JP3426023B2 - 集積回路用パッケージおよび電磁放射を減衰させる方法 - Google Patents

集積回路用パッケージおよび電磁放射を減衰させる方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路パッケー
ジ、パッケージおよび集積回路の組立体並びに電磁放射
を減衰させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子システムの能動素子、すなわち、マ
イクロプロセッサ、コントローラ、ＡＳＩＣＳ（特殊用
途向けＩＣ）および他のマイクロエレクトロニクス装置
のような集積回路（ＩＣ）は、電磁干渉（ＥＭＩ）を生
じる不要な電磁放射源となる。干渉を阻止するために、
装置から放出された電磁放射は、種々の規定および標準
に合致するように制御されなければならない。不要な電
磁放射の制御は、電子システムに大きななコストを課す
ことになる。放射された電磁放射の抑圧は、シールドさ
れたハウジング中の装置をシールドする囲いによって、
あるいは、装置の一部、たとえば、回路基板で囲むこと
によって、システム・レベルで達成できる。
【０００３】Jewellによって１９８７年４月２８日に特
許された米国特許4、661、888において「ＲＦ回路用の取
り外し可能なモジュール式ハウジング」に述べられてい
るように、回路基板は接地金属（アルミニウム）ケース
中に包囲されている。しかしながら、多くの応用におい
て、このタイプの接地された金属外箱、すなわちハウジ
ングは、メンテナンスの目的からすれば、容積が大き
く、非経済的および非実用的である。
【０００４】１９８４年７月にSukedaによって特許され
た米国特許4、459、680の「磁気バブルメモリカセット」
において、ＥＭＩシールドは、強磁性の外箱の形で供給
されることが記述される。Sukedaはシールド板を有す
る、プリント基板（ＰＣＢ）上にマウントされた関連素
子を有する集積回路パッケージを開示している。このパ
ッケージは、鉄またはパーマロイ（０．５〜０．３ｍｍ
厚さ）のシートで構成され、動作中の装置およびそれを
支持している回路基板およびコネクタを囲んでいる。電
子導電効果を有し強磁性金属および合金を含む導電性の
シールド材料を使用することによって、接地シールド層
は、不要な導電パスまたはショートを防止するために、
たとえば、包囲されたＩＣパッケージの端子ピンおよび
ＰＣＢ上の導電性の通路のような他の導体から十分に離
す必要がある。したがって、シールド板は、実質的にパ
ッケージされた素子のサイズを増加させ、このため、熱
発散は減少し熱応力が増加する。
【０００５】集積回路用の従来のパッケージは、誘電体
材料、典型的には、プラスチックまたはセラミック材料
から構成される。このパッケージは包囲されたチップの
物理的および環境的な保護を行う。
【０００６】図１は集積回路（ＩＣ）ダイ１４用の従来
タイプ（先行技術）のパッケージ１０の概略を示す。パ
ッケージ１０は、プラスチック（有機樹脂）またはセラ
ミック材料で形成された誘電体ボディ２０によって構成
される。パッケージは外的圧力および汚染から集積回路
ダイ１４を保護するために機能し、このパッケージは、
端子ピン１６によって適切な外部導電端子部材を供給す
る。誘電体ボディの底部１８はチップを支えるための基
板を形成し、誘電体ボディ２０の上部はパッケージのカ
バーを形成する。端子ピン１６は、従来のワイヤボンデ
ィングリード線２２によって、ＩＣ上のボンドパッド２
４に接続される。導線は、チップからパッケージの誘電
体ボディを貫通して延び、ＰＣＢ２８上の外部回路とＩ
／Ｏ接続を行う。
【０００７】従来のＩＣパッケージの誘電体ボディ２０
に用いられるプラスチックまたはセラミック誘電体材料
は、電磁シールド特性を有しないので、発生源からの電
磁放射、すなわち、閉ざされたＩＣ１４上のデバイスか
らの電磁放射は、図２の放射線で示されるように、パッ
ケージの誘電体ボディ２０を通じてほとんど減衰しない
で通過する。一般に、電磁気は端子ピンから多少放射さ
れるが、図示されるようにパッケージＩＣからの放射の
おもな発生源は、ＩＣ上の構成素子からの直接放射であ
る。ワイヤボンディングされたＩＣにおいて、電磁放射
の量はワイヤボンディングの構造および長さによって変
化する。電磁放射はチップの前後両面から行われるが、
チップが単一層のＰＣＢ上にパッケージングおよびマウ
ントされる場合は、図２に示されるように、ＰＣＢから
離れた方のパッケージ表面からの電磁放射量がより多く
なる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、このパ
ッケージは、包囲された回路が動作中に発生する電磁放
射を減衰させることについては何等の効果もない。この
ように、改善された回路設計およびレイアウトは、たと
えば、集積回路それ自身からの電磁放射の抑圧を行うよ
うに使用される。しかしながら、この解決案は、回路設
計の複雑さおよびコストを増加させ、あるいは回路の性
能を落とすことになる。一方、回路基板上の素子（たと
えば、フィルタ、チョーク、デカップリングコンデンサ
等）は、電磁放射を減少させあるいは制御することが要
求される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の問題を
避けまたは減少するために、集積回路および他のマイク
ロエレクトロニクス装置のような電磁放射源からの望ま
しくない電磁放射を減衰させることを目的とする。
【００１０】したがって、本発明の一見地によれば、本
発明は、集積回路用パッケージにおいて、集積回路をサ
ポートするための室を形成する誘電体ボディを有し、そ
の誘電体ボディは導電端子部材がその誘電体ボディを貫
通して外部に延びるように形成され、その誘電体ボディ
はさらに電磁放射をシールドするための磁気シールド手
段を有し、その磁気シールド手段は集積回路が動作する
ことによって発生される周波数の電磁放射に対して高透
磁率を有する磁性材料から構成され、それによって誘電
体ボディは、集積回路が動作することによって発生され
た電磁放射を減衰させるように構成される。
【００１１】このように集積回路用パッケージが供給さ
れ、このパッケージの誘電体ボディは誘電体でなく、す
なわち、高抵抗率を有し、電気的に非電導である。一
方、電磁放射をシールドするための磁気シールド手段と
しての役目をする磁気特性を有する。好ましくは、パッ
ケージの誘電体ボディは、高透磁率を有する磁性材料の
電磁放射シールド手段によって構成され、集積回路の動
作によって発生された電磁放射に対しては低い磁気イン
ピーダンスを示す。このように、この磁性材料は、包囲
された集積回路からの電磁放射を吸収するかまたは減少
させる。たとえば、磁性材料は、実質的に非伝導であ
り、磁気シールド手段は、好ましくは、磁性材料から形
成される誘電体ボディの外部クラッドまたは障壁層とし
て供給される。
【００１２】磁気シールド障壁層がこのパッケージの外
部クラッドを形成するところでは、この障壁層に対する
適切な材料はフェリ磁性材料、たとえば、フェライトを
含む。フェライトは、高誘電体および高透磁率を有する
材料である。電磁放射は、電子導電効果ではなく主に磁
気効果によって吸収されまたは減衰される。低い磁気イ
ンピーダンスを有する磁性材料において、磁界はフェリ
磁性材料の内部に集中し、このパッケージの外側への電
磁放射を減少させる。磁気シールド用に電気的に非電導
の磁性材料を使用する利点は、このパッケージを集積回
路等の近くに置くことができることである。あるいは、
もしこのパッケージが集積回路端子ピンと接触したとし
ても、その集積回路端子ピンから漏れる電磁放射ノイズ
をこのピンから吸収できることである。
【００１３】ＩＣパッケージが電磁放射に対するバリヤ
またはシールド層を形成するために外部表面上に供給さ
れる有機樹脂またはセラミック材料および市販のフェラ
イト材料の薄い板または層のような従来の誘電体材料で
形成される誘電体ボディであるときは、この集積回路か
らの電磁放射を１５ｄＢ〜２５ｄＢ減衰させることがで
きる。その結果、電磁放射雑音を減少させることによっ
て、ハードウェア設計者はＰＣＢ構造およびレイアウト
のＥＭＣの要求を緩和させることができ、それによっ
て、ＰＣＢ上のＥＭＣ要素を除去または減少できる。
【００１４】従来のタイプのＩＣパッケージの一以上の
面上にフェリ磁気シールドを提供する実際的な方法にお
いては、ＩＣパッケージは、たとえば、フェライト材料
のシートまたは板で積層されたセラミック材料またはプ
ラスチックのような従来の誘電体パッケージ材料で形成
される。従来のパッケージは、このように磁気シールド
層によって供給される。電磁放射による減衰は電子導電
効果よりむしろ磁気効果によって起こるので、磁気シー
ルド層を接地することは必要でない。
【００１５】このパッケージの全体が、たとえば、モー
ルドされたフェライトのような既知の非伝導で高抵抗率
の磁気シールド材料で構成されるときは、それは磁気シ
ールド手段として使用できる。このように、好ましくは
このフェリ磁気シールドは、チップを囲むパッケージの
誘電体ボディを形成する。この磁気シールドは、ショー
トを起こすことなく、電気的に導電体であるパッケージ
の端子ピンと接触する。
【００１６】一方、磁気シールド手段は、パッケージの
誘電体ボディを形成する誘電体材料のマトリクス内で分
散された適切なフェリ磁性材料または強磁性材料の粒子
を形成する。このように、たとえば、パッケージの誘電
体ボディは、強磁性材料またはフェリ磁性材料の粒子が
分散された有機樹脂の誘電体マトリクスで構成される。
後者は、たとえば、樹脂バインダ中にフェライトのよう
なフェリ磁性材料の粒子含むことができる。一方、も
し、誘電体材料マトリクス中で粒子が囲まれ、それによ
って粒子が分離されるならば、導電体である鉄、コバル
ト、ニッケルおよびそれらの混合物のような既知の強磁
性金属または合金を使用することができる。
【００１７】本発明の他の見地によると、本発明は、マ
イクロエレクトロニクス装置用パッケージにおいて、マ
イクロエレクトロニクス装置をサポートするための室を
形成する誘電体ボディを有し、その誘電体ボディは導電
端子部材がその誘電体ボディを貫通して延びるように形
成され、その誘電体ボディはさらに電磁放射をシールド
するための磁気シールド手段を有し、その磁気シールド
手段はマイクロエレクトロニクス装置が動作することに
よって発生する周波数の電磁放射に対して高透磁率を有
する磁性材料から構成され、それによってその誘電体ボ
ディは、集積回路が動作することによって発生された電
磁放射を減衰させるように構成される。
【００１８】本発明の他の見地によると、本発明は、マ
イクロエレクトロニクス装置およびパッケージの組立体
において、パッケージはマイクロエレクトロニクス装置
を包囲する誘電体ボディによって構成され、その誘電体
ボディを貫通してマイクロエレクトロニクス装置に電気
的に接続される複数の導電端子部材を有し、その誘電体
ボディは電磁放射をシールドするための磁気シールド手
段を供給し、その磁気シールド手段はマイクロエレクト
ロニクスの動作によって発生する電磁放射周波数におい
て高透磁率を有する磁性材料から構成され、それによっ
て誘電体ボディは、実質的に非電導であり、包囲された
マイクロエレクトロニクス装置の動作によって発生した
電磁放射を減衰させるマイクロエレクトロニクス装置用
パッケージの組立体を提供する。
【００１９】本発明の他の見地によると、本発明は集積
回路パッケージにおいて、集積回路チップとその集積回
路チップを包囲する誘電体ボディによって構成されるパ
ッケージを有し、そのパッケージは電気的に集積回路に
接続され、誘電体ボディを貫通して誘電体ボディの外部
に延びる導電端子部材を含み、その誘電体ボディは電磁
放射をシールドするための磁気シールド手段を供給し、
その磁気シールド手段は集積回路の動作によって発生す
る周波数に対して高透磁率を有する磁性材料から構成さ
れ、それによって誘電体ボディは、集積回路から放射さ
れる電磁放射を減衰させる集積回路パッケージを提供す
る。
【００２０】好ましくは、パッケージは従来の誘電体基
板部材およびカバー部材を含み、磁気シールド手段はパ
ッケージのカバーまたは基板の一以上の外部表面を形成
するフェライト材料層のクラッドを含む。
【００２１】本発明の他の見地によると、本発明はパッ
ケージされた複数の集積回路を含む電子装置から放射さ
れる電磁放射を減衰させる方法において、電磁放射をシ
ールドするための磁気シールド手段を有する誘電体ボデ
ィを含むパッケージを個々の集積回路に選択的に供給
し、その磁気シールド手段は包囲された集積回路の動作
によって発生する周波数において高抵抗率および高透磁
率である磁性材料から構成され、それによってパッケー
ジの誘電体ボディは集積回路の動作によって発生した電
磁放射を減衰させる方法を提供する。
【００２２】
【作用】個々の集積回路または能動マイクロエレクトロ
ニクス装置は、本発明によって供給されカスタマイズさ
れたパッケージによって個々にシールドできるので、電
子装置中の電磁障害の主な発生源である個々のＩＣを選
択的にシールドできる。
【００２３】本発明の誘電体ボディは集積回路から発生
される電磁放射に対する磁気シールド層を含む。この磁
気シールド層は高透磁率および高抵抗率を有する材料か
ら構成される。従って、その誘電体ボディは、集積回路
によって発生された周波数の電磁放射を吸収し、それに
よって集積回路から発生される電磁放射は減衰される。
高誘電率および高透磁率を有する適切な材料はフェライ
トを含む。便宜上、フェライト板を含むフェリ磁性材料
のシールド層は、従来のプラスチックの表面またはセラ
ミックパッケージ材料に塗布されてもよい。一方、フェ
ライト粒子は、バインダに含まれ、ＩＣパッケージを形
成するための適切な合成材料を形成する。シールドの磁
気的性質は、ＩＣによって発生される電磁障害を非導電
誘電体パッケージによって包囲することによってかなり
減衰および抑制することである。さらに効果的な電磁シ
ールドを提供するために、必要に応じて、大きな電磁放
射を行う特定の集積回路チップに個々のパッケージがカ
スタマイズされる。このように、本発明によれば、全装
置に対してシールドを行うハウジングの使用を避けまた
は減少でき、その結果、電子システムまたは装置をシー
ルドする際の全コストを減少できる。
【００２４】
【実施例】（実施例１）図３（ａ）は本発明の第１の実
施例によるＩＣパッケージの断面図を示す図である。図
３（ｂ）は図３（ａ）における集積回路の動作中の電磁
界を示す図である。本発明の第１の実施例によると、Ｉ
Ｃパッケージ５０において、パッケージは先行技術のパ
ッケージと類似の形式であり、集積回路を包囲する誘電
体ボディ５２を有し、その誘電体ボディ５２は集積回路
ダイ６０を支える基板部材５４およびカバー部材５６を
含む。前記集積回路ダイ６０は、リード線６４によって
外部導電端子ピン６２に接続される。前記リード線６４
はＩＣダイ６０上のボンドパッド６６にワイヤボンディ
ングされる。しかしながら、パッケージの誘電体ボディ
５２は、電磁放射をシールドする磁気シールド手段を有
し、包囲された集積回路が動作することによって発生す
る電磁放射に対し高透磁率を有する材料で構成される障
壁層７０を含む点で従来のパッケージと異なる。
【００２５】障壁層７０は磁性材料で構成され、その磁
性材料は高抵抗率を有しており、それは、たとえば、フ
ェライト材料の積層板またはタイルのような非導電の材
料である。そのフェライト材料の積層板またはタイル
は、カバー材料５６の表面およびパッケージの基板材料
５４に接着される。フェライト層７０はＩＣからの電磁
放射を吸収または減衰させるように機能する。薄い板の
形で市販されている適切なフェリ磁性材料は、Fair-Rit
e Products Corporationによって製造され、８５０−３
０００Ｈ／ｍの範囲の透磁率μ、および２７５０ガウス
の飽和磁束密度（Ｂｓ）を有する。利用可能なシート材
料の最小厚さは、１．５ｍｍである。
【００２６】たとえば、セラミック・ピングリッド配列
（ＰＧＡ）型のパッケージ、あるいは、モトローラの２
Ｂ１ＱチップＭＣ１４５４７２Ａまたはモトローラのマ
イクロプロセッサ（８８１００または６８０００）を積
載し、周波数３０ＭＨｚ〜９００ＭＨｚの範囲で放射を
発生するプラスチックパッケージを用いて実験が行われ
た。その際、チップパッケージの外部表面上にほぼ２ｍ
ｍの厚さのフェリ磁性材料の薄い板が用いられた。図５
は電磁放射強度を示す図である。図５に示すように、本
発明におけるチップからの電磁放射（ａ）は、従来のシ
ールドされていないパッケージからの電磁放射（ｂ）と
比較すると、１５ｄＢ〜２５ｄＢ減衰している。短点線
（ｃ）は（ａ）と（ｂ）との差を示す。多少の電磁放射
は端子ピンによって伝搬され放射されるが、全電磁放射
量は、パッケージの磁気シールド７０によってかなり減
少される。このように、従来のセラミックまたはプラス
チックパッケージの表面にフェライト材料の積層板を設
けることは、ＥＭＣを改良する簡単でかつ経済的な方法
である。
【００２７】フェライト材料の薄い板は、回路基板のア
タッチメントを著しく妨害することなく現存の公知のセ
ラミックパッケージの１つ以上の外表面に取り付けられ
る。しかしながら、電磁放射量をさらに減衰したい場合
は、およびカバーまたは基板に、より厚いフェライト板
を用いることによってパッケージの厚さを増さなければ
ならない。そのような場合、以下に述べる本発明の第２
の実施例によるパッケージを用いることができる。
【００２８】（実施例２）図４（ａ）は本発明の第２の
実施例によるＩＣパッケージの断面図を示す図である。
図４（ｂ）は図４（ａ）における集積回路の動作中の電
磁界を示す図である。実施例２による集積回路（ＩＣ）
パッケージにおいて、図４に示されるパッケージ８０
は、図３に示されたパッケージ５０に類似しているが、
パッケージ材料の誘電体ボディ８２が誘電体材料のマト
リクス中で選択されたフェライト材料のフェリ磁性粒子
を含む誘電体材料から形成されている点において異な
る。従ってパッケージの全誘電体ボディが磁気シールド
層を形成し、この磁気シールド層が集積回路チップを包
囲しおよび端子ピンと接触する。パッケージを形成する
ための適切な材料は、バインダ中で常温で硬化するフェ
リ磁性材料のペーストを含む。そのような材料は、モー
ルドされおよび／またはＩＣパッキング用の従来のプラ
スチックまたはセラミック材料のように処理されてもよ
い。
【００２９】フェライト材料の熱抵抗は、従来のセラミ
ックパッケージ材料の熱抵抗と同様であり、パッケージ
上のフェライトクラッドは、パッケージの熱性能を非常
に劣化させることはない。セラミックのように、フェラ
イトは一般的にプラスチックより高い熱伝導率を有す
る。従来のプラスチックパッケージと比較すると、フェ
ライト・パッケージは実際に熱管理を改善することがで
きる。
【００３０】典型的には、通信アプリケーションにおけ
る電磁障害に関係する集積回路からの電磁放射の周波数
範囲は１ＭＨｚから１ＧＨｚである。このフェリ磁性の
磁気特性対フェリ磁性材料の周波数依存性は、たとえ
ば、１ＧＨｚ以上の高い周波数ではかなり異なる。
【００３１】実施例１の変形に関し、他のフェライトま
たはフェリ磁性材料は、所定の周波数範囲で電磁放射が
減衰するように選択され、磁気シールド層の材料および
厚さは適切な減衰量を与えるように選択されることも可
能である。
【００３２】典型的には、フェライトは、（１〜１０）
×１０6Ωｍの範囲の高抵抗率を有し、飽和磁化Ｂ
（ｓ）はフェリ磁性材料より低い。公知のフェライト
は、マンガン−亜鉛［Ｍｎ−Ｚｎ］フェライトおよびニ
ッケル−亜鉛（Ｎｉ−Ｚｎ）フェライトを含む。フェラ
イトは、典型的には、（ＭＯ）（Ｆｅ2Ｏ3）グループ
（ここでＭは金属である）の材料を含み、それは粉末の
鉄酸化物、金属酸化物を混合し、およびスピネル結晶構
造に焼結する混合物を燃やすことによって形成される。
フェライトは、機械的には、セラミックのようなもろい
特性を有し、機械強度の低い板に形成される。しかしな
がら、合成材料はモールドされまたはプラスチックのよ
うに処理されてもよく、または従来のセラミックパッケ
ージ材料はバインダまたは有機樹脂のマトリクス中でフ
ェライト材料の粒子を含むように形成されてもよい。
【００３３】一方、フェリ磁性材料は、バインダ中のフ
ェライト粒子のスラリによって形成された薄いコーティ
ングとして塗布され、それは硬化され従来のセラミック
パッケージの表面上に形成されるクラッドを形成する。
【００３４】本発明の実施例の他の変形に関し、図示さ
れないが、フェリ磁性材料を含む磁気シールド層はマル
チチップ・モジュール（ＭＣＭ）の誘電体ボディに組み
込まれ、モジュール内で複数チップのシールドを供給す
ることもできる。
【００３５】本発明の他の実施例に関し、磁気シールド
手段は誘電体ボディによって供給され、その誘電体ボデ
ィは強磁性材料の分離した粒子を含む誘電体マトリクス
を含む。公知の強磁性の要素は、たとえば、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、およびそれらの合金を含む。Manlyに
よって１９８３年２月１日に特許された米国特許4,371,
742の「伝送線からのＥＭＩ抑圧」において、強磁性粒
子は金属シールド伝送線用のフレキシブルコーティング
を形成するために、樹脂中に強磁性粒子を含んだ数多く
の磁気材料の特性が記述される。しかしながら、強磁性
化合物の磁気シールド特性は、強磁性粒子のサイズに依
存する周波数を有する。
【００３６】回路基板または他の基板上にマウントされ
た複数のパッケージチップを含む電子システムにおい
て、本発明の実施例による磁気シールド手段を有するパ
ッケージ中の選択的シールドを行う各集積回路または他
のマイクロエレクトロニクス装置によって、全システム
に対してハウジングをシールドすること、または他の電
磁放射を制御することを排除あるいは緩和できる。
【００３７】以上、本発明の実施例を詳細に記述した
が、クレーム中で定義される発明の範囲内で、多数の修
正、変形および適用ができる。
【００３８】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、集積
回路用のパッケージが誘電体ボディを貫通して延びる複
数の導電端子部材を有する集積回路チップを包囲するよ
うに形成することによって、その誘電体ボディが集積回
路によって発生された周波数の電磁放射を吸収し、それ
によって集積回路から発生される電磁放射をかなり減衰
させることができる。大きな電磁放射を行う特定の集積
回路チップに個々のパッケージをカスタマイズすること
によって、さらに、効果的な電磁シールドをすることが
できる。これによって、電子システムまたは装置を磁気
シールドする際の全コストを減少できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＩＣパッケージの切断斜視図を示す図で
ある。
【図２】図１の矢印II−IIに沿った従来のＩＣパッケー
ジの断面図を示す図であり、包囲された集積回路が動作
中の電磁界を示している。
【図３】（ａ）は本発明の第１の実施例によるＩＣパッ
ケージの断面図を示す図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
る集積回路の動作中の電磁界を示す図である。
【図４】（ａ）は本発明の第２の実施例によるＩＣパッ
ケージの断面図を示す図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
る集積回路の動作中の電磁界を示す図である。
【図５】電磁放射強度を示す図である。（ａ）は従来の
プラスチックパッケージでパッケージされた集積回路チ
ップの周波数対電磁放射強度を示し、（ｂ）は本発明の
第１の実施例によるパッケージで包囲された集積回路チ
ップの周波数対電磁放射強度を示し、（ｃ）は本発明の
パッケージからの電磁放射と従来のパッケージからの電
磁放射との差を示す。
【符号の説明】
１０ ＩＣパッケージ １４ 集積回路ダイ １６ 端子ピン １８ 誘電体ボディ底部 ２０ 誘電体ボディ ２２ リード線 ２４ ボンドパッド ２８ プリント基板（ＰＣＢ） ５０ パッケージ ５２ 誘電体ボディ ５４ 基板材料 ５６ カバー材料 ６０ 集積回路ダイ ６２ 端子ピン ６４ リード線 ６６ ボンドパッド ７０ 障壁層 ８０ パッケージ ８２ 誘電体ボディ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケビン・イー・ハーペル カナダ国，ケイ１ゼット，８エル４，オ ンタリオ，オタワ，エイピーティー ＃43，シリントン アベニュー 1196 (56)参考文献 特開 平３−131054（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−195097（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−53644（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/00 - 23/12 H01L 21/56 H01L 23/28 - 23/30

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロエレクトロニクス装置とパッケ
    ージの組立体において、 パッケージはマイクロエレクトロニクス装置を覆う誘電
    体ケースによって構成され、その誘電体ケースを貫通し
    てパッケージの外部に延び、電気的に前記のマイクロエ
    レクトロニクス装置に接続される複数の導電体部材を有
    し、 前記誘電体ケースは電磁放射をシールドするための磁気
    材料の非導電層からなり、その非導電層はマイクロエレ
    クトロニクス装置の動作によって発生される選択された
    周波数において高透磁率を有し、 その非導電層はマイクロエレクトロニクス装置の上方を
    覆い、前記の マイクロエレクトロニクス装置の動作によ
    って発生され前記の誘電体ケースを貫通する電磁放射を
    減衰させ、前記の誘電体ケースはさらに非導電層を覆う
    誘電体のカバー部材を含むことを特徴とするマイクロエ
    レクトロニクス装置とパッケージの組立体。
  2. 【請求項２】 前記マイクロエレクトロニクス装置は、
    集積回路チップを含むことを特徴とする請求項１記載の
    マイクロエレクトロニクス装置用パッケージの組立体。
  3. 【請求項３】 前記誘電体ケースは、さらに集積回路チ
    ップ、前記非導電層および前記誘電体のカバー部材を支
    持する基板を含み、前記非導電層は、前記カバー部材の
    内面に固定して接着され、前記カバー部材と前記基板は
    誘電体ケース内で集積回路チップを覆う部屋を形成する
    ことを特徴とする請求項２記載のマイクロエレクトロニ
    クス装置とパッケージの組立体。
  4. 【請求項４】 前記の磁気材料の非導電層はフェライト
    を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記
    載のマイクロエレクトロニクス装置とパッケージの組立
    体。
  5. 【請求項５】 前記の磁気材料の非導電層は強磁性また
    はフェリ磁性材料の層を含むことを特徴とする請求項１
    乃至３のいずれかに記載のマイクロエレクトロニクス装
    置とパッケージの組立体。
  6. 【請求項６】 前記誘電体のカバー部材はプラスチック
    またはセラミック材 料の層から構成されることを特徴と
    する請求項１乃至５のいずれかに記載のマイクロエレク
    トロニクス装置とパッケージの組立体。
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