JP2001085887A - 電子装置 - Google Patents

電子装置

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JP2001085887A
JP2001085887A JP26076499A JP26076499A JP2001085887A JP 2001085887 A JP2001085887 A JP 2001085887A JP 26076499 A JP26076499 A JP 26076499A JP 26076499 A JP26076499 A JP 26076499A JP 2001085887 A JP2001085887 A JP 2001085887A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ケースにおいて比較的に大きな開口面積を有
する開口部を設ける場合に、放熱効果を確保でき、かつ
より高い周波数領域であっても放射妨害波の漏れを減衰
させることができる電子装置の提供。 【解決手段】 電子回路基板7から発生する電磁放射ノ
イズが外部に放射されることを防止するためにシールド
ケースに電子回路基板7を内蔵した電子装置であって、
放熱及び電子回路基板7と外部接続を行なうフラットケ
ーブル5を通過させるために、ケースに所定開口面積を
有する開口部2,4を設け、所定開口面積より大きな面
積を有し開口部との間で空間を確保して配設される電磁
吸収シート3を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子装置に係り、特
に電子機器から放射される電磁波による障害を防止する
ためのシールド構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年になり、コンピュータ等の電子装置
から放射される電磁波によって周辺装置が電磁障害や電
波障害を起こすことが問題となっている。このため、電
子装置から放射される放射妨害波のレベルをVCCI
(情報処理装置等電波障害自主協議会)で定める規格値
以下に抑えるように義務づけられている。
【0003】上記の規格値を越える放射妨害波は、通常
はクロック周波数の高い電子回路が発する高調波成分が
主な原因である。従来は、特開平08−316679号
公報に開示されているように、放射妨害波対策として
は、装置の電子回路部分に、コネクター等の入出力部分
を除き、密閉型ケースで電磁波シールドを施す手法がと
られてきた。
【0004】しかし、近年使用周波数の高速化が進み、
消費電力が増加し、ケース内の温度が上昇し、電子部品
の動作に悪影響が心配され、その放熱対策として、上面
に1〜5mm程度の円形の開口が使用されるものもあ
る。
【0005】図10はシールドケースの従来構成例を示
した外観斜視図(a)、平面図(b)、同X−X線矢視
断面図(c)であり、本図において簡単に述べると、ボ
ンデ鋼板などの所定金属材料から形成されるシールドケ
ース101の上面には1〜5mm程度の円形の無数の孔
部104が穿設される一方で、内蔵される基板106間
の接続を行なうケーブル105の開口部として、側面に
大きな長方形状の開口部103が設けられており、シー
ルドケース101による放射妨害波の対策ができないこ
とから、開口部103と並行に、開口面積より大きな導
体102をケースの内側又は外側に配置してケース10
1と導通した構造を設けることで、500MHz程度ま
での放射妨害波を大きく低減していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
コンピュータに使われる周波数は200MHzを超え、
電子回路上の配線パターンに於いても60MHzが使用
されようになり、従来のケース上面に設けられた数ミリ
サイズの放熱口である孔部104や、側面の長い開口部
103を設ける場合に、上記のように導体102を単純
に導通して設けるだけでは、600MHzクラスの放射
妨害波の漏れ対策ができない現状である。したがって、
本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであり、ケ
ースにおいて比較的に大きな開口面積を有する開口部を
設ける場合に、放熱効果を確保でき、かつより高い周波
数領域であっても放射妨害波の漏れを減衰させることが
できる電子装置の提供を目的としている。
【0007】また、開口部を内蔵基板のケーブル用引き
出し口とすることができる電子装置の提供を目的として
いる。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決し、課
題を達成するために、本発明によれば、電子回路基板か
ら発生する電磁放射ノイズが外部に放射されることを防
止するためにシールドケースに前記電子回路基板を内蔵
した電子装置であって、放熱させるために、前記前記シ
ールドケースに設けられる所定開口面積を有する開口部
と、前記所定開口面積より大きな面積を有するととも
に、前記開口部との間で空間を確保して配設され、かつ
前記シールドケースと接地される導体手段と、前記導体
手段に設けられる電磁波吸収層とを具備することを特徴
としている。また、前記電子回路基板と外部接続を行な
う外部接続手段を通過させるために、前記開口部を設け
たことを特徴としている。
【0009】また、前記電子回路基板は、前記シールド
ケースの底面に沿って設けられ、また、前記開口部は前
記シールドケースの上面または側面に設けられることを
特徴としている。
【0010】また、前記開口部は、前記上面において複
数分が設けられ、前記導体手段と、前記電磁波吸収層と
を一体的または個別に配設したことを特徴としている。
【0011】また、前記導体手段と前記電磁波吸収層と
を前記開口部の内側または外側に配設したことを特徴と
している。
【0012】また、前記電磁波吸収層としてフェライト
または六方晶フェライト粒子を混入した有機バインダー
を使用したシート状体を用いることを特徴としている。
【0013】また、前記電子回路は、600MHzクラ
スの電磁波を外部に放出する電子回路であることを特徴
としている。
【0014】そして、前記外部接続手段は着脱自在なコ
ネクタを備えたフラットケーブルを含む信号線であるこ
とを特徴としている。
【0015】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な一実施形
態について添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【0016】先ず、図1(a)は、開口付きシールドケ
ース1の第1の実施形態にかかる外観斜視図であり、
(b)はケース1の平面図であり、(c)は(b)のX
−X線矢視断面図を夫々示したものである。
【0017】本図おいて、ケース1の外形寸法は、93
×93×53mmであり、板厚0.075mmの銅板を
用いており、上面中央部に、9×80mmの開口部2を
穿設しており、放熱のための開口部を設けて、内蔵され
る回路基板7から発生する熱を外部に放熱できるように
している。また、側面にも開口部4が穿設されており、
フラットケーブル5を外部に出せるように構成されてい
る。
【0018】また、導体8は3×93mmの厚さ0.0
75mmの鋼板を用い、外面に電磁波吸収シート3(T
DK製IVM04)厚さ0.4mmを1枚を同寸法で粘
着テープで固定している。
【0019】この電磁吸収シート3は図1(c)に図示
のように、開口部2からおよそ8mm離して配置するよ
うにして、短辺を上記の導体8を介して半田接続してい
る。ここで、導体を介在させずに、直に電磁吸収シート
3をケース1に接続しても良い。以上で、電磁遮蔽層と
開口部2とがそれぞれオーバーラップする距離は片側2
3mmとなるように設定した。以上のようにシールドケ
ースを構成し、電磁吸収シート3を設けることで、放熱
効果を確保でき、かつより高い周波数領域であっても放
射妨害波の漏れを減衰させることが後述の実験で確証さ
れた。
【0020】次に、図2(a)は、開口付きシールドケ
ース1の第2の実施形態にかかるケース1の平面図であ
り、(b)は(a)のX−X線矢視断面図であり、
(c)は、開口付きシールドケース1の第3の実施形態
にかかるケース1の平面図であり、(d)は(c)のX
−X線矢視断面図である。
【0021】図2において、既に説明済みの構成部品に
ついては同様の符号を附して説明を割愛すると、ケース
1の上面の開口部2は、図示のように2個分が縦方向ま
たは横方向になるように2個穿設されており、内側にお
いて、上記の電磁吸収シート3、または導体8と電磁吸
収シート3とを一体化した部材が配設されている。
【0022】このように、複数の開口部を設ける場合
に、上記のように電磁吸収シート3を設けることで、放
熱効果を確保でき、かつより高い周波数領域であっても
放射妨害波の漏れを減衰させることができる。
【0023】さらに、図3は、ケース1の側面に穿設さ
れる開口部4に対して距離Dの位置に導体8を接地して
おき、この上に電磁吸収シート3を内側に設けた様子を
示した断面図である。
【0024】本図において、側面の開口部4から外部に
漏洩する電磁波を防止できる。
【0025】次に、図4は、測定実験のための概念図で
あって、ケースの開口部と対応する反対側のグランド面
には、直径10mmのループアンテナが一対取り付けら
れている。一般に、開口部の形状如何による放射妨害波
の漏れは、開口部の面積よりも一辺の長さの長い方が大
きくなることが知られている。従って、多芯のフラット
ケーブル等の引き出しのために上記のように開口部4を
設けると、放射妨害波の漏れはきわめて大きくなる。
【0026】又、複数開口による、シールド効果の減衰
はS=−18Logn(但し、nは開口の数で示され、
20〜30程度で数の増加で20dBの減衰となる。) 周波数特性を見ると、従来のような孔部の直径が5mm
では10MHz付近で減衰が始まり、周波数が500M
Hzを超えて高くなると、妨害波の漏れが増大し、新た
な開口構造が必要となる。
【0027】一方、金属板のシールド効果については、
十分な接地(グランド)がとれれば、シールド効果が期
待できるが、発生源を覆う大きさについては、何ら報告
が見あたらない。そこで、図4に図示のようにスリット
状の開口部を設け、中心から0,5,10,15,3
5,55mmとスリット位置を移動させ、小型アンテナ
を使用したアドバンテスト法によりシールド効果を評価
し、覆う範囲とシールド効果を求めた。このシールド効
果評価器の一つである、アドバンテスト法は、金属製の
筐体10の中の中央をサンプルでしきり、20mm隔て
た位置に同型の磁界又は電界アンテナをとりつけた構造
となっている。また、図4(b)において、KEC法
(関西電気機械振興会:EMCJ85−52針谷氏報
告)でのシールド効果の評価システムを示しており、評
価器本体はアドバンテスト法を使用した。入力側に信号
発生器14を使用し、出力側には、スペクトルアナライ
ザー18を使用して、減衰した電磁波の電力を、dBm
で表示した。サンプルは100×100mmABS樹脂
であって厚さ3mmのものにスリットサイズが10×5
0mmものを準備した。スリット位置は、0,5,1
5,35,55mmの5点を作成し、シールドめっきを
両面に加工した導電化した。
【0028】図5(a)は両面めっきで作成したスリッ
トサンプル位置を示し、図5(b)は、横軸に周波数、
縦軸にシールド効果を示した図である。図より中心から
の位置が遠くなるほどシールド効果が大きくなることが
わかる。100MHzで40dBmの減衰が得られる
と、一般的な片面めっきのレベルで、35mm離すと実
現できる。100MHz以上でのグラフの下降現象は、
グランドインピーダンスの増加で、シールド効果の減衰
を起こしたものである。先のEMCJ85−52針谷氏
報告では、スリットと位置が0mmでスリットサイズが
1×50mmのデータが示されていて、ほぼ同様な傾向
で、水平偏波でのシールド効果での大きな滅衰が見られ
る。しかし、今回の測定の方がやや高く出ている。
【0029】これらの結果から、100MHz付近の周
波数では、35mmより離れると、スリットがないとき
とほぼ同様なシールド効果が得られるといえる。
【0030】このように、放射妨害波の発生源の周辺を
導体層で覆い、発生源から離れたところは、不導体に置
き換えて構成しても、十分なシールド効果が期待できる
ことが判明した。
【0031】従って、その開口部の具体的なサイズは、
遮蔽板のサイズより小さくすればよい。フラットケーブ
ル等の引き出し口では、10mm程度の開口が良い。遮
へい板とシールドケースの上面の距離は、ケース内の温
度が上昇に応じて離し、内部暖まった空気を放出するよ
うにできる。
【0032】また、好ましくは、遮蔽板の大きさは、グ
ランド接続が必要なため、図1のように、一方をシール
ドケースの側面の届く長さとし、他方をシールドケース
より短くすると良い。更に、遮蔽板とシールドケース間
は2〜10mm程度がよい。電磁波吸収シート3の位置
は、一般的には、ケース1の内面に貼ったり、発生源の
ICに貼られる例がある。ここでは、遮蔽板とシールド
ケース間の、電磁波の通路に貼り付けると効果的であ
る。電磁波吸収シートは、厚みの0.4mmクラスで、
薄いサンプルでも良いが、電磁波の遮蔽効果は数枚重ね
て厚くするとより効果的である。
【0033】また、開口が複数有るとケース内の空気の
対流が良くなり、放熱が期待でき、更に、放熱効率をあ
げるためには、側面部にも同様の遮蔽板を設けるととも
に対応した開口部を作ることで、シールドケース外側と
の通気性が向上し、より高い効果が得られるようにな
る。
【0034】また、遮蔽板とシールドケースを一体で作
ると、加工が難しくなるので、別に構成して、組み上げ
ても良く、このためにシールドケースには開口部のみを
設け、遮蔽板を別に作っておき、それぞれをグランド面
に接続する構造としても良い。この場合にも、遮蔽板や
シールドケースの開口部に電磁波吸収シートを張り付け
使用することで、より高い周波数領域に対応可能とな
る。
【0035】ここで使用する電磁波吸収シートに関する
ものであるが、現在TDK(株)と(株)トーキンで販
売されている。ここではTDK品でIVM04を使用し
た。又、先のEMCJにも大学より紹介されているよう
に、フェライトの微粒子を有機バインダーで固めたもの
で、焼結フェライト等に比べるとより高い周波数領域に
妨害電磁波の吸収効果が知られている。又、市販されて
いる電磁波吸収シートは薄いものが多いが、シートは重
ねて厚くすることで効果が増加する。
【0036】以上の構成に基づき、遮蔽板と対応する開
口を設けることで良好な放熱と幅の広いケーブルの引き
出しが可能で、効果的なシールドの得られる構造とした
ものである。
【0037】また、図6(a)は、本発明に係わる開口
付きシールドケースで、EMSCANを用いて評価する
構成を示しており、図6(b)は、シールドケースは開
口面を下にして、EMSCAN上に固定し、信号発生器
で信号を供給し、EMSCAN(ここではアンテナスキ
ャン 松下電器(株)を使用)を用いて、妨害電磁波の
漏洩近接磁界強度分布を測定する様子を示している。
【0038】また、図7(a)(b)は標準信号発生器
から、同軸ケーブルを介して、500MHzと600M
Hzで100dBμVの強度で出力しループアンテナに
供給し、スペアナモードとして周波数と強度を求め、開
口によるその他の周波数成分の発生が無いことを確認し
た。
【0039】図8(a)(b)と図9は、図7で得られ
たピーク周波数で100dBμVを出力して、EMSC
ANによる近接磁界強度分布を測定したものである。
【0040】図8(a)は、本発明構成の遮蔽板に、厚
さ0.4mmの電磁波吸収シート1枚を粘着テープで固
定した測定結果であり、図8(b)は開口と遮蔽板を配
置した構成の測定結果である。また図9は、開口のみ設
けた構成の測定結果である。この図で白くなっている内
側が44dBμV以上の強度の高いところで、500M
Hzでは、遮蔽板と電磁波吸収シート付きの遮蔽板では
差が見られないが、600MHzになると電磁波吸収シ
ートのある方が、磁界強度大きく減衰し、効果が見られ
る。ここでは、電磁波吸収シート1枚であるが、更に校
数を増やせば、更に磁界強度を減衰できる。最近の薄型
部品を使用した回路基板ではシールドケースの厚みが特
に薄くなっているので、放熱の要求される範囲で薄くす
る。放射妨害は、マージンが多くとれる傾向である。
【0041】このような、遮へい板に電磁波吸収シート
を設けることで、良好な放熱とより高い周波数領域に対
応した放射妨害波の抑制ができる。
【0042】遮蔽板の位置については、図6(a)でも
図示したようにシールドケースの外側に配置しても同様
の効果が得られる。このとき遮蔽板は、平板の側面を折
り曲げ、ケースとグランド接続とする必要がある。
【0043】開口は、直径5mm、ピッチ15mmで、
構成した。このときのシールド効果は5mmが一個の時
の各周波数でのシールド効果が、先の−18Logn値
分で減衰する。30〜50程度の穴数では大きく20d
BμV程度の減少となる。特に、数100MHzクラス
では1個の開口でも、放射妨害波のおおきな減少が起こ
っている。又、フラットケーブル等の開口を設けると、
妨害電磁波の漏洩が大幅に増加してしまう。
【0044】以上説明したように、本発明によれば、開
口部に電磁波吸収シートを持つシールド構造を形成する
ことで、良好な放熱とより周波数領域の高い効果的な放
射妨害波の抑制を可能としたものである。
【0045】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ケースにおいて比較的に大きな開口面積を有する開口部
を設ける場合に、放熱効果を確保でき、かつより高い周
波数領域であっても放射妨害波の漏れを減衰させること
ができる電子装置を提供することができる。
【0046】加えて、開口部を内蔵基板のケーブル用引
き出し口とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係わる開口付きシー
ルドケースで、(a)は外観斜視図、(b)はケースの
平面図、(c)は(b)のX−X線矢視断面図である。
【図2】(a)は、開口付きシールドケース1の第2の
実施形態にかかるケース1の平面図であり、(b)は
(a)のX−X線矢視断面図であり、(c)は、開口付
きシールドケース1の第3の実施形態にかかるケース1
の平面図であり、(d)は(c)のX−X線矢視断面図
である。
【図3】ケース1の側面に穿設される開口部4に対して
距離Dの位置に導体8を接地しておき、この上に電磁吸
収シート3を内側に設けた様子を示した断面図である。
【図4】(a)は、アドバンテスト法のシールド効果評
価器(TR17301)内のアンテナと開口位置図、
(b)は、KEC法に準拠した評価システムを示す図で
ある。
【図5】(a)は両面めっきで作成したスリットサンプ
ル位置、(b)は、アンテナスキャンの近接磁界のシー
ルド効果評価結果を示す図である。
【図6】(a)スリットと電磁波吸収シートとループア
ンテナの関係図、(b)はシールド効果評価システム図
である。
【図7】(a)と(b)はアンテナスキャンの近接磁界
分布評価結果を示す図である。
【図8】(a)と(b)はアンテナスキャンのスペクト
ルアナライザー評価結果を示す図である。
【図9】アンテナスキャンのスペクトルアナライザー評
価結果を示す図である。
【図10】従来のシールドケースの構成例であって、
(a)は断面図、(b)は上面図である。
【符号の説明】
1 ケース 2 開口部 3 電磁吸収シート(電磁波吸収層) 4 開口部 5 フラットケーブル(外部接続手段) 7 電子回路基板 8 導体

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子回路基板から発生する電磁放射ノイ
    ズが外部に放射されることを防止するためにシールドケ
    ースに前記電子回路基板を内蔵した電子装置であって、 放熱させるために、前記前記シールドケースに設けられ
    る所定開口面積を有する開口部と、 前記所定開口面積より大きな面積を有するとともに、前
    記開口部との間で空間を確保して配設され、かつ前記シ
    ールドケースと接地される導体手段と、 前記導体手段に設けられる電磁波吸収層とを具備するこ
    とを特徴とする電子装置。
  2. 【請求項2】 前記電子回路基板と外部接続を行なう外
    部接続手段を通過させるために、前記開口部を設けたこ
    とを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
  3. 【請求項3】 前記電子回路基板は、前記シールドケー
    スの底面に沿って設けられ、また、前記開口部は前記シ
    ールドケースの上面または側面に設けられることを特徴
    とする請求項1に記載の電子装置。
  4. 【請求項4】 前記開口部は、前記上面において複数分
    が設けられ、前記導体手段と、前記電磁波吸収層とを一
    体的または個別に配設したことを特徴とする請求項3に
    記載の電子装置。
  5. 【請求項5】 前記導体手段と前記電磁波吸収層とを前
    記開口部の内側または外側に配設したことを特徴とする
    請求項2または3に記載の電子装置。
  6. 【請求項6】 前記電磁波吸収層としてフェライトまた
    は六方晶フェライト粒子を混入した有機バインダーを使
    用したシート状体を用いることを特徴とする請求項1乃
    至5のいずれか1項に記載の電子装置。
  7. 【請求項7】 前記電子回路は、600MHzクラスの
    電磁波を外部に放出する電子回路であることを特徴とす
    る請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子装置。
  8. 【請求項8】 前記外部接続手段は着脱自在なコネクタ
    を備えたフラットケーブルを含む信号線であることを特
    徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子装
    置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015145987A1 (ja) * 2014-03-26 2015-10-01 日本電気株式会社 筐体および光トランシーバーモジュール
JP2016001790A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 株式会社ダイヘン 無線アクセスポイント装置

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