JPS5914914B2 - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS5914914B2 JPS5914914B2 JP54149085A JP14908579A JPS5914914B2 JP S5914914 B2 JPS5914914 B2 JP S5914914B2 JP 54149085 A JP54149085 A JP 54149085A JP 14908579 A JP14908579 A JP 14908579A JP S5914914 B2 JPS5914914 B2 JP S5914914B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- semiconductor laser
- manufacturing
- operating region
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザの製造方法に関するもので、良好
な共振器を形成するための方法を提供するものである。
な共振器を形成するための方法を提供するものである。
半導体レーザはｐ−ｎ接合面に垂直な結晶の端面を共振
器として利用する。
器として利用する。
通常この面としては１１０面が用いられ、ナイフ等の刃
状のものを結晶の一部にあて、結晶を臂関することによ
つて得られる。従来は結晶に印をつけることもなく、適
当に刃をあてて 関していたが、この方法では素子の長
さを一定に保つことがほとんど不可能で、このため素子
特性もばらつきが大きかつた。これを避ける従来の方法
を第１図を用いて説明する。通常室淵で連続発振する半
導体レーザは、何らかのストライプ構造をとつており、
これは結晶の全域をレーザ発振に寄与させるのではなく
、通常２０μｍ以下のきわめて細い帯状領域のみを動作
領域として使用するところからこの名がある。第１図は
ストライプ構造の一種である電極ストライプ型レーザを
例にし、長さを揃えるための従来方法を説明するための
図である。同図ａ、ｂは臂開前のウェハ形状を示したも
ので、同図ｃはこれを臂関して素子としたところを示し
ている。ここに１は半導体結晶でｐ、ｎ両タイプを含み
、ＧａＡｓやＧａＡｔＡｓ等で成つている。ｐ−ｎ接合
２０は結晶主面に平行で、通常一方の主面のきわめて近
く（約５μｍ程度）にある。２、３はそれぞれｐ、ｎ電
極であり、ここでは電極２がストライプ状となつており
、この下部のみに電流が流れる動作領域４を有する構造
となつている。
状のものを結晶の一部にあて、結晶を臂関することによ
つて得られる。従来は結晶に印をつけることもなく、適
当に刃をあてて 関していたが、この方法では素子の長
さを一定に保つことがほとんど不可能で、このため素子
特性もばらつきが大きかつた。これを避ける従来の方法
を第１図を用いて説明する。通常室淵で連続発振する半
導体レーザは、何らかのストライプ構造をとつており、
これは結晶の全域をレーザ発振に寄与させるのではなく
、通常２０μｍ以下のきわめて細い帯状領域のみを動作
領域として使用するところからこの名がある。第１図は
ストライプ構造の一種である電極ストライプ型レーザを
例にし、長さを揃えるための従来方法を説明するための
図である。同図ａ、ｂは臂開前のウェハ形状を示したも
ので、同図ｃはこれを臂関して素子としたところを示し
ている。ここに１は半導体結晶でｐ、ｎ両タイプを含み
、ＧａＡｓやＧａＡｔＡｓ等で成つている。ｐ−ｎ接合
２０は結晶主面に平行で、通常一方の主面のきわめて近
く（約５μｍ程度）にある。２、３はそれぞれｐ、ｎ電
極であり、ここでは電極２がストライプ状となつており
、この下部のみに電流が流れる動作領域４を有する構造
となつている。
長さを揃えるために、ストライプ電極２の形成された主
面と反対側の主面にＶ状のエッチング溝１０がストライ
プ電極２と直角な方向に切つてある。このウェハに溝１
０とは反対側の主面から刃をあてて力を加えると、り溝
１０の眞淑に応力が集中するためり溝１０に沿つて臂開
され、あらかじめ定められたＶ溝１０の間隔（通常３０
０μｍ程度）で正確に割れ、素子の長さが一定となる。
この従来方法の欠点は次のようなものである。
面と反対側の主面にＶ状のエッチング溝１０がストライ
プ電極２と直角な方向に切つてある。このウェハに溝１
０とは反対側の主面から刃をあてて力を加えると、り溝
１０の眞淑に応力が集中するためり溝１０に沿つて臂開
され、あらかじめ定められたＶ溝１０の間隔（通常３０
０μｍ程度）で正確に割れ、素子の長さが一定となる。
この従来方法の欠点は次のようなものである。
すなわちＶ溝１０が結晶方位置１０と完全に一致すれば
臂開面は平坦になるが、実際には必ず誤差がある。結晶
は１１０方向に割れようとするが、Ｖ溝１０の方位がわ
ずかに違つているため、第１図ｃ、ｄに示すように臂開
面に段差５０が生ずる。段差５０ができる位置は不定の
ため、ある確率で動作領域４に当るものができ、特性不
良を引きおこす。段差５０の密度はＶ溝１０の１１０方
向からのずれに依存し、１度の角度ずれでもかなりの密
度となり、不良の確率が許容できない程度になる。また
Ｖ溝１０の深さは通常５μｍ以上必要なため、ストライ
プ電極２のある主面に溝を入れるとｐ−ｎ接合に届いて
しまう。このため裏面に溝を入れざるを得ないが、この
ためにはウェハの両面を写真製版する必要があり、製作
が難しいという欠点があつた。本発明はこのような従来
方法の欠点を解消するためになされたもので、半導体結
晶の一主面に帯状の動作領域に直交して、かつ該帯状動
作領域の上部をさけてエッチング溝を破線状に形成イる
とともに、該エッチング溝に沿つて半導体結晶を臂関す
ることにより、共振器長を揃えることができるとともに
、良好な臂開面を得ることのできる半導体レーザの製造
方法を提供することを目的としている。
臂開面は平坦になるが、実際には必ず誤差がある。結晶
は１１０方向に割れようとするが、Ｖ溝１０の方位がわ
ずかに違つているため、第１図ｃ、ｄに示すように臂開
面に段差５０が生ずる。段差５０ができる位置は不定の
ため、ある確率で動作領域４に当るものができ、特性不
良を引きおこす。段差５０の密度はＶ溝１０の１１０方
向からのずれに依存し、１度の角度ずれでもかなりの密
度となり、不良の確率が許容できない程度になる。また
Ｖ溝１０の深さは通常５μｍ以上必要なため、ストライ
プ電極２のある主面に溝を入れるとｐ−ｎ接合に届いて
しまう。このため裏面に溝を入れざるを得ないが、この
ためにはウェハの両面を写真製版する必要があり、製作
が難しいという欠点があつた。本発明はこのような従来
方法の欠点を解消するためになされたもので、半導体結
晶の一主面に帯状の動作領域に直交して、かつ該帯状動
作領域の上部をさけてエッチング溝を破線状に形成イる
とともに、該エッチング溝に沿つて半導体結晶を臂関す
ることにより、共振器長を揃えることができるとともに
、良好な臂開面を得ることのできる半導体レーザの製造
方法を提供することを目的としている。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例による製造方法を説明するた
めの模式図であり、Ａ，ｂは臂開前のウェハを、ｃは臂
開後の素子形状を示したものである。１０はウェハ１の
ストライプ電極２が形成されたのと同じ主面上に設けら
れたＶ溝であり、このＶ溝１０は帯状の動作領域４の上
部に位置するストライプ電極２と直交して該ストライプ
電極２の近傍を避けて全体として見ると破線状に形成さ
れている。
めの模式図であり、Ａ，ｂは臂開前のウェハを、ｃは臂
開後の素子形状を示したものである。１０はウェハ１の
ストライプ電極２が形成されたのと同じ主面上に設けら
れたＶ溝であり、このＶ溝１０は帯状の動作領域４の上
部に位置するストライプ電極２と直交して該ストライプ
電極２の近傍を避けて全体として見ると破線状に形成さ
れている。
このようなウェハを■溝１０に沿つて臂関すると、たと
えｖ溝１０の方向が結晶方位とわずかにずれていても、
段差５０はＶ溝１０下部のみに発生し、レーザ発振に寄
与する動作領域４には発生しない。またストライプ巾は
通常２０μｍ以下であるから５０μｍ程度の間隔でＶ溝
１０を離せば、段差の影響は動作領域には現れない。一
方通常素子の巾は３００１ｔｍ程度であるから、５０μ
ｍ程度Ｖ溝１０がなくても臂開には何ら障害にならない
。さらに、Ｖ溝１０は動作領域４１ｆＣないのでＶ溝１
０がｏ−ｎ接合に届いても問題は起らず、Ｖ溝１０をス
トライプ電極２と同一主面上に形成することができる。
第３図はこの発明の他の実施例のエッチング溝１０の形
状を示すもので、矩形でなく、先端１０ａをとがらせた
形状をしている。
えｖ溝１０の方向が結晶方位とわずかにずれていても、
段差５０はＶ溝１０下部のみに発生し、レーザ発振に寄
与する動作領域４には発生しない。またストライプ巾は
通常２０μｍ以下であるから５０μｍ程度の間隔でＶ溝
１０を離せば、段差の影響は動作領域には現れない。一
方通常素子の巾は３００１ｔｍ程度であるから、５０μ
ｍ程度Ｖ溝１０がなくても臂開には何ら障害にならない
。さらに、Ｖ溝１０は動作領域４１ｆＣないのでＶ溝１
０がｏ−ｎ接合に届いても問題は起らず、Ｖ溝１０をス
トライプ電極２と同一主面上に形成することができる。
第３図はこの発明の他の実施例のエッチング溝１０の形
状を示すもので、矩形でなく、先端１０ａをとがらせた
形状をしている。
このようにすると襞開位置がきわめて正確に決定できる
。なぜならエッチング溝１０の一方の先端１０ａから臂
開が進行するからである。なお上記実施例では電極スト
ライプ構造の半導体レーザについて説明したが、本発明
はこれに限られるものではなく、別のストライプ構造、
例えばＴＪＳ（ＴｒａｎｓｖｅｒｓｅＪｕｎｃｔｉＯｎ
Ｓｔｒｉｐｅ）構造等の半導体レーザに適用できること
は明らかで、素子巾に対し動作領域の巾が充分小さい構
造であれば本発明を適用できる。
。なぜならエッチング溝１０の一方の先端１０ａから臂
開が進行するからである。なお上記実施例では電極スト
ライプ構造の半導体レーザについて説明したが、本発明
はこれに限られるものではなく、別のストライプ構造、
例えばＴＪＳ（ＴｒａｎｓｖｅｒｓｅＪｕｎｃｔｉＯｎ
Ｓｔｒｉｐｅ）構造等の半導体レーザに適用できること
は明らかで、素子巾に対し動作領域の巾が充分小さい構
造であれば本発明を適用できる。
またエッチング溝は便宜上Ｖ溝としたが、Ｕ溝や矩形断
面のエッチ溝等でもその深さを適当に選定して臂開のガ
イド溝とすることができるので、特定断面形状に限定さ
れないことは明らかである。以上のように、この発明に
よれば、動作領域が半導体結晶中の帯状の一部領域に限
定された半導体レーザにおいて、上記帯状領域に直交し
て該帯状領域の一部をさけて破線状のエッチング溝を形
成し、このエッチング溝に沿つて結晶を勢関することに
より、共振器長を正確に揃えることができ、かつ良好な
臂開面が得られる効果がある。
面のエッチ溝等でもその深さを適当に選定して臂開のガ
イド溝とすることができるので、特定断面形状に限定さ
れないことは明らかである。以上のように、この発明に
よれば、動作領域が半導体結晶中の帯状の一部領域に限
定された半導体レーザにおいて、上記帯状領域に直交し
て該帯状領域の一部をさけて破線状のエッチング溝を形
成し、このエッチング溝に沿つて結晶を勢関することに
より、共振器長を正確に揃えることができ、かつ良好な
臂開面が得られる効果がある。
第１図は従来の半導体レーザの製造方法を説明するため
の図で、Ａ，ｂは襞開前のウェハ形状を示す平面図およ
び側面図、ｃは臂開後の素子形状を示す斜視図、ｄはそ
の一部拡大図、第２図は本発明の一実施例による半導体
レーザの製造方法を示す図で、Ａ，ｂは臂開前のウェハ
形状を示す平面図および側面図、ｃは臂開後の素子形状
を示す図、第３図はこの発明の他の実施例によるエッチ
ング溝形状の平面図である。 １・・・・・・半導体結晶、２・・・・・・ストライプ
電極、１０・・・・・・エッチング溝。
の図で、Ａ，ｂは襞開前のウェハ形状を示す平面図およ
び側面図、ｃは臂開後の素子形状を示す斜視図、ｄはそ
の一部拡大図、第２図は本発明の一実施例による半導体
レーザの製造方法を示す図で、Ａ，ｂは臂開前のウェハ
形状を示す平面図および側面図、ｃは臂開後の素子形状
を示す図、第３図はこの発明の他の実施例によるエッチ
ング溝形状の平面図である。 １・・・・・・半導体結晶、２・・・・・・ストライプ
電極、１０・・・・・・エッチング溝。
Claims (1)
- １ 半導体結晶中に帯状の動作領域を有する半導体レー
ザの製造方法において、上記半導体結晶の一主面からの
エッチングにより上記帯状動作領域に直交してかつ上記
帯状動作領域の上部をさけてエッチング溝を破線状に形
成し、上記エッチング溝に沿つて上記半導体結晶を劈開
することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54149085A JPS5914914B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54149085A JPS5914914B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5671989A JPS5671989A (en) | 1981-06-15 |
| JPS5914914B2 true JPS5914914B2 (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=15467363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54149085A Expired JPS5914914B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914914B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58139487A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS62190892A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| JPH04262589A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-17 | Nec Kagoshima Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| US5629233A (en) * | 1996-04-04 | 1997-05-13 | Lucent Technologies Inc. | Method of making III/V semiconductor lasers |
| EP0977276A1 (en) * | 1998-07-08 | 2000-02-02 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor device cleave initiation |
| JP5056142B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子 |
| JP4832221B2 (ja) | 2006-09-01 | 2011-12-07 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| KR100957437B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-05-11 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 분리방법 |
| JP5658433B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2015-01-28 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体ウェハ及び窒化物半導体素子の製造方法 |
-
1979
- 1979-11-15 JP JP54149085A patent/JPS5914914B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5671989A (en) | 1981-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6041478B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPS5914914B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| US6335559B1 (en) | Semiconductor device cleave initiation | |
| US5976904A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JP3660570B2 (ja) | 結晶性基板の劈開方法 | |
| JP3754995B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| JP2003086900A (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2013026517A (ja) | 半導体光素子を作製する方法、及び半導体光素子 | |
| JPH0983081A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0144030B2 (ja) | ||
| JPS603182A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JP2002064237A (ja) | 結晶性基板の劈開方法 | |
| JP3473134B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0786687A (ja) | 半導体レーザ装置、その製造方法及び半導体レーザ用ウエハ | |
| JPS62190892A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPH0563308A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US11967797B2 (en) | Puncture forming method, sample separating method, semiconductor element manufacturing method, semiconductor laser element manufacturing method, and semiconductor laser element | |
| JP2001024279A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS6320389B2 (ja) | ||
| JP3807242B2 (ja) | デバイスの製造方法 | |
| JPH01215086A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH11204463A (ja) | 半導体素子の切り出し方法 | |
| JPH0774142A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10256664A (ja) | 光半導体装置のマーカ形成方法 | |
| KR900006923B1 (ko) | 지붕형 반사기를 갖는 반도체 레이저 구조 |