JP3420459B2 - Iii/v族半導体レーザの製造方法 - Google Patents
Iii/v族半導体レーザの製造方法Info
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Description
リービング(分割)ステップを含むIII/V族半導体
レーザの製造方法に関する。
ファイバ通信、医療機器、CDプレーヤなどにおける重
要な技術的役割を有し、その様なレーザの使用のさらな
る発展が確かに期待されている。
いう観点において、歩留まりの改善は本質的かつ直接的
にコスト低減に結びつくので、レーザを高い歩留まりで
製造できることが非常に有利であることは明かである。
本願は、所与の多層III/V族半導体ウェハから得る
ことのできる許容できるレーザの数を実質的に増大させ
ることができるクリービング技術を開示する。この新規
な技術は、真空クリービングおよび原位置ファセットパ
ッシベーションとの組み合わせで特に有利である。
クライブマークでウェハのエッジ近くでマーキングし、
適切な力を加えることによりスクライブマークにより選
択された面に沿って割れを生じさせるプロセスにより、
1つの完成されたウェハを複数の「バー」に分離するこ
とが通常行われる。このようにして作られた分割表面
は、レーザの光キャビティを形成し、最高品質のものと
なる。自明なこととして、バーからバーまでのキャビテ
ィ長のばらつきは最小でなければならない。
面のかなりの部分は、溝のような欠陥を有し、および/
または位置ずれを起こし、所望のキャビティ長のレーザ
を生産できなかった。クリービングが大気中で行われ得
るならば、商業的に入手可能なクリービング装置は、許
容できるクリービング結果を生じることができるので、
その様な分割の誤差は、あまり問題ではない。しかし、
大気中でのクリービングは、しばしば分割表面の化学的
汚染を生じ、しばしば望ましくない。
容可能な)バー(棒状体)は、個々のレーザに分離さ
れ、このレーザは、典型的には、テストされ梱包され
る。
ウェハの基板の背面に深いチャネルをエッチングし、そ
の後にこのチャネルに沿って機械的に分割するプロセス
により厚い基板のウェハをバーに分離することを開示す
る。
の背面に交差する溝を電気化学的にフォトエッチング
し、この溝に沿って分割するプロセスにより、個々の短
いレーザチップを形成することを開示する。
な欠点を有し、我々が知る限りでは、商業的なレーザ生
産に使用されていない。例えば、両方の技術は、ウェハ
上の個々のレーザの配置を決定する特徴(例えばパター
ン化された金属化)を伴う表面と反対のウェハ表面に連
続溝をエッチングする工程を含む。この溝を反対の表面
上の特徴に位置合わせすることは、非常に困難でありか
つ不便である。
て、真空中で実行可能でり、かつ本質的に均一なキャビ
ティ長を有する高歩留まりのレーザを製造することがで
き、溝または他の機械的なダメージがないミラーファセ
ットを有する、信頼性があり、かつ正確なクリービング
技術を含むレーザの製造方法が、強く望まれている。本
願はその様な方法を開示する。
囲により定義される。広い側面において、Erドープ光
ファイバ増幅器のためのポンプレーザとして有用なIn
GaAs/AlGaAs/GaAsひずみ量子井戸レー
ザのようなレーザの製造歩留まりをそれ自体が改善する
新規かつ有利なIII/V族半導体レーザの製造方法で
ある。
製造方法のより具体的な実施形態は、III/V族半導
体基板の主表面上にIII/V族半導体多層構造を形成
することにより基板を作る工程と、半導体多層構造の上
表面上にパターン化された金族層を形成する工程を含
む。この上表面は、複数の平行な接点領域を含み、多層
構造は、活性層を含む。接点領域は、通常の方法で、こ
の活性層の活性領域を決定する。
おいて配置された金属接点パッドを含み、これらの接点
パッドの内のいくつかは、接点領域上に配置されてい
る。この方法は、上述したように作られた基板を、棒状
の中間体基板(バー)が形成されるように、基板をクリ
ービングし、バーをレーザチップに分離するプロセスに
より、複数のレーザチップに分離する工程も含む。与え
られたバーの分割面が、そのバーから作られるレーザチ
ップの光キャビティを決定することになる。
導体多層構造の上表面に離れて配置された細長く延びた
窪みを、典型的には通常のフォトリソグラフィおよび異
方性エッチングにより形成する工程を含む。この窪み
は、複数の窪みが、半導体多層構造の上表面中の所定の
線に沿って位置決めされ、その線が接点領域に本質的に
直角であり、基板の分割面を決定するように設けられ
る。上記の「線」は、幾何学上の線であり、表面中また
は表面上の物理的な特徴ではない。この窪みは、接点領
域から離れて配置される。基板を分離する工程は、基板
が複数の窪みにより決定される分割面に沿って割れるよ
うに、基板に力を加える工程を含む。
わせされた窪みのセットを含み、各セットは分割面を決
定することが理解されるであろう。セット間の間隔は、
レーザバーの幅を決定し、したがってレーザのキャビテ
ィ長を決定する。これらの窪みは、通常のフォトリソグ
ラフィおよびエッチング技術により非常に正確に形成さ
れ、かつ配置され得るので、本質的に同一のキャビティ
長を持つレーザを反復して生産することが可能である。
た鋭い特徴を有するように容易に作ることができるの
で、これらの窪みの存在は、分割の開始を容易にする。
しかし、この新規なクリービング技術の完全な利益を得
るために、窪み、典型的にはウェハの周囲にまたは近傍
に配置された窪みから延びた短いスクライブマークを設
けることにより、所定の面に沿う分割をさらに容易にす
ることが一般に必要である。追加的に、レーザバーの個
々のレーザチップへの分割を容易にするエッチングされ
た特徴も、備えることができる。
むIII/V族半導体レーザが知られている。本発明の
方法は、分割されたレーザファセットを含むいかなるI
II/V族半導体レーザの製造にも有利に使用され得
る。以下の説明は、特定のIII/V族半導体レーザ、
即ちInGaAs/AlGaAs/GaAsひずみ量子
井戸レーザについてなされる。これは、具体性のためで
あって、これに限定することを意図するものではない。
d et al., IEEE J. Quantum Electronics, Vol. 30(2),
pp. 424-440 (1994) に示されているように、GaAs
基板上に多層半導体構造を形成し、n側接点およびp側
接点を設ける方法として良く知られている。
形成されるIII/V族ウェハの一部を示す。符号1
は、基板であり、2は多層構造の特定の層(即ち、活性
層であり、多層構造の他の層は、別個には示されていな
い)であり、31および32は、2つの隣接する接点領
域(例えばp側接点)である。所与の接点領域の横方向
の範囲は、レーザの活性領域の横方向の範囲を決定し、
したがってレーザファセットの最もクリティカルな部分
を決定する。
部分の上にそれぞれある2つの接点金属(典型的にはA
u)パッドである。符号51〜53は、半導体多層構造
の上表面中の位置合わせされた窪みのセットであり、符
号61〜63は、その様な窪みの別のセットである。図
示されているように、所与のセットのそれぞれは、それ
らが直線上にのるように位置決めされている。重要なこ
とに、これらの窪みは、接点領域の横方向の範囲により
決定されるように、活性領域中には延びておらず、活性
領域中の高品質ファセットの達成を容易にしている。
特徴であり、我々が高品質の分割を得るために必要であ
ることを発見したものである。例えば、その特徴は、機
械的なスクライブマークである。当業者であれば容易に
理解できるように、スクライブマークの正確な位置決め
は、窪み53の鋭くとがった端部により容易にされる。
例えば、けがき針が、窪みのとがった端部に到達するま
で、窪み53のクリース(割れ目)に沿って動かされ
る。そして、こうして配置されたスクライブが、スクラ
イブマークができるように、適切な負荷を加えながらさ
らに短い距離移動される。図1に示されているように、
スクライブマーク7は、接点領域32の中には延びてい
ない。
上表面における任意的な特徴である。この特徴は、レー
ザバーの個々のレーザチップへの分離を容易にするため
に設けられる。窪みのセット61〜63と51〜53と
の間のウェハの部分が、レーザバーに対応する。任意的
な特徴81、82などは、形状および位置の要求が、窪
み51〜53などよりもクリティカルでないにもかかわ
らず、フォトリソグラフィおよびエッチングにより形成
されることになる。
常の方法で、真空中で分割されコートされた8個の例示
的なレーザのパルスパワー対電流(L−I)曲線を示
し、図2bは、本発明によりエッチングされた窪みを有
する真空中で分割され、比較例のレーザと同じ方法でコ
ートされたその他の点は同じ8個のレーザの対応するパ
ルスパワー対電流(L−I)曲線を示す。本発明による
レーザは、従来技術によるレーザがむしろ広い範囲に特
性がばらつくことと比較して、そのL−I特性が非常に
せまい範囲にしかばらつかないことを示している。した
がって、図2は、本発明によるレーザの製造方法で得ら
れる有利な結果を示している。
ブロードエリアストライプレーザのCW(連続波)L−
I特性を示す。ヒートシンクが最適化されておらず、大
きな熱抵抗があるにもかかわらず、1Wまでの出力が得
られた。
ー密度は、14.5MW/cm2 であった。これは、我
々が知る限り、ブロードエリアレーザについて以前に報
告された最も高いパワー密度よりも高い。我々は、この
優れた結果を、本発明による製造技術から得られた高品
質のレーザファセットおよびCOD(破滅的光ダメー
ジ)に対する結果としての高い耐性のおかげであると考
える。
BEにより成長させられた。この構造は、10nmの厚
さのGaAsスペーサ層により分離された2つの8nm
の厚さのIn0.2Ga0.8Asのひずみ量子井戸を有する
1つの活性層と、この活性層のいずれかの側にあるそれ
ぞれ1.5μmの厚さのSiおよびBeをドープされた
AlGaAsのn型およびp型のクラッド層を含む。
が変化する層が設けられ、Alセル温度が、0.12μ
mの厚さについて0.4から0.05までまたはこの逆
にAlAs濃度が線形的に徐々に変化させられている。
厚い金のn側接点パッドが、通常の方法で堆積された。
25μmの活性領域ストライプ幅を持つブロードエリア
レーザが、750μm幅のレーザバーの真空分割、その
直後の分割された表面のZnSeパッシベーション、お
よびSiO(R=5%)低反射率およびSiO/Si
(R=90%)高反射率のコーティングにより製造され
た。
(V字型溝)を伴ってかつ伴わずに行われた。約20μ
mの幅、約200μmの長さ、および15μmの深さの
V字型溝が、通常のフォトリソグラフィおよびその後の
3H3PO4:1H2O2:5H2O 中での化学エッチング
により作られた。機械的スクライブマークが作られた。
本発明による真空中でのクリービングにより製造された
ファセットの顕微鏡検査により、従来のクリービングが
使用された場合には、観察された、ファセット上の溝あ
るいは割れ目がないことが分かった。
でテストされた。図2および3は、例示的な結果を示
す。真空中でのクリービングおよび原位置ファセットコ
ーティングを含む本発明によるレーザ製造は、従来技術
による真空クリービングおよびコーティングが使用され
た場合に得られるよりもかなり高い歩留まりを有した。
溝あるいは他の機械的なダメージのないミラーファセッ
トを有するレーザの製造方法であって、真空中で行うこ
とができ、高い歩留まりでレーザを製造することができ
る、信頼性がありかつ正確なクリービング技術を含む本
質的に均一なキャビティ長を有するIII/V族半導体
レーザを製造する方法を提供することができる。
ェハの一部を示す概略図
ーザについての性能データおよび従来の方法でクリービ
ングされた類似の8個のレーザについての性能データを
示す図
出力対電流のデータを示す図
Claims (8)
- 【請求項1】 a) 主面を有するIII/V族半導体
基板(1)を準備し、前記主面上に、活性層およびこの
活性層の活性領域を実質的に決定する複数の平行な設定
領域(31,32)を含む上表面を有するIII/V族
半導体多層構造(2)を形成するステップと、 b) 前記半導体多層構造の上部表面の上に、間隔をお
いて配置され、そのうちのいくつかが接点領域上に配置
された複数の金属接点パッド(41,42)を含むパタ
ーン化された金属層を形成するステップと、 c) レーザキャビティを決定する分割面を有する棒状
の中間体が形成されるように、ステップa)およびb)
により作られた基板を分割し、前記中間体をレーザチッ
プに分離するプロセスにより、前記基板を複数のレーザ
チップに分離するステップとを含むIII/V族半導体
レーザの製造方法において、前記中間体を形成するステ
ップc)は、 d) 前記半導体多層構造の上部表面中に細長い間隔を
おいて配置された複数の窪み(例えば、51,52,5
3)を形成するステップを含み、前記複数の窪みは、 i) 前記複数の窪みのうちの第1グループが、前記半
導体多層構造の上部表面中の第1の所定の線に沿って実
質的に位置合わせされており、前記第1の所定の線は、
前記接点領域と実質的に直角であり、かつ前記中間体の
分割面を決定するものであり、 ii) 前記複数の窪みの第1グループは、前記接点領
域から離れているように配置され、 前記ステップc)はさらに、 e) 1つもしくはそれ以上の細長い窪みから延在する
とともに、前記第1の所定の線に沿う分割を容易にする
ように適合された少なくとも1つの表面特徴(7)を提
供するステップと、 f) 前記基板が前記第1の所定の線に沿って割れて、
前記中間体が形成されるように、前記基板に力を加える
ステップとを含むことを特徴とするIII/V族半導体
レーザの製造方法。 - 【請求項2】 前記基板が、GaAs基板であることを
特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 前記第1の所定の線が、GaAs基板の
<100>結晶方向と平行であることを特徴とする請求
項2記載の方法。 - 【請求項4】 前記細長い間隔をおいて配置された窪み
が、フォトリソグラフィおよびエッチングを含むプロセ
スにより形成されることを特徴とする請求項1記載の方
法。 - 【請求項5】 前記ステップf)が真空チャンバー中で
行われ、前記方法が、前記分割面上にパッシベーション
層をその本来の位置に堆積させることを含むことを特徴
とする請求項1記載の方法。 - 【請求項6】 表面特徴が、上部表面をけがき針を接触
させながら移動させることにより作られるスクライブマ
ークであることを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 前記少なくとも1つの表面特徴が、前記
第1の所定の線に沿って位置合わせされた窪みのとがっ
た端部から延びていることを特徴とする請求項1記載の
方法。 - 【請求項8】 前記表面の特徴が、前記上部表面をけが
き針を移動させることにより作られた前記接点領域から
離れているスクライブマークであることを特徴とする請
求項7記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/627,562 US5629233A (en) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | Method of making III/V semiconductor lasers |
US627562 | 1996-04-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1027942A JPH1027942A (ja) | 1998-01-27 |
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Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09298339A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製法 |
US5773318A (en) * | 1996-10-30 | 1998-06-30 | Lucent Technologies Inc. | In-situ technique for cleaving crystals |
JPH10223992A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子製造方法 |
JPH11195627A (ja) * | 1997-12-27 | 1999-07-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | 光学素子の製造方法 |
US6013540A (en) * | 1998-05-01 | 2000-01-11 | Lucent Technologies, Inc. | Laser diode with substrate-side protection |
EP0977276A1 (en) | 1998-07-08 | 2000-02-02 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor device cleave initiation |
JP2000091636A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
US6140603A (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Micro-cleavage method for specimen preparation |
IES20000820A2 (en) * | 2000-10-11 | 2002-05-29 | Nat Univ Ireland | A single frequency laser |
GB2371406A (en) * | 2001-01-23 | 2002-07-24 | Univ Glasgow | An Optically Active Device |
US7006719B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-02-28 | Infinera Corporation | In-wafer testing of integrated optical components in photonic integrated circuits (PICs) |
JP5121461B2 (ja) | 2005-12-26 | 2013-01-16 | パナソニック株式会社 | 窒化化合物半導体素子 |
JP5056142B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子 |
JP4288620B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2009-07-01 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP4573863B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
US7718454B2 (en) * | 2007-02-15 | 2010-05-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing a semiconductor laser |
JP2008227461A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
JP5658433B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2015-01-28 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体ウェハ及び窒化物半導体素子の製造方法 |
DE102010056054A1 (de) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Laserbarren, Laserbarren und Laserdiode |
JP5451724B2 (ja) * | 2011-12-08 | 2014-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
CN102545041A (zh) * | 2012-01-17 | 2012-07-04 | 苏州纳睿光电有限公司 | 半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法 |
US10448849B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-10-22 | Vital Connect, Inc. | Contextual heart rate monitoring |
JP2015088512A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20180145206A1 (en) * | 2015-07-07 | 2018-05-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
JP7146736B2 (ja) | 2017-03-29 | 2022-10-04 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
DE102017117136B4 (de) * | 2017-07-28 | 2022-09-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Laserdioden und Laserdiode |
DE102018100763A1 (de) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen und Halbleiterbauteil |
DE102018114133B4 (de) | 2018-06-13 | 2024-05-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren für einen Halbleiterlaser |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6041478B2 (ja) * | 1979-09-10 | 1985-09-17 | 富士通株式会社 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
JPS5914914B2 (ja) * | 1979-11-15 | 1984-04-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体レ−ザの製造方法 |
JPS5766688A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor laser element |
JPS60123086A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
JPS63124486A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
DE3731312C2 (de) * | 1987-09-17 | 1997-02-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Vereinzeln von monolithisch hergestellten Laserdioden |
JPH01215086A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
JPH01215083A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 光素子のへき開分離方法 |
EP0416190B1 (en) * | 1989-09-07 | 1994-06-01 | International Business Machines Corporation | Method for mirror passivation of semiconductor laser diodes |
US4997793A (en) * | 1989-11-21 | 1991-03-05 | Eastman Kodak Company | Method of improving cleaving of diode arrays |
JPH04262589A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-17 | Nec Kagoshima Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
JPH04276645A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Toshiba Corp | 化合物半導体ウエーハのダイシング方法 |
GB2269268B (en) * | 1992-07-31 | 1995-11-29 | Northern Telecom Ltd | Semiconductor slice cleaving |
JPH06222495A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ハロゲン化銀感光材料およびそれを用いた画像形成方法 |
US5418190A (en) * | 1993-12-30 | 1995-05-23 | At&T Corp. | Method of fabrication for electro-optical devices |
JP3314794B2 (ja) * | 1994-03-09 | 2002-08-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH0864906A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製法 |
-
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