JPS6237985A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS6237985A JPS6237985A JP17792985A JP17792985A JPS6237985A JP S6237985 A JPS6237985 A JP S6237985A JP 17792985 A JP17792985 A JP 17792985A JP 17792985 A JP17792985 A JP 17792985A JP S6237985 A JPS6237985 A JP S6237985A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- layer
- active layer
- opening
- cladding layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、共振器端面の形成をウエノ・−の状態で、か
つ、劈開法を使用してな′″す半導体レーザの製造方法
に関する。
つ、劈開法を使用してな′″す半導体レーザの製造方法
に関する。
従来の技術
２７．７
従来の、共振器端面の形成をウニ・・−の状態で、かつ
、劈開法を使用してなす、半導体レーザの製造方法とし
ては、例えば、特開昭５９−４１８８号公報に示されて
いる。以下、第５図を参照して、この従来の半導体レー
ザの製造方法について説明する。１はｍ−ｖ族化合物半
導体基板であり、２は前記■−■族化合物半導体基板上
に形成された前記■−■族化合物半導体よりなる層とモ
の混晶よりなる層との組み合わせ層構造を有する発光部
であり、３は発光部２上に劈開面に平行な溝状パターン
を有するマスク層を形成し、次いで前記マスク層を用い
て前記発光部を貫通して前記基板に達するように形成さ
れた台形の開口であり、４は前記開口に形成された突出
部であり、５は劈開面を示す破線である。
、劈開法を使用してなす、半導体レーザの製造方法とし
ては、例えば、特開昭５９−４１８８号公報に示されて
いる。以下、第５図を参照して、この従来の半導体レー
ザの製造方法について説明する。１はｍ−ｖ族化合物半
導体基板であり、２は前記■−■族化合物半導体基板上
に形成された前記■−■族化合物半導体よりなる層とモ
の混晶よりなる層との組み合わせ層構造を有する発光部
であり、３は発光部２上に劈開面に平行な溝状パターン
を有するマスク層を形成し、次いで前記マスク層を用い
て前記発光部を貫通して前記基板に達するように形成さ
れた台形の開口であり、４は前記開口に形成された突出
部であり、５は劈開面を示す破線である。
以上のように構成された従来の半導体レーザの製造方法
においては、劈開面を示す破線５の位置で、開口に形成
された突出部４をカッタ、ローラ等を使用して劈開する
ことにより、ウェハーの状態で共振器端面の形成を実行
することができる。
においては、劈開面を示す破線５の位置で、開口に形成
された突出部４をカッタ、ローラ等を使用して劈開する
ことにより、ウェハーの状態で共振器端面の形成を実行
することができる。
３ヘーノ
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、半導体レーザの共
振器端面を劈開法により劈開面を示す破線５の位置に形
成するとき、発光部２の厚さが長くなるほど襞間が困難
となる。また、突出部４をカッタ、ローラ等を使用して
襞間するので劈開工程の煩雑さがあるという問題点を有
していた。
振器端面を劈開法により劈開面を示す破線５の位置に形
成するとき、発光部２の厚さが長くなるほど襞間が困難
となる。また、突出部４をカッタ、ローラ等を使用して
襞間するので劈開工程の煩雑さがあるという問題点を有
していた。
本発明はかかる点に鑑み、上記発光部の厚さがいかに厚
くとも、上記共振器端面の形成を容易に実行し得る、共
振器端面の形成をウニノー−の状態で、かつ、劈開法を
使用してなす半導体レーザの製造方法を提供することを
目的とする。
くとも、上記共振器端面の形成を容易に実行し得る、共
振器端面の形成をウニノー−の状態で、かつ、劈開法を
使用してなす半導体レーザの製造方法を提供することを
目的とする。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、基板上に、下部クラッド層と活性層、上部ク
ラッド層とからなるダブルヘテロ構造部を形成し、該ダ
ブルヘテロ構造部の劈開面を含む領域を選択的にエツチ
ングして前記基板に達する深さの開口を形成し、更に該
開口を介してダブルヘテロ接合部の上部クラッド層及び
下部クラッド層等を選択的にサイドエツチングして前記
ダブルヘテロ構造部の活性層をひさし状に突出させ、し
かる後肢突出部を超音波振動により襞間する工程を含む
ことを具備した半導体レーザの製造方法である。
ラッド層とからなるダブルヘテロ構造部を形成し、該ダ
ブルヘテロ構造部の劈開面を含む領域を選択的にエツチ
ングして前記基板に達する深さの開口を形成し、更に該
開口を介してダブルヘテロ接合部の上部クラッド層及び
下部クラッド層等を選択的にサイドエツチングして前記
ダブルヘテロ構造部の活性層をひさし状に突出させ、し
かる後肢突出部を超音波振動により襞間する工程を含む
ことを具備した半導体レーザの製造方法である。
作 用
本発明は前記した構成により、前記活性層だけを超音波
振動により襞間して共振器端面の形成を行うので、前記
発光部の厚さは劈開工程に関係なく、また劈開工程も簡
単になる。
振動により襞間して共振器端面の形成を行うので、前記
発光部の厚さは劈開工程に関係なく、また劈開工程も簡
単になる。
実施例
、 本発明の一実施例に係る半導体レーザの製造方法に
ついて説明し、本発明の構成と特有の効果とを明らかに
する。
ついて説明し、本発明の構成と特有の効果とを明らかに
する。
一例として、インジウム・ガリウム・ヒ素・リン（Ｉｎ
ＧａＡｓＰ）−インジウム−リン（ＩｎＰ）よりなり、
ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザについて述べる
。
ＧａＡｓＰ）−インジウム−リン（ＩｎＰ）よりなり、
ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザについて述べる
。
第２図において、６はインジウム・リン（ＩｎＰ）より
なる基板、７は基板６の（１００Ｊ面上に形成されたイ
ンジウム・リン（ＩｎＰ）よりなるバッフ６ページ ７層、８はインジウム・ガリウム・ヒ素・リン（ＩｎＧ
ａＡｓＰ） よりなるエツチングストップ層、９はイン
ジウム・リン（ＩｎＰ）よりなる下部クラッド層、１ｏ
はインジウム・ガリウム・ヒ素・リン（ＩｎＧａＡｓＰ
） よりなる活性層、１１はインジウム・リン（ＩｎＰ
） よりなる上部クラッド層、１２はインジウム・ガリ
ウム・ヒ素・リン（Ｉ ｎＧａＡｓＰ ）よりなる電極
コンタクト層（キャップ層）、１３は二酸化シリコン（
Ｓ ｉ０２ ）よりなる絶縁保護膜であり化学気相成長
法（ＣＶＤ法）を使用して形成する。
なる基板、７は基板６の（１００Ｊ面上に形成されたイ
ンジウム・リン（ＩｎＰ）よりなるバッフ６ページ ７層、８はインジウム・ガリウム・ヒ素・リン（ＩｎＧ
ａＡｓＰ） よりなるエツチングストップ層、９はイン
ジウム・リン（ＩｎＰ）よりなる下部クラッド層、１ｏ
はインジウム・ガリウム・ヒ素・リン（ＩｎＧａＡｓＰ
） よりなる活性層、１１はインジウム・リン（ＩｎＰ
） よりなる上部クラッド層、１２はインジウム・ガリ
ウム・ヒ素・リン（Ｉ ｎＧａＡｓＰ ）よりなる電極
コンタクト層（キャップ層）、１３は二酸化シリコン（
Ｓ ｉ０２ ）よりなる絶縁保護膜であり化学気相成長
法（ＣＶＤ法）を使用して形成する。
第３図において、上記の保護膜１３に、公知の方法を使
用して共振器端面の（１００）面（紙面に垂直な方向〕
に沿ってエツチング用のパターンを選択的に形成して、
この溝状形状を有する保護膜１３を次工程におけるエツ
チング用のマスクとする。１４は前記エツチング用マス
クを用いて硫酸（Ｈ２Ｓ０４）過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２
）系をエツチング液としてなすウェットエツチング法を
用いて電極コンタクト層１２を選択的にエツチングして
、６ページ 次いで上部クラッド層１１を塩酸（ＭＣＩ）系のエツチ
ング液を用いてエツチングして、再び硫酸（Ｈ２ＳＯ４
）過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）系のエツチング液を用いて
活性層１ｏをエツチングして、さらに塩酸（ＨＣｌ）系
のエツチング液を用いて下部クラッド層９をエツチング
して形成した開口である。
用して共振器端面の（１００）面（紙面に垂直な方向〕
に沿ってエツチング用のパターンを選択的に形成して、
この溝状形状を有する保護膜１３を次工程におけるエツ
チング用のマスクとする。１４は前記エツチング用マス
クを用いて硫酸（Ｈ２Ｓ０４）過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２
）系をエツチング液としてなすウェットエツチング法を
用いて電極コンタクト層１２を選択的にエツチングして
、６ページ 次いで上部クラッド層１１を塩酸（ＭＣＩ）系のエツチ
ング液を用いてエツチングして、再び硫酸（Ｈ２ＳＯ４
）過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）系のエツチング液を用いて
活性層１ｏをエツチングして、さらに塩酸（ＨＣｌ）系
のエツチング液を用いて下部クラッド層９をエツチング
して形成した開口である。
第４図において、１５は開口１４をさらに塩酸（ＨＣｌ
）系のエツチング液を用いて（１００）面と平行な方向
にサイドエツチングを行って形成した開口であり、１６
は上記サイドエツチングにより形成された活性層１０の
ひさし状の突出部である。
）系のエツチング液を用いて（１００）面と平行な方向
にサイドエツチングを行って形成した開口であり、１６
は上記サイドエツチングにより形成された活性層１０の
ひさし状の突出部である。
第４図において、活性層１ｏの突出部１６を超音波振動
を使用して上記突出部’ｔＷ開することにより、第１図
に示される如き、一対の共振器端面１７ａ及び１７ｂが
形成される。
を使用して上記突出部’ｔＷ開することにより、第１図
に示される如き、一対の共振器端面１７ａ及び１７ｂが
形成される。
以上本実施例によれば、上記サイドエツチングにより活
性層１０のひさし状の突出部１６を形成し、しかる後に
該突出部を超音波振動を使用して襞間することにより、
傾斜した開口１６に垂直な共振器端面１７ａ及び１７ｂ
をウェハーの状態で形７ヘージ 成することができる。
性層１０のひさし状の突出部１６を形成し、しかる後に
該突出部を超音波振動を使用して襞間することにより、
傾斜した開口１６に垂直な共振器端面１７ａ及び１７ｂ
をウェハーの状態で形７ヘージ 成することができる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、活性層、上下クラ
ッド層、バッファ層等からなるダブルヘテロ構造部を有
する半導体レーザの製造方法において、ダブルヘテロ構
造部の厚さに関係なく、かつ容易に、ウェハーをチップ
またはアレイに切り放すことなく実行し得る、弁開法を
使用してなす共振器端面の形成工程を含む、半導体レー
ザの製造方法を提供することができ、その実用的効果は
大きい。
ッド層、バッファ層等からなるダブルヘテロ構造部を有
する半導体レーザの製造方法において、ダブルヘテロ構
造部の厚さに関係なく、かつ容易に、ウェハーをチップ
またはアレイに切り放すことなく実行し得る、弁開法を
使用してなす共振器端面の形成工程を含む、半導体レー
ザの製造方法を提供することができ、その実用的効果は
大きい。
袋製造工程完了後の基板断面図、第５図は従来例の共振
器端面の形成工程の一例を示す断面図である。 ６・・・・・・基板（工ｎＰ）、了・・・・・・バッフ
ァ層（ＩｎＰ）、８…・・・エツチングストップ層（Ｉ
ｎＧａＡｓＰ ）、９・・・・・・下部クラッド層（
Ｉｎｋ）、１ｏ・・・・・・活性層（ＩｎＧａＡｓＰ）
、１１・・・・・・上部クラッド層、１２・・・・・・
電極コンタクト層（ＩｎＧａＡｓＰ ）、１３・・・・
・・絶縁保護膜（Ｓ ｚ Ｏ２）、１４．１５・・・・
・・開口、１６・・・・・・突出部、１７ａ、１７ｂ・
・・・・・共振器端面。
器端面の形成工程の一例を示す断面図である。 ６・・・・・・基板（工ｎＰ）、了・・・・・・バッフ
ァ層（ＩｎＰ）、８…・・・エツチングストップ層（Ｉ
ｎＧａＡｓＰ ）、９・・・・・・下部クラッド層（
Ｉｎｋ）、１ｏ・・・・・・活性層（ＩｎＧａＡｓＰ）
、１１・・・・・・上部クラッド層、１２・・・・・・
電極コンタクト層（ＩｎＧａＡｓＰ ）、１３・・・・
・・絶縁保護膜（Ｓ ｚ Ｏ２）、１４．１５・・・・
・・開口、１６・・・・・・突出部、１７ａ、１７ｂ・
・・・・・共振器端面。
Claims (1)
- 基板上に、下部クラッド層と活性層、上部クラッド層と
から成るダブルヘテロ構造部を形成し、前記ダブルヘテ
ロ構造部の劈開面を含む領域を選択的にエッチングして
前記基板に達する深さの開口を形成し、更に、前記開口
を介してダブルヘテロ接合部の上部クラッド層及び下部
クラッド層等を選択的にサイドエッチングして前記ダブ
ルヘテロ構造部の活性層をひさし状に突出させ、しかる
後この突出させた部分を劈開する工程を含むことを特徴
とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17792985A JPS6237985A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17792985A JPS6237985A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237985A true JPS6237985A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16039535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17792985A Pending JPS6237985A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237985A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103701035A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-04-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法 |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP17792985A patent/JPS6237985A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103701035A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-04-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法 |
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