TWI774919B - 資訊處理裝置、程式、製程處理執行裝置及資訊處理系統 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種藉由輸入被處理體之初始狀態資料及作為目標之被處理體之結束狀態資料,而可決定對被處理體執行之製程處理之特定處理條件的資訊處理裝置。
本發明係藉由以下資訊處理裝置解決上述課題,該資訊處理裝置具有:記錄機構,其記錄再現被處理體之變化之模型資料,該模型資料係根據被處理體之初始狀態資料與於特定處理條件下對該被處理體執行製程處理後之被處理體之結束狀態資料之差分資料,作為製程處理效果構建而成;輸入受理機構,其受理被處理體之初始狀態資料及作為目標之該被處理體之結束狀態資料的輸入;預測機構,其使用記錄於記錄機構之模型資料及複數個模型資料之組合對輸入受理機構所受理之被處理體之初始狀態資料之被處理體之結束狀態資料進行預測;以及決定機構,其基於預測所得之被處理體之結束狀態資料與輸入受理機構所受理之作為目標之該被處理體之結束狀態資料之接近度,決定對被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
Description
本發明係關於一種資訊處理裝置、程式、製程處理執行裝置及資訊處理系統。
先前之半導體製造裝置係根據構成半導體製造裝置之控制零件之設定值而描述條件,並作為半導體製造製程執行,藉此實施所需之形狀加工或表面處理。
自先前以來已知有以下方法:例如為了於處理基板上產生所需之表面輪廓,根據最終模型及所需之表面輪廓而產生支配電漿製程順序之一個以上之輸入變數之各者之製程值(例如參照專利文獻1)。
自先前以來亦已知有以下方法:使用複數個模型參數,使將半導體元件上之蝕刻後之特徵輪廓關聯輸入獨立參數之集合之經電腦化的模型最佳化(例如參照專利文獻2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-282636號公報
[專利文獻2]日本專利特開2017-135365號公報
[發明所欲解決之問題]
然而,先前之半導體製造裝置係出於獲得所需之形狀加工或表面處理之目的,利用根據構成半導體製造裝置之控制零件之設定值(控制設定值)而描述條件並作為半導體製造製程執行之、以並非直達目的之控制設定值對半導體製造製程進行控制。存在此種利用並非直達目的之控制設定值對半導體製造製程進行控制之情況成為使元件開發速度變緩之主要原因之問題。再者,此種問題不限於半導體製造裝置,於藉由在特定處理條件下對被處理體執行製程處理而使被處理體變化之製程處理執行裝置中亦同樣會發生。
本發明之一實施形態之目的在於提供一種藉由輸入被處理體之初始狀態資料及作為目標之被處理體之結束狀態資料,而可決定對被處理體執行之製程處理之特定處理條件的資訊處理裝置。
[解決問題之技術手段]
為解決上述問題,本案技術方案1之資訊處理裝置具有:記錄機構,其記錄再現被處理體之變化之模型資料,該模型資料係根據被處理體之初始狀態資料與於特定處理條件下對該被處理體執行製程處理後之上述被處理體之結束狀態資料之差分資料,作為上述製程處理效果構建而成;輸入受理機構,其受理上述被處理體之初始狀態資料及作為目標之該被處理體之結束狀態資料的輸入;預測機構,其使用記錄於上述記錄機構之上述模型資料及複數個模型資料之組合,對上述輸入受理機構所受理之上述被處理體之初始狀態資料之上述被處理體之結束狀態資料進行預測;及決定機構,其基於預測所得之上述被處理體之結束狀態資料與上述輸入受理機構所受理之作為目標之該被處理體之結束狀態資料之接近度,決定對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
[發明之效果]
根據本發明之一實施形態,藉由輸入被處理體之初始狀態資料及作為目標之被處理體之結束狀態資料,可決定對被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
以下,參照圖式對本發明之實施形態進行說明。再者,於本實施形態中,作為對被處理體執行製程處理之製程處理執行裝置之一例,說明對被處理體執行半導體製造製程處理之半導體製造裝置之例。
[第1實施形態]
<系統構成>
圖1係第1實施形態之資訊處理系統之一例之構成圖。圖1之資訊處理系統1中,伺服器裝置10、用戶端裝置12及半導體製造裝置14經由網際網路或LAN(Local Area Network,區域網路)等網路16可通信地連接。
用戶端裝置12係使用者操作之裝置之一例。用戶端裝置12自使用者處受理使伺服器裝置10執行處理所需之後述之初始狀態資料及目標狀態資料的輸入,並將該初始狀態資料及目標狀態資料發送至伺服器裝置10。又,用戶端裝置12接收並顯示於伺服器裝置10中所執行之處理之結果。
伺服器裝置10藉由利用作為各種半導體製造製程處理效果構建而成之再現被處理體之變化之後述模型資料,而決定與自用戶端裝置12輸入之目標狀態資料接近之結果所得之後述模型資料、或複數個模型資料之組合。模型資料可預先記錄於伺服器裝置10,亦可記錄於伺服器裝置10經由網路16可讀出之其他裝置。
伺服器裝置10於與自用戶端裝置12輸入之目標狀態資料之接近度較大之結束狀態資料中,選擇使初始狀態資料變化而得之後述模型資料、或複數個模型資料之組合作為最佳解。伺服器裝置10將選為最佳解之後述模型資料中所含之設定資料(配方參數)決定為構成半導體製造裝置之控制零件之設定值(控制設定值)。
伺服器裝置10亦可將所決定之控制設定值輸出至用戶端裝置12,並使之顯示於用戶端裝置12。又,伺服器裝置10亦可將所決定之控制設定值輸出至半導體製造裝置14並控制半導體製造裝置14所執行之半導體製造製程處理。半導體製造裝置14基於自伺服器裝置10輸入之控制設定值執行半導體製造製程處理。
再者,圖1之資訊處理系統1係一例,當然,視用途及目的亦有各種系統構成例。如圖1之伺服器裝置10、用戶端裝置12及半導體製造裝置14之裝置之區分係一例。可有多種構成,例如,伺服器裝置10、用戶端裝置12及半導體製造裝置14之至少兩者一體化所得之構成、或伺服器裝置10分割而成之構成等。
又,半導體製造裝置14亦可為未連接於網路16之構成。於此種構成之情形時,半導體製造裝置14經由例如USB(Universal Serial Bus,通用串列匯流排)等記錄媒體受理伺服器裝置10所輸出之控制設定值之輸入。
<硬體構成>
圖1之資訊處理系統1之伺服器裝置10及用戶端裝置12係藉由例如圖2所示之硬體構成之電腦而實現。圖2係電腦之一例之硬體構成圖。
圖2之電腦500具備輸入裝置501、顯示裝置502、外部I/F(介面)503、RAM(Random Access Memory,隨機存取記憶體)504、ROM(Read Only Memory,唯讀記憶體)505、CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)506、通信I/F507及HDD(Hard Disk Drive,硬碟驅動器)508等,其等分別利用匯流排B相互連接。再者,輸入裝置501及顯示裝置502亦可為於需要時連接利用之形態。
輸入裝置501係鍵盤或滑鼠、觸控面板等,其用於使用者等輸入各操作信號。顯示裝置502係顯示器等,其顯示電腦500之處理結果。通信I/F507係將電腦500連接於網路之介面。HDD508係儲存程式或資料之非揮發性記憶裝置之一例。
外部I/F503係與外部裝置之間之介面。電腦500可經由外部I/F503對SD(Secure Digital,安全數位)記憶卡等記錄媒體503a進行讀取及/或寫入。ROM505係儲存有程式或資料之非揮發性半導體記憶體(記憶裝置)之一例。RAM504係暫時保存程式或資料之揮發性半導體記憶體(記憶裝置)之一例。
CPU506係藉由將程式或資料自ROM505及HDD508等記憶裝置讀出至RAM504並執行處理,而實現電腦500整體之控制或功能之運算裝置。圖1之資訊處理系統1之伺服器裝置10及用戶端裝置12藉由例如圖2之電腦500之硬體構成,可實現如後所述之各種功能。
<功能構成>
本實施形態之資訊處理系統1係藉由例如圖3之功能塊而實現。圖3係本實施形態之資訊處理系統之一例之功能方塊圖。再者,圖3之功能塊係省略了本實施形態之說明無需之功能塊的圖示。
伺服器裝置10係藉由執行伺服器裝置10用之程式,而實現Proxel記錄部20、輸入受理部22、預測部24、決定部26及設定值輸出部28。用戶端裝置12係藉由執行用戶端裝置12用之程式,而實現初始狀態資料輸入部30、目標狀態資料輸入部32、資料發送部34及結果顯示部36。又,半導體製造裝置14係藉由執行半導體製造裝置14用之程式,而實現設定值輸入受理部40、條件輸入部42及半導體製造製程控制部44。
用戶端裝置12之初始狀態資料輸入部30係自使用者處受理初始狀態資料之輸入。初始狀態資料係包含藉由例如形狀模型化軟體而模型化所得之半導體製造製程處理前之被處理體之三維構造資訊及材質資訊之資料。又,初始狀態資料亦可為包含半導體製造製程處理前之被處理體之二維構造資訊及材質資訊之資料。再者,初始狀態資料若能表示半導體製造製程處理前之被處理體之構造資訊及材質資訊,則亦可為包含一維構造資訊及材質資訊之資料。
目標狀態資料輸入部32係自使用者處受理目標狀態資料之輸入。目標狀態資料係包含藉由例如形狀模型化軟體而模型化所得之半導體製造製程處理後之作為目標之被處理體之三維構造資訊及材質資訊之資料。目標狀態資料亦可為包含半導體製造製程處理後之作為目標之被處理體之二維構造資訊及材質資訊之資料。再者,目標狀態資料若能表示半導體製造製程處理後之作為目標之被處理體之構造資訊及材質資訊,則亦可為包含一維構造資訊及材質資訊之資料。
資料發送部34係將初始狀態資料輸入部30自使用者處受理輸入所得之初始狀態資料以及目標狀態資料輸入部32自使用者處受理輸入所得之目標狀態資料發送至伺服器裝置10。
結果顯示部36係對於伺服器裝置10中執行之處理之結果進行顯示。結果顯示部36所顯示之處理結果可為表示伺服器裝置10所選擇之模型資料或複數個模型資料之組合之最佳解之資訊,可為表示選作該最佳解之模型資料所對應之控制設定值之資訊,亦可為表示該兩者之資訊。結果顯示部36可自接近度較大者起顯示任意數量之伺服器裝置10所選擇之模型資料或複數個模型資料之組合。
伺服器裝置10之Proxel記錄部20係記憶作為各種半導體製造製程處理之效果構建而成之再現被處理體之變化之後述模型資料。輸入受理部22自用戶端裝置12接收初始狀態資料及目標狀態資料。
預測部24藉由使用Proxel記錄部20所記憶之後述模型資料或複數個模型資料之組合,模擬被處理體之初始狀態資料因半導體製造製程處理引起之變化,而預測被處理體之結束狀態資料。決定部26係自預測部24預測所得之被處理體之結束狀態資料中特定出與目標狀態資料之被處理體接近之被處理體之結束狀態資料。
決定部26選擇變化為所選擇之被處理體之結束狀態資料之後述模型資料或複數個模型資料之組合作為最佳解。決定部26將選作最佳解之後述模型資料所包含之設定資料決定為控制設定值。設定值輸出部28將所決定之控制設定值輸出至用戶端裝置12及半導體製造裝置14之至少一者。再者,設定值輸出部28之輸出亦可包含表示決定部26所決定之模型資料或複數個模型資料之組合之最佳解的資訊。
再者,決定部26可自接近度較大者選擇任意數量之模型資料或複數個模型資料之組合並輸出至用戶端裝置12。藉此,用戶端裝置12可依據接近度自大至小之順序排名顯示模型資料或複數個模型資料之組合。
半導體製造裝置14之設定值輸入受理部40係自伺服器裝置10處受理控制設定值之輸入。條件輸入部42係以自伺服器裝置10輸入之控制設定值為條件進行輸入而對半導體製造製程控制部44進行控制。半導體製造製程控制部44係基於所輸入之控制設定值執行半導體製造製程處理。
<資料例>
繼而,為使本實施形態易於理解,對半導體製造製程處理相關資料進行說明。圖4係表示半導體製造製程處理相關資料之一例之構成圖。再者,圖4示出初始資料、設定資料、輸出資料、測定資料、實驗資料及目標資料作為半導體製造製程處理相關資料之一例。
圖4之初始資料係初始狀態資料之一例,包含:
・Initial CD(critical dimensions,臨界尺寸)(極限尺寸)
・Material(材料)
・Thickness(厚度)
・Aspect ratio(縱橫比)
・Mask coverage(遮罩覆蓋性)
等。初始資料中亦可包含三維構造資訊。
設定資料係控制設定值之一例,包含:
・Pressure(腔室內之壓力)
・Power(高頻電源之電力)
・Gas(氣體流量)
・Temperature(腔室內之溫度或基板表面之溫度)
等。
輸出資料係自半導體製造裝置14輸出之資料,包含:
・Vpp(電位差)
・Vdc(直流自偏壓電壓)
・OES(Optical Emission Spectroscopy,發射光譜分析之發光強度)
・Reflect(反射波電力)
等。
測定資料係利用測定器所測定之資料,包含:
・Plasma density(電漿密度)
・Ion energy(離子能)
・Ion flux(離子入射量)
等。
實驗資料係藉由實驗而獲得之資料,包含:
・Etching rate(蝕刻速度)
・Deposition rate(成膜速度)
・XY position(XY座標)
・Film type(薄膜種類)
・Vertical/Lateral(反應方向性之區分)
等。
目標資料係目標狀態資料之一例,包含:
・CD(極限尺寸)
・Depth(深度)
・Taper(錐角)
・Tilting(傾斜角)
・Bowing(彎曲)
等。目標資料中亦可包含三維構造資訊。
本實施形態之伺服器裝置10係藉由輸入初始資料及目標資料而如後所述般決定最佳設定資料。
<模型資料之概要>
伺服器裝置10之Proxel記錄部20所記錄之模型資料係利用如圖5所示般計算而得之各種半導體製造製程處理之效果構建而成。圖5係計算半導體製造製程處理效果之處理之一例之說明圖。
於圖5之說明圖中,示出藉由被輸入特定之設定資料作為控制設定值之半導體製造裝置14執行半導體製造製程,而初始狀態資料之被處理體向結束狀態資料之被處理體之變化之情況。並且,此時之半導體製造製程之效果能以被處理體之初始狀態資料與結束狀態資料之差分表示。再者,此時之半導體製造製程之執行情況能藉由輸出資料、測定資料、實驗資料而特定。
伺服器裝置10之Proxel記錄部20中記錄有將以此方式計算而得之半導體製造製程之效果對應至設定資料、輸出資料、測定資料、實驗資料而得之模型資料。
<被處理體之狀態資料變化之預測方式>
圖6係被處理體之狀態資料變化之預測方式之一例之說明圖。被處理體之狀態資料變化之預測方式如圖6所示,有使用測定資料之方式及使用實驗資料之方式。
圖6(A)係表示使用測定資料並藉由形狀模擬軟體對結束資料進行預測之情況。若採用圖6(A)之方式,則被處理體之狀態資料變化之預測需要測定資料。然而,其存在因測定資料係使用測定器進行測定者,故包含測定系統之誤差之問題。
圖6(B)係表示使用實驗資料並藉由形狀模型化軟體對結束資料進行預測之情況。若採用圖6(B)之方式,則被處理體之狀態資料變化之預測需要實驗資料。即,圖6(B)之方式係利用過去所獲得之實驗資料使形狀模型化軟體對被處理體之狀態資料變化進行預測。
本實施形態係採用無需提高被處理體之狀態資料變化之預測精度之圖6(B)的方式。於圖6(B)之方式中,模型資料係再現由執行半導體製造製程而引起之自初始狀態向結束狀態之被處理體之變化者。再者,只要可創建本實施形態之模型資料,則亦可採用圖6(A)之方式。
<處理>
《伺服器裝置之處理》
圖7係伺服器裝置之處理之一例之流程圖。伺服器裝置10之輸入受理部22於步驟S11中,自用戶端裝置12接收初始狀態資料及目標狀態資料。進入步驟S12,預測部24自Proxel記錄部20讀出所利用之模型資料或複數個模型資料之組合。再者,所利用之模型資料或複數個模型資料之組合可以循環方式讀出,可決定次數而隨機讀出,亦可讀出至到達所能容許之接近度。
圖8係讀出複數個模型資料之組合之處理之一例之概念圖。於圖8中將模型資料記載為Proxel。圖8(A)係5個模型資料之組合之例。圖8(B)係6個模型資料之組合之例。如圖8所示,複數個模型資料之組合中可包含複數個相同模型資料。
又,讀出複數個模型資料之組合之處理亦可以圖9之方式進行。圖9係讀出複數個模型資料之組合之處理之一例之概念圖。圖9係3個模型資料之組合之例,其表示第1個模型資料「ProxelA」及第3個模型資料「ProxelC」由使用者直接指定之例。於圖9之例中,係藉由第2個模型資料之插入或切換,而讀出複數個模型資料之不同組合。
進入步驟S13,預測部24藉由使用於步驟S12中自Proxel記錄部20讀出之模型資料或複數個模型資料之組合,模擬被處理體之初始狀態資料因半導體製造製程處理引起之變化,而對被處理體之結束狀態資料進行預測。
例如,當於步驟S12中讀出1個模型資料之情形時,例如如圖10所示,使用1個模型資料並根據被處理體之初始狀態資料對結束狀態資料進行預測。圖10係預測處理之一例之概念圖。因模型資料中對應有特定之半導體製造製程之效果,故能對輸入初始狀態資料之被處理體1301之情形時之結束狀態資料之被處理體1311進行預測。同樣,亦能對輸入初始狀態資料之被處理體1302之情形時之結束狀態資料之被處理體1312進行預測。如此,若本實施形態之模型資料之形狀等初始狀態資料不同,則能對與其初始狀態資料對應之不同結束狀態資料進行預測。
又,當於步驟S12中讀出複數個模型資料之組合之情形時,自前起依序使用複數個模型資料並根據被處理體之初始狀態資料對結束狀態資料進行預測,第2個之後之模型資料之初始狀態資料成為依序之前1個模型資料之結束狀態資料。如此,預測部24使用於步驟S12中自Proxel記錄部20讀出之模型資料或複數個模型資料之組合,而對被處理體之結束狀態資料進行預測。
進入步驟S14,決定部26對預測部24於步驟S13中預測所得之被處理體之結束狀態資料與於步驟S11中受理輸入所得之目標狀態資料的接近度(亦可為背離度)進行計算。
進入步驟S15,預測部24及決定部26反覆進行步驟S12~S15之處理直至所有模型資料及複數個模型資料之組合之讀出結束。預測部24及決定部26於所有模型資料及複數個模型資料之組合之讀出結束時進入步驟S16,並能選擇於步驟S14中計算所得之接近度最大(於背離度之情形時為最小)之模型資料或複數個模型資料之組合作為最佳解。
再者,關於步驟S12~S15之處理之反覆,於決定次數而隨機讀出複數個模型資料之組合之情形時,係進行至到達該次數,於讀出至達到所能容許之接近度之情形時,係進行至計算出所能容許之接近度為止。
於圖7之流程圖之處理中,若伺服器裝置10之Proxel記錄部20中所記錄之模型資料增多,則步驟S12中讀出之模型資料及複數個模型資料之組合增多,且選出最佳解之時間變長。因此,關於步驟S12之自Proxel記錄部20讀出所利用之模型資料或複數個模型資料之組合之處理,亦可藉由以步驟S14中計算所得之差分為評估值進行機械學習,而謀求最佳解之搜尋之效率化。為了搜尋最佳解,可使用樹狀搜尋、圖表搜尋、元啟發式搜尋,亦可組合使用該等方法。進而,為了搜尋最佳解,亦可利用強化學習對用於獲得接近目標狀態資料之結束狀態資料之半導體製造製程之選擇指南(Policy)進行學習。
例如,可考慮根據圖7之步驟S14之結果使用遺傳演算法探尋最佳解之方法、以與目標狀態資料之背離度為補償基準進行搜尋(強化學習)之方法、或對與目標狀態資料之差分及與半導體製造製程處理之處理條件之相關性進行學習且以與目標狀態資料之背離度為補償基準進行搜尋(強化學習)之方法。
<Proxel>
於伺服器裝置10之Proxel記錄部20所記錄之模型資料中,能利用例如如下所述之Proxel。Proxel係對被處理體之執行之製程處理中之最小資料單位(Process Element),其係與稱圖像之最小單位(Picture Element)為"Pixel"、稱立體之最小單位(Volume Element)為"voxel"之方式相同之名稱。
Proxel定義為當於特定之處理條件下對被處理體執行半導體製造製程處理之情形時,於某一處理條件空間中唯一決定其效果(狀態資料之變化)之最小單位。再者,於已理解本實施形態之模型資料係藉由使用複數個Proxel而產生一定效果之情形時,亦可將該等複數個Proxel作為整體處理。
[其他實施形態]
再者,於第1實施形態中,雖已對逐個指定初始狀態資料及目標狀態資料之例進行說明,但亦可藉由指定複數個初始狀態資料及目標狀態資料,並以各者之接近度為指標,而使其能應對以負載效應或面內均一性為目標之情形。
於以負載效應或面內均一性為目標之情形時,需要分別指定不同圖案形狀或基板區塊(中心/中間/邊緣等)之初始狀態資料及目標狀態資料。於以負載效應或面內均一性為目標之情形時,係以所得之接近度中之複數個接近度為指標。
又,雖於第1實施形態中決定部26選擇步驟S14中計算所得之接近度最大(於背離度之情形時為最小)之模型資料或複數個模型資料之組合作為最佳解,但亦可受理人的判斷或操作。例如,決定部26亦可基於接近度輸出複數個處理條件候補,並受理根據複數個處理條件候補最終縮小處理條件範圍之人的判斷或操作。
於記憶有使用者預先指定之判斷基準(人的判斷)之情形時,決定部26具備基於使用者預先指定之判斷基準自複數個處理條件候補最終決定處理條件之功能。又,於受理使用者之取捨操作(人的操作)之情形時,決定部26具備使複數個處理條件候補顯示於用戶端裝置12,並受理來自使用者之最終處理條件之選擇之功能。
<總結>
以上,根據本實施形態,如圖11所示,能基於被處理體之構造資訊等初始狀態資料及目標狀態資料之輸入,自累積而成之模型資料中自動搜尋最佳模型資料或最佳模型資料之組合,向使用者提示輸入至半導體製造裝置14之控制設定值等處理條件候補。圖11係本實施形態之伺服器裝置10之處理之一例之概念圖。
又,根據本實施形態,藉由輸入包含利用例如形狀模型化軟體模型化所得之半導體製造製程處理前後之被處理體之三維構造資訊及材質資訊之資料,自使用者輸入之資訊量增加,能較高精度地實現與目標狀態資料接近之形狀加工或表面處理。再者,於本實施形態中,被處理體之形狀亦可包含微區域之配置(原子排列等)或狀態(與氣體之反應等)。
本發明並不限定於具體揭示之上述實施形態,可不脫離申請專利範圍而進行各種變化或變更。本實施形態中所說明之資訊處理系統1係一例,當然,視用途及目的亦有各種系統構成例。
1‧‧‧資訊處理系統
10‧‧‧伺服器裝置
12‧‧‧用戶端裝置
14‧‧‧半導體製造裝置
16‧‧‧網路
20‧‧‧Proxel記錄部
22‧‧‧輸入受理部
24‧‧‧預測部
26‧‧‧決定部
28‧‧‧設定值輸出部
30‧‧‧初始狀態資料輸入部
32‧‧‧目標狀態資料輸入部
34‧‧‧資料發送部
36‧‧‧結果顯示部
40‧‧‧設定值輸入受理部
42‧‧‧條件輸入部
44‧‧‧半導體製造製程控制部
500‧‧‧電腦
501‧‧‧輸入裝置
502‧‧‧顯示裝置
503‧‧‧外部I/F
503a‧‧‧記錄媒體
504‧‧‧RAM
505‧‧‧ROM
506‧‧‧CPU
507‧‧‧通信I/F
508‧‧‧HDD
1301‧‧‧初始狀態資料之被處理體
1302‧‧‧初始狀態資料之被處理體
1311‧‧‧結束狀態資料之被處理體
1312‧‧‧結束狀態資料之被處理體
B‧‧‧匯流排
圖1係第1實施形態之資訊處理系統之一例之構成圖。
圖2係電腦之一例之硬體構成圖。
圖3係本實施形態之資訊處理系統之一例之功能方塊圖。
圖4係表示半導體製造製程處理相關資料之一例之構成圖。
圖5係計算半導體製造製程處理效果之處理之一例之說明圖。
圖6(A)、(B)係被處理體之狀態資料變化之預測方式之一例之說明圖。
圖7係伺服器裝置之處理之一例之流程圖。
圖8(A)、(B)係讀出複數個模型資料之組合之處理之一例之概念圖。
圖9係讀出複數個模型資料之組合之處理之一例之概念圖。
圖10係預測處理之一例之概念圖。
圖11係本實施形態之伺服器裝置10之處理之一例之概念圖。
Claims (14)
- 一種資訊處理裝置,其具有: 記錄機構,其記錄再現被處理體之變化之模型資料,該模型資料係根據上述被處理體之初始狀態資料與於特定處理條件下對該被處理體執行製程處理後之上述被處理體之結束狀態資料之差分資料,作為上述製程處理效果構建而成; 輸入受理機構,其受理上述被處理體之初始狀態資料及作為目標之該被處理體之結束狀態資料的輸入; 預測機構,其使用記錄於上述記錄機構之上述模型資料及複數個模型資料之組合,對上述輸入受理機構所受理之上述被處理體之初始狀態資料之上述被處理體之結束狀態資料進行預測;以及 決定機構,其基於預測所得之上述被處理體之結束狀態資料與上述輸入受理機構所受理之作為目標之該被處理體之結束狀態資料之接近度,決定對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
- 如請求項1之資訊處理裝置,其中上述輸入受理機構係受理指定了複數個上述被處理體之初始狀態資料及作為目標之該被處理體之結束狀態資料的輸入,且 上述決定機構基於預測所得之上述被處理體之結束狀態資料與上述輸入受理機構所受理之作為目標之該被處理體之結束狀態資料之複數個接近度,決定對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
- 如請求項1或2之資訊處理裝置,其中上述記錄機構記錄再現上述被處理體之構造資訊及材質資訊之變化之模型資料,該模型資料係根據包含上述被處理體之構造資訊及材質資訊之上述被處理體之初始狀態資料與包含上述被處理體之構造資訊及材質資訊之上述被處理體之結束狀態資料之差分資料,作為上述製程處理效果構建而成。
- 如請求項1或2之資訊處理裝置,其中上述特定處理條件包含對上述被處理體執行製程處理之製程處理執行裝置之控制零件之設定值。
- 如請求項4之資訊處理裝置,其進而具有設定值輸出機構,該設定值輸出機構係基於由上述決定機構所決定之對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件,輸出上述特定處理條件所包含之對上述製程處理執行裝置之控制零件之設定值。
- 如請求項1或2之資訊處理裝置,其中上述輸入受理機構係受理由至少可設計上述被處理體之形狀之軟體所輸出之上述被處理體之初始狀態資料、及上述作為目標之被處理體之結束狀態資料的輸入。
- 如請求項1或2之資訊處理裝置,其中上述預測機構係對記錄於上述記錄機構之上述模型資料及上述模型資料之組合之全部,預測上述輸入受理機構所受理之上述被處理體之初始狀態資料之上述被處理體之結束狀態資料,且 上述決定機構係基於與上述作為目標之被處理體之結束狀態資料之接近度較大之上述預測所得之被處理體之結束狀態資料,決定對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
- 如請求項1或2之資訊處理裝置,其中上述預測機構係以上述預測所得之被處理體之結束狀態資料與上述作為目標之被處理體之結束狀態資料之差分作為評估值,藉由機械學習搜尋記錄於上述記錄機構之上述模型數及複數個模型資料之組合之最佳解。
- 如請求項1或2之資訊處理裝置,其中上述決定機構自基於上述接近度之複數個處理條件候補,基於預先由使用者指定並記憶之判斷基準,決定對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
- 如請求項1或2之資訊處理裝置,其中上述決定機構向使用者提示基於上述接近度之複數個處理條件候補,並基於自使用者處受理之對上述複數個處理條件候補之選擇,決定對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
- 如請求項1或2之資訊處理裝置,其中上述製程處理係半導體製造製程處理。
- 一種程式,其係用於使電腦作為以下機構而發揮功能: 記錄機構,其記錄再現被處理體之變化之模型資料,該模型資料係根據上述被處理體之初始狀態資料與於特定處理條件下對該被處理體執行製程處理後之上述被處理體之結束狀態資料之差分資料,作為上述製程處理效果構建而成; 輸入受理機構,其受理上述被處理體之初始狀態資料及作為目標之該被處理體之結束狀態資料的輸入; 預測機構,其使用記錄於上述記錄機構之上述模型資料及複數個模型資料之組合,對上述輸入受理機構所受理之上述被處理體之初始狀態資料之上述被處理體之結束狀態資料進行預測;及 決定機構,其基於預測所得之上述被處理體之結束狀態資料與上述輸入受理機構所受理之作為目標之該被處理體之結束狀態資料之接近度,決定對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
- 一種製程處理執行裝置,其係對被處理體執行製程處理者,且具有: 記錄機構,其記錄再現被處理體之變化之模型資料,該模型資料係根據上述被處理體之初始狀態資料與於特定處理條件下對該被處理體執行製程處理後之上述被處理體之結束狀態資料之差分資料,作為上述製程處理效果構建而成; 輸入受理機構,其受理上述被處理體之初始狀態資料及作為目標之該被處理體之結束狀態資料的輸入; 預測機構,其使用記錄於上述記錄機構之上述模型資料及複數個模型資料之組合,對上述輸入受理機構所受理之上述被處理體之初始狀態資料之上述被處理體之結束狀態資料進行預測;及 決定機構,其基於預測所得之上述被處理體之結束狀態資料與上述輸入受理機構所受理之作為目標之該被處理體之結束狀態資料之接近度,決定對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
- 一種資訊處理系統,其係包含對被處理體執行製程處理之製程處理執行裝置、以及決定上述製程處理執行裝置對上述被處理體執行之製程處理及特定處理條件之資訊處理裝置者,且具有: 記錄機構,其記錄再現被處理體之變化之模型資料,該模型資料係根據被處理體之初始狀態資料與於特定處理條件下對該被處理體執行製程處理後之上述被處理體之結束狀態資料之差分資料,作為上述製程處理效果構建而成; 輸入受理機構,其受理上述被處理體之初始狀態資料及作為目標之該被處理體之結束狀態資料的輸入; 預測機構,其使用記錄於上述記錄機構之上述模型資料及複數個模型資料之組合,對上述輸入受理機構所受理之上述被處理體之初始狀態資料之上述被處理體之結束狀態資料進行預測;及 決定機構,其基於預測所得之上述被處理體之結束狀態資料與上述輸入受理機構所受理之作為目標之該被處理體之結束狀態資料之接近度,決定對上述被處理體執行之製程處理之特定處理條件。
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GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |