JP3630551B2 - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、スタックト・キャパシタ構造を有する高密度な半導体記憶装置及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
データを保持するためのキャパシタを有するDRAM(Dynamic RAM) の分野では、微細化に伴うセル面積の減少に対して、データの蓄積電荷量を確保するための種々の技術が開発されてきた。そのひとつとして、例えば文献「An Advanced Fabrication Technology of Hemispherical Grained(HSG) Poly−Si for High Capacitance Strage Electrodes, Extended Abstracts of the 1991 International Conference on SSDM, pp.478−480, 1991, H.Watanabe et al」に開示されているように、キャパシタの電極となるポリシリコンを真空中でアニールすることにより、その表面に微少な半球状の突起(Hemispherical−Grain )を形成するいわゆる粗面化技術(以下、「HSG技術」と記す)がある。また、このHSG技術をDRAMに応用した例が、例えば文献「A Capacitor−Over−Bitline(COB) Cell with A Hemispherical Grain Strage Node for 64Mb DRAMs, IEDM90 Technical Digest, pp.655−658, 1990 」や、「Method of Forming A Capacitor, USP5,444,013 」等に開示されている。
【0003】
HSG技術によれば、キャパシタの電極となるポリシリコンの表面積が増える結果、データを記憶する上で必要とされるキャパシタンスが増大し、蓄積電荷量を確保することができる。キャパシタの誘電体膜としてシリコン窒化膜を用いる場合、通常、ポリシリコンが電極材料として用いられる。HSG技術は、ポリシリコンを電極材料とする場合に、キャパシタの電極面積を大きくするための技術として有用である。
【0004】
ここで、HGS技術を用いて、キャパシタの下部電極(ストレージ電極)を構成するポリシリコンの表面を凹凸状に加工する工程の一例を簡単に説明する。図39に示すように、半導体基板(図示なし)上に層間絶縁膜2を形成した後、半導体基板上の素子領域に接続されるコンタクトプラグ3を形成しておく。続いて、例えば減圧CVD法によりポリシリコンを550℃にて堆積した後、通常のリソグラフィ法およびRIE法によりパターニングして、キャパシタの下部電極となるポリシリコン601を形成する。続いて、図40に示すように、希釈HF溶液で自然酸化膜を除去した後、真空中でアニールを施すと、表面が凹凸状に加工されたポリシリコン602を得る。これにより、キャパシタの電極面積が増大し、キャパシタンスが改善される。
【0005】
一方、キャパシタンスを改善してデータの蓄積電荷量を確保するための他の技術として、例えば文献「Giga−bit Scale DRAM Cell with New Simple Ru/(Ba,Sr)TiO3/Ru Stacked Capacitors Using X−ray Lithography, IEDM95 Technical Digest, pp.903−906, 1995」に開示されているように、キャパシタの誘電体膜として、高い誘電率を有する(Ba,Sr)TiO3(以下、「BSTO」と記す)等の高誘電体膜を利用する技術も開発されている。今後、さらに微細化が進むと、キャパシタの電極面積と誘電体膜の誘電率の双方を改善する必要が生じ、表面が凹凸状の電極と高誘電体膜とを組み合わせてキャパシタを形成する必要が生じるようになる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、BSTO等の高誘電体膜は金属酸化膜であり、堆積中に活性な酸素を雰囲気中に含む。このため、例えばキャパシタの電極にポリシリコンを用い、誘電体膜としてBSTOを用いた場合、BSTOの堆積中にポリシリコン表面が酸化されて低誘電率のSiO2膜等が形成される結果、キャパシタンスが低下する。したがって、BSTO等の金属酸化物をキャパシタの誘電体膜として使用する場合、プラチナ(Pt)やルテニウム(Ru)などの金属を電極材料として用いる必要がある。
【0007】
しかし、上述のHSG技術によれば、ポリシリコン表面に凹凸を形成することはできても、金属表面に凹凸を直接形成することはできない。このため、プラチナやルテニウムなどの金属をキャパシタの電極材料として用いる場合、電極面積を改善することが困難となる。
【0008】
この発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、キャパシタの電極となる金属の表面に凹凸を形成して、キャパシタの電極面積を増大することのできるキャパシタ構造を有する半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体記憶装置は、データ保持用のキャパシタを有する半導体記憶装置において、前記キャパシタが、上端が開放した筒型に加工され、その表面が凹凸状に加工された下部電極と、この下部電極の内外面を覆うように設けられた誘電体膜と、この誘電体膜上であって前記下部電極の内外面に対向するように設けられた上部電極と、を有することを特徴とする。
【0010】
この半導体記憶装置によれば、下部電極が、互いに表裏関係にある一方の面の形状が他方の面の形状に沿うように凹凸状に加工されている。換言すれば、互いに表裏関係にある一面の凹部の裏側に他面の凸部が位置するように凹凸を有する。このため、キャパシタンスの下部電極と上部電極の表面積が増加し、これら下部電極と上部電極との対向面積が改善される。しかも、下部電極の両面にキャパシタが形成される。したがって、データを保持するためのキャパシタンスを改善することができ、セル面積を縮小することができる。
【0011】
また、この発明の半導体記憶装置は、データ保持用のキャパシタを有する半導体記憶装置において、前記キャパシタは、凹凸形状に加工されたシリコン半導体膜の表面に金属膜を形成する工程により形成され前記シリコン半導体膜と同様の凹凸形状を有する下部電極と、この下部電極の表面を覆うように設けられた金属酸化物膜からなる誘電体膜と、この誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように設けられた金属膜である上部電極と、を有することを特徴とする。
【0012】
この半導体記憶装置によれば、下部電極が、その表面に凹凸を有するので、キャパシタの電極面積が大きくなる。したがって、そのキャパシタンスを改善することができ、セル面積を縮小することができる。
【0013】
また、この発明の半導体記憶装置は、データ保持用のキャパシタを有する半導体記憶装置において、半導体基板上に形成されたMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続されたキャパシタと、を有し、前記キャパシタが、上端が開放した筒型に加工され、その表面が凹凸状に加工された下部電極と、この下部電極の内外面を覆うように設けられた誘電体膜と、この誘電体膜上であって前記下部電極の内外面に対向するように設けられた上部電極と、を有することを特徴とする。
【0014】
また、この発明の半導体記憶装置は、データ保持用のキャパシタを有する半導体記憶装置において、半導体基板上に形成されたMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続されたキャパシタと、を有し、上記キャパシタが、上端が開放した筒型に加工され、内面が凹凸状に加工されたシリコン半導体膜と、このシリコン半導体膜の内面にその凹凸を表面に反映させて形成されて、前記シリコン半導体膜と共に下部電極として用いられる金属膜と、この金属膜の表面を覆うように設けられた金属酸化物膜からなる誘電体膜と、この誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように設けられた金属膜である上部電極と、を有することを特徴とする。前記金属膜は、例えば、凹凸状に加工された前記シリコン半導体膜の表面にメッキにより形成される。
【0015】
この半導体記憶装置によれば、下部電極と上部電極との対向面は、一方の面の形状が他方の面の形状に沿うように凹凸状に形成されている。このため、キャパシタの電極面積が大きくなり、そのキャパシタンスが改善される。したがって、セル面積を縮小することが可能となり、高密度に集積されたDRAMを得ることができる。
【0016】
また、この発明の半導体記憶装置は、半導体基板上に、データ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置において、前記キャパシタが、表面が金属でメッキされた下部電極と、この下部電極の表面を覆うように設けられた誘電体膜と、この誘電体膜上であって前記下部電極の内外面に対向するように設けられた上部電極と、を有することを特徴とする。この半導体記憶装置によれば、下部電極の表面がメッキされているので、この下部電極と誘電体膜との間の化学反応を抑制することが可能となり、この化学反応(例えば酸化反応)の生成物に起因したキャパシタンスの低下を防ぐことができる。
【0017】
また、前記シリコン半導体膜と前記金属膜との間に、前記シリコン半導体膜と前記金属膜との間の化学反応(例えばシリサイド反応)を抑制するための反応バリアー層を設けてもよい。これにより、誘電体膜の品質を良好に維持することができ、高品質な半導体記憶装置を得ることができる。
【0018】
次に、この発明の半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記キャパシタの製造工程が、粗面化されたダミー膜を形成する工程と、前記ダミー膜の凹凸を表面に反映させるように金属膜である導電膜を堆積し、下部電極を形成する工程と、前記ダミー膜を除去する工程と、前記下部電極の内外面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。前記ダミー膜は、例えばシリコン半導体膜からなる。
【0019】
すなわち、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記キャパシタの製造工程は、シリコン半導体膜を堆積し、前記シリコン半導体膜に開孔部を形成する工程と、前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工した後、前記シリコン半導体膜の表面に絶縁膜を形成する工程と、酸化された前記シリコン半導体膜の表面と前記開孔部の底面とを覆うように前記シリコン半導体膜の凹凸を表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成し、前記シリコン半導体膜上部の前記第1の導電膜を除去して、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、前記シリコン半導体膜の酸化部分および未酸化部分を除去する工程と、前記下部電極の内外面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有する。
【0020】
この半導体記憶装置の製造方法によれば、シリコン半導体膜の開孔部表面に凹凸を形成し、このシリコン半導体膜を鋳型として下部電極を形成するようにしたので、粗面化が困難な金属からなる下部電極の表面に凹凸を形成することが可能となる。また、この下部電極の表面は、外面の凹部および凸部に対応して内面に凸部および凹部が形成されるように凹凸状に加工され、キャパシタの電極面積が増大する。また、キャパシタの誘電体膜として金属酸化物を用いることが可能となる。したがって、データ保持用のキャパシタンスを大きくすることができ、セル面積が縮小されて高密度に集積された半導体記憶装置を得ることができる。
【0021】
また、この発明の半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記キャパシタの製造工程が、第1および第2の絶縁層を順次積層し、前記第2の絶縁層に開孔部を形成する工程と、前記第2の絶縁層に形成された開孔部の側壁面にシリコン半導体膜を形成する工程と、前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工する工程と、前記シリコン半導体膜を酸化してシリコン酸化膜に変化させる工程と、前記開孔部の底面の前記第1の絶縁層を除去した後、前記シリコン酸化膜の表面と前記開口部の底面を覆うように前記シリコン酸化膜の凹凸を表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成して、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、前記第1および第2の絶縁層ならびに前記シリコン酸化膜を除去する工程と、前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【0022】
この半導体記憶装置の製造方法によれば、互いに表裏関係にある一方の面の形状が他方の面の形状に沿うように、下部電極の表面が凹凸状に加工される。このため、キャパシタンスの電極面積が大きくなり、キャパシタンスが改善される。したがって、セル面積が縮小されて高密度に集積された半導体記憶装置を得ることができる。また、第2の絶縁層と共にシリコン酸化膜が除去され、工程数を減らすことができる。さらに、第1の絶縁層と第2の絶縁層とのエッチングレートの違いにより、第2の絶縁層を除去する際のエッチングの深さを精度よく制御することができる。
【0023】
また、この発明の半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記キャパシタの製造工程が、粗面化された第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜の凹凸を表面に反映させるように金属膜である第2の導電膜を堆積し、下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。前記第1の導電膜は、例えばシリコン半導体膜からなる。
【0024】
すなわち、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記キャパシタの製造工程は、絶縁層を堆積し、前記絶縁層に開孔部を形成する工程と、前記絶縁層の表面と前記開孔部の底面を覆うように、表面が凹凸状に加工されたシリコン半導体膜を形成する工程と、前記シリコン半導体膜の表面に、前記シリコン半導体膜の凹凸をその表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成した後、前記絶縁層上部の前記第1の導電膜と前記シリコン半導体膜とを除去し、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有する。
【0025】
この半導体記憶装置の製造方法によれば、凹凸状に加工されたシリコン半導体膜の表面に第1の導電膜を形成してなる下部電極を得ることができる。これにより、キャパシタの電極面積が大きくなり、キャパシタンスが改善される。また、キャパシタが絶縁層に埋め込まれるように形成されるので、キャパシタ形成後の平坦化が容易になり、その後の工程での微細化が容易になる。したがって、セル面積が縮小されて高密度に集積された半導体記憶装置を得ることができる。
【0026】
また、この発明の半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記半導体基板上に行列状に複数のMOSトランジスタを形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を行方向に連結するようにワード線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向に連結するようにビット線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された複数のキャパシタを形成する工程と、を有し、前記複数のキャパシタの製造工程が、粗面化されたダミー膜を形成する工程と、前記ダミー膜の凹凸を表面に反映させるように金属膜である導電膜を堆積し、下部電極を形成する工程と、前記ダミー膜を除去する工程と、前記下部電極の内外面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。前記ダミー膜は、例えばシリコン半導体膜からなる。
【0027】
すなわち、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記半導体基板上に行列状に複数のMOSトランジスタを形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を行方向に連結するようにワード線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向に連結するようにビット線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された複数のキャパシタを形成する工程と、を有し、前記複数のキャパシタの製造工程が、層間絶縁膜上にシリコン半導体膜を堆積し、前記コンタクトプラグ上に位置させて前記シリコン半導体膜に開孔部を形成する工程と、前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工した後、前記シリコン半導体膜の表面に絶縁膜を形成する工程と、前記シリコン半導体膜の表面と前記開孔部の底面とを覆うように前記シリコン半導体膜の凹凸を表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成し、前記シリコン半導体膜上部の前記第1の導電膜を除去して、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、前記シリコン半導体膜および絶縁膜を除去する工程と、前記下部電極の内外面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有する。
【0028】
この半導体記憶装置の製造方法によれば、互いに表裏関係にある一方の面の形状が他方の面の形状に沿うように下部電極の表面が凹凸状に加工されたキャパシタを得ることができ、高密度に集積されたDRAMを得ることができる。
【0029】
また、この発明の半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記半導体基板上に行列状に複数のMOSトランジスタを形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を行方向に連結するようにワード線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向に連結するようにビット線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された複数のキャパシタを形成する工程と、を有し、前記複数のキャパシタの製造工程が、第1および第2の絶縁層を順次積層し、前記第2の絶縁層に開孔部を形成する工程と、前記第2の絶縁層に形成された開孔部の側壁面にシリコン半導体膜を形成する工程と、前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工する工程と、前記シリコン半導体膜を酸化してシリコン酸化膜に変化させる工程と、前記開孔部の底面の前記第1の絶縁層を除去した後、前記シリコン酸化膜の表面と前記開口部の底面を覆うように前記シリコン酸化膜の凹凸を表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成して、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、前記第1および第2の絶縁層ならびに前記シリコン酸化膜を除去する工程と、前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【0030】
この半導体記憶装置の製造方法によれば、互いに表裏関係にある一方の面の形状が他方の面の形状に沿うように、下部電極の表面が凹凸状に加工されたキャパシタが得られ、高密度に集積されたDRAMを得ることができる。
【0031】
また、この発明の半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記半導体基板上に行列状に複数のMOSトランジスタを形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を行方向に連結するようにワード線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向に連結するようにビット線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された複数のキャパシタを形成する工程と、を有し、前記複数のキャパシタの製造工程が、粗面化された第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜の凹凸を表面に反映させるように金属膜である第2の導電膜を堆積し、下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。前記第1の導電膜は、例えばシリコン半導体膜からなる。
【0032】
すなわち、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記半導体基板上に行列状に複数のMOSトランジスタを形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を行方向に連結するようにワード線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向に連結するようにビット線を形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された複数のキャパシタを形成する工程と、を有し、前記複数のキャパシタの製造工程が、絶縁層を堆積し、前記絶縁層に開孔部を形成する工程と、前記絶縁層の表面と前記開孔部の底面を覆うようにシリコン半導体膜を形成する工程と、前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工する工程と、前記シリコン半導体膜の表面に前記シリコン半導体膜の凹凸をその表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成して、前記絶縁層上部の前記第1の導電膜と前記シリコン半導体膜とを除去し、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有する。
【0033】
この半導体記憶装置の製造方法によれば、凹凸状に加工されたシリコン半導体膜の表面に第1の導電膜を形成してなる下部電極を有するキャパシタが得られ、高密度に集積されたDRAMを得ることができる。
【0034】
また、この発明の半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上に、データ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記キャパシタの製造工程が、シリコン半導体膜を形成する工程と、前記シリコン半導体膜を覆うように金属をメッキし、下部電極を形成する工程と、前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【0035】
すなわち、半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、前記キャパシタの製造工程は、下部電極となるシリコン半導体膜を形成し、その表面を凹凸状に加工した後、前記シリコン半導体膜の表面に第1の導電膜をメッキして下部電極を形成する工程と、前記第1の導電膜の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有する。
【0036】
この半導体記憶装置の製造方法によれば、凹凸状に加工されたシリコン半導体膜の表面に第1の導電膜がメッキされた下部電極を得ることができる。これにより、キャパシタの電極面積を大きくすることができ、しかも、第1の導電膜によりシリコン半導体膜と誘電体膜との酸化反応を回避できる。したがって、データを保持するためのキャパシタンスを改善することができ、セル面積が縮小されて高密度に集積された半導体記憶装置を得ることができる。
【0037】
また、前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工する工程と第1の導電膜を形成する工程との間に、前記シリコン半導体膜の表面に、前記シリコン半導体膜と前記第1の導電膜との化学反応を抑制するための反応バリアー層を形成する工程をさらに設けてもよい。これにより、誘電体膜の品質を良好に維持することができ、高品質な半導体記憶装置を得ることができる。前記第1の導電膜は、電気メッキ法または無電解メッキ法などにより形成される。また、前記誘電体膜として、例えば金属酸化物などの高誘電体材料を用いることが可能となる。これにより、キャパシタンスを一層改善でき、蓄積電荷量を改善できる。
【0038】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
なお、各図において、共通する要素には同一符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、各図において、適宜、半導体基板を省略し、データ保持用のキャパシタに関連する部分を抽出して表示する。
【0039】
実施の形態1.
実施の形態1について、クラウン型と呼ばれるスタックト・キャパシタ構造を有するDRAMを例として説明する。
【0040】
この実施の形態1にかかる半導体記憶装置が有するデータ保持用のキャパシタCは、図6に示すように、例えば半導体基板(図示なし)上に形成された層間絶縁膜2上に形成され、層間絶縁膜2にはコンタクトプラグ3が埋め込み形成されている。各キャパシタCは、コンタクトプラグ3に底部が接続された上端開放の筒型(円筒型)の下部電極7と、この下部電極7の内外面に形成された高誘電体膜8と、この高誘電体膜8上であって下部電極7に対向するように設けられた上部電極9とからなる。
【0041】
下部電極7は、内外面に凹凸を有し、かつほぼ均一な厚みを有する筒型に加工されており、コンタクトプラグ3を介して半導体基板上に形成されたセルトランジスタと接続される。高誘電体膜8は、ほぼ均一な厚みで下部電極7を覆うように設けられ、上部電極9は、この高誘電体膜8上であって下部電極7に対向するように設けられる。この上部電極9は、複数のキャパシタに共通のプレート電極とされ、所定のプレート電圧が印加される。下部電極7に対向する上部電極9の表面形状は、下部電極7の表面形状に沿うように形成され、下部電極7と上部電極9との対向距離がほぼ均一に保たれる。
【0042】
以下、このクラウン型のキャパシタ構造に着目して、実施の形態1にかかる半導体記憶装置の製造方法を説明する。まず、図1に示すように、半導体基板(図示なし)上に、例えばシリコン酸化膜などの層間絶縁膜2を堆積した後、この層間絶縁膜2を開孔して、後述するキャパシタと半導体基板上のトランジスタ(図示なし)とを電気的に接続するためのコンタクトプラグ3を形成しておく。
【0043】
次に、図2に示すように、層間絶縁膜2上に、例えば減圧CVD法を用いて550℃にてダミー膜としてのポリシリコン4(シリコン半導体膜)を堆積した後、例えばフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、コンタクトプラグ3上に位置するようにポリシリコン4に開孔部5を形成し、例えば希釈HF溶液を用いて自然酸化膜(図示なし)を除去する。
【0044】
次に、図3に示すように、例えばHSG技術を用いて、真空中でポリシリコン4をアニールすることにより、このポリシリコン4の表面を凹凸状に加工する。続いて、酸素雰囲気中でアニールすることにより、ポリシリコン4の表面を酸化し、薄いシリコン酸化膜6を形成する。
【0045】
次に、図4に示すように、シリコン酸化膜6が形成されたポリシリコン4と開口部5の底面とを覆うように、例えばCVD法を用いて下部電極7となる例えばルテニウム(Ru)等の金属膜(第1の導電膜)を堆積した後、例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing) 法を用いて、下部電極7と共にシリコン酸化膜6が形成されたポリシリコン4の上部を除去して平坦化する。これにより、下部電極7は、コンタクトプラグ3に底部が接続され、開孔部5に埋め込まれた状態で互いに分離される。
【0046】
次に、図5に示すように、例えばCDE(Chemical Dry Etching)法を用いて、ポリシリコン4(未酸化部分)を除去した後、シリコン酸化膜6(ポリシリコン4の酸化部分)を除去して、内外面を露出させたクラウン状の下部電極を得る。すなわち、この実施の形態では、図3および図4に示す凹凸加工面を持つポリシリコン4を鋳型として、内外面が凹凸加工された下部電極7を形成する。
【0047】
次に、図6に示すように、例えばBSTO等の金属酸化膜からなる高誘電体膜8(誘電体膜)を下部電極7の内外面に堆積する。この後、例えばCVD法を用いてルテニウム(Ru)等の金属膜(第2の導電膜)を堆積し、高誘電体膜8上であって下部電極7の内外面に対向するように上部電極9を形成する。
【0048】
以上により、内外面が凹凸状に加工された円筒型の下部電極7を有し、これに高誘電体膜8を介して上部電極9を対向させたクラウン型のスタックト・キャパシタ構造を得る。
【0049】
ところで、ルテニウムなどの金属は、比較的低温でポリシリコンと反応してシリサイドを形成し、誘電体膜の品質に影響を与えることが知られている。しかし、この実施の形態1によれば、ルテニウムなどを堆積して下部電極7を形成する際、ポリシリコン4の表面がシリコン酸化膜6で覆われているので、シリサイド反応が抑制される。したがって、高誘電体膜8の品質に及ぼす影響を排除することができ、高誘電体膜8の膜質の低下に起因したリーク電流などを抑えることができる。
【0050】
また、この実施の形態1によれば、プラチナやルテニウム等の金属からなる下部電極7の内外両面に凹凸を形成する。したがって、下部電極7を有効に活用でき、キャパシタの電極面積を改善することができる。しかも、キャパシタの誘電体膜としてBSTO等の高誘電体膜を用いることが可能となり、小さいセル面積で大きなキャパシタンスを得ることができる。
【0051】
さらに、この実施の形態1によれば、下部電極7を形成する過程において、鋳型としてポリシリコン4を用いるため、ポリシリコン4を除去する際に、この下層をなす層間絶縁膜2(シリコン酸化膜等)に対して選択的にエッチングすることが容易となる。
【0052】
さらにまた、図7に示す参考例のように、筒型のポリシリコンの表面を凹凸状に加工して下部電極700を形成した場合、この下部電極700の側壁部の内外面にそれぞれ独立に凹凸が形成される。このため、下部電極700の厚み701が増し、下部電極700の配置ピッチ702が大きくなり、集積度が低下する。
【0053】
これに対して、この実施の形態1によれば、例えば図4に示すように、下部電極7の厚みは、下部電極7をなす金属膜の膜厚で定まる。このため、上述の図7に示す下部電極700と同じ表面積を得ることを条件として比較すれば、図8に示すように、下部電極7の厚み71および配置ピッチ72を抑えることができる。したがって、キャパシタの誘電体膜としてBSTOなどの高誘電体膜を使用する場合に限らず、例えばシリコン窒化膜を使用する場合にも、セル面積を縮小することが可能となり、集積度を向上させることができる。
【0054】
実施の形態2.
この発明の実施の形態2について、内堀型と呼ばれるスタックト・キャパシタ構造を有する半導体記憶装置を例として説明する。
【0055】
この実施の形態2にかかるキャパシタは、図13に示すように、半導体基板(図示なし)上に、コンタクトプラグ3が埋め込み形成された層間絶縁膜2を介して形成される。各キャパシタは、凹凸面を有するポリシリコン膜12と、このポリシリコン膜12の凹凸面に設けられた金属膜13と、この金属膜13の表面を覆うように設けられた誘電体膜14と、この誘電体膜14上であって金属膜13に対向するように設けられた上部電極15とからなる。
【0056】
ポリシリコン膜12は、コンタクトプラグ3に底部が接続されていて、上端開放の筒型の形態を有し、その内面が凹凸状に加工されている。金属膜13は、ポリシリコン膜12の内面(凹凸面)に設けられ、その表面にはポリシリコン膜12の凹凸が反映されている。金属膜13は、ポリシリコン12と共に下部電極(符号なし)として用いられる。
【0057】
以下、この内堀型のキャパシタ構造に着目して、実施の形態2にかかる半導体記憶装置の製造方法を説明する。上述の実施の形態1と同様にして、半導体基板上にシリコン酸化膜等の層間絶縁膜2を形成し、必要箇所にコンタクトプラグ3を埋め込み形成した後、図9に示すように、例えばシリコン酸化膜等の絶縁層10を堆積し、例えばフォトソリグラフィー法とエッチング法を用いて、コンタクトプラグ3上に位置するように、絶縁層10に開孔部11を形成する。
【0058】
次に、図10に示すように、絶縁層10と開孔部11の底面を覆うようにポリシリコン膜12を薄く堆積する。続いて、図11に示すように、例えば真空中でアニールすることにより、ポリシリコン膜12の表面を凹凸状に加工し、その表面に半球状の凹凸を形成する。
【0059】
次に、図12に示すように、ポリシリコン膜12の表面に、例えばルテニウム等の金属膜13(第1の導電膜)を形成した後、例えばCMP法を用いて、絶縁層10上部の金属膜13及びポリシリコン膜12を除去して平坦化する。これにより、筒型をなして互いに分離された複数のポリシリコン膜12と、ポリシリコン膜12の凹凸を表面に反映させた金属膜13とからなる下部電極を得る。続いて、図13に示すように、例えばBSTO等の高誘電体膜14を堆積してキャパシタの誘電体膜14を形成した後、例えばルテニウム等を順次堆積して上部電極15を形成し、内堀型のスタックト・キャパシタ構造を得る。
【0060】
この実施の形態2によれば、以下のような効果を得ることができる。
すなわち、上述の実施の形態1によれば、下部電極を形成する際の鋳型として使用されたポリシリコンは除去されるのに対し、この実施の形態2によれば、ポリシリコン膜12は、金属膜13と共に下部電極を構成する。このため、ポリシリコン膜12を除去する工程を設ける必要がない。
【0061】
また、上述の実施の形態1によれば、ポリシリコン4を厚く堆積する必要があるのに対し、この実施の形態2によれば、ポリシリコン膜12は、半球状の凹凸を形成するのに必要な最小限の量を堆積すれば足り、厚く堆積する必要がない。
【0062】
また、上述の実施の形態1によれば、ポリシリコン4と下部電極7とのシリサイド反応を回避するための酸化膜6を形成する工程を必要としたが、この実施の形態2によれば、シリサイド反応を回避するための工程が不要になる。すなわち、この実施の形態2にかかる内堀型のキャパシタでは、その構造上、ポリシリコン膜12と金属膜13の外面側との間でシリサイド反応が起こる。しかし、金属膜13の内面側に高誘電体膜14が形成されるため、この高誘電体膜14の膜質にシリサイド反応の影響が及ばないようにすることも可能である。したがって、必ずしもシリサイド反応を回避する必要はなく、このシリサイド反応を回避するための酸化膜を形成する工程が不要となる。これにより、高温工程数を減らすことができ、良好な素子特性を保つことが容易になる。
【0063】
さらに、この実施の形態2によれば、キャパシタ構造を内堀型とすることにより、キャパシタ形成後において、メモリーセル部と周辺回路部とを略同一面に仕上げることができ、平坦化が容易になる。これにより、以後のフォトソリグラフィー工程での微細化が容易になる。
【0064】
実施の形態3.
この発明の実施の形態3について説明する。この実施の形態3では、上述の図13に示す実施の形態2にかかるキャパシタ構造において、ポリシリコン膜12と金属膜13との間に、シリサイド反応を抑制するための反応バリアー層をさらに形成する。
【0065】
以下、この内堀型のキャパシタ構造に着目して、実施の形態3にかかる半導体記憶装置の製造方法を説明する。上述の実施の形態2と同様にして、図11の構造を形成した後、図14に示すように、例えばTiNや、TiとTiNとの積層膜(導電膜)等からなる反応バリアー層17を堆積する。続いて、図15に示すように、反応バリアー層17の表面に、例えばルテニウム等の金属膜13(第1の導電膜)を堆積した後、例えばCMP法を用いて層間絶縁膜10上部の金属膜13、反応バリアー層17およびポリシリコン膜12を除去して平坦化する。これにより、筒型をなして互いに分離された複数のポリシリコン膜12と、反応バリアー層17を介してポリシリコン膜12の凹凸を表面に反映させた金属膜13とからなる下部電極(符号なし)を得る。続いて、図16に示すように、例えばBSTOを堆積して高誘電体膜14を形成した後、例えばルテニウムを堆積して上部電極15を形成し、内堀型のスタックト・キャパシタ構造を得る。
【0066】
この実施の形態3によれば、以下のような効果を得ることができる。すなわち、TiNなどの反応バリアー層17がバリアメタルとして作用し、下部電極をなす金属膜13がポリシリコン膜12と反応してシリサイド化することを防ぐことができる。これにより、さらに信頼性と歩留まりの高い半導体記憶装置を得ることができる。
【0067】
また、TiNなどの反応バリアー層17を設けることにより、ポリシリコン膜12と金属膜13との密着度を高めることができる。この実施の形態3のように、CMP法を用いて絶縁層10の上部を平坦化する場合、ポリシリコン膜12と金属膜13との密着度が低いと、この金属膜13が剥がれて歩留まりを低下させるおそれがある。しかし、反応バリアー層17により、ポリシリコン膜12と金属膜13との密着度が高まる結果、金属膜13が剥がれにくくなる。したがって、より確実にしかも容易に下部電極を形成することができ、歩留まりの低下を防ぐことができる。
【0068】
さらに、反応バリアー層17を設けることにより、金属膜13の堆積が容易になる。すなわち、金属膜13の堆積方法として例えばCVD法を用いる場合、プロセス条件によっては、堆積速度や膜質が下地材料に依存する。これに対し、この実施の形態3によれば、反応バリアー層17によって、下地のバラツキの影響が低減され、金属膜13の膜質を最適化することができる。また、金属膜13の堆積方法として例えばメッキ法を用いる場合、あらかじめ導電性を有する反応バリアー層17でウェハ全面を覆うことにより、電界分布が改善され、より低欠陥密度で信頼性の高いキャパシタ電極を形成することが可能になる。
【0069】
実施の形態4.
この発明の実施の形態4について、前述の実施の形態1と同様のクラウン型のキャパシタ構造を有する半導体記憶装置を例とし、その製造方法を説明する。まず、前述の実施の形態1と同様にして、半導体基板(図示なし)上にシリコン酸化膜等の層間絶縁膜2を形成し、必要箇所を開孔してコンタクトプラグ3を形成しておく。
【0070】
次に、図17に示すように、コンタクトプラグ3が形成された層間絶縁膜2上に、エッチングストッパ層として例えばシリコン窒化膜等の層間絶縁膜20(第1の絶縁層)を薄く堆積した後、例えばシリコン酸化膜等の層間絶縁膜21(第2の絶縁層)を堆積する。続いて、図18に示すように、例えばフォトソリグラフィー法と異方性エッチング法を用いて、コンタクトプラグ3の上方に位置するように、層間絶縁膜21にキャパシタを形成するための開孔部22を形成する。
【0071】
次に、図19に示すように、層間絶縁膜21に形成された開孔部22の側壁面にポリシリコン膜23を形成する。具体的には、ウェハ全面にポリシリコン膜を堆積した後、例えばRIE法を用いて、このポリシリコン膜23を異方的にエッチングすることにより、開孔部22の側壁面にのみポリシリコン膜23を残す。
【0072】
次に、図20に示すように、例えば真空中でアニールすることにより、ポリシリコン膜23の表面を凹凸状に加工し、このポリシリコン膜23の表面に半球状の凹凸を形成する。続いて、酸素雰囲気中でアニールすることにより、ポリシリコン膜23を酸化して、図21に示すように、半球状の凹凸を有するシリコン酸化膜23Aに変化させる。
【0073】
次に、図22に示すように、開孔部22の底面の薄い層間絶縁膜20を除去した後、シリコン酸化膜23Aの表面と開孔部22の底面を覆うように、例えばルテニウム等の金属膜(第1の導電膜)を堆積して、実施の形態1と同様の処理を行って、各キャパシタごとに分離された筒型の下部電極24を形成する。
【0074】
次に、図23に示すように、例えばCDE法を用いて層間絶縁膜21およびシリコン酸化膜23Aを除去した後、例えばCDE法を用いて層間絶縁膜20を除去し、内外面を露出させたクラウン状の下部電極24を得る。ただし、層間絶縁膜20は、必要に応じて除去すればよく、そのまま残してもよい。
【0075】
最後に、図24に示すように、下部電極24を覆うように、例えばBSTO等を堆積して高誘電体膜26を形成した後、例えばルテニウム等の金属膜(第2の導電膜)を堆積して上部電極27を形成する。以上により、前述の図6に示す実施の形態1と同様のクラウン型のスタックト・キャパシタ構造を得る。
【0076】
この実施の形態4によれば、以下の効果を得ることができる。すなわち、ポリシリコン膜23を酸化してシリコン酸化膜23Aに変化させることにより、下部電極24とポリシリコン膜23とのシリサイド反応が阻止される。また、層間絶縁膜21を除去する際にシリコン酸化膜23Aを同時に除去することができ、ポリシリコン膜23を除去するための工程を省くことができる。
【0077】
また、ポリシリコン膜23は、シリコン酸化膜23Aに変化するときに体積が増える。このため、シリコン酸化膜23A上の凹凸が顕著となって、その表面積がより大きくなる。したがって、キャパシタの電極面積が一層大きくなり、キャパシタンスが大きくなる。
【0078】
さらに、厚い層間絶縁膜21の下に、エッチングレートの異なる層間絶縁膜20をエッチングストッパ層として薄く堆積しておくことにより、層間絶縁膜21をエッチングして除去する際に、エッチングの深さを精度よく制御することが可能になる。また、コンタクトプラグ3の表面が、下部電極24を形成する直前まで層間絶縁膜20により覆われているので、層間絶縁膜21を堆積する工程やポリシリコン膜23を酸化する工程において、コンタクトプラグ3の表面が酸化されることがない。したがって、下部電極24と半導体基板上の素子領域との電気的な接続状態を均一かつ良好に保つことが可能となる。
【0079】
実施の形態5.
この発明の実施の形態5について、COB(Capacitor Over Bit−line) 構造を有するDRAMに対し、上述の実施の形態4にかかるキャパシタ構造を適用した場合を例として、メモリセルのMOSトランジスタおよび周辺回路を含めた製造方法を説明する。
【0080】
まず、例えば文献「A New Planar Stacked Technology(PST) for Scaled and Embedded DRAMs : S.P.Sim et al. 1996 IEEE, IEDM 96−597」に示された方法を用いて、図25に示すように、半導体基板1上にCOB構造を形成する。ただし、図25は、メモリセル部と周辺回路部の断面構造を表すが、説明の便宜上、断面位置から奥の構造の一部を併せて表している。
【0081】
すなわち、図25に示すように、半導体基板1上に、MOSトランジスタを形成する。メモリセル部では、複数のMOSトランジスタが行列状に配列される。具体的には、半導体基板1上の素子領域以外の領域に、例えばシリコン酸化膜からなる素子分離領域30を形成する。半導体基板1の素子領域には、ゲート酸化膜(符号なし)を介して、例えばポリシリコンとタングステンとの積層構造を有するゲート電極31を形成し、このゲート電極31に対して自己整合されたソース・ドレイン領域32を形成する。このソース・ドレイン領域32に電気的に接続されるように、第1のコンタクトプラグ39が形成される。ゲート電極30は、例えばシリコン窒化膜からなる絶縁膜33で覆われる。行方向(図25の紙面垂直方向)に並ぶ複数のMOSトランジスタのゲート電極31は、連続するようにパターニングされて、ワード線を構成する。
【0082】
次に、半導体基板1上に形成された複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向(図25の紙面左右方向)に連結するようにビット線を形成する。具体的には、絶縁膜33と略同一面をなすように、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜34を形成した後、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜35を全面に形成する。この層間絶縁膜35上には、例えばダマシーン法を用いて、例えば窒化チタンとタングステンとの積層構造を有する配線層36(ビット線)が、埋め込まれるように形成される。配線層36は、コンタクトプラグ39を介して、トランジスタのソースまたはドレインの一方をなすソース・ドレイン領域32に電気的に接続される。
【0083】
一方、周辺回路部の層間絶縁膜35上には、メモリセルアレイの配線層36と同じ工程で、窒化チタンとタングステンとの積層構造を有する配線層37を形成し、この配線層37は周辺回路の素子領域に接続される。配線層36,37が形成された層間絶縁膜35上には、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜38が形成される。
【0084】
次に、層間絶縁膜34、35,38等の複数の層間絶縁膜を貫通するように、キャパシタ接続用の例えばポリシリコンからなる第2のコンタクトプラグ40を形成する。このコンタクトプラグ40は、ビット線が接続されないコンタクトプラグ39に接続される。
【0085】
なお、図25では、配線層36が、コンタクトプラグ40により分断されているように表されているが、コンタクトプラグ40は、配線層36に対して紙面手前側に形成されている。また、配線層36からなるビット線は、コンタクトプラグ40とは電気的に絶縁されて、紙面左右方向に連続するように配設されている。
【0086】
次に、上述の実施の形態4にかかる図17ないし図27に示す各工程を経て、図26に示すように、層間絶縁膜38の上に、データ保持用の複数のスタックト・キャパシタCを形成する。このキャパシタCの下部電極26はコンタクトプラグ40を介して、半導体基板1上に形成されたMOSランジスタのソース・ドレイン領域32(ビット線が接続されないノード)に電気的に接続される。上部電極をなす導電膜27は、例えばフォトソリグラフィー法とエッチング法によりパターニングされる。
【0087】
なお、上述の実施の形態4では、層間絶縁膜20を除去したが、この実施の形態5では、これを残すことにより工程数を減らしている。
次に、図27に示すように、キャパシタCが形成された層間絶縁膜20の上に、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜41を堆積する。続いて、図28に示すように、例えばリフロー法とCMP法により、層間絶縁膜41を平坦化する。続いて、通常のリソグラフィー法とエッチング法を用いて周辺回路部の配線層37の上部に接続孔を開孔し、例えば窒化チタンとタングステンとの積層膜から成る導電膜を堆積して、第3のコンタクトプラグ42を形成する。
【0088】
次に、図29に示すように、コンタクトプラグ42が形成された層間絶縁膜41の上に、例えばアルミニウム(Al)等の導電膜を堆積し、例えばソリグラフィー法とエッチング法によりパターニングして金属配線層43を形成する。この後、パッシベーション工程などを経て、DRAMが完成する。
【0089】
この実施の形態5によれば、以下の効果を得ることができる。すなわち、薄いシリコン窒化膜20により、コンタクトプラグ40表面の酸化が防止され、キャパシタの下部電極と素子領域との電気的な接続状態を良好に保つことができる。したがって、高速で安定したDRAM動作を実現できる。
【0090】
また、キャパシタの電極材料として、例えばルテニウムやプラチナを使用することにより、キャパシタの誘電体膜として、BSTOなどの金属酸化膜(高誘電体膜)を用いることができる。しかも、キャパシタの電極表面に凹凸を形成することにより、キャパシタの電極面積を改善することができる。したがって、キャパシタンスを増大させることができる。
【0091】
また、キャパシタンスが増大することにより、クラウン型のキャパシタの高さを低く抑えることができ、図27に示す層間絶縁膜41を容易に平坦化することができる。したがって、この後のフォトソリグラフィー工程が容易になり、コンタクトプラグ42や金属配線層43をより高密度に配置することが可能になる。さらに、キャパシタの蓄積電荷量を減少させずにDRAMのセル面積を縮小することができ、さらなる高密度化と、DRAM動作の高速化を実現できる。
【0092】
なお、この実施の形態5では、上述の実施の形態4にかかるキャパシタ構造をDRAMに適用した場合を例としたが、前述の実施の形態1ないし4にかかるキャパシタ構造をDRAMに適用してもよい。また、この発明にかかるキャパシタ構造が適用されるDRAMは、COB構造を有するものに限られることなく、スタックト・キャパシタ構造を有するものであればよい。
【0093】
実施の形態6.
この発明の実施の形態6について、内堀型と呼ばれるスタックト・キャパシタ構造を有する半導体記憶装置を例として説明する。
【0094】
この実施の形態6にかかるキャパシタは、凹凸状に加工されたポリシリコンの表面にルテニウムなどの金属膜をメッキしてなる下部電極を有し、この下部電極上に誘電体膜を介して上部電極が形成された構造を有する。
【0095】
以下、この実施の形態6にかかる半導体記憶装置の製造方法について、キャパシタ構造に着目して説明する。まず、図30に示すように、半導体基板(図示なし)上に、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜2を形成した後、この層間絶縁膜2を開孔して、半導体基板上にあらかじめ形成された素子領域(図示なし)に接続されるコンタクトプラグ3を形成しておく。
【0096】
続いて、層間絶縁膜2上に層間絶縁膜10を積層し、コンタクトプラグ3上に位置するように、層間絶縁膜10に開孔部50を形成する。続いて、開孔部50の内壁面にポリシリコン膜51を形成した後、真空中(例えば10の−7乗[Torr]の減圧下)でアニールして、表面が凹凸状に加工されたポリシシコン膜51(HSG−Poly)を得る。このポリシリコン膜51は、キャパシタの下部電極の一部となり、コンタクトプラグ3を介して半導体基板上の素子領域に接続される。
【0097】
次に、図31に示すように、例えば無電解メッキ法を用いて、ポリシリコン膜51の表面に、ルテニウム(Ru)やプラチナ(Pt)などの金属膜52(第1の導電膜)をメッキする。ルテニウムをメッキする場合、還元剤として、例えばNaBH4を用いる。また、プラチナをメッキする場合には、還元剤として、例えばNH2やNaBH4を用いる。無電解メッキ法に限らず、電気メッキ法に分類される電析法を用いて、RuO2等の金属酸化膜をメッキすることにより導電膜53を形成してもよい。以上により、凹凸状に加工されたポリシリコン膜51の表面に、このポリシリコン膜の凹凸を反映した凹凸面を持つ金属膜52が形成された下部電極を得る。
【0098】
次に、図32に示すように、金属膜52を覆うように、例えばペロブスカイト金属酸化物である(Ba,Sr)TiO3を堆積して、高誘電体膜53(誘電体膜)を形成する。続いて、図33に示すように、高誘電体膜53を介して金属膜52を覆うように、例えばルテニウムやプラチナなどの金属膜(第2の導電膜)を堆積して上部電極54を形成する。以上により、金属膜52がメッキされたポリシリコン51を下部電極とし、この下部電極表面に高誘電体膜53を介して上部電極54が形成された内堀型のスタックト・キャパシタ構造を得る。
【0099】
この実施の形態6によれば、下部電極を構成するポリシリコン51の表面は、ルテニウムやプラチナなどの金属膜52でメッキされる。そして、キャパシタの誘電体膜として金属酸化物を用いた場合、その表面に導電性を有する酸化物が形成される。このため、キャパシタの電極と誘電体膜(金属酸化物)との接触部に酸化物が生成されても、この酸化物に起因してキャパシタンスが低下することはない。
【0100】
なお、この実施の形態6では、凹状に形成されたポリシリコン51の内壁面にキャパシタを形成するものとしたが、前述の図40に示すように、ポリシリコンの外壁面にキャパシタを形成するように構成してもよく、下部電極となるポリシリコンの形状はどのようであってもよい。
【0101】
実施の形態7.
上述の実施の形態6では、ポリシリコン51の表面に、金属膜(導電膜)52を直接メッキしたが、この実施の形態7では、ポリシリコン51の表面を凹凸状に加工する工程と金属膜52を形成する工程との間に反応バリアー層を形成する工程を追加し、ポリシリコン51と金属膜52との間のシリサイド反応を抑制する。
【0102】
以下、この実施の形態7にかかる半導体記憶装置の製造方法について、キャパシタ構造に着目して説明する。
上述の実施の形態6と同様の工程を経て、半導体基板上に、層間絶縁膜2、コンタクトプラグ3、層間絶縁膜10、ポリシリコン51を順次形成する。
【0103】
次に、図34に示すように、例えばRTNやプラズマ窒化等の方法を用いて、ポリシリコン51 の表面に、例えば極薄のSiN膜からなる反応バリアー層55を形成する。この後、上述の実施の形態6と同様に、金属膜52をメッキし、高誘電体膜53、上部電極54を順次形成する。
【0104】
反応バリアー層55は、ポリシリコン51と金属膜52との間のシリサイド反応を抑制するように作用する。反応バリアー層55として使用されるSiN膜自体は絶縁体であるが、極めて薄く形成されるために、わずかの電界でトンネル電流が流れる。このため、電気メッキ法を用いて、反応バリアー層55上に金属膜52をメッキすることが可能となる。また、金属膜52と高誘電膜53と金属膜54とからなる正規のキャパシタに対して、ポリシリコン51と反応バリアー層55と金属膜52とからなる寄生キャパシタが直列に接続されるが、反応バリアー層55が極めて薄いため、事実上、この寄生キャパシタが顕在化してキャパシタンスの低下を招くことはない。
【0105】
反応バリアー層55の他の形成方法として、例えばCVD法によりポリシリコン50の上にTiを堆積して窒化してもよく、また、例えばCVD法によりTiNまたはTi/TiNの積層膜を形成してもよい。ただし、この場合、例えばCMP法により、ポリシリコン51(HSG−Poly)以外の部分に形成された反応バリアー層を除去する必要がある。
【0106】
実施の形態8.
実施の形態8にかかる半導体記憶装置について、COB(Capacitor Over Bit−line) 構造を有するDRAMに対し、上述の実施の形態6にかかるスタックト・キャパシタ構造を適用した場合を例として、その製造方法を説明する。
【0107】
まず、図35(トランジスタとキャパシタとの接続位置での断面図)に示すように、半導体基板60上に、ゲート電極62とソース・ドレイン63とを有するトランジスタを形成する。具体的には、半導体基板60上にSTI素子分離膜61を形成し、ゲート酸化膜を介してワード線となるゲート電極62を形成する。続いて、このゲート電極62に対して自己整合されたソース・ドレイン領域63を形成した後、絶縁膜64でゲート電極62を覆い、例えば文献「A Fully Printable Self−aligned and Planerized Stacked Capacitor DRAM Cell Tecnology for 1Gbit DRAM and Beyond, 97 VLSI Symp. Tech., pp.17−18, 1997, Y.Kohyama et al.」に開示された技術(Self−aligned Poly Plug技術)を用いて、トランジスタのソース・ドレイン領域63と接続されるポリプラグ65を形成する。
【0108】
次に、トランジスタが形成された半導体基板上に、層間絶縁膜を介してビット線となる配線層を形成する。具体的には、図36(トランジスタとビット線との接続位置での断面図)に示すように、トランジスタやポリプラグ65が形成された半導体基板上に、層間絶縁膜66を形成する。続いて、ポリプラグ65上に位置するように、ビット線用コンタクト孔67を開孔し、例えばダマシーン(Damascene )法を用いて、例えば窒化チタンとタングステンとの積層構造を有するビット線68を形成する。このビット線68は、ポリプラグ65を介して、半導体基板上に形成されたトランジスタのソース・ドレイン領域に接続される。続いて、ビット線68が形成された層間絶縁膜66上に、キャップSiN膜69を形成する。
【0109】
次に、図37(トランジスタとキャパシタとの接続位置での断面図)に示すように、キャップSiN膜69や層間絶縁膜66を貫通して、ソース・ドレイン領域63に接続されたコンタクトプラグ70を形成する。このコンタクトプラグ70は、例えば上述の文献に記載された「Cross Point Contact 技術」を用いて形成される。
【0110】
次に、前述の実施の形態6にかかる図30ないし図33に示す各工程を経て、図38に示すように、層間絶縁膜66上に、表面が金属膜52でメッキされたポリシリコン51(下部電極)と、高誘電体膜53と、金属膜54(上部電極)とからなるスタックト・キャパシタCmを形成する。この後、金属配線層などの工程を経て、DRAMが完成する。
【0111】
なお、上述の各実施の形態では、キャパシタの誘電体膜として、BSTOを例として挙げたが、この他の膜を用いることもできる。また、キャパシタの電極材料として、ルテニウムとプラチナを例として挙げたが、他の導電膜であってもよい。また、この発明は、データ保持用のキャパシタに限らず、例えば信号遅延用やチャージポンプ用などの他の用途のキャパシタにも適用することができる。
【0112】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、キャパシタの電極が凹凸状に加工されているので、キャパシタの電極面積を増大することができる。また、外面の凸部と内面の凹部とが対応するように、キャパシタの下部電極の内外面を凹凸状に形成することが可能になり、従来の粗面化技術に比べて、下部電極となる導電体の膜厚を薄くすることが可能になる。これにより、メモリセルの面積を縮小して集積度を向上させることができる。
【0113】
また、シリコン半導体膜の表面に形成した凹凸をあたかも“鋳型”のように用いて、キャパシタ下部電極となる導電膜を形成することにより、従来技術では困難であった金属電極の粗面化が可能になる。これにより、キャパシタの誘電体膜として、例えばBSTOなどの金属酸化物や他の高誘電体膜・強誘電体膜を使用することができる。
【0114】
さらに、従来より一般的な手法であるメッキ法を利用してキャパシタ電極を形成することも可能となり、製造工程を簡略化することができる。
したがって、この発明によれば、限られたセル面積でデータ保持用のキャパシタンスを改善することができ、より高密度化された半導体記憶装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1のコンタクトプラグを形成する工程を説明するための図である。
【図2】実施の形態1のポリシリコンに開孔部を形成する工程を説明するための図である。
【図3】実施の形態1のポリシリコン表面を凹凸状に加工する工程を説明するための図である。
【図4】実施の形態1の下部電極となる導電膜を形成する工程を説明するための図である。
【図5】実施の形態1のポリシリコンを除去する工程を説明するための図である。
【図6】実施の形態1の下部電極に誘電体膜を介して上部電極を形成する工程を説明するための図である。
【図7】下部電極の参考例を示す図である。
【図8】参考例の下部電極と比較説明するための実施の形態1の下部電極を示す図である。
【図9】実施の形態2の層間絶縁膜に開孔部を形成する工程を説明するための図である。
【図10】実施の形態2のポリシリコン膜を形成する工程を説明するための図である。
【図11】実施の形態2のポリシリコン膜を凹凸状に加工する工程を説明するための図である。
【図12】実施の形態2のポリシリコン膜上に下部電極を形成する工程を説明するための図である。
【図13】実施の形態2の下部電極に誘電体膜を介して上部電極を形成する工程を説明するための図である。
【図14】実施の形態3の反応バリアー層を形成する工程を説明するための図である。
【図15】実施の形態3の反応バリアー層上に下部電極を形成する工程を説明するための図である。
【図16】実施の形態3の下部電極に誘電体膜を介して上部電極を形成する工程を説明するための図である。
【図17】実施の形態4の層間絶縁膜を形成する工程を説明するための図である。
【図18】実施の形態4の層間絶縁膜に開孔部を形成する工程を説明するための図である。
【図19】実施の形態4の開孔部内壁面にポリシリコン膜を形成する工程を説明するための図である。
【図20】実施の形態4のポリシリコン膜を凹凸状に加工する工程を説明するための図である。
【図21】実施の形態4のポリシリコン膜をシリコン酸化膜に変化させる工程を説明するための図である。
【図22】実施の形態4のシリコン酸化膜上に下部電極を形成する工程を説明するための図である。
【図23】実施の形態4の層間絶縁膜等を除去する工程を説明するための図である。
【図24】実施の形態4の下部電極に誘電体膜を介して上部電極を形成する工程を説明するための図である。
【図25】実施の形態5のキャパシタ形成前のDRAMの製造工程を説明するための図である。
【図26】実施の形態5のキャパシタの製造工程を説明するための図である。
【図27】実施の形態5のキャパシタ形成後のDRAMの製造工程(層間絶縁膜)を説明するための図である。
【図28】実施の形態5のキャパシタ形成後のDRAMの製造工程(コンタクトプラグ)を説明するための図である。
【図29】実施の形態5のキャパシタ形成後のDRAMの製造工程(金属配線層)を説明するための図である。
【図30】実施の形態6の下部電極をなすポリシリコン膜を形成するまでの工程を説明するための図である。
【図31】実施の形態6の下部電極をなす導電膜を形成する工程を説明するための図である。
【図32】実施の形態6の下部電極をなす導電膜上に誘電体膜を形成する工程を説明するための図である。
【図33】実施の形態6の下部電極に誘電体膜を介して上部電極を形成する工程を説明するための図である。
【図34】実施の形態7の反応バリアー層を有するキャパシタ構造を示す図である。
【図35】実施の形態8のDRAMの製造工程(MOSトランジスタ)を説明するための図である。
【図36】実施の形態8のDRAMの製造工程(ビット線)を説明するための図である。
【図37】実施の形態8のDRAMの製造工程(コンタクトプラグ)を説明するための図である。
【図38】実施の形態8のDRAMの製造工程(キャパシタ)を説明するための図である。
【図39】HSG技術を用いて従来の半導体記憶装置が備えるキャパシタの下部電極を形成する工程(粗面化前)を説明するための図である。
【図40】HSG技術を用いて従来の半導体記憶装置が備えるキャパシタの下部電極を形成する工程(粗面化後)を説明するための図である。
【符号の説明】
1,60…半導体基板、2…層間絶縁膜、3…コンタクトプラグ、4…ポリシリコン、5,11,22,50…開孔部、6…酸化膜、7,24…下部電極、8,14,26,53…誘電体膜(高誘電体膜)、9,15,27,54…上部電極、10…絶縁膜、12,23,51…ポリシリコン膜、13,52…金属膜(導電膜)、17,55…反応バリアー層、20,21…層間絶縁膜、23A…シリコン酸化膜。
Claims (14)
- データ保持用のキャパシタを有する半導体記憶装置において、
半導体基板上に形成されたMOSトランジスタと、
前記MOSトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続されたキャパシタと、
を有し、
上記キャパシタは、
上端が開放した筒型に加工され、内面が凹凸状に加工されたシリコン半導体膜と、
このシリコン半導体膜の内面にその凹凸を表面に反映させて形成されて、前記シリコン半導体膜と共に下部電極として用いられる金属膜と、
この金属膜の表面を覆うように設けられた金属酸化物膜からなる誘電体膜と、
この誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように設けられた金属膜である上部電極と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記シリコン半導体膜と前記下部電極として用いられる金属膜との間に、前記シリコン半導体膜と前記金属膜との化学反応を抑制するための反応バリアー層をさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記下部電極として用いられる金属膜は、凹凸状に加工された前記シリコン半導体膜の表面、又は前記シリコン半導体膜の表面に反応バリアー層が形成され、その反応バリアー層の表面にメッキにより形成されたことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、
前記キャパシタの製造工程は、
シリコン半導体膜を堆積し、前記シリコン半導体膜に開孔部を形成する工程と、前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工した後、前記シリコン半導体膜の表面に絶縁膜を形成する工程と、
酸化された前記シリコン半導体膜の表面と前記開孔部の底面とを覆うように前記シリコン半導体膜の凹凸を表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成し、前記シリコン半導体膜上部の前記第1の導電膜を除去して、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、
前記シリコン半導体膜の酸化部分および未酸化部分を除去する工程と、
前記下部電極の内外面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、
前記キャパシタの製造工程は、
第1および第2の絶縁層を順次積層し、前記第2の絶縁層に開孔部を形成する工程と、
前記第2の絶縁層に形成された開孔部の側壁面にシリコン半導体膜を形成する工程と、
前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工する工程と、
前記シリコン半導体膜を酸化してシリコン酸化膜に変化させる工程と、
前記開孔部の底面の前記第1の絶縁層を除去した後、前記シリコン酸化膜の表面と前記開口部の底面を覆うように前記シリコン酸化膜の凹凸を表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成して、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、
前記第1および第2の絶縁層ならびに前記シリコン酸化膜を除去する工程と、前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、
前記キャパシタの製造工程は、
絶縁層を堆積し、前記絶縁層に開孔部を形成する工程と、
前記絶縁層の表面と前記開孔部の底面を覆うように、表面が凹凸状に加工されたシリコン半導体膜を形成する工程と、
前記シリコン半導体膜の表面に、前記シリコン半導体膜の凹凸をその表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成した後、前記絶縁層上部の前記第1の導電膜と前記シリコン半導体膜とを除去し、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、
前記半導体基板上に行列状に複数のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を行方向に連結するようにワード線を形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向に連結するようにビット線を形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された複数のキャパシタを形成する工程と、
を有し、
前記複数のキャパシタの製造工程は、
層間絶縁膜上にシリコン半導体膜を堆積し、前記コンタクトプラグ上に位置させて前記シリコン半導体膜に開孔部を形成する工程と、
前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工した後、前記シリコン半導体膜の表面に絶縁膜を形成する工程と、
前記シリコン半導体膜の表面と前記開孔部の底面とを覆うように前記シリコン半導体膜の凹凸を表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成し、前記シリコン半導体膜上部の前記第1の導電膜を除去して、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、
前記シリコン半導体膜および絶縁膜を除去する工程と、
前記下部電極の内外面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、
前記半導体基板上に行列状に複数のMOSトランジスタを形成する工程と、前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を行方向に連結するようにワード線を形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向に連結するようにビット線を形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された複数のキャパシタを形成する工程と、
を有し、
前記複数のキャパシタの製造工程は、
第1および第2の絶縁層を順次積層し、前記第2の絶縁層に開孔部を形成する工程と、
前記第2の絶縁層に形成された開孔部の側壁面にシリコン半導体膜を形成する工程と、
前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工する工程と、
前記シリコン半導体膜を酸化してシリコン酸化膜に変化させる工程と、
前記開孔部の底面の前記第1の絶縁層を除去した後、前記シリコン酸化膜の表面と前記開口部の底面を覆うように前記シリコン酸化膜の凹凸を表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成して、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、
前記第1および第2の絶縁層ならびに前記シリコン酸化膜を除去する工程と、前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、
前記半導体基板上に行列状に複数のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を行方向に連結するようにワード線を形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向に連結するようにビット線を形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された複数のキャパシタを形成する工程と、
を有し、
前記複数のキャパシタの製造工程は、
絶縁層を堆積し、前記絶縁層に開孔部を形成する工程と、
前記絶縁層の表面と前記開孔部の底面を覆うようにシリコン半導体膜を形成する工程と、
前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工する工程と、
前記シリコン半導体膜の表面に前記シリコン半導体膜の凹凸をその表面に反映させた金属膜である第1の導電膜を形成して、前記絶縁層上部の前記第1の導電膜と前記シリコン半導体膜とを除去し、各キャパシタ領域ごとに分離された筒型の下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の表面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、
前記キャパシタの製造工程は、
粗面化されたダミー膜を形成する工程と、
前記ダミー膜の凹凸を表面に反映させるように金属膜である導電膜を堆積し、下部電極を形成する工程と、
前記ダミー膜を除去する工程と、
前記下部電極の内外面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、
を有し、
前記ダミー膜は、シリコン半導体膜であることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上にデータ保持用のキャパシタが形成された半導体記憶装置の製造方法において、
前記半導体基板上に行列状に複数のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を行方向に連結するようにワード線を形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの一方を列方向に連結するようにビット線を形成する工程と、
前記複数のMOSトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続された複数のキャパシタを形成する工程と、
を有し、
前記複数のキャパシタの製造工程は、粗面化されたダミー膜を形成する工程と、
前記ダミー膜の凹凸を表面に反映させるように金属膜である導電膜を堆積し、下部電極を形成する工程と、
前記ダミー膜を除去する工程と、
前記下部電極の内外面を覆うように金属酸化物膜からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上であって前記下部電極に対向するように金属膜である上部電極を形成する工程と、
を有し、
前記ダミー膜は、シリコン半導体膜であることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第1の導電膜は、シリコン半導体膜であることを特徴とする請求項4又は7のいずれかに記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記シリコン半導体膜の表面を凹凸状に加工する工程とを形成する工程との間に、前記シリコン半導体膜の表面に、前記シリコン半導体膜と前記第1の導電膜との化学反応を抑制するための反応バリアー層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項6又は9のいずれかに記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 第1の導電膜は、電気メッキ法または無電解メッキ法のいずれかにより形成されたことを特徴とする請求項4、7又は13のいずれかに記載の半導体記憶装置の製造方法。
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