JP2009004820A - 窒化物系半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子は、窒化物系半導体からなる基板1と、基板1上に形成され、C方向に延びる光導波路2aが形成された窒化物系半導体からなる窒化物系半導体層2と、少なくとも光導波路2aの劈開面7近傍を除く領域に、光導波路2aの延びるC方向に沿って基板1の窒化物系半導体層2が形成された側とは反対側の表面に形成された素子分割用溝10とを備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態によるGaN系半導体レーザチップの製造プロセスにより形成された構造の一例を示した斜視図である。図2は、図1に示したGaN系半導体レーザチップの中央付近の半導体層の詳細構造を示した断面図である。まず、図1および図2を参照して、第1実施形態によるGaN系半導体レーザチップの製造プロセスにより形成された構造の一例(半導体レーザチップ20a)について説明する。なお、第1実施形態によるGaN系半導体レーザチップは、400nm帯域の発振波長を有する半導体レーザチップ(青紫色レーザダイオード)である。
図11は、本発明の第1実施形態の第1変形例によるGaN系半導体レーザチップを放熱基台に取り付けた際の構造を示した斜視図である。この第1実施形態の第1変形例によるGaN系半導体レーザチップでは、上記第1実施形態と異なり、上記第1実施形態の一例による半導体レーザチップ20aをジャンクションダウン方式により放熱基台22に固定する場合について説明する。
図12および図13は、本発明の第2実施形態によるGaN系半導体レーザチップの製造プロセスにより形成された構造を示した斜視図である。図14は、図12および図13に示した第2実施形態によるGaN系半導体レーザチップの製造プロセスを説明するための斜視図である。図12〜図14を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、隣接する欠陥集中領域と欠陥集中領域との間に3つのGaN系半導体レーザチップを形成する場合について説明する。
図15は、本発明の第3実施形態によるGaN系半導体レーザチップの製造プロセスにより形成された構造を示した斜視図である。図16は、図15に示した第3実施形態によるGaN系半導体レーザチップを放熱基台に取り付けた際の構造を示した斜視図である。図15および図16を参照して、この第3実施形態では、上記第1および第2実施形態と異なり、隣接する欠陥集中領域と欠陥集中領域との間に1つのGaN系半導体レーザチップを形成する場合について説明する。
図18は、本発明の第3実施形態の変形例によるGaN系半導体レーザチップを放熱基台に取り付けた際の構造を示した斜視図である。この第3実施形態の変形例によるGaN系半導体レーザチップでは、上記第3実施形態と異なり、半導体レーザチップ60aをジャンクションダウン方式により放熱基台22に固定する場合について説明する。
2、42、62 半導体層(窒化物系半導体層)
7、8、47、48、67、68 劈開面(第1の分割による分割面)
9、49、69 劈開用溝
9a、9b、49、49b、69a、69b、69c、69d 劈開導入用段差部(第2の段差部)
10 素子分割用溝
10a、10b 分離導入用段差部(第1の段差部)
21 半田(融着層)
30 欠陥集中領域
Claims (6)
- 窒化物系半導体からなる基板と、
前記基板上に形成され、第1の方向に延びる光導波路が形成された窒化物系半導体からなる窒化物系半導体層と、
少なくとも前記光導波路の端面近傍を除く領域に、前記光導波路の延びる前記第1の方向に沿って前記基板の前記窒化物系半導体層が形成された側とは反対側の表面に形成された第1の段差部とを備える、窒化物系半導体素子。 - 前記第1の方向における前記第1の段差部の長さは、前記第1の方向における前記光導波路の端面間距離の5分の1以上である、請求項1に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記基板は、前記光導波路の延びる前記第1の方向に延びるとともに、前記第1の方向と交差する第2の方向に所定の間隔で複数設けられる欠陥集中領域を有し、
前記欠陥集中領域を含み、かつ、前記光導波路近傍の端面を含まない領域に、前記光導波路から所定の距離を隔てて、前記第2の方向に延びるように前記欠陥集中領域毎に第2の段差部が形成されている、請求項1または2に記載の窒化物系半導体素子。 - 前記第2の方向における前記第2の段差部の長さは、前記第2の方向における前記光導波路を含む端面の幅の20分の1以上である、請求項3に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記窒化物系半導体層側、または、前記基板側のいずれか一方が、融着層を介して放熱基台に取り付けられている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化物系半導体素子。
- 基板上に、第1の方向に延びる光導波路を有する窒化物系半導体層を形成する工程と、
前記光導波路の延びる前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って第1の分割を行う工程と、
前記基板の前記窒化物系半導体層が形成された側とは反対側の表面で、かつ、前記第2の方向に延びる前記第1の分割による分割面から所定の距離を隔てた領域に、レーザ光を照射することにより前記第1の方向に延びる素子分割用溝を形成する工程と、
前記素子分割用溝に沿って第2の分割を行うことにより窒化物系半導体素子を形成する工程とを備えた、窒化物系半導体素子の製造方法。
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