JPS60123086A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS60123086A JPS60123086A JP58231859A JP23185983A JPS60123086A JP S60123086 A JPS60123086 A JP S60123086A JP 58231859 A JP58231859 A JP 58231859A JP 23185983 A JP23185983 A JP 23185983A JP S60123086 A JPS60123086 A JP S60123086A
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- laser array
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ａ牛専体し−ザ累子の製造方法、特に光帰還用鏡
面が形状さｔ１７ｔチ導体レーザアレイ素子を各半纏体
レーザ索子に分割する方法ｒｃ関するものである。
面が形状さｔ１７ｔチ導体レーザアレイ素子を各半纏体
レーザ索子に分割する方法ｒｃ関するものである。
半導体レーザ素子げ簡単に汀第１図に示す様九手導体基
板１７上ｐ及びｎ型エピタキシャル成長層１３．１４と
の間でｐ−ｎ啜合面を作り電極１１゜１２から妥合面に
垂直ｒｃ電流を流し面１５．１６間を共振器として発掘
丁６’ｏ ｍ ｌ ５． ｌ ６ｒＸ普通臂開に工９鏡
面とする０光はこの両面で反射しながらこの両面間ケ往
復してレーザ発掘ケ生じ、その尤の一部全し−ザ元線と
して取り出すことができる。
板１７上ｐ及びｎ型エピタキシャル成長層１３．１４と
の間でｐ−ｎ啜合面を作り電極１１゜１２から妥合面に
垂直ｒｃ電流を流し面１５．１６間を共振器として発掘
丁６’ｏ ｍ ｌ ５． ｌ ６ｒＸ普通臂開に工９鏡
面とする０光はこの両面で反射しながらこの両面間ケ往
復してレーザ発掘ケ生じ、その尤の一部全し−ザ元線と
して取り出すことができる。
ここで上記従来のレーザ素子において面１１１１形収す
る方法汀、第２図に示す様【臂開に工って元帰還鏡面用
側面１５．１６が形状されてバー状態ＶＣなった半導体
レーザアレイ素子２１’Ｔｈカミソリ刃２２ｒｃ工って
切断する方法が取られていた○しかしこの方法でぼ切断
する対象物がバー状態ｒＣなっていて非常に小さいので
固定法が難しく、またカミソリ刃會用いての主として手
作業のため思い通りの寸法が得られなかった０しかもカ
ミソリ刃ａ破損しや丁くそれが原因で切断形状が非常に
悪くなることがしばしばある。ざらＶＣ一般１ｃｒＸ基
板上にエピタキシャル成長でｒＦ、成したｐ層、ｎ層側
からカミソリ刃全押圧して切断するため、ｐ −ｎ汲台
面の結合状態が不完全になりや丁くリーク１１ｒ、＋５
！の発生原因となりやすい。この問題ｒｒｌｎＰｉの半
導体レーザでぽ結晶が軟かいので特に重要である。以上
の様な理由ＩＣより、従来の′＋半導体レーザアレイ素
子切断方法でに外観歩留と特注歩留の両方で歩留を低下
させている。
る方法汀、第２図に示す様【臂開に工って元帰還鏡面用
側面１５．１６が形状されてバー状態ＶＣなった半導体
レーザアレイ素子２１’Ｔｈカミソリ刃２２ｒｃ工って
切断する方法が取られていた○しかしこの方法でぼ切断
する対象物がバー状態ｒＣなっていて非常に小さいので
固定法が難しく、またカミソリ刃會用いての主として手
作業のため思い通りの寸法が得られなかった０しかもカ
ミソリ刃ａ破損しや丁くそれが原因で切断形状が非常に
悪くなることがしばしばある。ざらＶＣ一般１ｃｒＸ基
板上にエピタキシャル成長でｒＦ、成したｐ層、ｎ層側
からカミソリ刃全押圧して切断するため、ｐ −ｎ汲台
面の結合状態が不完全になりや丁くリーク１１ｒ、＋５
！の発生原因となりやすい。この問題ｒｒｌｎＰｉの半
導体レーザでぽ結晶が軟かいので特に重要である。以上
の様な理由ＩＣより、従来の′＋半導体レーザアレイ素
子切断方法でに外観歩留と特注歩留の両方で歩留を低下
させている。
一方、通常の半導体素子製造に常用されているウェハ裁
断工程、即ちダイヤモンドスクライバＶＣよるスクライ
プをバー状態の半導体レーザアレイ素子の切断に適用す
るとせっかく作成した九帰還用鏡面？破損しやτいので
不適と考えられている。
断工程、即ちダイヤモンドスクライバＶＣよるスクライ
プをバー状態の半導体レーザアレイ素子の切断に適用す
るとせっかく作成した九帰還用鏡面？破損しやτいので
不適と考えられている。
本発明の目的ａ上記問題点を解消した半導体レーザ索子
の切断方法全提供せんとするものである。
の切断方法全提供せんとするものである。
本発明九よる半導体レーザ素子の製造方法ａ半専体単結
晶工９なる！１！−導体基板上に少なくとも活性層が形
成され、複数のストライプ次発光領域が形成され、かつ
光帰還用鏡面が形５５Ｇされたバー状態の列導体レーザ
アレイ素子に於て、該ストライプ状の発光領域と発光領
域との間？該ストライプと平行に、かつ鏡面用側面から
少なくとも１０μｍ以上離れ次基板側表面に限りスクラ
イブポイントでけがいて各半導体レーザ索子に分割する
こと全特徴とするものである。以下これ全実施例に基づ
いて詳ａｒｃａ 明ｆｂ。
晶工９なる！１！−導体基板上に少なくとも活性層が形
成され、複数のストライプ次発光領域が形成され、かつ
光帰還用鏡面が形５５Ｇされたバー状態の列導体レーザ
アレイ素子に於て、該ストライプ状の発光領域と発光領
域との間？該ストライプと平行に、かつ鏡面用側面から
少なくとも１０μｍ以上離れ次基板側表面に限りスクラ
イブポイントでけがいて各半導体レーザ索子に分割する
こと全特徴とするものである。以下これ全実施例に基づ
いて詳ａｒｃａ 明ｆｂ。
第３図ａ本発明による半導体レーザ素すの切断方法？示
す図であり、伸開に１って光帰還用鏡面１５．１６が形
成されているバー状態ｔＣなった半導体レーザアレイ素
子２１ｔ−ストライプ状の発光領域３１と隣啜する発光
領域３２との間を基板側表面３３の鏡面用側面１５．１
６から少なくとも１０μｍ以上離れた部Ｑ３４／ｃ限リ
スクライブポイント３５でけがいている状態でらジ、３
６ぼ切断が完了した半導体レーザ索子である。なお図中
３８にけがきＶＣ工って進展しているクラックであり３
９ぼスクライプポイントでけがいた跡である。
す図であり、伸開に１って光帰還用鏡面１５．１６が形
成されているバー状態ｔＣなった半導体レーザアレイ素
子２１ｔ−ストライプ状の発光領域３１と隣啜する発光
領域３２との間を基板側表面３３の鏡面用側面１５．１
６から少なくとも１０μｍ以上離れた部Ｑ３４／ｃ限リ
スクライブポイント３５でけがいている状態でらジ、３
６ぼ切断が完了した半導体レーザ索子である。なお図中
３８にけがきＶＣ工って進展しているクラックであり３
９ぼスクライプポイントでけがいた跡である。
本発明の方法で重要な点ａ次の三点である。まず第１ｒ
ｃスクライブポイント全使用して切断すること、第２ｖ
ｃスクライブポイントでけが＜部０ｒｒ基板基板面３４
であり、決してエビ成長膚１３゜１４の側表面ぼけかか
ないこと、Ｍ３ｒｃ鏡面用側面近傍ＩＯμｍ以内の基板
側表面３７０部分ぼけかかないことである。
ｃスクライブポイント全使用して切断すること、第２ｖ
ｃスクライブポイントでけが＜部０ｒｒ基板基板面３４
であり、決してエビ成長膚１３゜１４の側表面ぼけかか
ないこと、Ｍ３ｒｃ鏡面用側面近傍ＩＯμｍ以内の基板
側表面３７０部分ぼけかかないことである。
まず第２の重要点を第４図を用いて説明する。
一般にスクライブポイントで半導体結晶をけがくと、そ
のｆメージ層ａ数〜十数μｍの深さに及ぶといわ力てい
る。このダメージ層がｐ−ｎ１１合面に及ぶとｐ−ｎ１
１合面でのリーク電流の発生原因となる。さてこの問題
点を半導体レーザ素子ｒｃつぃて考えると、半導体レー
ザ索子のｐ−ｎｉ会合面深さａエピ成長表面から普通数
μ畦度の深さであり、一般ｒｃウェハー全面（Ｃｐ−ｎ
康台面げ存在するｏしたがって第４図（ａ）の様にエビ
成長表面側からスクライブポイントでけがくとそのダメ
ージ層４２Ｈｐ−ｎｉ合画面４１／Ｃ達、リーク電流４
３の発生原因となる。こｉ、Ｈ’ｌ！−導体レーザ素子
の特注歩留、信頼性を著しく低下させる原因となる。
のｆメージ層ａ数〜十数μｍの深さに及ぶといわ力てい
る。このダメージ層がｐ−ｎ１１合面に及ぶとｐ−ｎ１
１合面でのリーク電流の発生原因となる。さてこの問題
点を半導体レーザ素子ｒｃつぃて考えると、半導体レー
ザ索子のｐ−ｎｉ会合面深さａエピ成長表面から普通数
μ畦度の深さであり、一般ｒｃウェハー全面（Ｃｐ−ｎ
康台面げ存在するｏしたがって第４図（ａ）の様にエビ
成長表面側からスクライブポイントでけがくとそのダメ
ージ層４２Ｈｐ−ｎｉ合画面４１／Ｃ達、リーク電流４
３の発生原因となる。こｉ、Ｈ’ｌ！−導体レーザ素子
の特注歩留、信頼性を著しく低下させる原因となる。
一方、第４図（ｂ）の様に基板側表面からスクライブポ
イントでけがいて切断した場合汀ダメージ層の深さげ数
〜十数μｍであるのに対し、基板の厚さに一般ＶＣ１０
０μｍ程度であるから、ダメージ層４４ｒｒｐ ｎＦ！
に台面４１に汀遠く達しない。したがって、この切断工
程でリークＩＩ流げ発生せず、またダメージ層がｐ−ｎ
啜台面ｙｃ達していないので、第４図（ａ）の方法に比
べてｐ−ｎ腰合部の切断状態に乱れが少なく、信頼性も
高い。以上説明した様に基板側表面全スクライプポイン
トでけがくことＶＣより、半導体レーザ索子の！注歩留
同上、及び信頼度同上が望めることがわかった。
イントでけがいて切断した場合汀ダメージ層の深さげ数
〜十数μｍであるのに対し、基板の厚さに一般ＶＣ１０
０μｍ程度であるから、ダメージ層４４ｒｒｐ ｎＦ！
に台面４１に汀遠く達しない。したがって、この切断工
程でリークＩＩ流げ発生せず、またダメージ層がｐ−ｎ
啜台面ｙｃ達していないので、第４図（ａ）の方法に比
べてｐ−ｎ腰合部の切断状態に乱れが少なく、信頼性も
高い。以上説明した様に基板側表面全スクライプポイン
トでけがくことＶＣより、半導体レーザ索子の！注歩留
同上、及び信頼度同上が望めることがわかった。
以下に、従来の方法と比較しながら、不発明の詳細な説
明を行なう。第５図に、従来の方法と本発明の方法ｒｃ
工って切断した半導体レーザ素子の典型的外観である。
明を行なう。第５図に、従来の方法と本発明の方法ｒｃ
工って切断した半導体レーザ素子の典型的外観である。
主な条件汀下記の通りである。
材 質 １ｎＰ
表 面 の 方 位 （１（１０）
側 面 の 方 位 （０１１）と（０１１）両鏡面間
の距離 ３００μｍ 結 晶 体 の 厚 さ ４ＯＳ−１４０μｍスクライ
プポイントのけかき方間 ＜ＯＬ ｔ＞第５図（ａ）に
げ従来の方法九おいて作成した半導体レーザ索子の外観
の一例を示す。切断面げ鋭利なカミソリの刃を用いて形
収さｆ′した０切断面５１ａ極めて不規則な割れカケし
ておりｖＪ断部ｒｃＨ微細な割れを伴った突起部分５２
を有することが多い。特に結晶体の厚さが厚いほど不規
則な割れや突起部分を発生しゃ丁い。
の距離 ３００μｍ 結 晶 体 の 厚 さ ４ＯＳ−１４０μｍスクライ
プポイントのけかき方間 ＜ＯＬ ｔ＞第５図（ａ）に
げ従来の方法九おいて作成した半導体レーザ索子の外観
の一例を示す。切断面げ鋭利なカミソリの刃を用いて形
収さｆ′した０切断面５１ａ極めて不規則な割れカケし
ておりｖＪ断部ｒｃＨ微細な割れを伴った突起部分５２
を有することが多い。特に結晶体の厚さが厚いほど不規
則な割れや突起部分を発生しゃ丁い。
第５図（ｂｌ （Ｃｉ−Ｊ基板側表面の両側面間全体に
わたって一様にスクライプポイントでけがいて切断した
半導体レーザ索子の外観の一例を示すこの場合ｖｃぼ切
断面５４／ｃげ従来の切断方法でに発生した不規則な割
れや突起の発生が見られない。しかしながら、スクライ
プポイントでけがく段階において鏡面用側面１５及び１
６に大きな代部部分５５會生じる。この様な欠けば鏡面
用側面から１０μｍ以内の基板表面全スクライプポイン
トでけがく場合に汀かｌｖの高確率で発生し、鏡面用側
面から１０μｍ以上離れ几基板側表面をけがいた場合ｒ
ｃＨはとんど発生しなかった。半導体レーザの様ＩＣ＠
面を機能部として動作Ｔ／）半導体素子において汀、側
面が欠けること汀致命的である。図中５３に基板側表面
３３の両側面１５．１６間全体にわたってスクライプポ
イントでけがいた跡である。
わたって一様にスクライプポイントでけがいて切断した
半導体レーザ索子の外観の一例を示すこの場合ｖｃぼ切
断面５４／ｃげ従来の切断方法でに発生した不規則な割
れや突起の発生が見られない。しかしながら、スクライ
プポイントでけがく段階において鏡面用側面１５及び１
６に大きな代部部分５５會生じる。この様な欠けば鏡面
用側面から１０μｍ以内の基板表面全スクライプポイン
トでけがく場合に汀かｌｖの高確率で発生し、鏡面用側
面から１０μｍ以上離れ几基板側表面をけがいた場合ｒ
ｃＨはとんど発生しなかった。半導体レーザの様ＩＣ＠
面を機能部として動作Ｔ／）半導体素子において汀、側
面が欠けること汀致命的である。図中５３に基板側表面
３３の両側面１５．１６間全体にわたってスクライプポ
イントでけがいた跡である。
第５図（Ｃ）ｖｃげ本発明Ｖｃよる方法で作成した半導
体レーザ索子の外観の一例ケ示す。本発明の方法でａ、
従来の方法で発生した不規則な割ね、突起や第５図（ｂ
）の方法で発生した側面部のカケが発生しない。第５図
（ｂ）の方法で発生した側面の欠は部分５５奮発生しな
い様に丁、ｔｙｃ’ｒｘ両側面から１０μｍ以上門側だ
けに限り、スクライプポイントでけがくことが重要であ
る。
体レーザ索子の外観の一例ケ示す。本発明の方法でａ、
従来の方法で発生した不規則な割ね、突起や第５図（ｂ
）の方法で発生した側面部のカケが発生しない。第５図
（ｂ）の方法で発生した側面の欠は部分５５奮発生しな
い様に丁、ｔｙｃ’ｒｘ両側面から１０μｍ以上門側だ
けに限り、スクライプポイントでけがくことが重要であ
る。
以上の笑施例かられかる様ｒｃ切断工程ｒｃおいて第５
図（ｃ）ｒｃ示す様な外観上の欠点がない半導体レーザ
素子？得るｉｃｅ、基板側表面の側面から１０μｍ以上
Ｖ′３ＩＩｌｌの部分だけに限ってスクライプポイント
でけがくことが重要であることがわかった。
図（ｃ）ｒｃ示す様な外観上の欠点がない半導体レーザ
素子？得るｉｃｅ、基板側表面の側面から１０μｍ以上
Ｖ′３ＩＩｌｌの部分だけに限ってスクライプポイント
でけがくことが重要であることがわかった。
丁なわちこわげ前述し７’Ｃ第−及び第三〇Ｎ要点ＩＣ
ほかならない。
ほかならない。
上記の方法ｙｌ ＧａＡｓ等その他の結晶材料九つぃて
も全く同様に適用できる。
も全く同様に適用できる。
また、実用土有効であるためｒｃ ｒｒ、前記した特注
歩留及び外観歩留が良いことと同時ｖｃ咋業鵬再現註さ
らｒｃｒＸ自動化への容易度等の大量生産性が大きな問
題となってくる。そこで、以下にこれらの大量生産性の
うち％（Ｃ６１１ｍプロセス化の容易度を中心に議論す
る。まず、自動プロセス化？考えた場合の問題点に次の
二点である。すなわち、切断する半導体レーザアレイ素
子をどの様ｒ固定するかという問題と切断に到るキズ全
っける方法が自動化しやすいがどっかという問題である
。
歩留及び外観歩留が良いことと同時ｖｃ咋業鵬再現註さ
らｒｃｒＸ自動化への容易度等の大量生産性が大きな問
題となってくる。そこで、以下にこれらの大量生産性の
うち％（Ｃ６１１ｍプロセス化の容易度を中心に議論す
る。まず、自動プロセス化？考えた場合の問題点に次の
二点である。すなわち、切断する半導体レーザアレイ素
子をどの様ｒ固定するかという問題と切断に到るキズ全
っける方法が自動化しやすいがどっかという問題である
。
まず最初にモ得体し−ザアレイ索子の固足法について考
える。半導体レーザアレイ素子の大きさげ従来のウェハ
ーと比較して極めて小ざい。したがって通常のウェハー
裁断工程で用いられている粘着テープを使用７６と阪触
面積に比例して吸着強度が強＜ｌａので、千尋体レーザ
アレイ木すと粘着テープの吸着強度ぼ非常に弱い。その
ために切断時１’ｃ半導体レーザアレイ素子が勤いてし
まうことが考えられる。第２図に示した従来の方法にお
いてに、特に、′＋！−導体レーザしレイ素す２１にカ
ミソリ刃２２が少しでも傾いて咲触すると、半導体レー
ザアレイ素子２１が移動してしまうことが多数発生した
。しかしながら、第３図ｒｃ示したスクライプポイント
３５を用いて半導体アレイ索子２１紫切ＦＩｆＴＴる方
法でｃ１鏡面用側面１５またＵｌ ６（Ｃスクライブポ
イント３５が啜触した場合を除いて、半導体レーザアレ
イ索子２１の移動汀発生しなかった。本発明の方法でＣ
スクライブポイント３５でけがく範囲げ基板ＩＩＪ！Ｉ
表面の一部３９に限られ、スクライプポイント３５と鏡
面用側面１５．１６が阪触する必要げ全くなく、また啜
触しない様にして切断することに十分可能である。
える。半導体レーザアレイ素子の大きさげ従来のウェハ
ーと比較して極めて小ざい。したがって通常のウェハー
裁断工程で用いられている粘着テープを使用７６と阪触
面積に比例して吸着強度が強＜ｌａので、千尋体レーザ
アレイ木すと粘着テープの吸着強度ぼ非常に弱い。その
ために切断時１’ｃ半導体レーザアレイ素子が勤いてし
まうことが考えられる。第２図に示した従来の方法にお
いてに、特に、′＋！−導体レーザしレイ素す２１にカ
ミソリ刃２２が少しでも傾いて咲触すると、半導体レー
ザアレイ素子２１が移動してしまうことが多数発生した
。しかしながら、第３図ｒｃ示したスクライプポイント
３５を用いて半導体アレイ索子２１紫切ＦＩｆＴＴる方
法でｃ１鏡面用側面１５またＵｌ ６（Ｃスクライブポ
イント３５が啜触した場合を除いて、半導体レーザアレ
イ索子２１の移動汀発生しなかった。本発明の方法でＣ
スクライブポイント３５でけがく範囲げ基板ＩＩＪ！Ｉ
表面の一部３９に限られ、スクライプポイント３５と鏡
面用側面１５．１６が阪触する必要げ全くなく、また啜
触しない様にして切断することに十分可能である。
従って従来の方法よりもぼるかｙｃ手導体レーザアレイ
素子の固定が容易であるといえる。
素子の固定が容易であるといえる。
次に切断九到るキズ全つける方法が自動化しやすいかど
うかという問題について考える。従来の方法でにカミソ
リ刃が破損しやすく頻繁にカミソリ刃全交換する必要が
ある０こｆ′Ｌｒｒ！ａ断工程自体が自動化されてもカ
ミソリ刃交換作業が手作業のままでに自動化の効果が半
減することを意味しており、カミソリ刃交換作業の自動
化の必要性を暗示するものである凸しかしながらカミソ
リ刃交換作業の自動化にその作業自体の複雑性から考え
て必ずしも容易でないと考えられる。
うかという問題について考える。従来の方法でにカミソ
リ刃が破損しやすく頻繁にカミソリ刃全交換する必要が
ある０こｆ′Ｌｒｒ！ａ断工程自体が自動化されてもカ
ミソリ刃交換作業が手作業のままでに自動化の効果が半
減することを意味しており、カミソリ刃交換作業の自動
化の必要性を暗示するものである凸しかしながらカミソ
リ刃交換作業の自動化にその作業自体の複雑性から考え
て必ずしも容易でないと考えられる。
一方、本発明のスクライブポイントでけが〈方法に関し
て言えば、すでに従来設備として、スクライバ−があり
、従来のスクライバ−ｆＣスクライブ距離を制御する機
能を付加丁れば十分である。
て言えば、すでに従来設備として、スクライバ−があり
、従来のスクライバ−ｆＣスクライブ距離を制御する機
能を付加丁れば十分である。
この様な距離を制御する技術に、パルスモータ−や制御
用コンピューター等が発達している現在でａ決して難し
い技術で汀ない。したがって上記の様なスクライブ距離
を制御できるスターライバーに決して難しいことで汀な
い。
用コンピューター等が発達している現在でａ決して難し
い技術で汀ない。したがって上記の様なスクライブ距離
を制御できるスターライバーに決して難しいことで汀な
い。
以上上記した様ｒｃ本発明の方法に、従来の方法に比較
して自動化プロセスが容易であり、自動化が実行される
と、作業性、再現注ａ飛躍的改善が期待され、大量生産
性が飛繭的で増加することが期待できる。
して自動化プロセスが容易であり、自動化が実行される
と、作業性、再現注ａ飛躍的改善が期待され、大量生産
性が飛繭的で増加することが期待できる。
以上述べた様に本発明に工れば、千尋体レーザアレイ素
子を特注を低下させることなく、かつ外観を損うことな
く、個々の半纏体レーザ素子／Ｃ切断Ｔることが可能で
ある。しかも、その自動化ａ決して難しくなく大量生産
性が大いに期待できる。
子を特注を低下させることなく、かつ外観を損うことな
く、個々の半纏体レーザ素子／Ｃ切断Ｔることが可能で
ある。しかも、その自動化ａ決して難しくなく大量生産
性が大いに期待できる。
この様ＩＣ本発明の方法Ｕ！Ｐ４体レーザし子葡索子に
生産するのに極めて有利な方法である。
生産するのに極めて有利な方法である。
第１図ａ半導体レーザ索子の基本的構造ケ示した図であ
る。第２図第３図ａ半尋体レーザアレイ素子を切断して
牛導体し−ザ素すｔ作成する工程？示しており、第２図
ｒＸ従来の方法、第３図に本発明の方法を示す図である
。第４図に本発明において基板表面側からスクライプポ
イントでけがくことのＮ要註全貌明す／）ための図であ
り、第４図（ａ）汀エピ収長層側表面會スクライプポイ
ントでけがいて切断した半導体レーザ索子を示す図であ
り、第４図（ｂ）汀本発明の方法九工つ、て切断した′
！ｆ−導体レーザ素子を示す図である０ま７′Ｃ第５図
ａ従米の方法と不発明の詳細な説明するための方法及び
不発明の方法で作成した半導体レーザ素子の典型的外観
會示す図であり、第５図（ａ）ｒｒ従来の方法で作成し
た半導体レーザ素子の外観であり第５図（ｂ）。 （Ｃ）Ｈ本発明の方法で作成した！Ｐ導体レーザ素子の
外観である。 ＩＬ、１２−・・電極、１３．１４−ｆ）及びｎ型エピ
タキシャル成長層、１５．１６・・・（光帰還鏡面用）
側面、１７・・・半導体基板、１８・・・側面、２１・
・・千尋体レーザアレイ素子、２２・・・カミソリ刃、
３１．３２・・・ストライプ次発光領域、３３・・・基
板側表面、３４・・・鏡面用側面から少なくとも１０μ
ｍ以上内側の基板側表面、３５・・・スクライプポイン
ト、３６・・・本発明の方法で切断が完了した千尋体レ
ーザ索子、３７・・・鏡面用側面近傍ｌＯμｍ以円の基
板＊＋＋ｉ面、３８・・・けが＠ＩＣ工って進展してい
るクラック、３９・・・スクライプポイントでけがい几
跡、４１・・・ｐ−ｎｌｉ合面、４２．４４・・・スク
ライプポイントによるダメージ層、４３・・・リーク電
流、５１・・・従来の方法で作成した切断面、５２・・
・突起部分、５３・・・スクライプポイントでけがいた
跡、５４・・・スクライプポイントで作成した切断面、
５５・・・鏡面用側面部のカケ。 第４図（Ｉｔ） 第４聞（Ｉ７）
る。第２図第３図ａ半尋体レーザアレイ素子を切断して
牛導体し−ザ素すｔ作成する工程？示しており、第２図
ｒＸ従来の方法、第３図に本発明の方法を示す図である
。第４図に本発明において基板表面側からスクライプポ
イントでけがくことのＮ要註全貌明す／）ための図であ
り、第４図（ａ）汀エピ収長層側表面會スクライプポイ
ントでけがいて切断した半導体レーザ索子を示す図であ
り、第４図（ｂ）汀本発明の方法九工つ、て切断した′
！ｆ−導体レーザ素子を示す図である０ま７′Ｃ第５図
ａ従米の方法と不発明の詳細な説明するための方法及び
不発明の方法で作成した半導体レーザ素子の典型的外観
會示す図であり、第５図（ａ）ｒｒ従来の方法で作成し
た半導体レーザ素子の外観であり第５図（ｂ）。 （Ｃ）Ｈ本発明の方法で作成した！Ｐ導体レーザ素子の
外観である。 ＩＬ、１２−・・電極、１３．１４−ｆ）及びｎ型エピ
タキシャル成長層、１５．１６・・・（光帰還鏡面用）
側面、１７・・・半導体基板、１８・・・側面、２１・
・・千尋体レーザアレイ素子、２２・・・カミソリ刃、
３１．３２・・・ストライプ次発光領域、３３・・・基
板側表面、３４・・・鏡面用側面から少なくとも１０μ
ｍ以上内側の基板側表面、３５・・・スクライプポイン
ト、３６・・・本発明の方法で切断が完了した千尋体レ
ーザ索子、３７・・・鏡面用側面近傍ｌＯμｍ以円の基
板＊＋＋ｉ面、３８・・・けが＠ＩＣ工って進展してい
るクラック、３９・・・スクライプポイントでけがい几
跡、４１・・・ｐ−ｎｌｉ合面、４２．４４・・・スク
ライプポイントによるダメージ層、４３・・・リーク電
流、５１・・・従来の方法で作成した切断面、５２・・
・突起部分、５３・・・スクライプポイントでけがいた
跡、５４・・・スクライプポイントで作成した切断面、
５５・・・鏡面用側面部のカケ。 第４図（Ｉｔ） 第４聞（Ｉ７）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 千尋体単結晶工９な６半導体基板上に少なくとも活性層
が形５５Ｃされ複数のストライプ状発光領域が形成され
かつ光帰還用鏡面が形状されたバー状態の＃？導体レし
ザアレイ紮十において該ストライプ状の発光領域と発光
領域との間を該ストライプと平行（Ｃ，かつ鏡面用側面
から少なくともｌＯμｍ以上離ｔまた基板側表面【限９
スクライプポイントでけがいて各半導体レーザ素子［＋
ｊ−割Ｔること全特徴とする半導体レーザ素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231859A JPS60123086A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231859A JPS60123086A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123086A true JPS60123086A (ja) | 1985-07-01 |
| JPH0141268B2 JPH0141268B2 (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=16930132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231859A Granted JPS60123086A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123086A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593815A (en) * | 1989-07-31 | 1997-01-14 | Goldstar Co., Ltd. | Cleaving process in manufacturing a semiconductor laser |
| US5629233A (en) * | 1996-04-04 | 1997-05-13 | Lucent Technologies Inc. | Method of making III/V semiconductor lasers |
| US7183585B2 (en) | 2003-10-29 | 2007-02-27 | Nec Corporation | Semiconductor device and a method for the manufacture thereof |
| JP2008160070A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| WO2014095903A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung von halbleiter-laserelementen und halbleiter-laserelement |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP58231859A patent/JPS60123086A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593815A (en) * | 1989-07-31 | 1997-01-14 | Goldstar Co., Ltd. | Cleaving process in manufacturing a semiconductor laser |
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| US7183585B2 (en) | 2003-10-29 | 2007-02-27 | Nec Corporation | Semiconductor device and a method for the manufacture thereof |
| JP2008160070A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| JP2009004820A (ja) * | 2006-11-30 | 2009-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| WO2014095903A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung von halbleiter-laserelementen und halbleiter-laserelement |
| CN104871378A (zh) * | 2012-12-18 | 2015-08-26 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于制造半导体激光器元件的方法和半导体激光器元件 |
| US9608401B2 (en) | 2012-12-18 | 2017-03-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing semiconductor laser elements and semi-conductor laser element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0141268B2 (ja) | 1989-09-04 |
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|---|---|---|---|
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