP1とP3の立上がりタイミング差は、クロックD(n−1)1の立上がりエッジとクロックD(n−1)2の立上がりエッジのタイミング差がtCKnであることより、tCKnとなる。従って、クロックP2とP3との立上がりタイミング差も、1/2tCKnになる。同様に、クロックP3とP4、P4とP1の立上がりタイミング差も、1/2tCKnになる。
【0058】
従って、前述したようにクロックP1、P2、P3、P4は、25%の4相の信号となる。
【0059】
クロックP1とP3、P2とP4が、それぞれ図14に示したNOR回路NOR12とインバータINV13からなる多重化回路112、113で多重化され、デューティー50%の2相クロック信号になる。
【0060】
クロックP1の立上がりに対し、クロックP2の立上がりが1/2tCKnになるためには、ノードN22の電荷をtCKnの期間、NチャネルMOSトランジスタMN21で引き抜いても、インバータINV21のしきい値に達しない条件、すなわち、
CV−tCKn・I>0を満たす必要がある。
【0061】
ところが、tCKnは、外部クロック1の周期で設計時にあらかじめ決まっておらず、電流Iもデバイス特性によりばらつく。
【0062】
そこで、CV値を外部クロック105の周期およびデバイス特性に応じて変更することで対応している。
【0063】
既に説明したように容量素子と接続したNチャネルMOSトランジスタのゲート(図9では、MN17〜19)には、制御信号106が入力され、共通ノード(N12)の負荷を、制御信号106で可変させることができる。
【0064】
NチャネルMOSトランジスタと容量素子ともに、1:2:4のサイズ比となっていることより、8段階に調整できる。
【0065】
また、すでに説明したように、制御信号106は、周期検知回路104において、外部クロック105の周期中のリングオシレータ発信回数をカウンターでカウントし、カウント数に応じた値である。この回路構成では、外部クロック1の周期とデバイスの特性を代表するリングオシレータの周期の相対的な関係がコード化されるので、外部クロック1の周期に対する動作範囲の増大のみならず、デバイスの特性ばらつきが解消される。
【0066】
また、この従来例では、二相クロック逓倍回路1021〜102nを直列に接続しており、それぞれの入力クロックD1、D〜D(n−1)1、D(n−1)2の周波数は、倍ずつ変化するため、CV値が最適になるように容量値を二相クロック逓倍回路1021〜102n間で調整している。
【0067】
以上説明したように、従来の回路では、外部クロック1を2分周し、2相クロックを生成することにより、PLL、DLLなどのフィードバック回路を使うことなく、逓倍クロックを作ることが可能になった。
【0068】
図15は、特願平09−157028号に実施例2として説明される回路構成を示す図である。1/4分周器201、直列接続された4相クロック逓倍回路2021〜202n、クロック合成回路203と、周期検知回路204とを備えて構成されている。
【0069】
図15に示した回路の動作について、図16のタイミング図を参照して説明する。この回路では、外部クロック信号205を1/4分周器201で分周し、4相のクロックQ1、Q2、Q3、Q4を生成し、このクロックQ1、Q2、Q3、Q4を4相クロック逓倍回路2021で倍周した4相クロックQ11、Q12、Q13、Q14を生成する。同様の過程を4相クロック逓倍回路2022〜202nまで繰り返し、2n逓倍した4相のクロックQ1、Q2、Q3、Q4を得る。このクロックQ1、Q2、Q3、Q4をクロック合成回路203で合成し、逓倍クロック207を得る。
【0070】
ここで、周期検知回路204は、固定された段数のリングオシレータとカウンターから構成され、外部クロック205の周期中のリングオシレータ発信回数をカウンターでカウントし、カウント数に応じて、制御信号206を出力し、4相クロック逓倍回路2021〜202n中の負荷を調整する。周期検知回路204により、回路の外部クロック周期の動作範囲、デバイスの特性ばらつきが解消される。
【0071】
次に図17を参照して、4相クロック逓倍回路202の構成について説明する。4相クロック逓倍回路2021〜202nは同じ構成とされている。図17を参照すると、4相クロック逓倍回路202nは、8組のタイミング差分割回路208〜215、8組のパルス幅補正回路216〜223と、4組の多重化回路224〜227とから構成されている。
【0072】
8組のタイミング差分割回路208〜215、8組のパルス幅補正回路216〜223と、4組の多重化回路224〜227との内部回路については、後述する。
【0073】
ここでは、4相クロック逓倍回路202nの内部の接続および動作について、図17、図18を参照して説明する。4相クロック逓倍回路202nには、前段からの4相のクロックQ(n−1)1〜Q(n−1)4および周期検知回路204からの制御信号206が入力され、倍周された4相のクロックQn1〜Qn4を出力する。
【0074】
4相クロック逓倍回路202nにおいては、制御信号206は、8組のタイミング差分割回路208〜215に入力され、クロックQ(n−1)1〜D(n−1)4は、タイミング差分割回路208、210、212、214にそれぞれ1信号ずつ入力され、タイミング差分割回路209、211、213、215には、それぞれ2信号ずつ入力する。そして、8組のクロックT21〜T28が8組のタイミング差分割回路208〜215から出力される。
【0075】
図18に示すように、クロックT21の立上がりは、クロックQ(n−1)1の立上がりからの内部遅延分の遅れで決定される。
【0076】
クロックT22の立上がりは、クロックQ(n−1)1の立上がりとクロックQ(n−1)2の立上がりのタイミングのタイミング分割と内部遅延分の遅れで決定される。
【0077】
クロックT23の立上がりは、クロックQ(n−1)2の立上がりからの内部遅延分の遅れで決定される。
【0078】
クロックT24の立上がりは、クロックQ(n−1)2の立上がりとクロックQ(n−1)3の立上がりのタイミングのタイミング分割と内部遅延分の遅れで決定される。
【0079】
クロックT25の立上がりは、クロックQ(n−1)3の立上がりからの内部遅延分の遅れで決定される。
【0080】
クロックT26の立上がりは、クロックQ(n−1)3の立上がりとクロックQ(n−1)4の立上がりのタイミングのタイミング分割と内部遅延分の遅れで決定される。
【0081】
クロックT27の立ち上がりは、クロックQ(n−1)4の立ち上がりからの内部遅延分決定される。
【0082】
クロックT28の立上がりは、クロックQ(n−1)4の立上がりとクロックQ(n−1)1の立上がりのタイミングのタイミング分割と内部遅延分の遅れで決定される。
【0083】
クロックT21とT23は、パルス幅補正回路216に入力し、パルス幅補正回路216では、クロックT21で決定される立下がりエッジ、クロックT23で決定される立上がりエッジを有するLパルスP21を出力する。同様の手順で、パルスP22〜P28が生成される。従って、クロックP21〜P28は、位相が45度ずつずれたデューティー25%の8相のパルス群になる。
【0084】
この後、クロックP21と位相が180度ずれたクロックP25は、多重化回路224で多重化反転され、デューティー25%のクロックQn1として出力される。同様の手順でクロックQn2〜Qn4が生成される。従って、クロックQn1〜Qn4は、位相が90度ずつずれたデューティー50%の4相のHパルス群になる。
【0085】
クロックQn1〜Qn4の周期は、クロックQ(n−1)1〜Q(n−1)4の丁度1/2になる。すなわちクロックQ(n−1)1〜Q(n−1)4からクロックQn1〜Qn4を生成する過程で丁度2倍に倍周されたことになる。
【0086】
次に図19、図20を参照して、タイミング差分割回路208〜215の回路構成について説明する。タイミング差分割回路208〜215は互いに等しい回路構成とされる。
【0087】
以下では、タイミング差分割回路208、209についてのみ説明する。図19は、タイミング差分割回路208、図20は、タイミング差分割回路209の回路構成を示す図である。図19と図20に示した回路は互いに同一構成とされており、2つの入力が、同一信号であるか、隣り合う2つの信号が入力されるかが相違している。すなわち2入力NOR回路への入力信号が、図19、図20で相違している。
【0088】
タイミング差分割回路208は、同一入力Q(n−1)1を入力とする2入力NOR51の出力ノードである内部ノードN51は、インバータINV51の入力端に接続され、インバータINV51は出力端からT21を出力し、さらに内部ノードN51にドレインが共通接続され、周期検知回路204からの制御信号206がゲートにそれぞれ接続されオン・オフ制御されるNチャネルMOSトランジスタMN51、MN52、MN53と、NチャネルMOSトランジスタMN51、MN52、MN53のソースとグランド電位間にそれぞれ接続された容量CAP51、CAP52、CAP53とを備えている。NチャネルMOSトランジスタMN51、MN52、MN53のゲート幅と容量CAP51、CAP52、CAP53は、そのサイズ比が、例えば1:2:4とされており、周期検知回路204から出力される制御信号206に基づき、共通ノードに接続される負荷を、8段階に調整することで、クロック周期が設定される。
【0089】
タイミング差分割回路209は、入力Q(n−1)1と入力Q(n−1)2を入力とする2入力NOR61の出力ノードである内部ノードN61は、インバータINV61の入力端に接続され、インバータINV61は出力端からT22を出力し、内部ノードN61にドレインが共通接続され、周期検知回路204からの制御信号206がゲートにそれぞれ接続されオン・オフ制御されるNチャネルMOSトランジスタMN61、MN62、MN63と、NチャネルMOSトランジスタMN61、MN62、MN63のソースとグランド電位間にそれぞれ接続された容量CAP61、CAP62、CAP63とを備えている。NチャネルMOSトランジスタMN61、MN62、MN63のゲート幅と容量CAP61、CAP62、CAP63は、そのサイズ比が、例えば1:2:4とされており、周期検知回路204から出力される制御信号206に基づき、共通ノードに接続される負荷を、8段階に調整することで、クロック周期が設定される。
【0090】
次に、タイミング差分割回路208とタイミング差分割回路209の動作について図21に示したタイミング波形を参照して説明する。
【0091】
図16のタイミング差分割回路208の動作については、図21のtc21からtc24の期間で動作部分が完了するので、その1期間の内部ノードN51の波形が示されている。
【0092】
まず、出力されるクロックT21の立上がりタイミングについて説明する。2入力NOR51は、電源VDDと出力端の間に直列に接続され、入力信号IN1、IN2をゲートにそれぞれ入力する2つのPチャネルMOSトランジスタと、出力端とグランド間に並列に接続され、入力信号IN1、IN2をゲートにそれぞれ入力する2つのNチャネルMOSトランジスタからなる。
【0093】
クロックQ(n−1)1の立上がりエッジによりノードN51の電荷がNOR51に引き抜かれ、これにより、ノードN51の電位がインバータINV51のしきい値電圧に達したところで、インバータINV51から出力されるクロックT21のエッジが立上がる。インバータINV51のしきい値に達したところまで引き抜く必要のあるノードN51の電荷をCVとし、NチャネルMOSトランジスタそれぞれの電荷引き抜きの電流値をそれぞれIとすると、クロックQ(n−1)1の立上がりからCVの電荷量を2Iの電流で引きぬいた結果、すなわちCV/2IがクロックQ(n−1)1の立上がりエッジからクロックT21の立上がりまでのタイミングを表す。
【0094】
クロックT21の立上がりタイミングは、クロックQ(n−1)1がLowになり、2入力NOR51の出力側ノードN51がHighに充電されることによる。
【0095】
図20のタイミング差分割回路209の動作についても、図21のta21からta24の期間で動作部分がほぼ完了するので、その動作期間の内部ノードN61の波形が示されている。
【0096】
まず、出力されるクロックT22の立上がりタイミングについて説明する。クロックQ(n−1)1の立上がりエッジから時間tCKnの期間、内部ノードN61の電荷がNチャネルMOSトランジスタに引き抜かれ、時間tCKn後、クロックQ(n−1)2の立上がりエッジからノードN61の残りの電荷がNチャネルMOSトランジスタに引き抜かれ、それにより、ノードN61の電位がインバータINV61のしきい値に達したところでクロックT22のエッジが立上がる。ノードN61の電荷をCVとし、2入力NOR61のNチャネルMOSトランジスタそれぞれの電荷引き抜きの電流値をそれぞれIとすると、クロックQ(n−1)1からCVの電荷量をtCKnの期間Iの電流でひきぬき、残りの期間を2Iで引き抜いた結果、すなわち、
tCKn+(CV−tCKn・I)/2I
=CV+tCKn/2
がクロックQ(n−1)1の立上がりエッジからクロックT22の立上がりまでのタイミングを表す。
【0097】
従って、クロックT21の立上がりとのタイミング差をみると、丁度tCKn/2となる。
【0098】
クロックT22の立上がりタイミングは、クロックQ(n−1)1とQ(n−1)2の両方がLowになり、2入力NOR61の出力側ノードN61がHighに充電されることによる。
【0099】
クロックT23〜T28についても同様に説明され、クロックT21〜T28の立上がりタイミング差は、それぞれ1/2tCKnになる。
【0100】
パルス幅補正回路216〜223は、図22に示すように、インバータINV71と2入力NAND71からなり、前述のように、位相が45度ずつずれたデューティー25%の8相のパルス(分割信号)群P21〜P28を生成する。
【0101】
多重化回路224は、図23に示すように、2入力NAND81からなり、前述のように、位相が90度ずつずれたデューティー50%の4相クロック群Qn1〜Qn4を生成する。クロックQn1〜Qn4の周期は、クロックQ(n−1)1〜Q(n−1)4の丁度1/2になる。
【0102】
以上のようにこの従来のクロック逓倍回路においても、共通ノードN61の負荷を可変にする必要な条件は、図9等と等しいため、動作目的の等しい容量、NMOSを組み合わせている。外部クロック信号205の周期に対する動作範囲の増大のみならず、デバイスの特性ばらつきが解消される。
【0103】
以上説明したように、特願平09−157028号に提案した逓倍回路では、外部クロックを4分周し、4相のクロックをあらかじめ作ることにより、PLL、DLLなどのフィードバック回路を使うことなく、逓倍クロックを作ることを可能としている。
【0104】
また4分周することで、NAND、NOR、インバータなどのCMOS基本素子を用い、完全にスタティックな単純な回路で逓倍回路を構成することができる、という利点を有する。
【0105】
なお、特願平09−157028号では、2相のクロックから2相の逓倍クロック、4相のクロックから4相の逓倍クロックを生成する場合について説明したが、タイミング差分割回路をツリー状に並列接続することにより、クロックの相数を2相,4相,8相と指数関数的に増やし、より高い周波数成分を発生することが可能である。
【0106】
特願平09−157028号によれば、外部クロックを多相のクロックに分周し、各相の中間タイミングをとることにより、逓倍したクロックをループ構成を用いることなく、容易に生成することができる。
【0107】
したがって、逓倍クロックを得る期間を短縮することでき、また、必要なクロック数があらかじめ予測できるため、逓倍されたクロックを使用するまでの待ち時間を大幅に削減することができる。
【0108】
また、同様の方法で、2の乗数以外の逓倍を実現する方法も、特願平09−157042号に記載されている。
【0109】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特願平09−157042号、特願平09−157028号に提案した逓倍回路における、タイミング差分割回路(インターポーレータ)においては、入力信号として多相クロックがそのまま入力されているため、動作帯域が最大限まで拡大されていない、という問題点を有している。
【0110】
たとえば容量素子の容量値を固定し、4相クロック信号を入力した場合、入力位相差に対し、丁度1/2になる容量値は、最小と最大で、1:3程度であるという制約があった。これについて以下に説明する。
【0111】
図26は、従来のタイミング差分割回路の構成の一例を示す図である。図26を参照すると、第1、第2の入力信号IN1、IN2を入力とする論理和回路OR1と、電源VCCと内部ノードN26間に接続され、論理和回路OR1の出力信号をゲート入力とするPチャネルMOSトランジスタMP1と、内部ノードN1の電位を反転出力するインバータINV3と、内部ノードN26にドレインが接続され、第1の入力信号IN1、第2の入力信号IN2をそれぞれゲートに入力とし、ソースが定電流源I0に接続されるNチャネルMOSトランジスタMN1、MN2を備えている。内部ノードN26と接地間には、NチャネルMOSトランジスタよりなるスイッチ素子MN11〜MN15と、容量CAP11〜CAP15が接続され、NチャネルMOSトランジスタよりなるスイッチ素子MN11〜MN15の制御端子(ゲート端子)には、図9乃至図12等を参照して説明したタイミング差分割回路と同様、周期検知回路から出力される制御信号106が接続され、内部ノードN26に付加する容量値が決められる。
【0112】
第1、第2の入力信号IN1、IN2がLowレベルのとき、論理和回路OR1の出力はLowレベルとなり、PチャネルMOSトランジスタMP1がオン(導通)し、これにより内部ノードN26が電源電位に充電されインバータINV3の出力はLowレベルとされる。
【0113】
第1、第2の入力信号IN1、IN2の一方又は両方がHighレベルとなると、論理和回路OR1の出力はHighレベルとなり、PチャネルMOSトランジスタMP1がオフし、内部ノードN26と電源Vccとの電源パスがオフし、一方、NチャネルMOSトランジスタMN1とMN2の一方又は両方がオンして内部ノードN26が放電されて、内部ノードN26の電位が電源電位から下がり始め、インバータINV3のしきい値以下に下がった場合、インバータINV3の出力はLowレベルから立上がってHighレベルとなる。
【0114】
図27はタイミング差分割回路(TMD)の動作を説明するための図である。図27(a)を参照すると、3つのタイミング差分割回路(TMD)において、第一のタイミング差分割回路(TMD)は、その二入力に、同一の入力信号IN1が入力され出力信号OUT1を出力し、第2のタイミング差分割回路(TMD)には入力信号IN1、IN2が入力され出力信号OUT2を出力し、第三のタイミング差分割回路(TMD)は、その2入力に、同一の入力信号IN2が入力され出力信号OUT3を出力する。このうち、入力信号IN1、IN2を入力し出力信号OUT2を出力する第二のタイミング差分割回路(TMD)が、図17のタイミング差分割回路209等の構成に対応している。またIN1を共通に入力するタイミング差分割回路(TMD)、IN2を共通に入力するタイミング差分割回路(TMD)は、図26において、同一信号を入力する構成とされ、図17のタイミング差分割回路208等の構成に対応している。
【0115】
図27(b)は、タイミング差Tの入力信号IN1、IN2を入力した第一乃至第三のタイミング差分割回路の出力信号OUT1〜OUT3の出力と、第一乃至第三のタイミング差分割回路の内部ノードの変化A1〜A3を示している。説明を容易とするため、内部ノードは電位0から充電され、しきい値Vtを超えたとき、出力信号がLowからHighレベルに変化(立上がる)するものとする。
【0116】
図27(b)を参照すると、入力信号IN1と入力信号IN2間には、タイミング差(T)があり、第一のタイミング差分割回路(TMD)は遅延時間t1の出力信号OUT1を出力し、第三のタイミング差分割回路(TMD)は遅延時間t3の出力信号OUT3を出力し、第二のタイミング差分割回路(TMD)は、遅延時間t2の出力信号OUT2を出力し、遅延時間t2は、遅延時間t1とt3を分割(内分)した値とされている。
とされる。
また、
t3=T+CV/2Iとされる。ただし、内部ノードが入力端に接続されるバッファ回路(インバータ)のしきい値を超えるまでに放電する電荷をCVとする。
【0117】
図28は、周期tCKのクロックを4分周した2相のクロックIN1、IN2について、図26に示したタイミング差分割回路に同相信号、位相信号を入力した場合の入力信号と、内部ノードN26の電圧変化の様子を示す信号波形図である。
【0118】
図26及び図28を参照すると、インバータINV3のしきい値を超えるまでに放電する電荷をCV(ただし、Cは内部ノードN26に付加される容量値、VはインバータINV3のしきい値電圧Vt)とすると、同相入力の場合、入力信号IN1のLowからHighレベルへの立上がりにより、NチャネルMOSトランジスタMN1、MN2が導通し電流2Iで電荷を放電する。NチャネルMOSトランジスタMN1、MN2が導通する期間は2tCK以内であり、2tCK間に電荷CVを引き抜ききれないと、タイミング差分割回路の出力には出力が得られない。
【0119】
したがって、
CV/2I > 2tCK
を満たす容量値Cが、位相差Tの1/2成分を満たす最大値Cmaxになる。
【0120】
Cmax = 4tCK・I/Vt
【0121】
異相入力の場合、入力信号IN1のLowレベルからHighレベルへの立上がりにより、NチャネルMOSトランジスタMN1が導通し電流Iで電荷を放電し、つづいてT=tCK後、入力信号IN2のLowレベルからHighレベルへの立上がりにより、NチャネルMOSトランジスタMN2が導通する。
【0122】
インバータINV3のしきい値に達したところまで引き抜く必要のあるノードN26の電荷をCVとし、チャージがNチャネルMOSトランジスタMN1、MN2の電荷を引き抜く電流値をそれぞれIとすると、CVの電荷量を第1の入力信号IN1の立上がりより第2の入力信号IN2の立上がりまでの位相差Tの間は、Iの電流で引き抜き、そのあと電流値2Iで引き抜く。
【0123】
第2入力信号IN2の立上がりまでの位相差Tの間に電荷CVを引き抜いてしまうと、位相差Tの1/2成分が無くなる。そこで、CV/I<T
Cmin=tCK・I/Vt
【0124】
電流2Iで引き抜く期間は、第1の入力信号IN1と第2の入力信号IN2のオーバーラップ期間Tovpである。このオーバラップ期間Tovpの間にCVを引き抜ききれないと、タイミング差分割回路の出力には、位相差Tの1/2成分が無くなる。
【0125】
そこで、
(CV−T・I)/2I < T
を満たす最大の容量値Cが、位相差Tの1/2成分(T/2)を満たす最大値Cmaxになる。
【0126】
【0127】
このように、4相クロックの2つの信号(周期tCK)を入力し、丁度1/2の遅延(2tCK)の信号を出力する場合、充放電される内部ノードN26に付加される容量の容量値の最大Cmaxと最小値Cminには、図28に示すように、ほぼ1:3の関係にある。なお、図28において縦軸は、タイミング差分割回路の内分比(分割値)であり、図27(b)のA1、A2、A3の遅延時間から、A2/(A3−A2)に相当し、横軸は内部ノードN26に付加される容量値である。
【0128】
そして、図26等に示した従来のタイミング差分割回路の構成においては、内部ノードに付加される容量素子CAPの容量値を調整するためにMOSトランジスタとMOS容量を用いているため、MOSトランジスタとMOS容量分の面積を要しており、チップ面積の増大を招く結果となる。
【0129】
したがって、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、高速化を図るとともに、チップ面積の増大を抑止低減し、広帯域動作を可能とするタイミング差分割回路を提供することにある。
【0130】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明に係るタイミング差分割回路(インターポーレータ)は、内部ノードと電源間のパスをオン・オフ制御する互いに並列接続される2つのスイッチを少なくとも備え、入力される2つの信号のうち、はやく遷移する方の一の信号に基づき一のスイッチがオンして前記内部ノードの容量を第1の電流で充電又は放電し、つづいて、前記一の信号よりも遅れて遷移する他の信号に基づき他のスイッチがオンし、オン状態の前記一のスイッチと前記他のスイッチを介して、前記内部ノードの容量を、前記第1の電流と第2の電流とを合わせた電流値で、充電又は放電する構成とされ、前記内部ノード電圧がしきい値電圧を超えるか、又は下回った場合に出力論理値を変える、バッファ回路を備えてなるタイミング差分割回路において、前記一の信号と前記他の信号とに基づき、前記一のスイッチがオンする期間と、前記他のスイッチがオンする期間が互いにオーバラップする期間(Tovp)を所望の値に設定する回路手段を備えている。
【0131】
本発明においては、前記回路手段が、前記オーバラップする期間(Tovp)を、前記一の信号よりも遅れて遷移する前記他の信号の前縁よりも前方に延ばすか、もしくは前記前記他の信号の前縁から開始し、前記一の信号の後縁よりもさらに延長された任意の値に設定する。
【0132】
本発明においては、前記回路手段が、前記オーバラップする期間(Tovp)を、前記一の信号よりも遅れて遷移する前記他の信号の前縁から、前記他の信号の後縁までとする。
【0133】
本発明においては、前記内部ノードの容量が、複数のMOSキャパシタで構成され、前記複数のMOSキャパシタは制御信号によって前記内部ノードへの接続がそれぞれ制御される。
【0134】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について説明する。本発明は、内部ノード(N1)と電源間のパスをオン・オフ制御する互いに並列接続される2つのスイッチ(MN1、MN2)を少なくとも備え、入力される2つの信号(IN1、IN2)のうち、はやく遷移する方の一の信号に基づき一のスイッチ(MN1)がオンして前記内部ノード(N1)に付加される容量(C)を第1の電流(I)で充電又は放電し、つづいて、前記一の信号よりも遅れて遷移する他の信号に基づき他のスイッチ(MN2)がオンし、オン状態の前記一のスイッチと前記他のスイッチを介して、前記内部ノードを、前記第1の電流と第2の電流とを合わせた電流値(2I)で、充電又は放電する構成とされ、前記内部ノード電圧がしきい値電圧を超えるか、又は下回った場合に出力論理値を変える、バッファ回路(INV1)を備えてなるタイミング差分割回路において、前記一の信号と前記他の信号とに基づき、前記一のスイッチがオンする期間と、前記他のスイッチがオンする期間が互いにオーバラップする期間(Tovp)を所望の値に設定する回路手段(L1)を備える。
【0135】
より詳細には、第1、第2の入力信号(IN1、IN2)を入力とし、第1及び第2のゲート信号(G1、G2)を出力する論理回路(L1)と、ソースが第1の電源(Vcc)に接続され、ドレインが内部ノード(N1)に接続されゲートが第1のゲート信号(G1)に接続される第1導電型のMOSトランジスタ(MP1)と、内部ノード(N1)にドレインが共通接続され、第1、第2のゲート信号(G1、G2)がゲートにそれぞれ接続され、オフ、オンされる第2導電型の第2、第3のMOSトランジスタ(MN1、MN2)と、第2、第3のMOSトランジスタ(MN1、MN2)のソースと第2の電源間(GND)に接続された第1、第2の定電流源(I01、I02)と、内部ノード(N1)には、第1導電型の複数のMOSキャパシタ(MP11〜MP14)が接続されており、内部ノード(N1)に入力端が接続され内部ノード電位としきい値電圧Vtの大小から出力信号の値が規定されるバッファ回路(INV1)と、を備える。
【0136】
本発明の実施の形態において、論理回路(L1)は、第1のゲート信号(G1)として、第1、第2の入力信号(IN1、IN2)のうち先行する相の信号の始まりのエッジ(先端エッジ)に基づき、その始まりのエッジのタイミングが決定され、遅れる相の信号の終わりのエッジ(後端エッジ)に基づき終わりのエッジのタイミングが決定される信号を出力し、前記第2のゲート信号として、前記第1、第2の入力信号のうち遅れる相の信号の始まりのエッジに基づき始まりのエッジのタイミングが決定され、遅れる相の信号の終わりのエッジで終わりのエッジのタイミングが決定される信号を出力する。
【0137】
本発明の実施の形態においては、論理回路(L1)から出力される第1、第2のゲート信号のタイミングを調整することで、第2導電型の第2、第3のMOSトランジスタ(MN1、MN2)がオーバラップしてオンするタイミングを調整し、4相クロックの2つの信号(周期tCK)を入力し、丁度1/2の遅延(2tCK)の信号を出力する場合、内部ノード(N1)に付加される容量の容量値の最大値Cmaxを可変させることができる。
【0138】
これに対して、従来にタイミング差分割回路では、図28(b)に示すように、クロックを4分周した信号(周期4tCK)の90度位相が異なる第1、第2の入力信号IN1、IN2の位相差Tとその重なり時間Tovp(=tCK)の間に、内部ノードの電荷CVをしきい値電圧以下まで引き抜くことが必要とされており、最小値Cminと最大値Cmaxの比は1:3とされている。
【0139】
このように、外部クロックを多相のクロックに分周し、各相の中間タイミングをとることにより、逓倍したクロックをループ構成を用いることなく、容易に生成することができる回路等に用いられるタイミング差分割回路において、所望のタイミング差分割動作が可能な動作範囲を拡大することができる。
【0140】
さらに本発明の実施の形態においては、内部ノード(N1)に付加される容量として、MOSキャパシタ(MP11〜MP14)を用いたこともその特徴の一つとしている。
【0141】
MOSキャパシタ(MP11〜MP14)は、内部ノード(N1)にソースとドレインが接続されており、ゲートに制御信号106が入力されるMOSトランジスタよりなり、P型半導体の場合、ゲートに加える電圧(制御信号106の電圧値)VGが正電圧のとき、半導体界面に空乏層(depletion layer)が生じ、等価回路として、空乏層容量CDとゲート酸化膜容量C0との合成容量の直列接続されたキャパシタが得られる。第1導電型の複数のMOSトランジスタ(MP11〜MP14)は、互いに異なるゲート長、又はゲート幅を有している。
【0142】
かかる構成の本発明によれば、図9乃至図12、図26等を参照して説明した従来の回路よりも、集積回路化した場合のチップ面積を縮減することができる。
【0143】
本発明のタイミング差分割回路は、入力クロックを分周して多相クロックを生成出力する分周器(図4の2)と、入力クロックの周期を検知する周期検知回路(図4の6)と、分周器(2)から出力される多相クロックを入力とし、前記クロックを逓倍した多相クロックを生成する多相クロック逓倍回路(5)と、多相クロックを合成するクロック合成回路(9)とを備え、多相クロック逓倍回路(5)が、2つの入力のタイミング差を分割した信号を出力するタイミング差分割回路を複数備えるとともに、2つの前記タイミング差分割回路の出力をそれぞれ多重化して出力する複数の多重化回路とを備えたクロック制御装置のタイミング差分割回路に適用して好適とされる。
【0144】
該周期検知回路からの制御信号がタイミング差分割回路の内部ノードに接続されるMOS容量素子に制御信号として供給される。
【0145】
2相クロック逓倍回路が、2相のクロック(第1、第2クロック)を入力し、2つの入力のタイミング差を分割した信号を出力する4個のタイミング差分割回路(図7の108〜111)を備え、第1、第3のタイミング差分割回路の出力、第2、第4のタイミング差分割回路の出力を入力とする多重化回路を備える構成とし、このタイミング差分割回路に本発明のタイミング差分割回路が用いられる。
【0146】
また多相クロック逓倍回路は、n相のクロック(第1乃至第nクロック)を入力し、2つの入力のタイミング差を分割した信号を出力する2n個のタイミング差分割回路(図17の208〜215)を備え、2I−1番目(ただし、1≦I≦n)のタイミング差分割回路は、前記2つの入力としてI番目の同一クロックを入力とし、2I番目(ただし、1≦I≦n)のタイミング差分割回路は、I番目のクロックと、(I+1 mod n)番目(ただし、modは剰余演算を表し、I+1 mod nは、I+1をmで割った余り)のクロックを入力とし、J番目(ただし、1≦J≦2n)のタイミング差分割回路の出力と(J+2 mod n)番目(ただし、J+2 mod nは、J+2をnで割った余り)のタイミング差分割回路の出力とを入力とする2n個のパルス幅補正回路(216〜223)と、K番目(ただし、1≦K≦n)のパルス幅補正回路の出力と(K+n)番目のパルス幅補正回路の出力とを入力とするn個の多重化回路(224、227)とを備える構成とし、このタイミング差分割回路に本発明のタイミング差分割回路が用いてもよい。
【0147】
【実施例】
本発明の実施例について図面を参照して以下に説明する。
【0148】
図1(a)は、本発明の一実施例のタイミング差分割回路の構成を示す図である。タイミング差分割回路(「インターポーレータ」ともいう)は、入力クロック1(IN1)と入力クロック2(IN2)を入力とする論理回路L1と、ソースが電源に接続され、ゲートが論理回路L1の出力G1(第1ゲート信号)に接続され、ドレインがノードN1に接続されているPチャネルMOSトランジスタMP1と、ドレインが共通ノードN1に接続されゲートがゲートが論理回路L1の出力G1(第1ゲート信号)とG2(第2ゲート信号)とにそれぞれ接続され、ソースがそれぞれ定電流源I01、I02に接続されているNチャネルMOSトランジスタMN1、MN2とを備え、ノードN1がインバータINV1の入力端に接続されている。定電流源I01、I02の電流値は互いに等しくIとする。
【0149】
ノードN1に、ソースが共通接続されるとともに、ドレインが共通接続されてノードN1に接続された複数のPチャネルMOSトランジスタMP11、MP12、MP13、MP14、MP15を備え、PチャネルMOSトランジスタMP11、MP12、MP13、MP14、MP15のゲートには、図4の周期検知回路6からの制御信号7が接続されている。クロック周期が大のときは、内部ノードN1に付加される容量値を大とし、クロック周期が小のときは、内部ノードN1に付加される容量値を小とする制御が行われる。
【0150】
第1のゲート信号G1は、入力クロック1、入力クロック2の2相入力のうち、先行する相の始まりのエッジ(前縁)をきっかけに始まりのエッジのタイミングが決定され、遅れる相の終わりのエッジ(後縁)で終わりのエッジのタイミングが決定する。
【0151】
第2のゲート信号G2は、入力クロック1、入力クロック2の2相入力のうち遅れる相の始まりのエッジ(前縁)をきっかけに始まりのエッジのタイミングが決定され、遅れる相の終わりのエッジ(後縁)で終わりのエッジのタイミングが決定される。
【0152】
MOSキャパシタを構成するPチャネルMOSトランジスタMP11、MP12、MP13、MP14、MP15のゲート長(L)又はゲート幅(W)で規定される面積が、1:2:4:8:16からなる。これにより、容量値は、1:2:4:8:16となる。PチャネルMOSトランジスタMP11、MP12、MP13、MP14、MP15は制御信号106の電圧により、容量値が可変に設定される。
【0153】
図1(b)は、図1(a)に示した本発明の一実施例のタイミング差分割回路の動作を説明するためのタイミング波形を示したものであり、1期間(4T)における、入力IN1、IN2の入力クロック1、2、論理回路L1から生成出力される第1、第2のゲート信号G1、G2と、内部ノードN1の波形を示してある。入力クロック1、2は、周期4Tのクロックを、不図示の1/4分周回路で、4分周した信号(互いに位相がT異なる)のうち、位相差(タイミング差)がTの2相クロックである。
【0154】
第1のゲート信号G1は、その立ち上がりエッジが、位相が進んだ入力クロック1の立ち上がりエッジのタイミングで決定され、立ち下がりエッジは、遅れる相の入力クロック2の立ち下がりエッジのタイミングで決定される。
【0155】
第2のゲート信号G2は、その立ち上がりエッジが、相が遅れた入力クロック2の立ち上がりエッジのタイミングで決定され、立ち下がりエッジは、遅れる相の入力クロック2のたち下がりエッジのタイミングで決定される。
【0156】
図1(b)には、内部ノードN1の電圧波形として、2種類波形N1e、N1fが示されている。出力信号OUTのタイミングが、入力クロック1、2の位相差Tを1/2に分割した値を示すには、内部ノードN1と接続する容量の値に制限がある。
【0157】
N1eは、内部ノードN1と接続する容量の容量値が最小Cminの場合、N1fは、内部ノードN1と接続する容量の容量値が最大Cmaxの場合の波形を示してある。
【0158】
まず、内部ノードN1に接続する容量値が最小の場合のノードN1eの電圧波形N1について説明する。
【0159】
第1のゲート信号G1の立上がりエッジにより第2のゲート信号G2の立ちあがるまでの位相差Tの間、第1のゲート信号G1をゲートに入力とするNチャネルMOSトランジスタMN1のみ導通状態になる。
【0160】
内部ノードN1の電荷がNチャネルMOSトランジスタMN1に引き抜かれ、これにより、内部ノードN1の電位がインバータINV1のしきい値Vtに達したところで、インバータINV1からの出力が立上がる。
【0161】
インバータINV1のしきい値Vtに達したところまで引き抜く必要のある内部ノードN1の電荷をCVとし、電荷がNチャネルMOSトランジスタMN1の電荷引き抜きの電流値をそれぞれIとすると、第1のゲート信号G1の立上がりからCVの電荷量をIの電流で引き抜く(ノードN1の電圧が下がる)。
【0162】
第1のゲート信号G1の立上がりエッジにより第2のゲート信号G2の立ちあがりまでの位相差Tの間に、電荷CVを引き抜ききってしまうと、タイミング差分割回路(インバータINV1)の出力には、位相差Tの1/2成分が無くなる。すなわち、入力クロック2の立ち上がりの前に、タイミング差分割回路(インバータINV1)から出力信号が出力される(出力が立ち上がる)。
【0163】
このため、
CV/I > T
を満たす最小の容量値Cが、位相差Tの1/2成分を満たす最小値Cminになる。
【0164】
Cmin = T・I/V
【0165】
次に内部ノードN1に接続される容量値が最大Cmaxの場合のノードN1の電圧波形N1fについて説明する。
【0166】
第1のゲート信号G1の立上がりエッジにより第2のゲート信号G2の立ちあがるまでの位相差Tの間、第1のゲート信号G1をゲートに入力とするNチャネルMOSトランジスタMN1のみ導通状態になる。ノードN1の電荷がNチャネルMOSトランジスタMN1によって引き抜かれる。つぎに第2のゲート信号G2の立ち上がりにより、ノードN1の電荷がNチャネルMOSトランジスタMN1、MN2により、引き抜かれる(ノードN1の電圧が下がる)。ノードN1の電位がインバータINV1のしきい値Vtに達したところで、インバータINV1から出力が立ち上がる。
【0167】
インバータINV1のしきい値Vtに達したところまで引き抜く必要のあるノードN1の電荷をCVとし、NチャネルMOSトランジスタMN1、MN2の電荷引き抜きの電流値をそれぞれIとすると、第1のゲート信号G1の立上がりから、CVの電荷量を、NチャネルMOSトランジスタMN1の電流値で引き抜き、そのまま第2のゲート信号G2の立ちあがりまでの位相差Tの間、NチャネルMOSトランジスタMN1の電流値Iで引き抜き、そのあと、2Iの電流で引き抜く。
【0168】
電流2Iで引き抜く期間は、第1のゲート信号G1と第2のゲート信号G2のオーバーラップ期間Tovpである。このオーバーラップ期間Tovpの間にCVを引き抜ききれないと、タイミング差分割回路の出力には、位相差Tの1/2成分がなくなる。そこで
(CV−T・I)/2I < Tovp
を満たす最大の容量値Cが、位相差Tの1/2成分を満たす最大値Cmaxになる。
【0169】
Cmax = (2Tovp・+T)I/V
【0170】
本発明の一実施例では、論理回路L1によって、第1のゲート信号G1と第2のゲート信号G2のオーバーラップ期間Tovpの大きさを調整することで、Cmaxの大きさが調整可能である。
【0171】
さらに容量をPチャネルMOSトランジスタMP11〜MP15のソースとドレインをノードN1に共通接続することで、可変容量を、図26等に示したMOSトランジスタスイッチ(MN11〜MN14)を要せずに、構成することができ、チップ面積を縮小することができたる。
【0172】
図2、図3は、本発明の一実施例の構成を示す図である。図2(a)、図3(a)に示すように、入力クロックのオーバーラップ分を制御する回路を同相入力の回路、異相入力の回路でNAND素子を用いて作りわけている。4相クロック入力で用いている。なお、図2、図3において、入力信号としては、タイミング差のある信号IN1、IN2を入力している。また定電流源I01、I02の電流値は互いに等しくIとする。
【0173】
図2(a)において、論理回路L1として、入力IN1、IN2から第1のゲート信号IN1Aを生成する回路としてNAND回路NAND1、第2のゲート信号IN2Aを生成する回路としてNAND回路NAND2を備えている。第2のゲート信号IN2AにはMOSキャパシタ素子MP2が接続され、第1のゲート信号IN1Aと負荷をバランスさせている。
【0174】
図2(b)を参照すると、第1、第2のゲート信号IN1、IN2は信号IN1の立ち上がりエッジから信号IN2の立ち上がりエッジまでHighレベルとされ(オーバラップ期間Tovp=3tCK)、NチャネルMOSトランジスタMN1、MN2がオンし、電流2Iで電荷を引き抜く。この期間内に、インバータINV1の出力信号が立ち上がりエッジが存在するためには、インバータINV1のしきい値電圧までに引く抜くべき電荷をCVとすると、
CV/2I<3tCK
Cmax=tCK・6I/V
となる。
【0175】
また図3(a)を参照すると、論理回路L1として、異相入力である第1、第2の入力IN1、IN2から第1のゲート信号IN1Bを生成する回路としてNAND回路NAND11、第2のゲート信号IN2Bを生成する回路として、第2の入力IN2とHigh固定値を入力とするNAND回路NAND12を備えている。第2のゲート信号IN2BにはMOSキャパシタ素子MP2が接続され、第1のゲート信号IN1Bと負荷をバランスさせている。NAND回路NAND13は、入力IN1とグランド電位とが入力されており、入力1と入力2の負荷をバランスさせている。
【0176】
第1のゲート信号IN1BによりNチャネルMOSトランジスタMN1がオンし電流Iで内部ノードN1の電荷CV(Cは内部ノードの負荷容量、Vはインバータのしきい値電圧Vt)をtCK=T内に引き抜いてしまう場合、タイミング差分割回路の出力には、タイミング差Tの分割成分1/2成分存在しなくなる。
このため、
CV/I<tCK
Cmin=tCK・I/V
となる。
【0177】
異相入力の場合、第1のゲート信号IN1Bと第2のゲート信号IN2Bのオーバーラップ期間Tovpの間に、NチャネルMOSトランジスタMN1、MN2がオンし、電流2Iで、内部ノードN1から電荷CVを引き抜く場合、タイミング差分割回路の出力には、タイミング差Tの分割成分1/2成分存在する。
(CV−tCK・I)/2I < 2tCK
Cmax >(tCK・5I)/Vt
となる。
【0178】
このようにタイミング差分割回路が、タイミング差の内分比1/2のタイミングを出すことが可能な容量値は、最小から最大まで1:5となり、従来の1:3よりも大幅に拡大しており、これにより、動作周波数の範囲を拡大している。
【0179】
なお上記実施例では、内部ノードの放電パスにNチャネルMOSトランジスタMN1、MN2を並列配置したインターポレータを用いたが、PチャネルMOSトランジスタを用いて、極性を逆にしてもよい。この場合、内部ノードN1は、入力信号IN1、IN2を入力とする論理回路L1から出力される第1、第2のゲート信号によって放電される代わりに、充電される。
【0180】
上記したタイミング差分割回路は、図4乃至図7、図15乃至図17に示したクロック制御回路における、タイミング差分割回路に用いて好適とされる。なお、上記実施例では、4相クロックを用いたが、これ以外にも、例えば8相、16相の信号に適用しても有効であることは勿論である。
【0181】
またゲート信号を生成する論理回路L1として、NAND回路等による組み合わせにより各種回路が構成可能であるが、単純に、1ショット信号を作る回路でオーバーラップ期間を増やすようにしてもよい。
【0182】
以上本発明を上記実施例に即して説明したが、本発明は、上記実施例の構成に限定されるものでなく、特許請求の範囲の各請求項の発明の範囲で、当業者がなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
【0183】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、入力信号のタイミング差を所定の内分比で分割した遅延時間を有する出力信号を出力するタイミング差分割回路(インターポーレータ)において、内部ノードの立ち上がり及び立ち下がりを制御するスイッチのオン・オフ時間を制御する回路を備えたことにより、内部ノードに付加される容量値の範囲を広げることができ、簡単な論理回路で動作範囲を広げることができる、という顕著な効果を奏する。
【0184】
また本発明によれば、内部ノードへの容量の接続を制御するスイッチを取り除き、MOSキャパシタで容量を構成したことにより、チップ面積の増大を抑止低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、本発明の一実施例の構成を示す図であり、(b)は動作を説明するタイミング図である。
【図2】(a)は、本発明の一実施例の構成を示す図であり、(b)は動作を説明するタイミング図である。
【図3】(a)は、本発明の一実施例の構成を示す図であり、(b)は動作を説明するタイミング図である。
【図4】特願平09−157028号のクロック信号制御装置の構成を示す図である。
【図5】特願平09−157028号のクロック信号制御装置の構成を示す図である。
【図6】特願平09−157028号のクロック信号制御装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図7】特願平09−157028号のクロック信号制御装置に用いた二相クロック逓倍回路を示す回路図である。
【図8】特願平09−157028号のクロック信号制御装置に用いた二相クロック逓倍回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図9】特願平09−157028号のクロック信号制御装置に用いたタイミング差分割回路を示す回路図である。
【図10】特願平09−157028号のクロック信号制御装置に用いたタイミング差分割回路を示す回路図である。
【図11】特願平09−157028号のクロック信号制御装置に用いたタイミング差分割回路の具体例を示す回路図である。
【図12】特願平09−157028号のクロック信号制御装置に用いたタイミング差分割回路の具体例を示す回路図である。
【図13】特願平09−157028号のクロック信号制御装置に用いた4組のタイミング差分割回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図14】特願平09−157028号のクロック信号制御装置に用いた多重化回路の具体例を示す回路図である。
【図15】特願平09−157028号のクロック信号制御装置(実施例2)の構成を示す図である。
【図16】特願平09−157028号のクロック信号制御装置(実施例2)の動作を示すタイミングチャートである。
【図17】特願平09−157028号のクロック信号制御装置(実施例2)に用いた4相クロック逓倍回路の具体例を示す回路図である。
【図18】特願平09−157028号のクロック信号制御装置(実施例2)に用いた4相クロック逓倍回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図19】特願平09−157028号のクロック信号制御装置(実施例2)に用いたタイミング差分割回路の具体例を示す回路図である。
【図20】特願平09−157028号のクロック信号制御装置(実施例2)に用いたタイミング差分割回路の具体例を示す回路図である。
【図21】特願平09−157028号のクロック信号制御装置(実施例2)に示すタイミング差分割回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図22】特願平09−157028号のクロック信号制御装置(実施例2)に用いたパルス幅補正回路の具体例を示す回路図である。
【図23】特願平09−157028号のクロック信号制御装置(実施例2)に用いた多重化回路の具体例を示す回路図である。
【図24】従来例のクロック信号を逓倍する回路であって、遅延回路列を用いた場合を示す回路図である。
【図25】従来例のクロック信号を逓倍する回路であって、PLLを用いた場合を示す回路図である。
【図26】従来例のタイミング差分割回路(インターポーレータ)の回路構成の一例を示す図である。
【図27】タイミング差分割回路(インターポーレーター)の動作原理を説明する図である。
【図28】図26に示した従来のタイミング差分割回路の動作を説明するタイミングチャートである。
【図29】従来のタイミング差分割回路における容量値と内分比の関係の一例を示す図である。
【符号の説明】
1 外部クロック
2 分周器
3 多相クロック
4、4a1〜4a8 タイミング差分割回路
5 多相クロック逓倍回路
6 周期検知回路
7 制御信号
8 クロック合成回路
9a 多相クロック
9b 逓倍クロック
9c クロック
Claims (8)
- 第1の入力信号と第2の入力信号とに基づき、第1のゲート信号と第2のゲート信号とを生成して出力する論理回路と、
第1の電源と内部ノード間に接続され、前記第1のゲート信号が制御端子に入力される第1のスイッチ素子と、を備え、
第2のスイッチ素子と第1の定電流源よりなる第1の直列回路と、第3のスイッチ素子及び第2の定電流源よりなる第2の直列回路とが、前記内部ノードと第2の電源間に並列に接続され、
前記第2、及び第3のスイッチ素子の制御端子には、前記第1、及び第2のゲート信号がそれぞれ接続され、
制御信号によって前記内部ノードへの接続がそれぞれ制御される複数のMOSキャパシタと、
前記内部ノードに入力端が接続され前記内部ノード電位としきい値電圧の大小から出力信号の値が規定されるバッファ回路と、
を備え、
前記論理回路から出力される前記第1、及び第2のゲート信号がともにアクティブ状態となり前記第2、及び第3のスイッチ素子が同時にオンするオーバラップ期間が、所望の値に設定される、ことを特徴とするタイミング差分割回路。 - 第1の入力信号と第2の入力信号とに基づき、第1のゲート信号と第2のゲート信号とを生成して出力する論理回路と、
ソースが第1の電源に接続されドレインが内部ノードに接続されゲートが前記第1のゲート信号に接続されている第1導電型の第1のMOSトランジスタと、
前記内部ノードにドレインが共通接続され、前記第1、及び第2のゲート信号がゲートに接続されている第2導電型の第2、及び第3のMOSトランジスタと、
前記第2、及び第3のMOSトランジスタのソースと第2の電源間にそれぞれ接続されている第1、及び第2の定電流源と、
前記内部ノードにソースとドレインがともに接続され、ゲートに制御信号が接続される第1導電型の複数のMOSトランジスタと、
前記内部ノードに入力端が接続され前記内部ノード電位としきい値電圧の大小から出力信号の値が規定されるバッファ回路と、
を備え、
前記論理回路から出力される前記第1、及び第2のゲート信号がともにアクティブ状態となり前記第2、及び第3のMOSトランジスタが同時にオンするオーバラップ期間が、所望の値に設定される、ことを特徴とするタイミング差分割回路。 - 前記論理回路が、前記第1のゲート信号として、前記第1、及び第2の入力信号のうち先行する相の信号の始まりのエッジによって始まりのエッジのタイミングが決定され、遅れる相の信号の終わりのエッジによって終わりのエッジのタイミングが決定される信号を出力し、
前記第2のゲート信号として、前記第1、及び第2の入力信号のうち遅れる相の信号の始まりのエッジによって始まりのエッジのタイミングが決定され、前記遅れる相の信号の終わりのエッジによって終わりのエッジのタイミングが決定される信号を出力する、ことを特徴とする請求項1又は2記載のタイミング差分割回路。 - 前記論理回路が、前記第1、第2の入力信号が第1の値と第2の値をとるか、ともに第2の値をとり、ともに第1の値以外である場合に、前記第1のゲート信号として第1の値を出力する第1のゲート回路と、
遅れる相の信号が第2の値をとるとき前記第2のゲート信号として第1の値を出力する第2のゲート回路を備えたことを特徴とする請求項1又は2記載のタイミング差分割回路。 - 前記論理回路が、前記第1、第2のゲート信号として、前記第1、及び第2の入力信号のうち先行する相の信号の始まりのエッジによって始まりのエッジのタイミングが決定され、遅れる相の信号の終わりのエッジによって終わりのエッジのタイミングが決定される同相信号を出力する、ことを特徴とする請求項1又は2記載のタイミング差分割回路。
- 前記内部ノードに接続される複数のMOSキャパシタの容量値が互いに異なることを特徴とする請求項1記載のタイミング差分割回路。
- 前記内部ノードにソースとドレインがともに接続される第1導電型の複数のMOSトランジスタが、互いに異なるゲート長又はゲート幅を有している、ことを特徴とする請求項2記載のタイミング差分割回路。
- 前記第1、第2の入力信号が、入力クロック信号を分周して生成される互いに異なる相のクロックよりなり、
前記内部ノードにソースとドレインがともに接続される第1導電型の複数のMOSトランジスタのゲートに供給される制御信号が、前記クロックの周期を検知する回路から供給される、ことを特徴とする請求項2記載のタイミング差分割回路。
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