JPH0563308A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0563308A JPH0563308A JP22195991A JP22195991A JPH0563308A JP H0563308 A JPH0563308 A JP H0563308A JP 22195991 A JP22195991 A JP 22195991A JP 22195991 A JP22195991 A JP 22195991A JP H0563308 A JPH0563308 A JP H0563308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face
- region
- oscillation region
- semiconductor laser
- oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 無バイアス駆動で高速変調をするための半導
体レーザ及びその製造方法に関し，反射面を蝕刻により
基板表面と垂直に形成し，短い発振領域と低損失反射面
を有する，低閾電流の半導体レーザの製造を目的とす
る。 【構成】 基板１上にストライプ状の発振領域３を有す
る半導体レーザの製造方法において，該発振領域３の少
なくとも一方の端面７を，該発振領域３を覆い該端面７
上で曲線の外形を有するマスク４を用いたウエットエッ
チングにより表出することを特徴として構成する。
体レーザ及びその製造方法に関し，反射面を蝕刻により
基板表面と垂直に形成し，短い発振領域と低損失反射面
を有する，低閾電流の半導体レーザの製造を目的とす
る。 【構成】 基板１上にストライプ状の発振領域３を有す
る半導体レーザの製造方法において，該発振領域３の少
なくとも一方の端面７を，該発振領域３を覆い該端面７
上で曲線の外形を有するマスク４を用いたウエットエッ
チングにより表出することを特徴として構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，無バイアス駆動で高速
変調をするための閾電流の低い半導体レーザ及びその製
造方法に関する。
変調をするための閾電流の低い半導体レーザ及びその製
造方法に関する。
【０００２】高速光通信技術の発達に伴い，発振の遅れ
がなく高速応答する光変調器を単純な駆動回路により構
成するために，閾電流の低い半導体レーザが強く要求さ
れている。
がなく高速応答する光変調器を単純な駆動回路により構
成するために，閾電流の低い半導体レーザが強く要求さ
れている。
【０００３】このため，発振領域端面での損失が少な
く，短い発振領域を有する半導体レーザ及びその製造技
術が必要とされている。
く，短い発振領域を有する半導体レーザ及びその製造技
術が必要とされている。
【０００４】
【従来の技術】劈開により発振領域の短い半導体レーザ
を製造することは，機械的強度及び取扱の点から困難が
ある。
を製造することは，機械的強度及び取扱の点から困難が
ある。
【０００５】このため，基板上に形成された活性領域を
発振領域の長さを残してフォトエッチングにより除去
し，残部の活性領域を発振領域とするレーザが製造され
ている。
発振領域の長さを残してフォトエッチングにより除去
し，残部の活性領域を発振領域とするレーザが製造され
ている。
【０００６】この方法によると，発振領域の長さはフォ
トエッチングにより短く形成できる一方，レーザ素子
は，機械的強度，取扱が容易な大きさに基板を分割して
製造することができる。
トエッチングにより短く形成できる一方，レーザ素子
は，機械的強度，取扱が容易な大きさに基板を分割して
製造することができる。
【０００７】しかし，従来の半導体レーザの製造では，
発振領域の端面を外形が直線状のマスクを用いたエッチ
ングにより平面に形成していたため，このエッチングを
ウエットエッチングで行うと異方性エッチングされて表
面と斜交するエッチング面が表出し，発振領域の端面を
発振領域と垂直に形成することができなかった。
発振領域の端面を外形が直線状のマスクを用いたエッチ
ングにより平面に形成していたため，このエッチングを
ウエットエッチングで行うと異方性エッチングされて表
面と斜交するエッチング面が表出し，発振領域の端面を
発振領域と垂直に形成することができなかった。
【０００８】そこで，イオンエッチング法により発振領
域の端面を垂直に形成する方法が考案された。この方法
では，基板表面と垂直な端面を形成することはできる
が，エッチング面の平坦が悪く，また表面にイオンの衝
突に起因する欠陥を生ずることから，発振領域端面での
損失が大きく，閾電流が低減しないのである。
域の端面を垂直に形成する方法が考案された。この方法
では，基板表面と垂直な端面を形成することはできる
が，エッチング面の平坦が悪く，また表面にイオンの衝
突に起因する欠陥を生ずることから，発振領域端面での
損失が大きく，閾電流が低減しないのである。
【０００９】かかるイオンエッチングおける問題を回避
するため，エッチング速度の異なる層を活性領域の上下
に設けてウエットエッチングすることにより，基板表面
と垂直に，即ち発振領域の端面を発振領域と垂直に表出
する方法が考案された。
するため，エッチング速度の異なる層を活性領域の上下
に設けてウエットエッチングすることにより，基板表面
と垂直に，即ち発振領域の端面を発振領域と垂直に表出
する方法が考案された。
【００１０】しかし，この方法では，特別の層構造を必
要とすることから，優れた特性を有する通常用いられる
ダブルヘテロ構造のレーザを製造することができない。
要とすることから，優れた特性を有する通常用いられる
ダブルヘテロ構造のレーザを製造することができない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように，従来の
方法では，発振領域の短いレーザを製造するにあたり，
発振領域の端面をイオンエッチングにより形成している
ため，平坦，かつ欠陥のない端面を形成することができ
ないという問題がある。
方法では，発振領域の短いレーザを製造するにあたり，
発振領域の端面をイオンエッチングにより形成している
ため，平坦，かつ欠陥のない端面を形成することができ
ないという問題がある。
【００１２】このため端面での損失が大きくなり，その
結果，閾電流の低い半導体レーザを製造することができ
なかった。また，多層構造によりウエットエッチング面
を発振領域と垂直に形成する方法は，通常の構造のレー
ザには適用できないという欠点がある。
結果，閾電流の低い半導体レーザを製造することができ
なかった。また，多層構造によりウエットエッチング面
を発振領域と垂直に形成する方法は，通常の構造のレー
ザには適用できないという欠点がある。
【００１３】本発明は，発振領域の端面を基板表面と垂
直に形成できるウエットエッチング方法を提供すること
により，短い発振領域と低損失の端面を有する，閾電流
の低い半導体レーザ及びその製造方法を提供することを
目的とする。
直に形成できるウエットエッチング方法を提供すること
により，短い発振領域と低損失の端面を有する，閾電流
の低い半導体レーザ及びその製造方法を提供することを
目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の実施例で
あり，図１（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ半導体レ
ーザを表す斜視図，平面図，側面図である。
あり，図１（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ半導体レ
ーザを表す斜視図，平面図，側面図である。
【００１５】図２は本発明の実施例説明図であり，エッ
チング用マスクと発振領域との関係を表している。上記
課題を解決するために，図１及び図２を参照して，本発
明の第一の構成は，基板１上にストライプ状の発振領域
３を有する半導体レーザの製造方法において，該発振領
域３の少なくとも一方の端面７を，該発振領域３を覆い
該端面７上で曲線の外形を有するマスク４を用いたウエ
ットエッチングにより表出することを特徴として構成
し，及び第二の構成は，第一の構成の半導体レーザの製
造方法において，該ストライプ状の発振領域３を，該基
板１の分割線５となるべき劈開面に直交して設け，該分
割線５に接して両側に設けられた２の該発振領域３を覆
う該マスク４を用いて，該発振領域３の該分割線５から
離れた側の２の端面７をウエットエッチングにより表出
した後，該分割線５に沿って劈開し，該発振領域３の他
方の端面を劈開面からなる端面８として表出することを
特徴として構成し，及び第三の構成は，基板１上にウエ
ットエッチングにより形成されたメサ状の領域と，該メ
サ状の領域の側壁の一部に設けられた該基板１表面に実
質的に垂直な曲面からなる壁面と，該メサ状の領域を横
断して設けられたストライプ状の発振領域３と，該垂直
な曲面からなる壁面の一部に形成された該発振領域３の
少なくとも一つの端面７とを有することを特徴として構
成する。
チング用マスクと発振領域との関係を表している。上記
課題を解決するために，図１及び図２を参照して，本発
明の第一の構成は，基板１上にストライプ状の発振領域
３を有する半導体レーザの製造方法において，該発振領
域３の少なくとも一方の端面７を，該発振領域３を覆い
該端面７上で曲線の外形を有するマスク４を用いたウエ
ットエッチングにより表出することを特徴として構成
し，及び第二の構成は，第一の構成の半導体レーザの製
造方法において，該ストライプ状の発振領域３を，該基
板１の分割線５となるべき劈開面に直交して設け，該分
割線５に接して両側に設けられた２の該発振領域３を覆
う該マスク４を用いて，該発振領域３の該分割線５から
離れた側の２の端面７をウエットエッチングにより表出
した後，該分割線５に沿って劈開し，該発振領域３の他
方の端面を劈開面からなる端面８として表出することを
特徴として構成し，及び第三の構成は，基板１上にウエ
ットエッチングにより形成されたメサ状の領域と，該メ
サ状の領域の側壁の一部に設けられた該基板１表面に実
質的に垂直な曲面からなる壁面と，該メサ状の領域を横
断して設けられたストライプ状の発振領域３と，該垂直
な曲面からなる壁面の一部に形成された該発振領域３の
少なくとも一つの端面７とを有することを特徴として構
成する。
【００１６】
【作用】本発明では，図２，及び図１を参照して，スト
ライプ状の発振領域，例えばストライプ状の活性層２か
ら形成される発振領域３を覆うマスク４を用いたウエッ
トエッチングにより，マスクに覆われた領域をメサ状に
残し，その他の部分を活性層を含めて除去して，ストラ
イプ状の発振領域３をメサ状の領域に形成すると同時
に，発振領域３の端面７をメサ状の領域のエッチングに
より形成された壁面の一部として形成する。
ライプ状の発振領域，例えばストライプ状の活性層２か
ら形成される発振領域３を覆うマスク４を用いたウエッ
トエッチングにより，マスクに覆われた領域をメサ状に
残し，その他の部分を活性層を含めて除去して，ストラ
イプ状の発振領域３をメサ状の領域に形成すると同時
に，発振領域３の端面７をメサ状の領域のエッチングに
より形成された壁面の一部として形成する。
【００１７】従って，発振領域の端面は，ウエットエッ
チング面となるからイオンエッチング面の如き欠陥もな
く，また平坦な面となるのである。なお，発振領域３
は，フォトエッチングにより加工され，機械的加工によ
らないから容易に短くすることができる。
チング面となるからイオンエッチング面の如き欠陥もな
く，また平坦な面となるのである。なお，発振領域３
は，フォトエッチングにより加工され，機械的加工によ
らないから容易に短くすることができる。
【００１８】本発明の特徴的構成の一つは，図１を参照
して，マスク４の外形が発振領域の端面７上で曲線をな
すことにある。一般に直線に沿って一方をメサ状に残し
他方をウエットエッチングするとき，異方性エッチング
されて結晶の最稠密面９が表出するため，基板１表面と
エッチング面とは垂直にならない。このため，発振領域
３とその端面７を垂直に形成できない。
して，マスク４の外形が発振領域の端面７上で曲線をな
すことにある。一般に直線に沿って一方をメサ状に残し
他方をウエットエッチングするとき，異方性エッチング
されて結晶の最稠密面９が表出するため，基板１表面と
エッチング面とは垂直にならない。このため，発振領域
３とその端面７を垂直に形成できない。
【００１９】しかし，本発明に係るマスク４のごとく曲
線に沿ってウエットエッチングするときは，結晶の最稠
密面９が表出することはなく，実質的に等方的なエッチ
ングがされるのである。
線に沿ってウエットエッチングするときは，結晶の最稠
密面９が表出することはなく，実質的に等方的なエッチ
ングがされるのである。
【００２０】このため，マスクの曲線に沿うエッチング
により表出される端面７は，等方的エッチング面の一部
として，基板１表面と垂直に形成されるのである。なお
通常，発振領域３はエッチング深さに較べて浅いので，
エッチング底面に続くカーブの部分に端面７が形成され
ることはなく，端面７と基板１表面との垂直性は常に保
たれる。
により表出される端面７は，等方的エッチング面の一部
として，基板１表面と垂直に形成されるのである。なお
通常，発振領域３はエッチング深さに較べて浅いので，
エッチング底面に続くカーブの部分に端面７が形成され
ることはなく，端面７と基板１表面との垂直性は常に保
たれる。
【００２１】
【実施例】本発明を実施例を参照して説明する。先ず，
図１，図２を参照して，面方位（１００），厚さ３００
μｍのｎ型ＩｎＰ基板１上に，ＩｎＧａＡｓＰからなる
例えば厚さ０．１μｍの活性層を堆積し，エッチングに
より例えば幅５μｍのストライプ状の活性層２を形成し
た後，例えば厚さがそれぞれ０．５μｍのｐ型ＩｎＰク
ラッド層１０，ｎ型ＩｎＰブロック層１１，ｐ型ＩｎＰ
クラッド層１２，及び例えば厚さ１μｍのｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層１３を順次堆積して，埋め込み構造
を形成する。
図１，図２を参照して，面方位（１００），厚さ３００
μｍのｎ型ＩｎＰ基板１上に，ＩｎＧａＡｓＰからなる
例えば厚さ０．１μｍの活性層を堆積し，エッチングに
より例えば幅５μｍのストライプ状の活性層２を形成し
た後，例えば厚さがそれぞれ０．５μｍのｐ型ＩｎＰク
ラッド層１０，ｎ型ＩｎＰブロック層１１，ｐ型ＩｎＰ
クラッド層１２，及び例えば厚さ１μｍのｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層１３を順次堆積して，埋め込み構造
を形成する。
【００２２】次いで，図１を参照して，スパッタにより
例えば３００ｎｍの酸化膜を堆積し，フォトエッチング
によりパターンニングしてマスク４を形成する。マスク
４は，劈開に平行に設けられた分割線５に対して面対象
のパターンであり，活性層の中心線上に中心及び頂点を
有する半径５０μｍの半円と，分割線５に平行な帯状パ
ターンとを合わせたパターンとする。
例えば３００ｎｍの酸化膜を堆積し，フォトエッチング
によりパターンニングしてマスク４を形成する。マスク
４は，劈開に平行に設けられた分割線５に対して面対象
のパターンであり，活性層の中心線上に中心及び頂点を
有する半径５０μｍの半円と，分割線５に平行な帯状パ
ターンとを合わせたパターンとする。
【００２３】ここで，上記半円の頂点と分割線５の距離
は，発振領域３の長さにオーバエッチングにより短縮さ
れる分を加算した長さとする。次いで，マスク４を用い
てマスク４で覆われる領域をメサ状に残して他を活性層
２より十分深く，例えば１０μｍの深さにエッチングす
る。
は，発振領域３の長さにオーバエッチングにより短縮さ
れる分を加算した長さとする。次いで，マスク４を用い
てマスク４で覆われる領域をメサ状に残して他を活性層
２より十分深く，例えば１０μｍの深さにエッチングす
る。
【００２４】エッチャントは，例えば臭素及び臭化水素
の混合水溶液を用いることができる。次いで分割線５，
及び分割線に平行又は直交する切断線６に沿い，基板１
裏面からスクライブ線を設け，劈開に沿い半導体レーザ
チップに分割する。
の混合水溶液を用いることができる。次いで分割線５，
及び分割線に平行又は直交する切断線６に沿い，基板１
裏面からスクライブ線を設け，劈開に沿い半導体レーザ
チップに分割する。
【００２５】かかる方法で作られたチップは，図１を参
照して，発振領域３の一端面７は，半円形にウエットエ
ッチングされた基板１表面に垂直な面の一部として形成
され，発振領域の他の端面は劈開面からなる端面８とし
て形成される。
照して，発振領域３の一端面７は，半円形にウエットエ
ッチングされた基板１表面に垂直な面の一部として形成
され，発振領域の他の端面は劈開面からなる端面８とし
て形成される。
【００２６】なお，マスクの直線部分には，基板１表面
と斜交する最稠密面が表出するが，これはレーザの特性
には何ら影響しない。次いで，マスクを除去し，オーミ
ック電極を形成する。
と斜交する最稠密面が表出するが，これはレーザの特性
には何ら影響しない。次いで，マスクを除去し，オーミ
ック電極を形成する。
【００２７】次いで，発振領域の端面７，８に例えばア
モルファスシリコン及びシリコン酸化膜からなる高反射
膜を堆積してファブリー・ペロー型共振器を構成し，半
導体レーザ素子を完成する。
モルファスシリコン及びシリコン酸化膜からなる高反射
膜を堆積してファブリー・ペロー型共振器を構成し，半
導体レーザ素子を完成する。
【００２８】本実施例によれば，一端を損失の少ない劈
開面を反射面とする共振器を効率よく製造することがで
きる。本実施例では，活性層がストライプ状のレーザに
ついて述べたが，それに留まらず発振領域がストライプ
状の半導体レーザ素子に本発明を適用できることは勿論
である。
開面を反射面とする共振器を効率よく製造することがで
きる。本実施例では，活性層がストライプ状のレーザに
ついて述べたが，それに留まらず発振領域がストライプ
状の半導体レーザ素子に本発明を適用できることは勿論
である。
【００２９】又，結晶材料により曲面の曲率，エッチャ
ント等のエッチング条件を選択することにより，他の結
晶材料からなる半導体レーザ素子にも適用される。さら
に，曲面の形状は，円弧に留まらず，共振器の損失を減
少するために非円形とすることもできる。
ント等のエッチング条件を選択することにより，他の結
晶材料からなる半導体レーザ素子にも適用される。さら
に，曲面の形状は，円弧に留まらず，共振器の損失を減
少するために非円形とすることもできる。
【００３０】なお，発振領域の両端面を本発明に係る方
法により形成してもよいことは当然である。
法により形成してもよいことは当然である。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば，発振領域の端面をウエ
ットエッチングにより基板表面と垂直に形成することが
できるため，平坦かつ欠陥の無い低損失の端面及び短い
発振領域を実現することができるという効果を奏し，閾
電流の低い半導体レーザ及びその製造方法を提供するこ
とができ，半導体レーザの性能向上に寄与するところが
大きい。
ットエッチングにより基板表面と垂直に形成することが
できるため，平坦かつ欠陥の無い低損失の端面及び短い
発振領域を実現することができるという効果を奏し，閾
電流の低い半導体レーザ及びその製造方法を提供するこ
とができ，半導体レーザの性能向上に寄与するところが
大きい。
【図１】 本発明の実施例
【図２】 本発明の実施例説明図
１ 基板 ２ 活性層 ３ 発振領域 ４ マスク ５ 分割線 ６ 切断線 ７ 端面 ８ 劈開面からなる端面 ９ 最稠密面
Claims (3)
- 【請求項１】 基板（１）上にストライプ状の発振領域
（３）を有する半導体レーザの製造方法において， 該発振領域（３）の少なくとも一方の端面（７）を，該
発振領域（３）を覆い該端面（７）上で曲線の外形を有
するマスク（４）を用いたウエットエッチングにより表
出することを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザの製造方法
において， 該ストライプ状の発振領域（３）を，該基板（１）の分
割線（５）となるべき劈開面に直交して設け， 該分割線（５）に接して両側に設けられた２の該発振領
域（３）を覆う該マスク（４）を用いて，該発振領域
（３）の該分割線（５）から離れた側の２の端面（７）
をウエットエッチングにより表出した後， 該分割線（５）に沿って劈開し，該発振領域（３）の他
方の端面を劈開面からなる端面（８）として表出するこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 基板（１）上にウエットエッチングによ
り形成されたメサ状の領域と， 該メサ状の領域の側壁の一部に設けられた該基板（１）
表面に実質的に垂直な曲面からなる壁面と， 該メサ状の領域を横断して設けられたストライプ状の発
振領域（３）と， 該垂直な曲面からなる壁面の一部に形成された該発振領
域（３）の少なくとも一つの端面（７）とを有すること
を特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22195991A JPH0563308A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22195991A JPH0563308A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563308A true JPH0563308A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16774842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22195991A Withdrawn JPH0563308A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563308A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5775010A (en) * | 1995-06-14 | 1998-07-07 | Mizuno Corporation | Soles for spiked track-and-field shoes |
| US5829172A (en) * | 1995-06-14 | 1998-11-03 | Mizuno Corporation | Shoe sole for running shoes |
| US6061931A (en) * | 1996-06-16 | 2000-05-16 | Mizuno Corporation | Soles for track-and-field athletic shoes |
| JP2008294426A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-12-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及び電磁界発生素子 |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP22195991A patent/JPH0563308A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5775010A (en) * | 1995-06-14 | 1998-07-07 | Mizuno Corporation | Soles for spiked track-and-field shoes |
| US5829172A (en) * | 1995-06-14 | 1998-11-03 | Mizuno Corporation | Shoe sole for running shoes |
| US6061931A (en) * | 1996-06-16 | 2000-05-16 | Mizuno Corporation | Soles for track-and-field athletic shoes |
| JP2008294426A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-12-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及び電磁界発生素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107611770B (zh) | 半导体激光元件 | |
| JPS6041478B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| US5976904A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH0563308A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3660570B2 (ja) | 結晶性基板の劈開方法 | |
| JPH0552676B2 (ja) | ||
| JPS603182A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPH11145558A (ja) | 半導体光素子、送受信モジュールおよび光通信システム | |
| JP3108183B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JP2701596B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2779176B2 (ja) | 半導体レーザ製造方法 | |
| JP2822195B2 (ja) | 半導体レーザーの製造方法 | |
| JPS61234585A (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| JPH07283484A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH07312462A (ja) | 面発光レーザダイオードの製造方法，及び面発光レーザダイオード | |
| JP2002314200A (ja) | 半導体レーザ素子及びその作製方法 | |
| JP3057188B2 (ja) | 独立駆動型マルチビームレーザとその製造方法 | |
| JPS6199395A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH06140718A (ja) | 端面発光型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH06350197A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3133555B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2001077402A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04340286A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS6354234B2 (ja) | ||
| JPH067640B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |