JP2001077585A - 電磁波吸収ペースト - Google Patents
電磁波吸収ペーストInfo
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- JP2001077585A JP2001077585A JP25195899A JP25195899A JP2001077585A JP 2001077585 A JP2001077585 A JP 2001077585A JP 25195899 A JP25195899 A JP 25195899A JP 25195899 A JP25195899 A JP 25195899A JP 2001077585 A JP2001077585 A JP 2001077585A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱処理に伴う基板の反りを防止し、電子機器
や電子部品に機械的悪影響を与えることなく電子部品な
どから放射される電磁波の不要輻射や漏れを防止する電
磁波吸収ペーストを提供する。 【解決手段】 磁性体粒子からなる電磁波吸収材料６
と、前記電磁波吸収材料６と有機結合材を混練して形成
された混合体からなる電磁波吸収ペースト５において、
前記混合体に低熱膨張粒子７を混入した。
や電子部品に機械的悪影響を与えることなく電子部品な
どから放射される電磁波の不要輻射や漏れを防止する電
磁波吸収ペーストを提供する。 【解決手段】 磁性体粒子からなる電磁波吸収材料６
と、前記電磁波吸収材料６と有機結合材を混練して形成
された混合体からなる電磁波吸収ペースト５において、
前記混合体に低熱膨張粒子７を混入した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電磁波吸収ペースト
に関する。より詳しくは、電子部品などから放射する電
磁波を吸収するための電磁波吸収材料と有機結合材を混
練して形成した電磁波吸収ペーストに関するものであ
る。
に関する。より詳しくは、電子部品などから放射する電
磁波を吸収するための電磁波吸収材料と有機結合材を混
練して形成した電磁波吸収ペーストに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】電子機器あるいは通信装置などにおい
て、電子部品から放射する電磁波による周囲の半導体装
置等への悪影響を防止するために、磁性体粒子からなる
電磁波吸収材料と有機結合材を混練した電磁波吸収体が
用いられている。
て、電子部品から放射する電磁波による周囲の半導体装
置等への悪影響を防止するために、磁性体粒子からなる
電磁波吸収材料と有機結合材を混練した電磁波吸収体が
用いられている。
【０００３】この電磁波吸収体にはシート状に形成した
ものとペースト状に形成したものがあり、電子機器又は
電子部品の電磁波を放射する部位に貼布したり塗布した
りして電磁干渉を抑制していた。電磁波吸収ペーストを
用いる場合、塗布後に硬化させ電子機器又は電子部品を
覆っていた。
ものとペースト状に形成したものがあり、電子機器又は
電子部品の電磁波を放射する部位に貼布したり塗布した
りして電磁干渉を抑制していた。電磁波吸収ペーストを
用いる場合、塗布後に硬化させ電子機器又は電子部品を
覆っていた。
【０００４】電磁波吸収材料はフェライト系や金属系の
ものを用い、フェライト系には例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系、
Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライト材料があり、金属系には例え
ば、ケイ素鋼（Ｆｅ−Ｓｉ）、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ
−Ｓｉ）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）などの合金材料が
ある。これらをそれぞれ１００μｍ以下の球状や扁平状
の粒子とし、これをゴム、シリコン又は塩化ビニル等の
有機結合材と混合し、シート状又はペースト状にしたも
のを使用する。
ものを用い、フェライト系には例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系、
Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライト材料があり、金属系には例え
ば、ケイ素鋼（Ｆｅ−Ｓｉ）、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ
−Ｓｉ）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）などの合金材料が
ある。これらをそれぞれ１００μｍ以下の球状や扁平状
の粒子とし、これをゴム、シリコン又は塩化ビニル等の
有機結合材と混合し、シート状又はペースト状にしたも
のを使用する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記電
磁波吸収体をペースト状で使用したとき、電磁波吸収ペ
ーストに用いられる有機結合材（エポキシ樹脂）は一般
に基板（ガラスエポキシ基板）より熱膨張係数が大きい
ため電磁波吸収ペースト硬化後に基板が反ることがあ
る。
磁波吸収体をペースト状で使用したとき、電磁波吸収ペ
ーストに用いられる有機結合材（エポキシ樹脂）は一般
に基板（ガラスエポキシ基板）より熱膨張係数が大きい
ため電磁波吸収ペースト硬化後に基板が反ることがあ
る。
【０００６】図４は従来の電磁波吸収ペーストを用いた
ときの基板の形状変化の説明図である。図示したよう
に、基板３１上の電子部品（図示しない）を電磁波吸収
材料と有機結合材を混練して形成した電磁波吸収ペース
ト３２で覆い、これを熱処理で硬化させると、基板上に
塗布された電磁波吸収ペースト３２が基板との熱膨張率
の差により、熱処理後の収縮時に変形量が基板より大き
くなって、基板との間に熱応力が作用し、基板に反りが
発生する。このため基板上の電子部品に応力が作用し、
電気的動作、機械強度などに悪影響を及ぼしていた。
ときの基板の形状変化の説明図である。図示したよう
に、基板３１上の電子部品（図示しない）を電磁波吸収
材料と有機結合材を混練して形成した電磁波吸収ペース
ト３２で覆い、これを熱処理で硬化させると、基板上に
塗布された電磁波吸収ペースト３２が基板との熱膨張率
の差により、熱処理後の収縮時に変形量が基板より大き
くなって、基板との間に熱応力が作用し、基板に反りが
発生する。このため基板上の電子部品に応力が作用し、
電気的動作、機械強度などに悪影響を及ぼしていた。
【０００７】この基板３１の反りを防止するため、有機
結合材より熱膨張係数が小さい軟磁性粉末の含有率を上
げて熱膨張係数を基板に近づけることが考えられるが、
含有率には限界があり困難であった。また軟磁性粉末の
熱膨張係数はそれほど小さくないので、含有率を上げて
も基板の熱膨張係数との差を充分小さくすることはでき
ず、基板３１の反りはあまり改善できない。
結合材より熱膨張係数が小さい軟磁性粉末の含有率を上
げて熱膨張係数を基板に近づけることが考えられるが、
含有率には限界があり困難であった。また軟磁性粉末の
熱膨張係数はそれほど小さくないので、含有率を上げて
も基板の熱膨張係数との差を充分小さくすることはでき
ず、基板３１の反りはあまり改善できない。
【０００８】本発明は、上記従来技術を考慮したもので
あって、熱処理に伴う基板の反りを防止し、電子機器や
電子部品に機械的悪影響を与えることなく電子部品など
から放射される電磁波の不要輻射や漏れを防止する電磁
波吸収ペーストの提供を目的とする。
あって、熱処理に伴う基板の反りを防止し、電子機器や
電子部品に機械的悪影響を与えることなく電子部品など
から放射される電磁波の不要輻射や漏れを防止する電磁
波吸収ペーストの提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、磁性体粒子からなる電磁波吸収材料
と、前記電磁波吸収材料と有機結合材を混練して形成さ
れた混合体からなる電磁波吸収ペーストにおいて、前記
混合体に低熱膨張粒子を混入したことを特徴とする電磁
波吸収ペーストを提供する。
め、本発明では、磁性体粒子からなる電磁波吸収材料
と、前記電磁波吸収材料と有機結合材を混練して形成さ
れた混合体からなる電磁波吸収ペーストにおいて、前記
混合体に低熱膨張粒子を混入したことを特徴とする電磁
波吸収ペーストを提供する。
【００１０】この構成によれば、低熱膨張粒子であるシ
リカやコージュライト等を有機結合材に混入するので、
形成された電磁波吸収ペーストの熱膨張係数は基板の熱
膨張係数に近づく。これにより電磁波吸収ペーストを熱
処理して硬化後の熱応力による基板の反りを防ぐことが
できる。なお、本発明で低熱膨張粒子とは、磁性体材料
よりも熱膨張係数が小さい材料からなる粒子をいう。
リカやコージュライト等を有機結合材に混入するので、
形成された電磁波吸収ペーストの熱膨張係数は基板の熱
膨張係数に近づく。これにより電磁波吸収ペーストを熱
処理して硬化後の熱応力による基板の反りを防ぐことが
できる。なお、本発明で低熱膨張粒子とは、磁性体材料
よりも熱膨張係数が小さい材料からなる粒子をいう。
【００１１】好ましい構成例においては、前記低熱膨張
粒子は前記電磁波吸収材料よりも細かい粒子であること
を特徴としている。
粒子は前記電磁波吸収材料よりも細かい粒子であること
を特徴としている。
【００１２】この構成によれば、細かい低熱膨張粒子を
大きい粒子の電磁波吸収材料の隙間に充填するので、大
きい粒子の電磁波吸収材料による電磁波の吸収特性を低
下することなく基板の反りを防止することができる。
大きい粒子の電磁波吸収材料の隙間に充填するので、大
きい粒子の電磁波吸収材料による電磁波の吸収特性を低
下することなく基板の反りを防止することができる。
【００１３】好ましい構成例においては、前記低熱膨張
粒子は球状の粒子であることを特徴としている。
粒子は球状の粒子であることを特徴としている。
【００１４】この構成によれば、低熱膨張粒子を球状に
することにより、形成された電磁波吸収ペーストのペー
スト性状がよくなり、流動性もよくなる。また印刷もし
やすくなる。
することにより、形成された電磁波吸収ペーストのペー
スト性状がよくなり、流動性もよくなる。また印刷もし
やすくなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明に係る電磁波
吸収ペーストの適用例を示す概略図である。図示したよ
うに、基板１上に銅パターン２が形成され、この銅パタ
ーン２にリード端子３を介してＩＣチップ４が接合され
ている。このリード端子３やＩＣチップ４などの電子部
品から放出される電磁波を吸収するために電磁波吸収ペ
ースト５が塗布され、熱処理により硬化する。
施の形態について説明する。図１は本発明に係る電磁波
吸収ペーストの適用例を示す概略図である。図示したよ
うに、基板１上に銅パターン２が形成され、この銅パタ
ーン２にリード端子３を介してＩＣチップ４が接合され
ている。このリード端子３やＩＣチップ４などの電子部
品から放出される電磁波を吸収するために電磁波吸収ペ
ースト５が塗布され、熱処理により硬化する。
【００１６】図２は本発明に係る電磁波吸収ペーストの
拡大図である。図示したように、磁性体粒子からなる電
磁波吸収材料６の隙間を低熱膨張粒子７で充填してい
る。この電磁波吸収材料６としては、フェライト系や金
属系のものがあり、フェライト系には例えば、Ｎｉ−Ｚ
ｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライト材料があり、金属系に
は例えば、ケイ素鋼（Ｆｅ−Ｓｉ）、センダスト（Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）などの合金
材料がある。また、低熱膨張粒子７には球状のシリカや
コージュライトを用いる。
拡大図である。図示したように、磁性体粒子からなる電
磁波吸収材料６の隙間を低熱膨張粒子７で充填してい
る。この電磁波吸収材料６としては、フェライト系や金
属系のものがあり、フェライト系には例えば、Ｎｉ−Ｚ
ｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライト材料があり、金属系に
は例えば、ケイ素鋼（Ｆｅ−Ｓｉ）、センダスト（Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）などの合金
材料がある。また、低熱膨張粒子７には球状のシリカや
コージュライトを用いる。
【００１７】電磁波吸収特性は例えば軟磁性体であるフ
ェライトの場合、粒子径２μｍ以下のとき、ほとんど効
果がない。これは電磁波吸収特性は軟磁性体の粒子径に
依存するためであり、粒子径が大きくなると、複素透磁
率が大きくなり、複素透磁率が大きいほど電磁波吸収特
性は良好になる。よって、粒子径２μｍのフェライトの
隙間をより小さい粒子径のフェライトで充填しても電磁
波吸収特性は向上しない。
ェライトの場合、粒子径２μｍ以下のとき、ほとんど効
果がない。これは電磁波吸収特性は軟磁性体の粒子径に
依存するためであり、粒子径が大きくなると、複素透磁
率が大きくなり、複素透磁率が大きいほど電磁波吸収特
性は良好になる。よって、粒子径２μｍのフェライトの
隙間をより小さい粒子径のフェライトで充填しても電磁
波吸収特性は向上しない。
【００１８】しかし、電磁波吸収ペーストはペースト性
状の確保（粘度、流動性など）および印刷形成後の形状
確保のため、細かい粒子も必要である。そこで、フェラ
イトが最密充填となるように粒子径を調整した例えばシ
リカ（粒径２μｍ以下）を混入する。
状の確保（粘度、流動性など）および印刷形成後の形状
確保のため、細かい粒子も必要である。そこで、フェラ
イトが最密充填となるように粒子径を調整した例えばシ
リカ（粒径２μｍ以下）を混入する。
【００１９】このシリカは球状粒子とし、電磁波吸収ペ
ースト形成後のペースト性状を向上させる。このよう
に、電磁波吸収ペーストを形成する際に低熱膨張係数の
粉末を混合することにより電磁波の吸収特性を低下させ
ずにペースト硬化後の基板の反りを抑えることができ
る。
ースト形成後のペースト性状を向上させる。このよう
に、電磁波吸収ペーストを形成する際に低熱膨張係数の
粉末を混合することにより電磁波の吸収特性を低下させ
ずにペースト硬化後の基板の反りを抑えることができ
る。
【００２０】図３は本発明に係る電磁波吸収ペーストを
用いたときの基板の形状変化の説明図である。図示した
ように、低熱膨張粒子を混合した本発明に係る電磁波吸
収ペースト５を基板１上の電子部品に塗布し、電磁波吸
収ペーストを熱処理によって硬化させても、基板が反る
ことはない。これは、前述のように、電磁波吸収ペース
ト５がシリカ等の細かい低熱膨張粒子を含むため、基板
１との間の熱膨張率の差が小さくなって熱応力が抑えら
れるためである。
用いたときの基板の形状変化の説明図である。図示した
ように、低熱膨張粒子を混合した本発明に係る電磁波吸
収ペースト５を基板１上の電子部品に塗布し、電磁波吸
収ペーストを熱処理によって硬化させても、基板が反る
ことはない。これは、前述のように、電磁波吸収ペース
ト５がシリカ等の細かい低熱膨張粒子を含むため、基板
１との間の熱膨張率の差が小さくなって熱応力が抑えら
れるためである。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、低熱膨張粒子であるシリカやコージュライト等を有
機結合材に混入するので、形成された電磁波吸収ペース
トの熱膨張係数は基板に近づくので電磁波吸収ペースト
を熱処理で硬化後の熱応力による基板の反りを防ぐこと
ができる。
は、低熱膨張粒子であるシリカやコージュライト等を有
機結合材に混入するので、形成された電磁波吸収ペース
トの熱膨張係数は基板に近づくので電磁波吸収ペースト
を熱処理で硬化後の熱応力による基板の反りを防ぐこと
ができる。
【００２２】また、細かい低熱膨張粒子を大きい粒子の
電磁波吸収材料の隙間に充填すれば電磁波の吸収特性を
低下することなく基板の反りを防止することができる。
電磁波吸収材料の隙間に充填すれば電磁波の吸収特性を
低下することなく基板の反りを防止することができる。
【００２３】また、低熱膨張粒子を球状にすることによ
り、形成された電磁波吸収ペーストのペースト性状がよ
くなり、流動性もよくなる。また印刷もしやすくなる。
り、形成された電磁波吸収ペーストのペースト性状がよ
くなり、流動性もよくなる。また印刷もしやすくなる。
【図１】 本発明に係る電磁波吸収ペーストの適用例を
示す概略図。
示す概略図。
【図２】 本発明に係る電磁波吸収ペーストの拡大図。
【図３】 本発明に係る電磁波吸収ペーストを用いたと
きの基板の形状変化の説明図。
きの基板の形状変化の説明図。
【図４】 従来の電磁波吸収ペーストを用いたときの基
板の形状変化の説明図。
板の形状変化の説明図。
１：基板、２：銅パターン、３：リード端子、４：ＩＣ
チップ、５：電磁波吸収ペースト、６：電磁波吸収材
料、７：低熱膨張粒子
チップ、５：電磁波吸収ペースト、６：電磁波吸収材
料、７：低熱膨張粒子
Claims (3)
- 【請求項１】磁性体粒子からなる電磁波吸収材料と、 前記電磁波吸収材料と有機結合材を混練して形成された
混合体からなる電磁波吸収ペーストにおいて、 前記混合体に低熱膨張粒子を混入したことを特徴とする
電磁波吸収ペースト。 - 【請求項２】前記低熱膨張粒子は前記電磁波吸収材料よ
りも細かい粒子であることを特徴とする請求項１に記載
の電磁波吸収ペースト。 - 【請求項３】前記低熱膨張粒子は球状の粒子であること
を特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25195899A JP2001077585A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 電磁波吸収ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25195899A JP2001077585A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 電磁波吸収ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077585A true JP2001077585A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17230526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25195899A Pending JP2001077585A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 電磁波吸収ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077585A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011101989A1 (ja) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 熱伝導性シート |
| CN103778985A (zh) * | 2012-10-25 | 2014-05-07 | 齐红波 | 防辐射吸波粉及其制备方法以及限幅削波装置 |
| CN104043840A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-09-17 | 北京师范大学 | 立方相钴镍合金纳米簇-石墨烯复合材料、其制备方法及用途 |
| CN104084576A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-10-08 | 北京师范大学 | 六方相钴/石墨烯复合材料、制备方法和吸波性能 |
| CN104084575A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-10-08 | 北京师范大学 | 立方相钴/石墨烯复合材料、制备方法和吸波性能 |
| CN104117683A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-10-29 | 北京师范大学 | 六方相钴镍合金纳米簇-石墨烯复合材料、其制备方法及用途 |
| JP2015029017A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | シヤチハタ株式会社 | 電波吸収体製造用ペースト、それを用いた電波吸収体の製造方法、電波吸収体及び構造体 |
| CN108601317A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-09-28 | 浙江师范大学 | 一种宽带轻质超材料吸波结构的制备与应用 |
-
1999
- 1999-09-06 JP JP25195899A patent/JP2001077585A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011101989A1 (ja) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 熱伝導性シート |
| CN103778985A (zh) * | 2012-10-25 | 2014-05-07 | 齐红波 | 防辐射吸波粉及其制备方法以及限幅削波装置 |
| JP2015029017A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | シヤチハタ株式会社 | 電波吸収体製造用ペースト、それを用いた電波吸収体の製造方法、電波吸収体及び構造体 |
| CN104084576A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-10-08 | 北京师范大学 | 六方相钴/石墨烯复合材料、制备方法和吸波性能 |
| CN104084575A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-10-08 | 北京师范大学 | 立方相钴/石墨烯复合材料、制备方法和吸波性能 |
| CN104043840A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-09-17 | 北京师范大学 | 立方相钴镍合金纳米簇-石墨烯复合材料、其制备方法及用途 |
| CN104117683A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-10-29 | 北京师范大学 | 六方相钴镍合金纳米簇-石墨烯复合材料、其制备方法及用途 |
| CN108601317A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-09-28 | 浙江师范大学 | 一种宽带轻质超材料吸波结构的制备与应用 |
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