JP3506594B2 - 共重合体、共重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
共重合体、共重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、および半導体装置の製造方法Info
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Description
た照射によって感光する感光膜を利用した半導体装置及
びその製造方法に係り、詳細には、半導体デバイスを製
造する際の光リソグラフィを行う工程においてフォトレ
ジストとして利用することが可能な共重合体及びその製
造方法に関する。
フィによって微細加工を行う工程において、高感度のフ
ォトレジストとして化学増幅性DUV(Deep UltraViol
et)フォトレジストが脚光を浴びている。
しては、これまで、光酸発生剤(photoacidgenerator)
と、酸の存在に対して敏感に反応する構造のマトリック
ス高分子とを配合して製造されたものが用いられてき
た。
rF光源による光(波長193nm(ナノメートル))に
対して使用されるフォトレジストは、ArF光に対する
透明性、エッチング時の耐性、2.38%テトラメチル
アンモニウムヒドロキサイド(TMAH:Tatra Methyl
Ammonium Hydroxide )水溶液を用いた現像に対する適
合性、基板に対する接着性等の全ての性質を満足させな
ければならないが、これら全ての性質を満足する感光膜
樹脂の合成は非常に困難であった。
レート系である樹脂を用いたフォトレジストの場合、こ
の樹脂の合成は容易であるが、エッチング耐性及びTM
AH溶液による現像工程の適性に問題があった。そこ
で、エッチング耐性を向上させるため、主鎖に脂肪族環
単量体を導入したものが考えられた。
るいは脂肪族環によって構成されるフォトレジストを用
いた場合にも問題点があった。
るカルボン酸の生成であるが、カルボン酸は、KrF光
に対するフォトレジストに用いられるヒドロキシフェノ
ールに比べ、2.38%TMAH溶液に非常によく溶解
される。
た場合に形成されるパターンを模式的に示す図であり、
シリコンウェハーの断面において、Aは理想的な状態を
示し、Bは、主鎖がポリアクリレート系或いは脂肪族環
によって構成されるフォトレジストとカルボン酸とを用
いた上記の場合を示す。なお、図中、「マスク部位」と
はマスクが行われた位置を示しており、マスクが行われ
ていない部分は除去されて凹部を形成している。この図
1において特に符号Xで示す部分のように、Bにおいて
は、形成されたパターンの上端部分が垂直に形成され
ず、丸くなってしまい、精細なパターンを形成すること
が困難であるという問題が発生する。
照射に用いるレンズに影響を与え、レンズの材質が変質
してしまうという問題がある。即ち、レンズが光に対し
て鋭敏に変質してしまうことから、この問題を克服する
ためには、低いエネルギーでパターンを形成する必要が
ある。そのため、感光膜の組成において、光酸発生剤の
量を増加させるか、或いは感光膜樹脂のカルボン酸の含
量を増加させる必要があった。
ずれもパターンの上側部分が垂直に形成されず、丸く形
成されるという問題を引き起し、高解像度のパターンを
得ることができなかった。
ために無水マレイン酸を用いる場合には、感光膜樹脂が
無水マレイン酸と持続的に反応するため、パターンの形
状が現像時間の影響を大きく受けてしまう。即ち、この
ためパターン上部のロス(Toploss )が発生することに
なる。
解決のため考案したものであり、エッチング耐性、耐熱
性及び接着性は勿論、形成されたパターンの上側部分が
丸くなるのが防止され、鮮明な解像度によるパターンを
形成することができる感光膜共重合体を提供することに
その目的がある。
共重合体を製造する方法を提供することにある。そし
て、本発明のさらに他の目的は、前記感光膜共重合体を
含む感光膜を提供することにある。そして、本発明のさ
らに他の目的は、前記感光膜を利用した半導体装置及び
その製造方法を提供することにある。
は、ビニレンカルボネート、2−シクロペンテン−1−
酢酸、2−シクロペンテン−1−t−ブチルアセテー
ト、t−ブチルビシクロ[2,2,2]オクト−5−エ
ン−2−カルボキシレート、ビシクロ[2,2,2]オ
クト−5−エン−2−カルボン酸、2−ヒドロキシエチ
ルビシクロ[2,2,2]オクト−5−エン−2−カル
ボキシレート、2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネ
ン−2−カルボキシレート、t−ブチル−5−ノルボル
ネン−2−カルボキシレート、5−ノルボルネン−2−
カルボン酸、シクロペンテン、シクロヘキセン、ノルボ
ニレン及びノルボニレン−2−メタノールで構成された
グループから選択される少なくとも互いに異なる2種類
以上の脂肪族環状オレフィンと、N−メチルアリルアミ
ン、アリルアミン、N−アリルアニリン、N−アリルシ
クロヘキシルアミン、N−アリルシクロペンチルアミン
で構成されたグループから選択される少なくとも1種類
以上のアミンとを共重合させて得られることを特徴とす
る共重合体である。
載の共重合体において、分子量が3000〜20000
0であることを特徴とする共重合体である。
ボネート、2−シクロペンテン−1−酢酸、2−シクロ
ペンテン−1−t−ブチルアセテート、t−ブチルビシ
クロ[2,2,2]オクト−5−エン−2−カルボキシ
レート、ビシクロ[2,2,2]オクト−5−エン−2
−カルボン酸、2−ヒドロキシエチルビシクロ[2,
2,2]オクト−5−エン−2−カルボキシレート、2
−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキ
シレート、t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボ
キシレート、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、シク
ロペンテン、シクロヘキセン、ノルボニレン及びノルボ
ニレン−2−メタノールで構成されたグループから選択
される少なくとも互いに異なる2種類以上の脂肪族環状
オレフィンと、N−メチルアリルアミン、アリルアミ
ン、N−アリルアニリン、N−アリルシクロヘキシルア
ミン、N−アリルシクロペンチルアミンで構成されたグ
ループから選択される少なくとも1種類以上のアミンと
を、60〜200℃、50〜200気圧で共重合させる
ことを特徴とする共重合体の製造方法である。
載の共重合体の製造方法において、前記共重合体の分子
量は、3000〜200000であることを特徴とする
共重合体の製造方法である。
1に記載の共重合体、有機溶剤および光酸発生剤を含む
ことを特徴とするフォトレジスト組成物である。
提供する工程と、前記半導体基板上に、請求項5に記載
のフォトレジスト組成物を塗布して感光膜を形成する工
程と、電磁気放射光を利用し前記感光膜部分を露光する
工程と、前記感光膜部分を現像して、露光された前記感
光膜に対応する前記半導体基板の部分を露出させ、前記
半導体基板の露出された部分上に半導体装置を製造する
工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
である。
により、形成可能なパターンの解像度(resolution)が
向上し、PED安定性(PED Stability )が非常に増加
するので、基板表面において垂直な輪郭(profile )を
得ることができる。
シクロペンテン−1−酢酸、ビシクロ[2,2,2]オ
クト−5−エン−2−カルボン酸或いは5−ノルボルネ
ン−2−カルボン酸を用いることによって、感光膜の感
度(sensitivity )をより一層向上させることができ
る。
−ブチルビシクロ[2,2,2]オクト−5−エン−2
カルボキシレート、2−シクロペンテン−1−t−ブチ
ルアセテート或いはt−ブチル−5−ノルボルネン−2
−カルボキシレートを用いることによって、感光膜の溶
解を、より効果的に抑制することができる。
ヒドロキシエチルビシクロ[2,2,2]オクト−5−
エン−2−カルボキシレート、2−ヒドロキシエチル−
5−ノルボルネン−2−カルボキシレート或いはノルボ
ルネン−2−メタノールを用いることにより、接着性
を、より一層増加させることができる。
ルネン、シクロペンテン、ビニレンカルボネート或いは
シクロヘキサンを用いることにより、分子量をより一層
増加させることができる。
は、少なくとも2種類以上の脂肪族環状オレフィンと少
なくとも1種類以上のアミンとの共重合体である。
ては、好ましくは、式(1)で表されるビニレンカルボ
ネート、式(2)で表される2−シクロペンテン−1−
酢酸、式(3)で表される2−シクロペンテン−1−t
−ブチルアセテート、式(4)で表されるt−ブチルビ
シクロ[2,2,2]オクト−5−エン−2−カルボキ
シレート、式(5)で表されるビシクロ[2,2,2]
オクト−5−エン−2−カルボン酸、式(6)で表され
る2−ヒドロキシエチルビシクロ[2,2,2]オクト
−5−エン−2−カルボキシレート、式(7)で表され
る2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カル
ボキシレート、式(8)で表されるt−ブチル−5−ノ
ルボルネン−2−カルボキシレート、式(9)で表され
る5−ノルボルネン−2−カルボン酸、式(10)で表
されるシクロペンテン、式(11)で表されるシクロヘ
キセン、式(12)で表されるノルボニレン及び式(1
3)で表されるノルボニレン−2−メタノールが挙げら
れる。
るN−メチルアリルアミン、式(15)表されるアリル
アミン、式(16)で表されるN−アリルアニリン、式
(17)で表されるN−アリルシクロヘキシルアミン及
び式(18)で表されるN−アリルシクロペンチルアミ
ンが挙げられる。
しくは、3000〜200000である。
も2種類の脂肪族環状オレフィンと、少なくとも1種類
のアミンとを、通常のラジカル重合開始剤を用いて高
温、高圧でラジカル重合させることにより製造すること
ができる。
合或いは溶液重合等によって上記の脂肪族環状オレフィ
ンとアミンとを重合させることにより得ることが可能で
あり、ここで重合溶媒としては、シクロヘキサノン、メ
チルケチルケトン、ベンゼン、トルエン、ジオキサン、
ジメチルホルムアミド等のうち少なくとも1種類以上を
用いることが好ましい。
2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN:az
obisisobutyronitrile)、アセチルパーオキサイド、ラ
ウリルパーオキサイド、t−ブチルパーアセテート、t
−ブチルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイ
ド等の、一般的なラジカル重合開始剤を用いることがで
きる。
おいては、重合反応条件は、一般的なラジカル重合反応
における温度及び圧力を反応物の性質に従って調節する
ことができ、60〜200℃で、50〜200気圧の条
件下において行うことが好ましい。なお、この条件にお
ける反応時間は、1〜24時間が好ましい。
ォトレジスト組成物製造と同一の方法を用いて、有機溶
媒中において通常の光酸発生剤と混合し、フォトレジス
ト溶液を製造することにより、感光膜を形成してポジ型
微細画像形成に用いることができる。
は、有機溶媒及び光酸発生剤の種類、リソグラフィ条件
等により変化することもあるが、一般に、感光膜製造時
に用いる有機溶媒に対し約10〜30重量%を用いるこ
とができる。
造する方法を、より具体的に説明すれば次の通りであ
る。
重量%の上記感光膜共重合体を溶解し、光酸発生剤とし
てのオニウム塩又は有機スルホン酸を前記感光膜共重合
体に対して0.1〜10重量%の割合で配合し、超微細
フィルターを用いてろ過を行い、フォトレジスト溶液を
製造する。続いて、このフォトレジスト溶液をシリコン
ウェハーにスピン塗布して薄膜を製造した後、80〜1
50℃のオーブン又はホットプレートによって1〜5分
間ソフトベークを行い、遠紫外線露光装置又はエキシマ
レーザ露光装置を利用して露光した後、100〜200
℃で露光後ベークする。このように露光したシリコンウ
ェハーを2.38%TMAH水溶液に1分30秒間浸漬
することにより、超微細ポジ型レジスト画像を得ること
ができる。
主鎖にアミノ基が直接結合しているため、露光後ベーク
においてもアミノ基が動かない。そして、露光後のベー
ク時に、露光量が豊富な石英部分の感光膜層では、光酸
発生剤から発生する酸の量がアミノ基に対して充分多い
ために酸の拡散が発生し、その一方で、露光量が少ない
クロム部分の感光膜層ではアミン基によって酸の拡散が
抑制され、パターンの解像度も非常に向上することにな
る。
む感光膜を用いた場合に形成されるパターンの状態を模
式的に示す図であり、シリコンウェハーの断面を示す。
図中、符号Yで示す部分のように、露光した面におい
て、形成されたパターンの上面は曲面にならないので、
高解像度のパターンを形成することができる。
があっても、アミンを用いる量は光酸発生剤に比べて少
ないため、パターン形成に悪影響を及ぼすことはない。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 (実施例1) 共重合体の合成(1) 式(20)で表される2−ヒドロキシエチル−5−ノル
ボルネン−2−カルボキシレートと、式(21)で表さ
れるt−ブトキシ−5−ノルボルネン−2−カルボキシ
レートと、式(22)で表される5−ノルボルネン−2
−カルボン酸と、式(19)で表されるN−メチルアリ
ルアミンとを、それぞれ1:1:1:1のモル比で高圧
反応機に投入し、重合開始剤としてのジーt−ブチルパ
ーオキサイドを加えて、窒素ガスの圧力を50、60、
70、80、90、100気圧に高めながら重合させ
た。これによって、80気圧では40%の収率で、ま
た、100気圧では60%以上の収率で式(23)で表
される共重合体を得ることができた。
ボルネン−2−カルボキシレートと、式(1)で表され
るビニレンカルボネートと、式(21)で表されるt−
ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレートと、
式(22)で表される5−ノルボルネン−2−カルボン
酸と、式(19)で表されるN−メチルアリルアミンと
を、1:2:1:1:1の比率で高圧反応機に投入した
後、重合開始剤としてAIBNを加えて、約60〜15
0℃で1〜24時間反応させた。これによって、式(2
4)で表される共重合体を得た。
体の製造方法、感光膜によれば、アミンを導入すること
により、形成可能なパターンの解像度(resolution)が
向上し、PED安定性(PED Stability )が非常に増加
するので、基板表面において垂直な輪郭(profile )を
得ることができる。また、感光膜の感度(sensitivit
y)を向上させることができる。さらに、感光膜の溶解
を抑制するとともに、感光膜接着性を増加させることが
できる。
るパターンを模式的に示す図である。
いた場合に形成されるパターンを模式的に示す図であ
る。
Claims (6)
- 【請求項1】ビニレンカルボネート、2−シクロペンテ
ン−1−酢酸、2−シクロペンテン−1−t−ブチルア
セテート、t−ブチルビシクロ[2,2,2]オクト−
5−エン−2−カルボキシレート、ビシクロ[2,2,
2]オクト−5−エン−2−カルボン酸、2−ヒドロキ
シエチルビシクロ[2,2,2]オクト−5−エン−2
−カルボキシレート、2−ヒドロキシエチル−5−ノル
ボルネン−2−カルボキシレート、t−ブチル−5−ノ
ルボルネン−2−カルボキシレート、5−ノルボルネン
−2−カルボン酸、シクロペンテン、シクロヘキセン、
ノルボニレン及びノルボニレン−2−メタノールで構成
されたグループから選択される 少なくとも互いに異なる
2種類以上の脂肪族環状オレフィンと、N−メチルアリ
ルアミン、アリルアミン、N−アリルアニリン、N−ア
リルシクロヘキシルアミン、N−アリルシクロペンチル
アミンで構成されたグループから選択される少なくとも
1種類以上のアミンとを共重合させて得られることを特
徴とする共重合体。 - 【請求項2】 分子量が3000〜200000であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の共重合体。 - 【請求項3】ビニレンカルボネート、2−シクロペンテ
ン−1−酢酸、2−シクロペンテン−1−t−ブチルア
セテート、t−ブチルビシクロ[2,2,2]オクト−
5−エン−2−カルボキシレート、ビシクロ[2,2,
2]オクト−5−エン−2−カルボン酸、2−ヒドロキ
シエチルビシクロ[2,2,2]オクト−5−エン−2
−カルボキシレート、2−ヒドロキシエチル−5−ノル
ボルネン−2−カルボキシレート、t−ブチル−5−ノ
ルボルネン−2−カルボキシレート、5−ノルボルネン
−2−カルボン酸、シクロペンテン、シクロヘキセン、
ノルボニレン及びノルボニレン−2−メタノールで構成
されたグループから選択される 少なくとも互いに異なる
2種類以上の脂肪族環状オレフィンと、N−メチルアリ
ルアミン、アリルアミン、N−アリルアニリン、N−ア
リルシクロヘキシルアミン、N−アリルシクロペンチル
アミンで構成されたグループから選択される少なくとも
1種類以上のアミンとを、60〜200℃、50〜20
0気圧で共重合させることを特徴とする共重合体の製造
方法。 - 【請求項4】前記共重合体 の分子量は、3000〜20
0000であることを特徴とする請求項3に記載の共重
合体の製造方法。 - 【請求項5】請求項1に記載の 共重合体、有機溶剤およ
び光酸発生剤を含むことを特徴とするフォトレジスト組
成物。 - 【請求項6】 半導体基板を提供する工程と、 前記半導体基板上に、請求項5に記載のフォトレジスト
組成物を塗布して感光膜を形成する工程と、 電磁気放射光を利用し前記感光膜部分を露光する工程
と、 前記感光膜部分を現像して、露光された前記感光膜に対
応する前記半導体基板の部分を露出させ、前記半導体基
板の露出された部分上に半導体装置を製造する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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KR100265597B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2000-09-15 | 김영환 | Arf 감광막 수지 및 그 제조방법 |
US6808859B1 (en) * | 1996-12-31 | 2004-10-26 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | ArF photoresist copolymers |
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KR100334387B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2002-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트 |
KR100520148B1 (ko) | 1997-12-31 | 2006-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물 |
KR19990081722A (ko) | 1998-04-30 | 1999-11-15 | 김영환 | 카르복실기 함유 지환족 유도체 및 그의 제조방법 |
KR100376983B1 (ko) | 1998-04-30 | 2003-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법 |
TW444027B (en) * | 1998-06-30 | 2001-07-01 | Ind Tech Res Inst | Ring-opened polymer prepared from pericyclic olefin and photosensitive composition containing the polymer |
KR100403325B1 (ko) | 1998-07-27 | 2004-03-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물 |
JP3587743B2 (ja) | 1998-08-26 | 2004-11-10 | 株式会社ハイニックスセミコンダクター | フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。 |
KR20000015014A (ko) | 1998-08-26 | 2000-03-15 | 김영환 | 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 |
KR100448860B1 (ko) * | 1998-08-26 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트단량체,그의공중합체및이를포함하는포토레지스트조성물 |
US6569971B2 (en) | 1998-08-27 | 2003-05-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same |
KR100400293B1 (ko) * | 1998-11-27 | 2004-03-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트단량체,그의중합체및이를이용한포토레지스트조성물 |
US6475904B2 (en) * | 1998-12-03 | 2002-11-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Interconnect structure with silicon containing alicyclic polymers and low-k dielectric materials and method of making same with single and dual damascene techniques |
KR100301062B1 (ko) * | 1999-07-29 | 2001-09-22 | 윤종용 | 백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
KR100647380B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2006-11-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물 |
KR20010016970A (ko) * | 1999-08-06 | 2001-03-05 | 박종섭 | 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물 |
KR100425442B1 (ko) * | 1999-08-24 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형포토레지스트 조성물 |
US6265131B1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-07-24 | Everlight Usa. Inc. | Alicyclic dissolution inhibitors and positive potoresist composition containing the same |
US6294309B1 (en) * | 2000-06-30 | 2001-09-25 | Everlight Usa, Inc. | Positive photoresist composition containing alicyclic dissolution inhibitors |
KR20040024547A (ko) * | 2001-02-25 | 2004-03-20 | 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨. | 신규 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
KR100557556B1 (ko) | 2001-10-25 | 2006-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 산 확산 방지용 포토레지스트 첨가제 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 |
JP4502115B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2010-07-14 | 信越化学工業株式会社 | 含窒素有機化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4525440B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2010-08-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US8092628B2 (en) * | 2008-10-31 | 2012-01-10 | Brewer Science Inc. | Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding |
US8771927B2 (en) * | 2009-04-15 | 2014-07-08 | Brewer Science Inc. | Acid-etch resistant, protective coatings |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL128164C (ja) * | ||||
US3370047A (en) * | 1964-09-03 | 1968-02-20 | Union Carbide Corp | Pour point depressants and lubricating compositions thereof |
NL6914466A (ja) * | 1969-09-24 | 1971-03-26 | ||
GB1335095A (en) * | 1971-01-14 | 1973-10-24 | Kodak Ltd | Polycondensation copolymers |
JPS5818369B2 (ja) * | 1973-09-05 | 1983-04-12 | ジェイエスアール株式会社 | ノルボルネンカルボンサンアミドオヨビ / マタハイミドルイノ ( キヨウ ) ジユウゴウタイノセイゾウホウホウ |
US4106943A (en) * | 1973-09-27 | 1978-08-15 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Photosensitive cross-linkable azide containing polymeric composition |
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
DE3721741A1 (de) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien |
US5212043A (en) * | 1988-02-17 | 1993-05-18 | Tosho Corporation | Photoresist composition comprising a non-aromatic resin having no aromatic structures derived from units of an aliphatic cyclic hydrocarbon and units of maleic anhydride and/or maleimide and a photosensitive agent |
JPH0251511A (ja) * | 1988-08-15 | 1990-02-21 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 極性基含有環状オレフイン系共重合体およびその製法 |
DE3922546A1 (de) * | 1989-07-08 | 1991-01-17 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von cycloolefinpolymeren |
US5252427A (en) * | 1990-04-10 | 1993-10-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive photoresist compositions |
KR950009484B1 (ko) * | 1990-06-06 | 1995-08-23 | 미쓰이세끼유 가가꾸고오교오 가부시끼가이샤 | 폴리올레핀 수지 조성물 |
JPH0499967A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-03-31 | Yokogawa Electric Corp | 実効値直流変換装置 |
JP3000745B2 (ja) * | 1991-09-19 | 2000-01-17 | 富士通株式会社 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
JPH05297591A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Fujitsu Ltd | ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法 |
US5705503A (en) * | 1995-05-25 | 1998-01-06 | Goodall; Brian Leslie | Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents |
JP3804138B2 (ja) * | 1996-02-09 | 2006-08-02 | Jsr株式会社 | ArFエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物 |
AU725653B2 (en) * | 1996-03-07 | 2000-10-19 | B.F. Goodrich Company, The | Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups |
US5843624A (en) * | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
US5763556A (en) * | 1996-05-21 | 1998-06-09 | Exxon Chemical Patents Inc. | Copolymers of ethylene and geminally disubstituted olefins |
KR100261022B1 (ko) * | 1996-10-11 | 2000-09-01 | 윤종용 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
KR100211548B1 (ko) * | 1996-12-20 | 1999-08-02 | 김영환 | 원자외선용 감광막 공중합체 및 그 제조방법 |
KR100265597B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2000-09-15 | 김영환 | Arf 감광막 수지 및 그 제조방법 |
KR100220953B1 (ko) * | 1996-12-31 | 1999-10-01 | 김영환 | 아미드 또는 이미드를 도입한 ArF 감광막 수지 |
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