JP5087864B2 - 膜厚予測プログラム、記録媒体、膜厚予測装置および膜厚予測方法 - Google Patents
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Description
まず、半導体装置であるLSIを製造する際の製造処理手順の概要について説明する。図1は、LSIの製造処理手順の概要を示す説明図である。図1に示すように、LSIを製造する際には、まず、基板の表面上に形成された酸化膜上に、フォトマスクを介して光を照射し配線パターンを形成する(図中A)。フォトマスクとは、透明なガラス基板の上に光を通さない材料で半導体回路の配線パターンが描かれたものである。このフォトマスクを介して酸化膜上に紫外線を照射することによって半導体回路の配線パターンを転写することができる。
ここで、この発明の実施の形態にかかる膜厚予測方法の処理の概要について説明する。図2は、この発明の実施の形態にかかる膜厚予測方法の処理の概要を示す説明図である。図2に示すように、まず、TEG(Test Element Group)を用いて、各種パターンの配線溝上に形成される銅メッキの膜厚を実測する。具体的には、様々な値の配線幅、配線間隔幅によって形成された配線溝上における銅メッキの高さおよび銅メッキを生成した際に配線溝上に形成される凹凸の高さを実測する。
ここで、この発明の実施の形態にかかる膜厚予測装置のハードウェア構成について説明する。図4は、この発明の実施の形態にかかる膜厚予測装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
つぎに、この発明の実施の形態にかかる膜厚予測装置の機能的構成について説明する。図5は、この発明の実施の形態にかかる膜厚予測装置の機能的構成を示すブロック図である。図5において、膜厚予測装置は、入力部501と、演算部502と、膜厚算出部503と、差分算出部504と、決定部505と、取得部506と、から構成されている。
まず、TEGを用いて、各種パターンの配線溝上に形成される銅メッキの膜厚を実測する際の説明をする。図6は、基板表面上に生成された銅メッキの一例を示す説明図(その1)である。また、図7は、基板表面上に生成された銅メッキの一例を示す説明図(その2)である。
つぎに、実測値DBに記憶されている各配線幅w、配線間幅sにおける銅メッキの高さHおよび銅メッキを生成した際に配線溝上に形成される凹凸の高さhと、膜厚予測シミュレーションによるシミュレーション結果とを比較するキャリブレーションについて説明する。
つぎに、実際に設計対象となる基板表面上に生成される銅メッキの膜厚を測定する際の膜厚予測シミュレーションについて説明する。ここでは、キャリブレーションをおこなうことによって抽出されたパラメータの最適値を用いて設計対象となる基板表面上に生成される銅メッキの膜厚を予測する。
つぎに、膜厚予測装置において実行される膜厚予測処理について図15を用いて説明する。図15は、膜厚予測装置において実行される膜厚予測処理手順を示すフローチャートである。ここでは、基板表面上に形成された銅メッキの膜厚を予測する際の膜厚予測処理について説明する。図15のフローチャートにおいて、まず、膜厚予測装置は、条件ファイルの入力を受け付けたか否かを判断する(ステップS1501)。
前記配線溝の膨縮後における形状を表現する溝形状関数モデルに含まれるパラメータの取り得る値の入力を受け付けさせる入力工程と、
前記入力工程によって入力された値を、前記溝形状関数モデルに代入することによって、前記配線溝の膨縮後における形状を特定するモデル値を演算させる演算工程と、
前記演算工程によって演算されたモデル値および前記配線溝の寸法データを、前記膜厚関数モデルに代入することによって、前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚を算出させる第1の算出工程と、
前記第1の算出工程による算出結果と前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚の実測結果との差を算出させる第2の算出工程と、
前記第2の算出工程の算出結果に基づいて、前記パラメータの取り得る値の中から当該パラメータの最適値を決定させる決定工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする膜厚予測プログラム。
前記第2の算出工程の算出結果が最小となるときの、前記第1の算出工程による算出結果の算出もとである前記パラメータの値を、前記最適値に決定させることを特徴とする付記1に記載の膜厚予測プログラム。
前記取得工程によって取得されたモデル値および前記設計対象基板が有する配線溝の寸法データを、前記膜厚関数モデルに代入することによって、前記設計対象基板に形成される薄膜の膜厚を算出させる第3の算出工程と、
を前記コンピュータに実行させることを特徴とする付記1または2に記載の膜厚予測プログラム。
前記膨縮後における前記配線溝の膨張幅または収縮幅の変化を表現する溝形状関数モデルであることを特徴とする付記1〜3のいずれか一つに記載の膜厚予測プログラム。
前記配線溝の溝底部からの高さの変化を表現する溝形状関数モデルであることを特徴とする付記1〜4のいずれか一つに記載の膜厚予測プログラム。
前記配線溝が膨縮することにより、当該配線溝上の薄膜表面上に形成される凹凸形状を半球形状にモデル化した膜厚関数モデルであり、
前記第1の算出工程は、
前記演算工程によって演算されたモデル値を、前記膜厚関数モデルに代入することによって前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚を算出させることを特徴とする付記1〜5のいずれか一つに記載の膜厚予測プログラム。
前記配線溝の膨縮後における形状を表現する溝形状関数モデルに含まれるパラメータの取り得る値の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段によって入力された値を、前記溝形状関数モデルに代入することによって、前記配線溝の膨縮後における形状を特定するモデル値を演算する演算手段と、
前記演算手段によって演算されたモデル値および前記配線溝の寸法データを、前記膜厚関数モデルに代入することによって、前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚を算出する膜厚算出手段と、
前記膜厚算出手段による算出結果と前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚の実測結果との差を算出する差分算出手段と、
前記差分算出手段の算出結果に基づいて、前記パラメータの取り得る値の中から当該パラメータの最適値を決定する決定手段と、
を備えることを特徴とする膜厚予測装置。
前記配線溝の膨縮後における形状を表現する溝形状関数モデルに含まれるパラメータの取り得る値の入力を受け付ける入力工程と、
前記入力工程によって入力された値を、前記溝形状関数モデルに代入することによって、前記配線溝の膨縮後における形状を特定するモデル値を演算する演算工程と、
前記演算工程によって演算されたモデル値および前記配線溝の寸法データを、前記膜厚関数モデルに代入することによって、前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚を算出する第1の算出工程と、
前記第1の算出工程による算出結果と前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚の実測結果との差を算出する第2の算出工程と、
前記第2の算出工程の算出結果に基づいて、前記パラメータの取り得る値の中から当該パラメータの最適値を決定する決定工程と、
を含んだことを特徴とする膜厚予測方法。
502 演算部
503 膜厚算出部
504 差分算出部
505 決定部
Claims (5)
- 所定の形状の配線溝を有するテスト基板を利用して、設計対象基板に形成される薄膜の膜厚を、当該薄膜の体積および高さを表現する膜厚関数モデルを用いて予測させる膜厚予測プログラムにおいて、
前記配線溝の膨縮後における前記配線溝の高さに関するモデル式と、前記配線溝が収縮した場合の前記配線溝の幅に関するモデル式と、前記配線溝が膨張した場合の前記配線溝の幅に関するモデル式と、を用いて前記配線溝の膨縮後における形状を表現する溝形状関数モデルに含まれる複数のパラメータの各パラメータが取り得る値の入力を受け付ける入力工程と、
前記入力工程によって入力された値と、前記配線溝の寸法データとを、前記溝形状関数モデルに代入することによって、前記複数のパラメータの各パラメータが取りうる値の中から選ばれた各パラメータの値の組み合わせごとに前記配線溝の膨縮後における形状を特定するモデル値を演算する演算工程と、
前記演算工程によって演算されたモデル値および前記配線溝の寸法データを、前記膜厚関数モデルに代入することによって、前記各パラメータの値の組み合わせごとに前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚を算出する第1の算出工程と、
前記第1の算出工程による算出結果と前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚の実測結果との差を、前記各パラメータの値の組み合わせごとに算出する第2の算出工程と、
前記第2の算出工程の算出結果に基づいて、前記各パラメータの取り得る値の中から当該各パラメータの最適値を決定する決定工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする膜厚予測プログラム。 - 前記決定工程によって決定された最適値と、前記配線溝の寸法データとを前記溝形状関数モデルに代入することによって演算されたモデル値を取得する取得工程と、
前記取得工程によって取得されたモデル値および前記設計対象基板が有する配線溝の寸法データを、前記膜厚関数モデルに代入することによって、前記設計対象基板に形成される薄膜の膜厚を算出する第3の算出工程と、
を前記コンピュータに実行させることを特徴とする請求項1に記載の膜厚予測プログラ
ム。 - 請求項1または2に記載の膜厚予測プログラムを記録した前記コンピュータに読み取り可能な記録媒体。
- 所定の形状の配線溝を有するテスト基板を利用して、設計対象基板に形成される薄膜の膜厚を、当該薄膜の体積および高さを表現する膜厚関数モデルを用いて予測する膜厚予測装置において、
前記配線溝の膨縮後における前記配線溝の高さに関するモデル式と、前記配線溝が収縮した場合の前記配線溝の幅に関するモデル式と、前記配線溝が膨張した場合の前記配線溝の幅に関するモデル式と、を用いて前記配線溝の膨縮後における形状を表現する溝形状関数モデルに含まれる複数のパラメータの各パラメータが取り得る値の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段によって入力された値と、前記配線溝の寸法データとを、前記溝形状関数モデルに代入することによって、前記複数のパラメータの各パラメータが取りうる値の中から選ばれた各パラメータの値の組み合わせごとに前記配線溝の膨縮後における形状を特定するモデル値を演算する演算手段と、
前記演算手段によって演算されたモデル値および前記配線溝の寸法データを、前記膜厚関数モデルに代入することによって、前記各パラメータの値の組み合わせごとに前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚を算出する膜厚算出手段と、
前記膜厚算出手段による算出結果と前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚の実測結果との差を、前記各パラメータの値の組み合わせごとに算出する差分算出手段と、
前記差分算出手段の算出結果に基づいて、前記各パラメータの取り得る値の中から当該各パラメータの最適値を決定する決定手段と、
を備えることを特徴とする膜厚予測装置。 - 所定の形状の配線溝を有するテスト基板を利用して、設計対象基板に形成される薄膜の膜厚を、当該薄膜の体積および高さを表現する膜厚関数モデルを用いて予測する膜厚予測方法において、
前記配線溝の膨縮後における前記配線溝の高さに関するモデル式と、前記配線溝が収縮した場合の前記配線溝の幅に関するモデル式と、前記配線溝が膨張した場合の前記配線溝の幅に関するモデル式と、を用いて前記配線溝の膨縮後における形状を表現する溝形状関数モデルに含まれる複数のパラメータの各パラメータが取り得る値の入力を受け付ける入力工程と、
前記入力工程によって入力された値と、前記配線溝の寸法データとを、前記溝形状関数モデルに代入することによって、前記複数のパラメータの各パラメータが取りうる値の中から選ばれた各パラメータの値の組み合わせごとに前記配線溝の膨縮後における形状を特定するモデル値を演算する演算工程と、
前記演算工程によって演算されたモデル値および前記配線溝の寸法データを、前記膜厚関数モデルに代入することによって、前記各パラメータの値の組み合わせごとに前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚を算出する第1の算出工程と、
前記第1の算出工程による算出結果と前記テスト基板に形成された薄膜の膜厚の実測結果との差を、前記各パラメータの値の組み合わせごとに算出する第2の算出工程と、
前記第2の算出工程の算出結果に基づいて、前記各パラメータの取り得る値の中から当該各パラメータの最適値を決定する決定工程と、
を含んだことを特徴とする膜厚予測方法。
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