JPS62190892A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62190892A JPS62190892A JP61034597A JP3459786A JPS62190892A JP S62190892 A JPS62190892 A JP S62190892A JP 61034597 A JP61034597 A JP 61034597A JP 3459786 A JP3459786 A JP 3459786A JP S62190892 A JPS62190892 A JP S62190892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- groove
- hole
- sides
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、襞間によって共振器端面を形成する半導体レ
ーザ装置の製造方法に関するものである。
ーザ装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、半導体レーザ装置の共振器端面は襞間によって形
成している。襞間により共振器端面を形成する技術は高
度の熟練を要するため、半導体レーザ装置の量産には不
利である。
成している。襞間により共振器端面を形成する技術は高
度の熟練を要するため、半導体レーザ装置の量産には不
利である。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の半導
体レーザ装置の製造方法について説明する。
体レーザ装置の製造方法について説明する。
第３図（Ｉ！Ｌ）は電気的分離のだめの溝３をもつ従来
の半導体レーザウェハーの平面図であり、第３図（ｂ）
はプレーナストライプ型の断面図である。第３図におい
・て１は電極部分、３は半導体素子の電気はｐ型Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層、９はｐ型Ｇ ａ Ａ Ｂ
基板である。
の半導体レーザウェハーの平面図であり、第３図（ｂ）
はプレーナストライプ型の断面図である。第３図におい
・て１は電極部分、３は半導体素子の電気はｐ型Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層、９はｐ型Ｇ ａ Ａ Ｂ
基板である。
第３図Φ）のようにｎ型Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層４
の上に電極１を形成し、半導体素子の電気的分離のため
の溝３を形成し、第３図（ａ）と示す位置で襞間を行な
う。
の上に電極１を形成し、半導体素子の電気的分離のため
の溝３を形成し、第３図（ａ）と示す位置で襞間を行な
う。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような半導体レーザ装置の製造方
法では、襞間を行なう際に、その位置決めに高度な熟練
を要するため、半導体レーザ装置の量産には不適であっ
た。
法では、襞間を行なう際に、その位置決めに高度な熟練
を要するため、半導体レーザ装置の量産には不適であっ
た。
本発明は上記欠点に鑑み、容易に所望の位置での襞間が
得られ、半導体レーザの量産に適した半導体レーザ装置
の製造方法を提供するものである。
得られ、半導体レーザの量産に適した半導体レーザ装置
の製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置の製造方法は、半導体レーザウェハー上において、所
望の位置に襞間を導くために、両側に突起をもつ溝又は
穴が形成する工程を含んで構成されている。
置の製造方法は、半導体レーザウェハー上において、所
望の位置に襞間を導くために、両側に突起をもつ溝又は
穴が形成する工程を含んで構成されている。
作 用
この方法によって、両側に突起をもつ溝又は穴が形成さ
れ、応力の作用により所望の位置に襞間を導くことがで
きる。
れ、応力の作用により所望の位置に襞間を導くことがで
きる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の一実施例における半導体レー
ザのウェハ一平面図である。
明する。第１図は本発明の一実施例における半導体レー
ザのウェハ一平面図である。
第１図において、１は電極部分、２は両側に突起をもつ
溝ａ又は穴ｂ１４はｎ型Ｇ ａ Ａ ＩＩコンタクト層
、１ｏは弁開開始位置、１１は従来の襞間位置、１２は
本発明による襞間位置である。
溝ａ又は穴ｂ１４はｎ型Ｇ ａ Ａ ＩＩコンタクト層
、１ｏは弁開開始位置、１１は従来の襞間位置、１２は
本発明による襞間位置である。
まず、第１図の弁開開始位置１ｏより襞間を行うと、従
来の方法では弁開位置１１のようになって所定の襞間が
容易にできなかったが、弁開位置１２によれば、弁開開
始位置１０であっても応力の作用により、両側に突起を
もつ溝ａ又は穴すにより所定の骨間位置に襞間を行うこ
とができるようになった。
来の方法では弁開位置１１のようになって所定の襞間が
容易にできなかったが、弁開位置１２によれば、弁開開
始位置１０であっても応力の作用により、両側に突起を
もつ溝ａ又は穴すにより所定の骨間位置に襞間を行うこ
とができるようになった。
又、半導体レーザウェハーの基板側表面に両側に突起を
もつ溝ａ又は穴すを形成しても可能である。穴の形状と
しては、第２図ａ、 ｂのような場合でも同様の効果
が得られた。
もつ溝ａ又は穴すを形成しても可能である。穴の形状と
しては、第２図ａ、 ｂのような場合でも同様の効果
が得られた。
発明の効果
このようにした結果、従来例に比べて容易に所望の位置
での襞間が得られるようになり、半導体レーザの量産に
適した方法が得られ、その実用的効果は犬なるものであ
る。
での襞間が得られるようになり、半導体レーザの量産に
適した方法が得られ、その実用的効果は犬なるものであ
る。
製造方法の一実施例における半導体レーザウエノ・−の
平面図、第３図とは従来例の素子分離のだめの溝をもつ
半導体レーザのウェハーの平面図、第３図すはプレーナ
ストライプ型の半導体レーザのウェハーの断面図である
。
平面図、第３図とは従来例の素子分離のだめの溝をもつ
半導体レーザのウェハーの平面図、第３図すはプレーナ
ストライプ型の半導体レーザのウェハーの断面図である
。
１・・・・・・電極部分、２・・・・・・両側に突起を
もつ溝ａ又は穴ｂ、３・・・・・・半導体素子の電気的
分離のだめの溝、４・・・・・・ｎ型コンタクト層、５
・・・・・・弁開位置、６・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓクラッド層、７・・・・・・Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｔｚ活性層、８・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓクラッド層、９・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基板、１ｏ・・・・・・襞間開始位置、１２・・・
・・・弁開位置。
もつ溝ａ又は穴ｂ、３・・・・・・半導体素子の電気的
分離のだめの溝、４・・・・・・ｎ型コンタクト層、５
・・・・・・弁開位置、６・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓクラッド層、７・・・・・・Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｔｚ活性層、８・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓクラッド層、９・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基板、１ｏ・・・・・・襞間開始位置、１２・・・
・・・弁開位置。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図
りｏ−−−へ↑開ＭＦ訪ＩＩＩ・・−すｊ９１ ＣＯ＝） １２．
−一ト発明第３図
図 第 ２ 図
りｏ−−−へ↑開ＭＦ訪ＩＩＩ・・−すｊ９１ ＣＯ＝） １２．
−一ト発明第３図
Claims (2)
- （１）半導体ウェハ上で、半導体レーザ装置の共振器端
面となる線上で、かつ半導体レーザ装置の発振領域とな
る領域を除いた部分に溝あるいは穴を形成するようにし
た半導体レーザ装置の製造方法。 - （２）溝あるいは穴を形成する位置が、共振器の長さ方
向に平行な方向に素子を分離する線上にあることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034597A JPS62190892A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034597A JPS62190892A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190892A true JPS62190892A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12418747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034597A Pending JPS62190892A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190892A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007074688A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化化合物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2008060555A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2008060478A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2009004820A (ja) * | 2006-11-30 | 2009-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| US7995632B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser chip and fabrication method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671989A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation method of semiconductor laser |
| JPS58139487A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034597A patent/JPS62190892A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671989A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation method of semiconductor laser |
| JPS58139487A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007074688A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化化合物半導体素子およびその製造方法 |
| US8039283B2 (en) | 2005-12-26 | 2011-10-18 | Panasonic Corporation | Nitride compound semiconductor element and method for manufacturing same |
| US8306085B2 (en) | 2005-12-26 | 2012-11-06 | Panasonic Corporation | Nitride compound semiconductor element and method for manufacturing same |
| JP5121461B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2013-01-16 | パナソニック株式会社 | 窒化化合物半導体素子 |
| JP2008060555A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2008060478A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2009004820A (ja) * | 2006-11-30 | 2009-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| US7995632B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser chip and fabrication method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5882988A (en) | Semiconductor chip-making without scribing | |
| JPH02296338A (ja) | 横型トランジスタ及びその製造方法 | |
| KR910007153A (ko) | 메사형으로 이루어진 반도체 보디의 제조방법 | |
| JPS62190892A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS6118135A (ja) | 選択的エツチング方法及び質量輸送ベリードヘテロ構造レーザの製造方法 | |
| JPH10223992A (ja) | 半導体素子製造方法 | |
| JPS63299144A (ja) | パッド用酸化保護層でシールされたインターフェイス分離方法 | |
| EP0090624A2 (en) | MOS semiconductor device and method of producing the same | |
| US5661077A (en) | Method for fabricating an optical integrated circuit | |
| JPS5914914B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| US5436196A (en) | Method of producing semiconductor laser | |
| JPH0983081A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3660570B2 (ja) | 結晶性基板の劈開方法 | |
| JPH0716081B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| US6703644B1 (en) | Method for producing a semiconductor configuration | |
| JPS6237985A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS61212052A (ja) | 梁構造体を有する半導体装置 | |
| JP3133555B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0722704A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01215086A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS59219974A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0645707A (ja) | 半導体レーザの評価方法および半導体装置 | |
| JPH0537082A (ja) | 化合物半導体の加工方法 | |
| JPH0156552B2 (ja) | ||
| JP3033664B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 |