JPH0156552B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0156552B2 JPH0156552B2 JP55064817A JP6481780A JPH0156552B2 JP H0156552 B2 JPH0156552 B2 JP H0156552B2 JP 55064817 A JP55064817 A JP 55064817A JP 6481780 A JP6481780 A JP 6481780A JP H0156552 B2 JPH0156552 B2 JP H0156552B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- crystal
- region
- forming
- laser crystal
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は注入型半導体レーザの製造方法に関
し、特に半導体レーザの反射面の形成方法に関す
る。
し、特に半導体レーザの反射面の形成方法に関す
る。
従来半導体レーザの反射面を形成するには異方
性化学エツチングを利用する方法や、半導体レー
ザ結晶の劈開結晶方位に沿つて、活性層側表面の
金属電極を除去すると共に前記結晶の支持基板側
表面に前記劈開結晶方位に沿つて深い溝を形成し
た上で応力を加えて劈開する方法等が提唱されて
いる。
性化学エツチングを利用する方法や、半導体レー
ザ結晶の劈開結晶方位に沿つて、活性層側表面の
金属電極を除去すると共に前記結晶の支持基板側
表面に前記劈開結晶方位に沿つて深い溝を形成し
た上で応力を加えて劈開する方法等が提唱されて
いる。
しかし上記従来方法では、前者では完全な反射
面が得られず、閾値電圧の上昇、外部量子効率の
低下という特性低下を伴ない、また後者では励起
領域に劈開応力が集中し反射面が損傷を受け易い
という問題がある。
面が得られず、閾値電圧の上昇、外部量子効率の
低下という特性低下を伴ない、また後者では励起
領域に劈開応力が集中し反射面が損傷を受け易い
という問題がある。
本発明の目的は上記問題点を解消して、特性低
下を生じることなくしかも反射面に損傷を与える
ことのない反射面の形成方法を提供することにあ
る。
下を生じることなくしかも反射面に損傷を与える
ことのない反射面の形成方法を提供することにあ
る。
本発明の半導体レーザの製造方法の特徴は、半
導体結晶よりなる支持基板上に少なくとも活性層
が形成され且つストライプ状の励起領域と該スト
ライプ状の励起領域の両側に非励起領域とを有す
る半導体レーザ結晶上に金属電極を形成し、該金
属電極の該非励起領域上に形成された部分を該半
導体レーザ結晶の劈開結晶方位に沿つて選択的に
除去して該励起領域を挟む非励起領域上に開口部
を形成し、該開口部の形成された該半導体レーザ
結晶の非励起領域を選択的に除去して、該励起領
域を挟むように対を為し、且つ該励起領域を挟む
距離が部分的に狭くなる形状であつて、劈開結晶
方位に沿つた溝状の少なくとも該支持基板に達す
る深さの凹部を形成し、次いで該凹部に沿つて該
半導体レーザ結晶の該支持基板側背面から前記活
性層側表面に向かつて応力を加えて該凹部の該励
起領域を挟む距離が狭くなる部分で劈開すること
により反射面を形成することにある。
導体結晶よりなる支持基板上に少なくとも活性層
が形成され且つストライプ状の励起領域と該スト
ライプ状の励起領域の両側に非励起領域とを有す
る半導体レーザ結晶上に金属電極を形成し、該金
属電極の該非励起領域上に形成された部分を該半
導体レーザ結晶の劈開結晶方位に沿つて選択的に
除去して該励起領域を挟む非励起領域上に開口部
を形成し、該開口部の形成された該半導体レーザ
結晶の非励起領域を選択的に除去して、該励起領
域を挟むように対を為し、且つ該励起領域を挟む
距離が部分的に狭くなる形状であつて、劈開結晶
方位に沿つた溝状の少なくとも該支持基板に達す
る深さの凹部を形成し、次いで該凹部に沿つて該
半導体レーザ結晶の該支持基板側背面から前記活
性層側表面に向かつて応力を加えて該凹部の該励
起領域を挟む距離が狭くなる部分で劈開すること
により反射面を形成することにある。
以下本発明の一実施例を図面により説明する。
第１図ないし第３図は本発明の半導体レーザの製
造方法の要部である反射面の形成方法の一実施例
を工程の順に示す要部斜視図である。
第１図ないし第３図は本発明の半導体レーザの製
造方法の要部である反射面の形成方法の一実施例
を工程の順に示す要部斜視図である。
第１図は（Al・Ga）Asダブルヘテロストライ
プ型レーザ結晶の要部斜視図である。結晶面方位
（100）のｎ型InPよりなる支持基板１上に多層エ
ピタキシヤル成長法でInP層２、ｎ型またはｐ型
InGaAsP活性層３、及びｐ型InP層４を形成し、
更に活性層３側表面に例えばTi−Pt−Auを積層
した金属電極層５及び支持基板１背面に例えば
Au・Ge−Ni−Auを積層した金属電極層６を形
成する。７は電流通路を所定の方法で制限するこ
とにより形成されたストライプ領域である。こゝ
までは通常の方法に従つて進めてよい。
プ型レーザ結晶の要部斜視図である。結晶面方位
（100）のｎ型InPよりなる支持基板１上に多層エ
ピタキシヤル成長法でInP層２、ｎ型またはｐ型
InGaAsP活性層３、及びｐ型InP層４を形成し、
更に活性層３側表面に例えばTi−Pt−Auを積層
した金属電極層５及び支持基板１背面に例えば
Au・Ge−Ni−Auを積層した金属電極層６を形
成する。７は電流通路を所定の方法で制限するこ
とにより形成されたストライプ領域である。こゝ
までは通常の方法に従つて進めてよい。
次いで先ず結晶表面につけられた金属電極層５
を選択的に除去して非励起領域表面に劈開結晶方
位〈110〉方向に沿つた開口８を形成する。
を選択的に除去して非励起領域表面に劈開結晶方
位〈110〉方向に沿つた開口８を形成する。
次にイオンエツチング法或いは化学エツチング
法等により結晶の上記開口８において表面を露呈
せしめた部分を選択的に除去して凹部９形成す
る。この凹部の底面は図示のごとく少なくともｎ
型InP基板１に達する程度とし、できるだけ深い
ことが望ましい。
法等により結晶の上記開口８において表面を露呈
せしめた部分を選択的に除去して凹部９形成す
る。この凹部の底面は図示のごとく少なくともｎ
型InP基板１に達する程度とし、できるだけ深い
ことが望ましい。
本実施例では凹部の巾Ａを約30〔μｍ〕、深さＢ
を約50〔μｍ〕、凹部の間隔Ｃを約40〔μｍ〕とし
た。
を約50〔μｍ〕、凹部の間隔Ｃを約40〔μｍ〕とし
た。
次いで金属電極層５を選択的に除去して、劈開
結晶方位〈110〉に直交する溝１０を設ける。こ
の溝１０は図示のごとくストライプ領域７に平行
に配設される。なお該溝１０を設ける工程は前記
凹部９を形成する工程或いは開口８を設ける工程
の前に施こしてもよい。更に基板１背面の金属電
極層６を選択的に除去して上記凹部９に平行な溝
１１を形成する。
結晶方位〈110〉に直交する溝１０を設ける。こ
の溝１０は図示のごとくストライプ領域７に平行
に配設される。なお該溝１０を設ける工程は前記
凹部９を形成する工程或いは開口８を設ける工程
の前に施こしてもよい。更に基板１背面の金属電
極層６を選択的に除去して上記凹部９に平行な溝
１１を形成する。
このようにした後、上記溝１１部をカミソリの
刃やローラで押圧する等の方法で結晶背面より表
面に向かう応力を劈開結晶方位に沿つて加えるこ
とにより、半導体レーザ結晶は容易に劈開されて
第２図に示すような結晶片が得られる。
刃やローラで押圧する等の方法で結晶背面より表
面に向かう応力を劈開結晶方位に沿つて加えるこ
とにより、半導体レーザ結晶は容易に劈開されて
第２図に示すような結晶片が得られる。
次いで溝１０において結晶を切断することによ
り第３図に示す半導体レーザ素子が得られる。
り第３図に示す半導体レーザ素子が得られる。
以上説明したごとく本発明によれば半導体レー
ザ結晶を劈開するに当り、劈開結晶方位に沿つて
反射面形成領域を除く不要部分を除去して結晶表
面に凹部を形成することにより非励起領域部を薄
くすると共に、背面の金属電極の劈開線部分を除
去して割り易くしているので、結晶を容易に劈開
することができる。しかも励起領域に応力が集中
することがないので反射面を損傷しない。
ザ結晶を劈開するに当り、劈開結晶方位に沿つて
反射面形成領域を除く不要部分を除去して結晶表
面に凹部を形成することにより非励起領域部を薄
くすると共に、背面の金属電極の劈開線部分を除
去して割り易くしているので、結晶を容易に劈開
することができる。しかも励起領域に応力が集中
することがないので反射面を損傷しない。
なお本発明は結晶材料、ストライプ構造の種
類、金属電極の種類等には依存しない。
類、金属電極の種類等には依存しない。
第１図ないし第３図は本発明の半導体レーザの
製造方法の一実施例を示す要部斜視図である。 １……ｎ型InP基板、２……InP層、３……ｎ
またはＰ型InGaAsP活性層、４……Ｐ型InP層、
５，６……金属電極層、７……ストライプ領域、
８……開口、９……凹部、１１……溝。
製造方法の一実施例を示す要部斜視図である。 １……ｎ型InP基板、２……InP層、３……ｎ
またはＰ型InGaAsP活性層、４……Ｐ型InP層、
５，６……金属電極層、７……ストライプ領域、
８……開口、９……凹部、１１……溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体結晶よりなる支持基板上に少なくとも
活性層が形成され且つストライプ状の励起領域と
該ストライプ状の励起領域の両側に非励起領域と
を有する半導体レーザ結晶上に金属電極を形成
し、該金属電極の該非励起領域上に形成された部
分を該半導体レーザ結晶の劈開結晶方位に沿つて
選択的に除去して該励起領域を挟む非励起領域上
に開口部を形成し、 該開口部の形成された該半導体レーザ結晶の非
励起領域を選択的に除去して、該励起領域を挟む
ように対を為し、且つ該励起領域を挟む距離が部
分的に狭くなる形状であつて、劈開結晶方位に沿
つた溝状の少なくとも該支持基板に達する深さの
凹部を形成し、 次いで該凹部に沿つて該半導体レーザ結晶の該
支持基板側背面から前記活性層側表面に向かつて
応力を加えて該凹部の該励起領域を挟む距離が狭
くなる部分で劈開することにより反射面を形成す
ることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481780A JPS56161685A (en) | 1980-05-16 | 1980-05-16 | Manufacture of semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481780A JPS56161685A (en) | 1980-05-16 | 1980-05-16 | Manufacture of semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56161685A JPS56161685A (en) | 1981-12-12 |
| JPH0156552B2 true JPH0156552B2 (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=13269174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6481780A Granted JPS56161685A (en) | 1980-05-16 | 1980-05-16 | Manufacture of semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56161685A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100957437B1 (ko) | 2007-12-17 | 2010-05-11 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 분리방법 |
| DE102021103484A1 (de) * | 2021-02-15 | 2022-08-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum herstellen einer mehrzahl von halbleiterlasern und halbleiterlaser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5666085A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-04 | Nec Corp | Semiconductor laser element |
-
1980
- 1980-05-16 JP JP6481780A patent/JPS56161685A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5666085A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-04 | Nec Corp | Semiconductor laser element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56161685A (en) | 1981-12-12 |
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